Instituto Privado de Educación Técnica “Juan XXIII” D - 76

Ciclo Lectivo 2020

Asignatura: Técnicas Digitales

Profesor Responsable: Fabricio Taborda Mesner

Curso: 6to. Electrónica

Nota: El docente enviará los archivos de los Manuales por correo electrónico.

Lea el archivo: “Minibloq.v0.81.Beta.UserManual.sp.20120522.pdf” y responda. 1. ¿Que es MiniBloq?

https://www.youtube.com/watch?v=bQQNjvQbbMA https://www.youtube.com/watch?v=D9qT-gQxV-c

2. ¿Para qué sirve este lenguaje? 3. ¿Es de fácil uso y acceso para personas no técnicas, o sin conocimientos previos? 4. Básicamente, ¿que necesito para poder programar en este lenguaje?, y ¿que necesito para poder probar físicamente mi programa realizado? es decir, diseño un programa que mueva 2 motores por ejemplo, ¿funciona realmente esto? ¿Como lo compruebo? 5. Diseñe un programa a su elección a modo de prueba, previa descarga de MiniBloq (http://blog.minibloq.org/p/download.html, también están los link en el archivo) y ejecútelo, detalle paso por paso como lo realizo y que hace este programa. 6. Diseñe un semáforo de una vía, es decir que tenga ROJO – AMARILLO y VERDE, con los tiempos indicados, es cíclico.

7. Diseñe un programa que mueva 2 motores, que son aplicados a un auto, este se mueve de manera automática, ayuda: maneje motores con tiempos de movimientos, la trayectoria que debe seguir este auto es un infinito como se ve en la figura. Ayuda 2: https://www.tecnopatafisica.com/tecno3eso/teoria/robotica/73-dirverl298n

8. Realice los ejercicios del siguiente archivo “Minibloq - Manual de uso intermedio - Sensores LDR e IR.pdf” a modo de práctica. Ejercicios: 1, 2 y 3.

10 SEGUNDOS

10 SEGUNDOS

5 SEGUNDOS

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Ciclo Lectivo 2020

Asignatura: Laboratorio II

Profesor Responsable:Wicky, Rodrigo Exequiel

Curso/Especialidad: 6° Año Ciclo Superior Electrónica

Nombre del Estudiante: Curso completo

Tema:El Transistor polarizado con divisor resistivo y resistencia de emisor (Re).

Consigna de Trabajo:

Realizar un trabajo de investigación sobre el funcionamiento de la resistencia de emisor (Re),

en un circuito de amplificación de un Tr. polarizado con divisor de resistivo. Debiendo simular

pruebas en LiveWire u otro simulador.

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Ciclo Lectivo 2020

Asignatura: Taller de Electrónica

Profesor Responsable: Fabián Torres

Mail docente: luifatorres@hotmail.com

Curso/Especialidad: Taller de Electrónica – 6to año

Nombre del Estudiante:

Tema: Conmutación – Control de Motores de C.C.

Introducción:

A principio de año se entregó un cuadro descriptivo con la planificación de contenidos para todo el año. El segmento inherente al primer trimestre era el siguiente:

PRIMER TRIMESTRE

Unidades Temáticas

Unidad 1: Conmutación – Control motores de C.C.

Unidad 2: Circuitos de control de tiempo

Proyecto Mecánico de aplicación de control

- Diseños preliminares (gráficos, bosquejos, etc.) - Pruebas de materiales y tipo de estructura - Construcción del prototipo base - Pruebas y montaje de motores - Diseño, fabricación, y montaje de placas control de motores - Control y comando del prototipo con cables - Presentación

La consigna de trabajo entregada a los alumnos en esa oportunidad era: Primer trimestre: Consigna de trabajo y actividades:

Objetivo: Diseñar y construir un prototipo mecánico motorizado, que sirva de base para el proyecto de aplicación de control de procesos anual.

Desarrollo y fases del proyecto:

- Diseños preliminares (gráficos, bosquejos, etc.) - Pruebas de materiales y tipo de estructura - Construcción del prototipo base

- Pruebas y montaje de motores

- Diseño, fabricación, y montaje de placas control de motores

- Control y comando del prototipo con cables

Presentación del proyecto:

El proyecto deberá presentarse funcionando de acuerdo al anteproyecto, y a las

especificaciones solicitadas por la cátedra en el documento Formato Entrega de Proyectos, y

deberá estar acompañado por un informe impreso completo de acuerdo a lo solicitado.

En la presentación se realizará una evaluación oral individual, a manera de coloquio, donde el

alumno deberá efectuar una exposición, explicando la totalidad del proyecto, y respondiendo las

preguntas que la cátedra considere necesario efectuar.

Nota: Habiendo refrescado estos conceptos pasamos al trabajo práctico a distancia.

Trabajo Práctico: Diseño de un móvil con 4 grados de libertad

Consigna de trabajo: Diseñar un prototipo motorizado, que sirva de base para el proyecto de

aplicación de control de procesos anual.

Se solicita diseñar un móvil con 2 motores independientes, que pueda ejecutar los 4 grados de

libertad básicos: Adelante – Atrás – Derecha – Izquierda.

Se debe diseñar la lógica de diodos necesaria, y la placa de control de motores basada en el

Circuito Integrado L293D, para poder accionarlo con 4 pulsadores.

Desarrollo y fases del proyecto:

- Diseños preliminares (gráficos, bosquejos, etc.)

- Diseño del prototipo base: Presentar gráficos realizados en SketchUp o cualquier otro software

gráfico con las medidas en mm.

- Diseño de placa de control de motores

- Diseño de placa de control con pulsadores, a manera de Joystick con cables.

- Presentación del trabajo.

Diagrama esquemático del proyecto:

Forma de Presentación del proyecto:

El proyecto deberá presentarse en un informe impreso completo, con una carátula similar a la

definida al principio de este texto, con el desarrollo de los siguientes puntos:

Introducción: Descripción de la función y utilidad que podría cumplir el dispositivo.

Circuito Eléctrico: Circuito eléctrico con referencias (diseño Livewire).

Circuito Impreso: Placas de circuito impreso con serigrafía (diseño PCB).

Funcionamiento: Explicación del funcionamiento del sistema completo en general, y

de sus diferentes etapas en particular, y las posibles mejoras y ampliaciones a futuro

que se le puedan realizar al mismo.

Conclusiones: Auto evaluación final de lo realizado durante el proyecto.

Información adicional:

Hoja de datos del Circuito Integrado L293D

https://html.alldatasheet.com/html-pdf/27189/TI/L293D/19/1/L293D.html

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Ciclo Lectivo 2020

MATERIA: EDUCACIÓN FÍSICA.

DOCENTE: ESCAMILLA CAROLINA

DESTINATARIOS: MUJERES DE TODOS LOS AÑOS

FECHA DE ENTREGA: 1ER día de clase de Educación Física. (SI HAY HERMANAS PUEDEN

PRESENTAR UN SOLO TRABAJO)

CUESTIONARIO.

1 Beneficios del ejercicio físico para el cuerpo y la mente.

2 ¿Qué es un sistema aeróbico, anaeróbico y ejemplos.?

3 ¿Cuánto tiempo dura el sistema aeróbico?

4 ¿Para qué sirve el calentamiento?

5 ¿Qué actividad es buena para retomar el ejercicio progresivamente?

6 Beneficios del estiramiento.

7 ¿Cuánto tiempo se debe mantener un estiramiento?

8 ¿Qué debemos tener en cuenta para realizar un estiramiento?

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Ciclo Lectivo 2020

Asignatura/s: Practicas profesionalizantes

Profesor/es Responsable/s: Aguirre Gabriel (0343-154381491) jogaaguirre@gmail.com

Curso/Especialidad: 6to Electronica

Nombre del Estudiante:

Tema: Proyecto Trimestral

Introduccion del Trabajo:

Recordando el objetivo planteado en clases, durante este primer trimestre nos enfocaremos en

plantear un proyecto que satisfaga alguna necesidad real que detectemos en la institucion.

Este proyecto sera presentado ante las autoridades del instituto y defendido oralmente por lo que

debe de cumplir todos los paremetros previemnte estipulados como objetivos.

En virtud a la situacion santaria actual y con el fin de intentar no perder tiempo, cada alumno ( al

margen de que el proyecto sea grupal) debera comenzar con la confeccion de la carpeta tecnica, para

lo cual deberan coordinar con el resto del grupo para tener todos el mismo material.

La misma consta de 5 etapas

1. Identificacion del problema, marco sociocultural,localizacion del trabajo a realizar

2. Diseño ( Bosquejo – Croquis) de la solucion proyectada

3. Organizacion y gestión

4. Planificacion y ejecución

5. Control y perfeccionamiento

Consigna de Trabajo:

En este primer pedido,se solicita al alumno un primer avance del proyecto que contenga las etapas 1 y 2 para ser supervisadas y realizar las correcciones correpondientes. Se recomienda en estas etapas volcar las imagenes ,fotografias y cualquier otro material que sirva para ilustrar la situacion o marco actual. Ser claros y concisos con la solucion planteada y los caminos a tomar para llegar a el objetivo que proponen

Nota: Pueden utilizar como refencia , los trabajos realizados de este mismo tipo en años anteriores y por empresas profesionales que fueros pasados digitalmente a los distintos grupos en clase.

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Ciclo Lectivo 2020

ASIGNATURA: Máquinas Eléctricas DOCENTE:Prof. Ing. Rufiné Oscar Alberto CURSO:6to Ciclo Superior Especialidad Electrónica Nombre del Estudiante:…………………………………………. Tema: Introducción a las máquinas eléctricas

OBJETIVO:

Que el alumno sea capaz de interpretar las consignas.

Que el alumno sea capaz de determinar las herramientas necesarias para la

resolución de las consignas.

Que el alumno sea capaz de realizar un cronograma de trabajo y cumplirlo.

Que el alumno desarrolle el espíritu de superación.

Que el alumno sea capaz de transmitir los conocimientos adquiridos a sus pares y a

sus docentes.

Que el alumno sea capaz de razonar y justificar las respuestas del cuestionario

Consigna del trabajo

El estudiante antes de empezar a confeccionar este trabajo práctico que consta de la

resolución de un cuestionario deberán repasar los conceptos de física eléctrica los mismo se

encuentran en la carpeta o en el apunte entregado en clases o lo podrá realizar a través del

siguiente linkhttps://forms.gle/VkA8M95L8qFeL1cCA

Cabe aclarar que la entrega y la puesta en común del mismo se entregará una vez

reactivadas las actividades normales.

Preguntas:

1) ¿ Qué tipo de corriente se obtiene en un generador básico ?

2) ¿ En qué elemento se extrae la corriente en el generador ?

3) ¿ Qué es el rotor y qué el estator ?

4) ¿ Cómo se obtiene CC en un generador ? Explique cómo se logra.

5) ¿ Con cuál mano se determina el sentido de circulación de la corriente

en la espira ? Explique.

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Ciclo Lectivo 2020 Asignatura/s: Electrónica II Profesor/es Responsable/s:Gastiasoro Francisco, Wicky Rodrigo Curso/Especialidad: 6to Electrónica Nombre del Estudiante: Tema: Amplificadores de Efecto de Campo Consigna de Trabajo: Establecer ecuaciones para el cálculo de corrientes y tensiones, en distintas

configuraciones de polarización. Introducción teórica Relea la forma constructiva y funcionamiento básico de los JFET y de los MosFET de enriquecimiento visto

anteriormente. Nos ha quedado pendiente la forma constructiva y el funcionamiento de los MosFET de

empobrecimiento, de los cuales podemos decir que su funcionamiento es muy similar al de los JFET, ya que se

trata de controlar la corriente ID (“corriente de drenaje”), a través de el estrangulamiento de un canal. Esto

quiere decir que el MosFet de enriquecimiento se regirá por las mismas fórmulas que los JFET, pero incluirá

mejoras aportadas por la forma constructiva de los MosFET (IG≈0A). Lo invito a que lea el Apéndice A, en el

cual encontrará información sobre la forma constructiva y funcionamiento de los MosFET de empobrecimiento

Conclusiones y conceptos importantes de los Transistores de efecto de campo “FET”.

1. Un dispositivo controlado por corriente es aquél en el cual una corriente define las condiciones de

operación, en tanto que un dispositivo controlado por voltaje es aquél en el cual un voltaje particular

define sus condiciones de operación. El JFET en realidad puede ser utilizado como un resistor

controlado por voltaje, podemos variar la impedancia del drenaje a la fuente variando el voltaje VGS.

2. La corriente máxima para cualquier JFET se designa IDSS y ocurre cuando VGS 0 V.

3. La corriente mínima para un JFET ocurre en el momento en que se da el estrangulamiento definido por

VGS Vp.

4. La relación entre la corriente de drenaje y el voltaje de la compuerta a la fuente de un JFET es no lineal.

A medida que el nivel de la corriente se aproxima a IDSS, la sensibilidad de ID a cambio de VGS se

incrementa significativamente.

5. Las características de transferencia (ID contra VGS) son características del dispositivo propiamente

dicho y no son sensibles a la red en la cual se emplea el JFET.

6. Los MOSFET están disponibles en uno de dos tipos: empobrecimiento y enriquecimiento.

7. El MOSFET tipo empobrecimiento tiene las mismas características que un JFET con corrientes de

drenaje hasta el nivel de IDSS. En este punto las características de un MOSFET tipo empobrecimiento

continúan elevándose a niveles por encima de IDSS, en tanto que las del JFET se terminarán.

8. La flecha en el símbolo de los JFET o de los MOSFET de canal n siempre apunta hacia el centro del

símbolo, en tanto que la de un dispositivo de canal p siempre lo hace hacia fuera del centro del símbolo.

9. Las características de transferencia de un MOSFET tipo enriquecimiento no están definidas por la

misma ecuación que para un JFET sino por una ecuación no lineal controlada por el voltaje de la

compuerta a la fuente, el voltaje de umbral, y una constante k definida por el dispositivo empleado. La

gráfica resultante ID contra VGS se eleva exponencialmente con los valores crecientes de VGS.

Resumen de símbolos gráficas y fórmulas

JFET de canal N

JFET de canal P

MosFET de canal N Enriquecimiento

MosFET de canal P Enriquecimiento

MosFET de canal N Empobrecimiento

MosFET de canal P Empobrecimiento

Circuitos de polarización CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA La configuración de polarización más simple para el JFET de canal n aparece en la figura siguiente.

Conocida como configuración de polarización fija.

La configuración de la figura anterior incluye niveles de Vi y Vo y los capacitores de acoplamiento

(C1 y C2). Recuerde que los capacitores de acoplamiento son “circuitos abiertos” para el análisis de cd

y bajas impedancias (en esencia cortorcircuitos) para el análisis de ca.

Para el análisis de cd: teniendo en cuenta que IG≈0A podemos plantear:

−𝑉𝐺𝐺 − 𝐼𝐺 ∗ 𝑅𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉

Teniendo en cuenta que IG≈0A podemos escribir:

−𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉 → 𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝐺𝐺 Una vez calculado el valor de VGS puedo recurrir a la ecuación:

𝐼𝐷 = 𝐼𝑑𝑠𝑠 (1 −𝑉𝐺𝑆

𝑉𝑃)2

, para calcular el valor de ID, ya que Idss y VP son parámetros característicos del FET. Por ultimo

puedo calcular el valor de VDS para terminar de caracterizar el funcionamiento del nuestro FET. Como

Hago esto último??? Planteando Ley de Kirchhoff de tensiones en la malla de salida y despejando

VDS:

𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 = 0𝑉

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷

Actividades

1) La siguiente configuración se conoce como configuración de autopolarización.

a) Plantee la ecuación en la malla de entrada para determinar el valor de VGS

Al plantearla, notará que en dicha ecuación existen dos incógnitas. Utilice la

siguiente relación para eliminar la variable ID Ud. observará que la única incógnita que quedará, será VGS, pero esta no se

puede despegar de forma directa ya que la misma estará elevada al cuadrado.

b) Realice las operaciones matemáticas necesarias para llegar a una ecuación que

posea la siguiente forma:

( ) ∗ 𝑉𝐺𝑆2 + ( )𝑉𝐺𝑆 + ( ) = 0

Que herramienta matemática puede utilizar para hallar el valor de VGS?

c) Luego de calculada VGS puede utilizar la formula anterior para hallar el valor de ID y por ultimo podrá

plantear la ley de Kirchhoff de las tensiones en la malla de salida para hallar el valor de VDS. Despeje

VDS de la ecuación planteada, de la misma manera que lo hicimos en la configuración de polarización

fija.

2) La siguiente configuración se conoce como polarización mediante divisor resistivo.

a) A diferencia de los BJT, aquí sí se puede suponer que IG =0A, por lo tanto no habrá dos métodos para el

cálculo de los parámetros en la malla de entrada. Calcule la tensión VG (divisor de tension)y luego

plantee la ecuación en la malla de entrada para determinar el valor de VGS.Al plantearla, notará que en

dicha ecuación existen dos incógnitas. Utilice la siguiente relación para eliminar la variable ID

ID = Idss(1 −VGS

VP)2

Ud. observará que la única incógnita que quedará, será VGS, pero esta no se puede despegar de forma

directa ya que la misma estará elevada al cuadrado.

b) Realice las operaciones matemáticas necesarias para llegar a una ecuación que posea la siguiente forma:

( ) ∗ 𝑉𝐺𝑆2 + ( )𝑉𝐺𝑆 + ( ) = 0

Que herramienta matemática puede utilizar para hallar el valor de VGS?

c) Luego de calculada VGS puede utilizar la formula anterior para hallar el valor de ID y por ultimo podrá

plantear la ley de Kirchhoff de las tensiones en la malla de salida para hallar el valor de VDS. Despeje

VDS de la ecuación planteada, de la misma manera que lo hicimos en la configuración de polarización

fija.

Aclaración importante: “Los problemas deberán ser resueltos y entregados en forma prolija, clara y con letra legible. Si ud.

lo desea podrá entregarlo en formato digital impreso. Se deberá detallar con fórmulas y/o palabras

todos los pasos realizados para la resolución del problema”

Apéndice A MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO

La construcción básica del MOSFET tipo empobrecimiento de canal n aparece en la figura siguiente. Se

forma una placa de material tipo p a partir de una base de silicio y se conoce como sustrato. Es la base

sobre la cual se construye el dispositivo. La fuente y el drenaje están conectados mediante contactos

metálicos a regiones tipo n dopadas vinculadas a un canal n como se muestran en la figura. También la

compuerta está conectada a una superficie de contacto metálica aunque permanece aislada del canal n

por una capa de dióxido de silicio (SiO2) muy delgada. El SiO2 es un tipo de aislante conocido como

dieléctrico, el cual establece campos eléctricos opuestos (como lo indica el prefijo di) dentro del

dieléctrico cuando se expone a un campo externamente aplicado. El hecho de que la capa de SiO2 sea

una capa aislante significa que: No hay una conexión eléctrica entre la terminal de compuerta y el canal

de un MOSFET.

Operación y características básicas En la figura 6.28 el voltaje de la compuerta a la fuente se ajusta a 0 V

por la conexión directa de una terminal a la otra y se aplica un voltaje VDS del drenaje a la fuente. El

resultado es la atracción del potencial positivo en el drenaje por los electrones libres del canal n y la

corriente semejante a la que se establece a través del canal del JFET. De hecho, la corriente resultante

con VGS 0 V es IDSS.

Si en VGS aplicamos un voltaje negativo de -1 V, el potencial negativo en la compuerta tenderá a

ejercer presión en los electrones hacia el sustrato tipo p (las cargas semejantes se repelen) y a atraer los

huecos del sustrato tipo p (las cargas opuestas se atraen) . Dependiendo de la magnitud de la

polarización negativa establecida por VGS, ocurrirá un nivel de recombinación entre los electrones y

huecos que reducirá el número de electrones libres en el canal n disponibles para conducción. Cuanto

más negativa sea la polarización, más alta será la tasa de recombinación. Por consiguiente, el nivel de la

corriente de drenaje resultante se reduce con la polarización cada vez más negativa de VGS hasta

alcanzar el nivel de estrangulamiento VP. Los niveles resultantes de la corriente de drenaje y el trazo de

la curva de transferencia prosiguen exactamente como se describió para el JFET. Para valores positivos

de VGS, la compuerta positiva atraerá más electrones (portadores libres) del sustrato tipo p debido a la

corriente de fuga inversa y establecerá nuevos portadores, con lo que aumentara la conductividad del

canal, favoreciendo el pasaje de una mayor corriente que la Idss. Vale aclarar que no debe superar los

valores de potencia máxima de nuestro MosFET.