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practica de romis
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INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE CIUDAD HIDALGO
PRACTICA UNIDAD III “CARACTERÍSTICAS DEL BJT Y CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN”
INTEGRANTES: Luz Peña Juan Carlos Luis Felipe flores Monroy José Guadalupe Alanís Alanís
DOCENTE: ING. Héctor Román Medina Parra
INGENIERÍA MECATRONICA
Ciudad Hidalgo Mich. A 29 de Octubre de 2015
PRACTICA UNIDAD III
1 OBJETIVOS GENERALES
Comprobar el funcionamiento del transistor BJT, así como la medición de los voltajes
y corrientes en los circuitos de polarización.
Desarrollar habilidades básicas del manejo de instrumentos de medición eléctricos, así
como software para el diseño y simulación de circuitos
Mejorar nuestra habilidad de análisis y síntesis.
Conocer las características de los diodos utilizando las hojas de datos.
2 INTRODUCCION
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En esta práctica se podrá observar el comportamiento de los componentes básicos
electrónicos, principalmente el de los Transistores el como la polaridad influye mucho en su
comportamiento así como el sentido del flujo del cual sean constituidos y la diferencia de un
Transistor npn y , así pues el cómo probar si el componente electrónico se encuentra en
óptimas condiciones para desarrollar su función requerida en la práctica y el poder identificar
cuando no se pueda disponer de este para su aplicación; también pondremos en práctica la
solución de los circuitos de manera teórica y obtendremos sus prácticos mediante las
mediciones con el multímetro.
3 MARCO TEORICO
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El análisis o diseño de un amplificador transistorizado requiere conocer la respuesta del
sistema tanto de cd como de ca. Con frecuencia se supone que el transistor es un dispositivo
mágico que puede elevar el nivel de la entrada de ca, sin la ayuda de una fuente de energía
externa. En realidad, el nivel de potencia de ca de salida mejorada es el resultado de una
transferencia de energía de las fuentes de cd aplicadas.
El análisis o diseño de cualquier amplificador electrónico se compone, por consiguiente, de
una parte de ca y una de cd. Por suerte, el teorema de superposición es aplicable y la
investigación de las condiciones de cd puede separarse por completo de la respuesta de ca.
Sin embargo, hay que tener en cuenta que durante la etapa de diseño o síntesis, la selección
de los parámetros de los niveles de cd requeridos afectarán la respuesta de ca, y viceversa.
FIGURA 1.- símbolo del Transistor y su matrícula.
El transistor bipolar de juntura basa su funcionamiento en el control de la corriente que
circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente aplicada a la base.
El 23 de diciembre de 1947, sin embargo, la industria de la electrónica iba a experimentar el
advenimiento de una dirección completamente nueva en cuanto a interés y desarrollo. Fue en
la tarde de este día en que Walter H. Brattain y John Bardeen demostraron la acción
amplificadora del primer transistor en los laboratorios Bell.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de
material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material
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tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp.
FIGURA 2.- Transistor npn y pnp.
Existen diferentes tipos de transistores para diversas aplicaciones y que encontraremos en
diferentes tipos de encapsulados.
FIGURA 3.- Tipos de Transistores.
4 DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
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MATERIAL
1 Transistor BC547
1 Transistor 2N2222
7 Resistencias de varios valores
1 Protoboard
2 Cables banana-caimán
1 Multímetro
2 Cables para multímetro
Cables de teléfono
Pinzas de corte
PROCEDIMIENTO
1.- identificar la configuración de los transistores a utilizar en la práctica, mediante el uso del
manual de semiconductores, ubicando además los valores de corriente y voltajes máximos,
así como su Beta.
2.- Verificar el estado del transistor mediante el uso de un óhmetro.
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3.- Armar los siguientes circuitos y medir los valores de voltaje y corriente,
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4 RESULTADOS
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5 CONCLUSION
Se logró observar y comprender el comportamiento que tiene un Transistor. Como calcular
también su corriente y voltaje por medio de ecuaciones matemáticas para así poder comparar
los valores teóricos obtenidos con los valores prácticos que obtuvimos con la medición de los
diferentes circuitos. Concluimos que los valores n o siempre serán exactos ya que pequeñas
variaciones en los voltajes o resistencias hacen que el valor practico no sea tan preciso como
el valor teórico.
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5 BIBLIOGRAFIA
Robert L. Boylestand, Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, Edit. Pearson.
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