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1 Aprovechamiento de energía solar mediante estructuras termoeléctricas de Zn-Sn-O Arturo I. Martínez Enríquez Cinvestav Unidad Saltillo 1. Antecedentes La energía térmica proveniente de fuentes de amplia disponibilidad, tales como la radiación solar o energía térmica residual generalmente es desaprovechada para la generación de electricidad. Con los dispositivos termoeléctricos, la energía térmica se transforma a electricidad [1]. Esto hace que los dispositivos termoeléctricos sean ambientalmente atractivos y generen electricidad con cero emisiones de CO 2 . Una ventaja de estos dispositivos es que no utilizan partes mecánicas ni intervienen procesos de conversión química. Por lo tanto, durante su operación, tienen cero emisiones, no generan sonidos y son extremadamente durables [1]. La cantidad de energía eléctrica producida depende de la eficiencia de conversión del dispositivo y del flujo de calor. La conversión directa de la energía térmica a electricidad se relaciona a los fenómenos de transporte de electrones y con el efecto Seebeck. La potencia termoeléctrica se define como el calor conducido por un electrón. La conversión termoeléctrica directa y eficiente de la radiación solar o calor residual a energía eléctrica requiere el desarrollo de semiconductores tipo n y p [2,3]. Para esta conversión eficiente se requiere que los materiales posean una termopotencia (conocida también como coeficiente de Seebeck) grande (S), alta conductividad eléctrica (σ) y baja conductividad térmica (κ); por lo tanto, se ha definido el factor de mérito (ZT). Para los materiales termoeléctricos se requiere que ZT sea lo más grande posible y se define como sigue [4]: ZT=S 2 σT/κ (1) Los materiales termoeléctricos clásicos pueden presentar alta toxicidad, baja estabilidad y baja eficiencia [5–11]. Los óxidos metálicos han sido reconocidos como excelentes alternativas para el desarrollo de dispositivos termoeléctricos, estos presentan alta estabilidad a elevadas temperaturas y bajos costos de producción. Los óxidos conductores tales como los óxidos de In, Sn y Zn tienen una gran expectativa para aplicaciones termoeléctricas [3,12–16]. Esto se debe a que presentan: a) una excelente estabilidad termoquímica, b) tienen carácter conductor tipo n (complementado por su contraparte tipo p) y c) por su alta movilidad de acarreadores de carga [17]. A pesar de esto, se han explorado muy poco las propiedades termoeléctricas de los óxidos binarios de Sn [2,18] y el proponente no ha encontrado reportes en la literatura especializada

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Aprovechamiento de energía solar mediante estructuras termoeléctricas de Zn-Sn-O

Arturo I. Martínez Enríquez

Cinvestav Unidad Saltillo

1. Antecedentes

La energía térmica proveniente de fuentes de amplia disponibilidad, tales como la radiación

solar o energía térmica residual generalmente es desaprovechada para la generación de

electricidad. Con los dispositivos termoeléctricos, la energía térmica se transforma a

electricidad [1]. Esto hace que los dispositivos termoeléctricos sean ambientalmente atractivos

y generen electricidad con cero emisiones de CO2. Una ventaja de estos dispositivos es que no

utilizan partes mecánicas ni intervienen procesos de conversión química. Por lo tanto, durante

su operación, tienen cero emisiones, no generan sonidos y son extremadamente durables [1].

La cantidad de energía eléctrica producida depende de la eficiencia de conversión del

dispositivo y del flujo de calor.

La conversión directa de la energía térmica a electricidad se relaciona a los fenómenos de

transporte de electrones y con el efecto Seebeck. La potencia termoeléctrica se define como el

calor conducido por un electrón. La conversión termoeléctrica directa y eficiente de la radiación

solar o calor residual a energía eléctrica requiere el desarrollo de semiconductores tipo n y p

[2,3]. Para esta conversión eficiente se requiere que los materiales posean una termopotencia

(conocida también como coeficiente de Seebeck) grande (S), alta conductividad eléctrica (σ) y

baja conductividad térmica (κ); por lo tanto, se ha definido el factor de mérito (ZT). Para los

materiales termoeléctricos se requiere que ZT sea lo más grande posible y se define como sigue

[4]:

ZT=S2σT/κ (1)

Los materiales termoeléctricos clásicos pueden presentar alta toxicidad, baja estabilidad y baja

eficiencia [5–11]. Los óxidos metálicos han sido reconocidos como excelentes alternativas para

el desarrollo de dispositivos termoeléctricos, estos presentan alta estabilidad a elevadas

temperaturas y bajos costos de producción. Los óxidos conductores tales como los óxidos de In,

Sn y Zn tienen una gran expectativa para aplicaciones termoeléctricas [3,12–16]. Esto se debe a

que presentan: a) una excelente estabilidad termoquímica, b) tienen carácter conductor tipo n

(complementado por su contraparte tipo p) y c) por su alta movilidad de acarreadores de carga

[17]. A pesar de esto, se han explorado muy poco las propiedades termoeléctricas de los óxidos

binarios de Sn [2,18] y el proponente no ha encontrado reportes en la literatura especializada

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donde se analice el sistema Sn-Zn-O. Aunque se han reportado otros óxidos ternarios y

cuaternarios [19].

Los tres parámetros que definen ZT son interdependientes; es decir, cuando incrementa la

termopotencia, también lo hace la resistividad; cuando la conductividad eléctrica aumenta, la

conductividad térmica incrementa. Por lo tanto, se debe encontrar una óptima concentración y

movilidad de acarreadores, los cuales dependen de distintos factores, tales como el nivel de

substitución de impurezas, estructura cristalográfica, estado de valencia de impurezas,

presencia de vacancias, la estructura electrónica y los mecanismos de dispersión de

acarreadores [20]. Se ha encontrado que la conductividad térmica se puede disminuir con

substituciones adecuadas o modificando la dispersión en las fronteras [21,22]. Esto se ha

logrado por la síntesis de materiales nanoestructurados de distintos materiales, tales como el

óxido de zinc [12,15].

Para entender mejor la interdependencia de ZT de los óxidos conductores, es preciso

determinar los mecanismos de transporte de las estructuras a utilizar. Entre las propiedades

físicas más importantes de los materiales termoeléctricos, se encuentran las características

eléctricas, para determinarlas se han desarrollado distintas técnicas, entre ellas se encuentra el

método de van der Pauw, Efecto Hall, efecto Seebeck y el efecto Nerst. Tener en conjunto estas

cuatro técnicas y realizar mediciones a diversas temperaturas es de gran utilidad para conocer a

profundidad las propiedades termoeléctricas de los materiales [23]. Con estas técnicas se

tendrá información relevante y muy poco analizada en la literatura de los óxidos del sistema Sn-

Zn-O. Entre las propiedades a obtener se encuentran: la masa efectiva, la energía de Fermi

relativa a la banda de conducción (o de valencia), el parámetro de dispersión que es

relacionado con el tiempo de relajación y la energía de Fermi. Entre otras características

importantes que nos dan la certeza de que tipo de portadores de carga y que mecanismos de

dispersión están presentes en los materiales, se encuentran los coeficientes de Hall, de Seebeck

y el de Nerst. El equipo que se desea adquirir es modular y es fabricado por MMR technologies.

Como información adicional, la determinación de la masa efectiva en semiconductores se

calcula por resonancia de cinclotrón, en óxidos metálicos no es posible determinarla, debido a

las movilidades de portadores de estos. En la literatura de óxidos metálicos, frecuentemente se

determina por medios ópticos y mediante la medición de la concentración de portadores de

carga; por medio de cálculos matemáticos, se determina la proporción de masas efectivas en la

banda de conducción y valencia. Este método es muy aproximado y no da información de la

masa efectiva en las respectivas bandas. La aplicación de las técnicas de van der Pauw, Efecto

Hall, efecto Seebeck y el efecto Nerst y el análisis matemático adecuado [23], tendremos

información relevante sobre la estructura electrónica del sistema Sn-Zn-O a desarrollar en este

proyecto.

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La determinación de la estructura electrónica por medio de técnicas experimentales realizadas

en el sistema Sn-Zn-O dará un entendimiento sobre como aplicar este tipo de estructuras en

dispositivos de aprovechamiento de energía solar. El sistema Sn-Zn-O se preparará por la

técnica de rocío pirolítico en configuración de películas y polvos y dará lugar a la formación de

compuestos nanoestructurados tales como el sistema binario-binario SnO2-ZnO, los sistemas

ternarios ZnSnO3 y Zn2SnO4 [24,25]. Se sabe que la formación de precipitados, la formación de

vacancias, la introducción de impurezas y la microestructura de los materiales tienen gran

influencia sobre sus propiedades termoeléctricas [12,22,26–29]. La técnica de rocío pirolítico

tiene la peculiaridad de poder introducir todo este tipo de variables en los materiales, variando

las condiciones de preparación. Entre las impurezas que se desean introducir en el sistema son

aniónicas (F y Cl) y catiónicas (In, Fe y Al). Todas estas modificaciones del sistema Sn-Zn-O y la

presencia de nanoestructura darán lugar al control de la concentración de portadores, su

mecanismo de dispersión y por supuesto a la ingeniería del ZT.

2. Hipótesis

Con la aplicación de las ecuaciones de transporte de Boltzman será posible describir

profundamente las propiedades termoeléctricas del sistema Sn-Zn-O. Todo esto será de utilidad

para formular materiales termoeléctricos para el aprovechamiento de energía solar.

3. Objetivos

Esbozar el mecanismo de aprovechamiento de energía solar por medio de materiales

termoeléctricos del sistema Sn-Zn-O.

Obtener los coeficientes de Seebeck, Hall y Nerst para describir los mecanismos de

dispersión de portadores del sistema Sn-Zn-O.

Describir el comportamiento termoeléctrico del sistema Sn-Zn-O.

Montar técnicas de caracterización eléctrica y termoeléctrica en la Unidad Saltillo del

Cinvestav para caracterizar materiales termoeléctricos. Esto impulsará el desarrollo de

la línea de investigación sobre aprovechamiento de energía solar en el estado de

Coahuila.

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4. Metas

Reportar los resultados relevantes en medios especializados. Entre estos, se puede

mencionar, congresos científicos, revistas especializadas de prestigio internacional y

revistas de divulgación.

Formar doctores y maestros en ciencias e ingeniería con conocimientos especializados en

el aprovechamiento de energías renovables. Los recursos humanos formados tendrán

conocimiento científico que impactará en el desarrollo de aplicaciones de bajo impacto

ambiental y aprovechamiento del recurso solar del país.

5. Metodología

- -

Se estudiará el sistema Sn-Zn-O de dos formas distintas, por medio de materiales de Sn-Zn-O en

forma de polvos y en forma de películas delgadas. A continuación se describen las técnicas de

preparación de ambas versiones de los materiales.

El método de rocío pirolítico (RP) es una técnica poderosa y a la vez fácil de montar en un

laboratorio, principalmente se utiliza en la preparación de óxidos metálicos. El método consiste

en atomizar una solución (de una o varias sales que contienen los metales que conformarán el

óxido, en este caso, sales de Sn y Zn) en un reactor que se encuentra a alta temperatura. Si se

requiere formar películas delgadas, el rocío se incide sobre un sustrato que se encuentra a una

temperatura superior a 300 ºC. En el caso de formación de polvos, el rocío se conduce a través

de un tubo de cuarzo, el cual se encuentra dentro de un horno tubular a alta temperatura; dado

que la reacción pirolítica se lleva dentro del tubo, los polvos sintetizados se colectan de las

paredes del tubo y se compactan para la determinación de las propiedades termoeléctricas.

En el método de RP, la concentración de la solución, la temperatura del reactor y otros

parámetros juegan un papel muy importante en las propiedades de los óxidos preparados por

esta técnica; por ejemplo, es posible preparar sólidos amorfos o policristalinos con distintos

tamaños de partícula. A diferencia de la técnica de sol-gel, que emplea precursores

organometálicos de alto costo, el RP emplea sales inorgánicas o compuestos de coordinación y

solventes económicos, tales como agua, metanol, etanol, propanol, etc.

En el laboratorio de nanoestructuras del Cinvestav-Saltillo, en el cual labora el proponente, se

encuentra esta técnica funcionando con nebulización ultrasónica o neumática. El uso de estos

equipos ha logrado la terminación de dos tesis doctorales, una de maestría y la publicación en

revistas internacionales.

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Para la preparación de películas delgadas y de los polvos del sistema Sn-Zn-O, se utilizarán

como compuestos de partida distintos compuestos metálicos tales como los cloruros, acetatos

y acetilacetonatos de Sn y Zn. Se utilizará un método que evalúe la termoquímica de los

procesos involucrados, que consideren la energía de formación de las reacciones pirolíticas

involucradas y su compatibilidad con solventes, este tipo de análisis ya se ha llevado a cabo en

nuestro laboratorio y funciona excelentemente [30]. Además, la selección de los precursores

también estará acotada por el costo y la disponibilidad de los compuestos.

La principal característica del RP para la fabricación de los materiales, es que se debe de partir

de soluciones de los precursores, en el caso de incompatibilidades de los compuestos de Sn y

Zn, así como formación de precipitados, se realizarán los depósitos con la formación de la

nebulización en contenedores separados y posteriormente se unen para incidir en la zona de

reacción, dando lugar a la formación de los materiales de Sn-Zn-O. En el caso de películas

delgadas, los sustratos que se utilizarán son materiales amorfos tales como vidrio sodocalcico y

cristalinos tales como zafiro y silicio. Las temperaturas de preparación de los materiales serán

de 350 a 600 °C. Es de destacar aquí que los equipos de depósito ya se encuentran instalados y

en funcionamiento en el laboratorio del proponente. Para este proyecto, sólo se pedirán

recursos para los consumibles de los equipos, tales como resistencias, termopares, sales

precursoras y solventes.

- -

La difracción de rayos X y espectroscopia Raman se utilizará para la determinación de la

formación de las fases cristalinas de las estructuras de Sn-Zn-O. La espectroscopia

fotoelectrónica de rayos X se utilizará para caracterización elemental de los materiales. La

microscopía de fuerza atómica (AFM) y la microscopía electrónica de barrido y transmisión

(SEM y TEM, respectivamente por sus siglas en inglés) servirán para observar la morfología de

las películas y polvos. Todos estos equipos se encuentran en uso en las instalaciones donde

laboran los participantes del proyecto.

Para una tener una caracterización más completa, se realizarán mediciones ópticas, las cuales

dan información de la energía de la banda prohibida, el tipo de transición (permitida directa,

prohibida directa, permitida indirecta o prohibida indirecta) y espesor. Los equipos a utilizar son

espectrofotómetros, los cuales se encuentran en el Laboratorio de Nanoestructuras del

Cinvestav-Saltillo.

La caracterización eléctrica y termoeléctrica se realizará por medio de los métodos de van der

Pauw, Efecto Hall, efecto Seebeck y el efecto Nerst. El equipo para realizar estas mediciones se

adquirirá con los recursos asignados a este proyecto, el cual es modular y lo fabrica MMR

technologies.

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6. Grupo de trabajo

En este proyecto participarán estudiantes, investigadores y técnicos altamente

capacitados en áreas afines al proyecto. Específicamente, al inicio de su estancia, a los

estudiantes involucrados se les dará una instrucción adecuada para que el proyecto se realice

de forma satisfactoria; posteriormente tendrán amplias expectativas para que realicen su

trabajo de investigación y tesis bajo la asesoría y co-asesoría del responsable técnico del

proyecto y los investigadores participantes. Para la caracterización estructural y morfológica, se

cuenta con la participación de los excelentes técnicos expertos en microscopia electrónica,

difracción de rayos X, distintos métodos espectroscópicos y valiosas técnicas de análisis

químico; estos se encuentran físicamente en el Cinvestav en las Unidades Saltillo, Mérida y D.F

(AFM, TEM y SEM). También en el laboratorio del Dr. Luis Escobar en el Instituto Nacional de

Investigaciones Nucleares (ININ) (en el caso de espectroscopia Raman). Entre los profesores,

investigadores y estudiantes doctorales que participarán en el desarrollo del proyecto, se

encuentran:

Dr. Luís Escobar Alarcón (ININ, Salazar, Edo. México). Tiene una experiencia de 20 años

en investigación y desarrollo de películas delgadas de diversos materiales que incluyen

óxidos y nitruros metálicos. Además, tiene amplia experiencia en el análisis por

espectroscopia Raman. En este proyecto apoyará con los análisis e interpretación de los

espectros Raman de las estructuras de Sn-Zn-O. Además, brindará un valioso apoyo en

la discusión y escritura de artículos.

Dr. Marco Antonio García Lobato (Instituto Tecnológico de Cd. Victoria, Tamaulipas).

Cuenta con experiencia en el estudio de nanoestructuras para aplicaciones solares. En

este proyecto apoyará con la formulación para obtener materiales termoeléctricos de

Sn-Zn-O. Es de destacar que el Dr. García tiene contacto con estudiantes de Ingeniería

en Energía en el ITCdV, el desarrollo de este proyecto tendrá relevancia en la formación

de estudiantes de la institución donde labora.

Dr. Héctor Manuel Hernández García (Corporación Mexicana de Investigación en

Materiales, Saltillo, Coahuila). Cuenta con experiencia en la síntesis y aplicación de

nanoestructuras. En este proyecto apoyará con las rutas de síntesis de nanoestructuras

de Sn-Zn-O. Además, apoyará en la discusión y escritura de artículos y tendrá impacto

en la formación de recursos humanos.

Dr. Pascual Bartolo Pérez (Cinvestav-Mérida). Cuenta con experiencia en el análisis de

superficies, nanopartículas y películas delgadas de metales, polímeros, óxidos y

calcogenuros metálicos. En este proyecto apoyará en el análisis de las muestras de los

óxidos metálicos por la técnica de XPS e interpretará los resultados para la escritura de

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artículos de relevancia internacional.

Dr. Román Ernesto Castro Rodríguez (Cinvestav-Mérida). Cuenta con amplia experiencia

en el estudio de películas delgadas de óxidos, calcogenuros y de distintos

semiconductores para aplicaciones solares. En este proyecto utilizará su experiencia en

el diseño de experimentos para la obtención de materiales con características

adecuadas de conductividad eléctrica. Además, colaborará directamente en la

preparación de manuscritos para su publicación en revistas de circulación internacional.

Dr. Mauricio Ortega López (Cinvestav-D.F.). Cuenta con amplia experiencia en el estudio

de distintos semiconductores y materiales termoeléctricos para aplicaciones solares. En

este diseñará experimentos para la obtención de materiales con características

adecuadas de transparencia y conductividad. Además, colaborará directamente en la

preparación de manuscritos para su publicación en revistas de circulación internacional.

Estudiantes de Doctorado (2), Maestría (2), Ingeniería (2). Los estudiantes de

doctorado deberán tener sólidos conocimientos de física, química y ciencia e ingeniería

de los materiales, tendrán que demostrar experiencia en el manejo e interpretación de

técnicas experimentales relacionadas con las propiedades físicas de materiales. Tendrán

que poseer capacidad para resolver problemas, encontrar soluciones a pasos críticos en

el diseño de experimentos y en el montaje de técnicas de medición de propiedades

físicas. Además, deben de demostrar capacidad de comunicación en el idioma ingles y

capacidad de escritura de informes y artículos científicos. Las tesis de Maestría

propuestas versarán sobre las propiedades termoeléctricas de los materiales basados en

Sn-Zn-O en forma de películas y polvos. Una tesis de doctorado evaluará los

mecanismos que juegan distintas impurificaciones (catiónicas y anicónicas) en las

propiedades termoeléctricas del sistema Sn-Zn-O. El desarrollo de estos trabajos

impulsarán el desarrollo de materiales de Sn-Zn-O para aplicaciones de generación de

electricidad a partir de medios solares, de esto tratará la segunda tesis doctoral. Además

se planea dirigir tesis de ingeniería en energía. Los estudiantes estarán adscritos a los

siguientes posgrados: Doctorado en Nanociencias y Nanotecnología (Cinvestav) y

Maestría en Sustentabilidad de los Recursos Naturales y Energía (Cinvestav), ambos

posgrados están en el PNPC en la categoría de nueva creación. Es de destacar que este

proyecto coadyuvará en la consolidación de ambos posgrados.

Dr. Arturo I. Martínez (Cinvestav-Saltillo). cuenta con amplia experiencia en el estudio,

síntesis, caracterización, modelado computacional y desarrollo de aplicaciones de óxidos

metálicos. Actualmente es autor y coautor de 32 artículos en revistas internacionales

tales como J. Chem. Phys., Solar Energy Mater. and Solar Cells, J. Phys. D.: Appl. Phys,

Nanotechnology, Thin solid Films, entre otras. Se encargará de coordinar el presente

proyecto, dirigir/co-dirigir satisfactoriamente tesis de doctorado y maestría; facilitará la

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comunicación científica con los participantes del proyecto. Además, organizará material

para la escritura de artículos de investigación en revistas de prestigio internacional.

7. Infraestructura disponible

El Cinvestav Unidad Saltillo ofrece los espacios físicos para la instalación del equipo necesario

para la realización de este proyecto. Además, se cuenta con distintos equipos de

caracterización de materiales, tales como: Difractómetro de rayos X de polvos, Philips X’Pert,

Espectrofotómetro de UV-vis (200-1000 nm), USB4000, Espectrofotómetro NIR (1000-2500

nm), NIR256-2.5. Magnetómetro de gradiente alternante, AGM Micromag 2900. También se

cuenta con equipo de laboratorio básico, tales como agitadores mecánicos, planchas de

calentamiento, balanzas analíticas, prensas hidráulicas, multímetro de precisión, entre otros.

Los colaboradores del Cinvestav de las Unidades Mérida y D.F. cuentan con equipo de

espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (Perkin Elmer PHI 560/ESCA-SAM), microscopio de

fuerza atómica (Digital Instruments NanoScope III, JSPM-5200), TEM y SEM (Jeol ARM200F, FE

HRSEM Auriga 3916); el uso de estos equipos durante el desarrollo del proyecto está

garantizado a través de la satisfactoria colaboración científica que se tiene con los

investigadores participantes. En el ININ se tendrá acceso a través de la colaboración científica al

análisis por micro-Raman (Horiba LABRAM-HR).

8. Programa de actividades

Meta: Optimizar el funcionamiento de los métodos de determinación de las propiedades

eléctricas. Preparación de materiales de Sn-Zn-O por la técnica de rocío pirolítico ultrasónico y

neumático.

Actividades:

Montar el equipo para determinar las propiedades eléctricas a diversas temperaturas.

Optimizar el funcionamiento del equipo de preparación de películas y polvos de

materiales de Sn-Zn-O.

Productos:

Montaje del laboratorio para determinar las propiedades eléctricas.

Preparación de dos óxidos conductores transparentes dopados con metales de

transición.

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Presentación del primer avance de las tesis en desarrollo.

Investigación bibliográfica actualizada.

Meta: Estudio de las propiedades de termoeléctricas del sistema Sn-Zn-O.

Actividades:

Preparar materiales del sistema Sn-Zn-O por la técnica de rocío pirolítico.

Caracterizar las propiedades termoeléctricas, ópticas, magnéticas, estructurales y

morfológicas de los materiales.

Productos:

La obtención de materiales con propiedades termoeléctricas.

Estudios preliminares del papel que tiene la composición y la microestructura sobre las

propiedades termoeléctricas del sistema Sn-Zn-O.

Presentación de trabajos en un congreso nacional y otro internacional de prestigio.

Publicación de dos artículos de circulación internacional.

Presentación de los avances de tesis y conclusiones.

Meta: Descripción del papel que desempeña las propiedades de transporte de portadores

sobre las propiedades termoeléctricas del sistema Sn-Zn-O.

Actividades:

Realizar una descripción detallada del papel que juegan distintas variables de síntesis sobre las

propiedades de los materiales del sistema Sn-Zn-O. Desarrollar teorías que describan la

aplicación de los materiales para aplicaciones de aprovechamiento de energía solar.

Productos:

2 artículos científicos publicados en revistas de prestigio internacional.

Una presentación en un congreso nacional y otro internacional de prestigio.

Presentación de los avances finales de las tesis y conclusiones.

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9. Presupuesto global

ETAPA 1, primer año.

Compra de insumos para la preparación y caracterización de

materiales de Sn-Zn-O.

Comprar de reactivos, tubos de cuarzo, resistencias eléctricas y

substratos para la preparación de materiales. Materiales de

caracterización tales como puntas de AFM, rejillas TEM e insumos

para caracterización termoeléctrica.

ETAPA 2, segundo año.

Compra de insumos para la preparación y caracterización de

materiales de Sn-Zn-O.

Comprar de reactivos, tubos de cuarzo, resistencias eléctricas y

substratos para la preparación de materiales. Materiales de

caracterización tales como puntas de AFM, rejillas TEM e insumos

para caracterización termoeléctrica.

Asistencia a un congreso nacional y otro internacional, pago de

pasaje, viáticos y cuotas de inscripción.

Se asistirá a un congreso internacional de prestigio para presentar

nuestros avances a la comunidad académica.

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ETAPA 3, tercer año.

Compra de insumos para la preparación y caracterización de

materiales de Sn-Zn-O.

Comprar de reactivos, tubos de cuarzo, resistencias eléctricas y

substratos para la preparación de materiales. Materiales de

caracterización tales como puntas de AFM, rejillas TEM e insumos

para caracterización termoeléctrica.

Asistencia a un congreso nacional y otro internacional, pago de

pasaje, viáticos y cuotas de inscripción.

Se asistirá a un congreso internacional de prestigio para presentar

nuestros avances a la comunidad académica.

TOTAL GASTO CORRIENTE: 150+125+125= 400 mil pesos

ETAPA 1, primer año.

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El sistema completo de MMR cuenta con un controlador para las mediciones de efecto Hall,

fuente de poder programable, electromagneto de 3.5kG. La electrónica para medición de

efecto Seebeck y Nerst, software de adquisición de efecto Seebeck, Nerst y Hall, cámara de

vacío para efecto Seebeck. Accesorios para mediciones de efecto Hall en vacío, kit de montaje

de muestras. El precio incluye gastos de transporte e importación.

GASTO TOTAL DEL PROYECTO: 400,000 + 1,000,000 = 1,400,000 pesos

10. Resultados entregables esperados

Publicación de 5 artículos originales en revistas científicas con arbitraje estricto. Las

revistas consideradas para publicar son: Appl. Phys. Lett., Solar Energy Mater. and Solar

Cells, Chem. Mater. y Nanotechnology.

Graduados de doctorado, 2. Graduados de maestría, 2.

Artículos de divulgación científica, 1.

Presentación de trabajos arbitrados en Congresos Científicos de reconocido prestigio. 2

nacionales y 2 internacionales. Se planea la asistencia a congresos nacionales e

internacionales con cuotas de inscripción para estudiantes, donde asistan estos para

que adquieran mayor experiencia y nuevas ideas sobre la ciencia e ingeniería de

materiales.

11. Bibliografía

[1] S. Maneewan, J. Khedari, B. Zeghmati, J. Hirunlabh, J. Eakburanawat, Investigation on

generated power of thermoelectric roof solar collector, Renew. Energy. 29 (2004) 743–

752.

[2] M.-M. Bagheri-Mohagheghi, N. Shahtahmasebi, M.R. Alinejad, a. Youssefi, M. Shokooh-

Saremi, Fe-doped SnO2 transparent semi-conducting thin films deposited by spray

pyrolysis technique: Thermoelectric and p-type conductivity properties, Solid State Sci.

11 (2009) 233–239.

[3] T.M. Tritt, M.A. Subramanian, Thermoelectric Materials , Phenomena , and Applications :

A Bird ’ s Eye View, MRS Bull. 31 (2006) 188–198.

[4] T.M. Tritt, N.Q. Kanatzidis, J. Hylan B. Lyon, G.D. Nahan, eds., Thermoelectric Materials —

New Directions and Approaches, Materials Research Society, Ann Arbor, 1997.

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[5] K.F. Hsu, S. Loo, F. Guo, W. Chen, J.S. Dyck, C. Uher, et al., Cubic AgPb(m)SbTe(2+m): bulk

thermoelectric materials with high figure of merit., Science (80-. ). 303 (2004) 818–21.

[6] P.F.P. Poudeu, J. D’Angelo, A.D. Downey, J.L. Short, T.P. Hogan, M.G. Kanatzidis, High

Thermoelectric Figure of Merit and Nanostructuring in Bulk p-type Na1−xPbmSbyTem+2,

Angew. Chemie. 118 (2006) 3919–3923.

[7] J.P. Heremans, V. Jovovic, E.S. Toberer, A. Saramat, K. Kurosaki, A. Charoenphakdee, et

al., Enhancement of thermoelectric efficiency in PbTe by distortion of the electronic

density of states., Science (80-. ). 321 (2008) 554–7.

[8] C.B. Vining, An inconvenient truth about thermoelectrics., Nat. Mater. 8 (2009) 83–5.

[9] Y. Pei, A. LaLonde, S. Iwanaga, G.J. Snyder, High thermoelectric figure of merit in heavy

hole dominated PbTe, Energy Environ. Sci. 4 (2011) 2085.

[10] F. Xiao, C. Hangarter, B. Yoo, Y. Rheem, K.-H. Lee, N. V. Myung, Recent progress in

electrodeposition of thermoelectric thin films and nanostructures, Electrochim. Acta. 53

(2008) 8103–8117.

[11] B. Poudel, Q. Hao, Y. Ma, Y. Lan, A. Minnich, B. Yu, et al., High-thermoelectric

performance of nanostructured bismuth antimony telluride bulk alloys., Science (80-. ).

320 (2008) 634–8.

[12] P. Jood, R.J. Mehta, Y. Zhang, G. Peleckis, X. Wang, R.W. Siegel, et al., Al-doped zinc oxide

nanocomposites with enhanced thermoelectric properties., Nano Lett. 11 (2011) 4337–

42.

[13] Y. Inoue, M. Okamoto, T. Kawahara, Y. Okamoto, J. Morimoto, Thermoelectric Properties

of Amorphous Zinc Oxide Thin Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition, Mater. Trans.

46 (2005) 1470–1475.

[14] A.Z. Barasheed, S.R.S. Kumar, H.N. Alshareef, Temperature dependent thermoelectric

properties of chemically derived gallium zinc oxide thin films, J. Mater. Chem. C. 1 (2013)

4122.

[15] K.H. Kim, S.H. Shim, K.B. Shim, K. Niihara, J. Hojo, Microstructural and Thermoelectric

Characteristics of Zinc Oxide-Based Thermoelectric Materials Fabricated Using a Spark

Plasma Sintering Process, J. Am. Ceram. Soc. 88 (2005) 628–632.

[16] C.-Y. Wu, T.V. Thanh, Y.-F. Chen, J.-K. Lee, J.-J. Lin, Free-electronlike diffusive

thermopower of indium tin oxide thin films, J. Appl. Phys. 108 (2010) 123708.

[17] nan, B. Raveau, D.O. Ovono, et al., Tuning the

transport and thermoelectric properties of In[sub 2]O[sub 3] bulk ceramics through

doping at In-site, J. Appl. Phys. 106 (2009) 053715.

[18] M.-M. Bagheri-Mohagheghi, M. Shokooh-Saremi, The electrical, optical, structural and

thermoelectrical characterization of n- and p-type cobalt-doped SnO2 transparent

semiconducting films prepared by spray pyrolysis technique, Phys. B Condens. Matter.

405 (2010) 4205–4210.

Page 14: Aprovechamiento de energía solar mediante estructuras ...productividad.cimav.edu.mx/productividad/adjuntos/arbitraje/3168/CB... · substitución de impurezas, estructura cristalográfica,

14

[19] D.K. Seo, S. Shin, H.H. Cho, B.H. Kong, D.M. Whang, H.K. Cho, Drastic improvement of

oxide thermoelectric performance using thermal and plasma treatments of the InGaZnO

thin films grown by sputtering, Acta Mater. 59 (2011) 6743–6750.

[20] S.R. Sarath Kumar, S. Kasiviswanathan, Role of oxygen vacancies in the high-temperature

thermopower of indium oxide and indium tin oxide films, Semicond. Sci. Technol. 24

(2009) 025028.

[21] D. Li, Y. Wu, R. Fan, P. Yang, A. Majumdar, Thermal conductivity of Si/SiGe superlattice

nanowires, Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 3186.

[22] T. Teranishi, Y. Mori, H. Hayashi, A. Kishimoto, Thermoelectric Property of Polycrystalline

Aluminum-Doped Zinc Oxide Enhanced by Micropore Foaming, J. Am. Ceram. Soc. 95

(2012) 690–695.

[23] D.L. Young, T.J. Coutts, V.I. Kaydanov, a. S. Gilmore, W.P. Mulligan, Direct measurement

of density-of-states effective mass and scattering parameter in transparent conducting

oxides using second-order transport phenomena, J. Vac. Sci. Technol. A Vacuum,

Surfaces, Film. 18 (2000) 2978.

[24] Z. Tian, C. Liang, J. Liu, H. Zhang, L. Zhang, Zinc stannate nanocubes and nanourchins with

high photocatalytic activity for methyl orange and 2,5-DCP degradation, J. Mater. Chem.

22 (2012) 17210.

[25] S. Baruah, J. Dutta, Zinc stannate nanostructures: hydrothermal synthesis, Sci. Technol.

Adv. Mater. 12 (2011) 013004.

[26] P. Jood, R.J. Mehta, Y. Zhang, T. Borca-Tasciuc, S.X. Dou, D. Singh, et al., Heavy element

doping for enhancing thermoelectric properties of nanostructured zinc oxide, RSC Adv.

(2013) 6363–6368.

[27] A.Z. Barasheed, S.R.S. Kumar, H.N. Alshareef, Temperature dependent thermoelectric

properties of chemically derived gallium zinc oxide thin films, J. Mater. Chem. C. 1 (2013)

4122.

[28] Y. Zhao, A. Kumar, C. Hin, S. Priya, Nanoscale Self-assembled Oxide Bulk Thermoelectrics,

in: X. Wang, Z.M. Wang (Eds.), Lect. Notes Nanoscale Technol., Springer International

Publishing, Cham, 2014: pp. 327–361.

[29] J.W. Fergus, Oxide materials for high temperature thermoelectric energy conversion, J.

Eur. Ceram. Soc. 32 (2012) 525–540.

[30] M.A. García-Lobato, A. Hernández-V, H.M. Hdz-García, A.I. Martínez, M.I. Pech-Canul, Fe

2 O 3 Thin Films Prepared by Ultrasonic Spray Pyrolysis, Mater. Sci. Forum. 644 (2010)

105–108.