4 Aprile 2012

4 Aprile 2012

TECNOLOGIE FOTONICHE e

NANOTECNOLOGIE(in SELEX Sistemi Integrati)

Anna Maria Fiorello

Research&Tachnologies Dept. : Competences and Resources

Competences : Development of Electronic and Photonic emerging Devices (GaN,

THz,..) Photonics for Radar and Sensors

Design of MMIC and RF assemblies RF (TRM, SSPA, ..) GaAs/GaN Foundry

Microelectronics

Risources: R&T (3)

RF assemblies(13)

GaAs Foundry (25)Microelectronics (20)

Photonics (21)

Employees 78 (~30% Graduated)

GaAs/GaN Foundry

Competences: R&D Emerging Technologies (GaN, mmW, MEMS, THz,..)

RF Testing (on-wafer) and Modeling (FET) Development and ProductionMMIC Reliability of electronic components

Risources:

Clean Rooms: ~ 600m2 (Class 100/1000) Equipments: ~ 12 M€

MMIC Production (14)R&D Emerging Tec.(6)

RF Testing & Reliability (5)

Employees 25

Microelectronics & Photonics

Competences: R&D Photonics and Emerging Technologies(Nanotechnology, MEMS, THz,..) Design and fabbrication of Integrated Optics Devices Design and Fabbrication of fiber optics sub-systems Development of Integration and Packaging Technologies Pre-Production of microelectronics modules Quantum Crittography MMIC and MW Sub-Systems Design

Risources:

Lab & Clean Rooms: ~ 1000m2

Equipments: ~ 8 M€

Employes 40

14

5

20

1 Sviluppo e Pre-Pro-duzione microelettron-ica (14)

Produzione film sottile (5)

R&S e tecnologie emergenti (15)

Management (1)

FOTONICA

PHOTONCS: Technologies Capabilities

LiNbO3 WafersChips

Devices

Thin FilmPhotolitography

Fiber interconnection

Integrated Optics DevicesAmplitude Modulators / Phase / frequency

Switches and electro-optics switches matrixesAOTF (Acousto-Optics Tunable Filter

Non linear PPLN Devices

Technologies

Packaging

Thin Film

Integrated Optics Lithium Niobate Foundry– Wide BW (>30GHz) electroptic modulators – Acusto-Optic Tunable Filters– Fiber Optics Gyroscopes– Fiber Optics EM-Field Sensors– Optical swich matrixes– Design, manufacturing, pigtailing and

packaging of customised devices

PHOTONICS TECHNOLOGIES:

Advanced architectures for Optical signal processing

Optical Beam Forming NetworksPhotonic μ-wave generation and μ-wave mixingHigh sampling rate Photonic A/D convertersProgrammable Fiber Optic Delay Lines for Radar

CalibrationDigital & analog FO links

LiNbO3:caratteristiche e proprietà

Trasparente (0.4m-4m)Elettrootico: n EPiezoelettrico: E PACU

Acustoottico: n PACU

Ferroelettrico: polarizzazione spontanea a campo nullo

2)/sin(1 VVPP RFINOUT

Il segnale di tensione VRF modula la fase ottica nei due rami dell’interferometro Mach ZehnderLa potenza ottica in uscita varia tra il massimo (interferenza costruttiva ) e il minimo di trasmissione (interferenza distruttiva ) Un segnale applicato ad un ingresso DC sposta lateralmente la curva di trasmissione per posizìionarla nel punto di massima linearità

Modulatore elettroottico in LinbO3

Modulatore elettroottico in LinbO3: risposta in frequenza

La risposta in frequenza del modulatore è funzione di:Perdite RF della linea di trasmissione del sergnale elettricoMismatch di velocità tra segnale ottico e segnale RF

PROCESSO REALIZZATIVO

Wafer di LiNbO3

Realizzazione guide ottiche

Strato buffer

Elettrodi film sottile

Elettrodi film spesso (crescita elettrolitica guidata)

End-Fire e taglio finale

Maschera SiO2

Scambio Protonico

Annealing termico (~350°C)

Caratteristiche di una guida TAPEConduce una sola polarizzazione (Filtro intrinseco TE)Alto danno fotorifrattivo (>100mW)Alta efficienza elettro-otticaPerdite di propagazione ~0.5dB/cm

SCAMBIO PROTONICOCH3COOH + LiNbO3

CH3COOLi + HNbO3

Guide TAPE (Thermal Annealed Proton Exchange)

Impianto di Sputtering

Acido benzoico a 200°C

Forno per diffusioni

Guide per Diffusione di Titanio

Titanium strip deposition

Titanium diffusion

Salto d’indice indotto su entrambe le polarizzazioni (TE e TM)Basse perdite di propagazione (<0.2dB/cm)Bassa soglia di danneggiamento fotorifrattivo (<10mW)

PROCESSO ELETTRODI

• Realizzazione elettrodi a film sottile (NiCr\Au)

• Spinning e cottura dell’SU-8• Illuminazione dal retro

• Sviluppo

• Crescita galvanica guidata e stripping SU-8

RISULTATI (FOTO SEM)

Crescita elettrodi

GtB

tE

WG

W

Per il funzionamento fino a 35 GHz si richiede:Matching tra l’indice di propagazione a radio-frequenza

nRF(~4) e l’indice ottico nOPT(~2)Aumento dello spessore degli elettrodi: il segnale RF risente

maggiormente dell’indice naria=1, dunque si riduce nRF

Il progetto degli elettrodi richiede, per il matching elettro-ottico : Larghezza (elettrodo centrale) = 10-12 m

Altezza 38 m

Dopo i processi planari: taglio, end-fire e packaging

Taglio del wafer con microsega K & S

Incollaggio testimoni

Lappatura angolata End-Fire: Planarizzazione (Pasta diam.+ghisa)Lucidatura (Syton + panno poliuretano)

Interconnessione con fibra ottica

Packaging

Link in Fibra Ottica

Link digitale

Link analogico

Il modulatore è pilotato dal segnale d’ingresso tra il massimo e il minimo di trasmissione

0,1,1,0, …, 1,1,0

Il modulatore è pilotato intorno al punto di massima linearità

VRF(OUT) VRF(IN)

• 18

Distribuzione dati di controllo al TRM multichannel

Rete di Beam Forming Digitale

Esempio: Distribuzione del OL ai ricevitori in antenna

STALOTx ottico Rx ottico

Ricevitore

ACCTR ottico

TR ottico Multichannel TRM

RicevitoreTR ottico

TR ottico DSP

La Fotonica nel RADAR: segnali digitali

RFSistemi WDM, amplificazione e commutazione otticaAllo stato dell’arte SNR =70dB/ MHz SFDR=110dBc/Hz2/3Applicazioni:Tool di simulazione targetRete di BFN ottico al livello di subarray

MEADSLaser (1)

Modulator

Laser (2)

Modulator

Riv.

Riv.

Riv.

Riv.

RFOUT

1

2

3

4

1.501 msec

1.500 msec

0.751 msec

0.750 msec

DMUXMUX AMPLI AMPLI

2

1t = 0.75 msec ( 150 km di fibra)

Delay Module

• Modulatore Selex SI

VantaggiPrimo target 12 bit: 4096 posizioni del target fino a 220kmSecondoTarget per misure in cella radar

Risparmio sui FAT, SAT, tool per test della cancellazione

velocità commutazione<1usec

La Fotonica nel RADAR: segnali analogici

VantaggiGenerazione direttamente in RF (senza moltiplicazioni)

Rumore di fase indipendente dalla frequenza (<-135dBc/Hz @ 10 KHz offset)Rumore di fase tanto minore quanto più è lunga la cavità

Disponibile un output ottico per distribuzione in fibra

Oscillatore Optoelettronico

Convertitore ADC fotonico

Segnale a 4400 MHz sottocampionato a 500 MSps (FFT) ENOB 5.5

VantaggiCampionamento direttamente su portante RF (no down conversion)

Ampia banda istantanea di ingresso (>40GHz)

Scalabiltà del rate di campionamento a >16GSps aumentando la parllelizzazioone

Alto ENOB (>12bit) grazie all’uso di treni di impulsio ottici campionanti ad alta stabilità (jitter rms <30fs)

La Fotonica nel RADAR: segnali analogici

Fotonica – Optical Device (FP7 SOFI)

Vantaggi• Combinazione dei vantaggi del silicio in termini di:

• tecnologie di silicon-photonics ,• integrabilità con elettronica C-MOS,

• con l’efficienza di modulazione ottica dei polimeri organici

Principi di funzionamento• Integrazione di polimeri organici elettro-ottici + strutture

guidanti in silicio per modulazione ottica ad alta frequenza ( > 60 GHz)

• Strutture guidanti in silicio submicrometriche

• Silicon photonic nano-wires

Le Nanotecnologie

Obiettivo:Progettare e realizzare dimostratori per i vari ambiti di applicazione previsti dal progetto che dimostrino le capacità delle aziende coinvolte ed i miglioramenti delle prestazioni dei prodotti rispetto alle tecnologie tradizionali

Motivazioni:accrescere il know-how nel campo delle nanotecnologie quale elemento abilitante per lo sviluppo e la realizzazione di prodotti altamente innovativi nel settore militare e civile

Progetto: NMP: Nanotechnology Multiscale Project Partners: SELEX SI, SELEX COMM (oggi SELEX ELSAG), ALENIA

AERONAUTICA (Oggi ALENIA AERMACCHI), CSM, OTOMELARA

Progetto Nazionale

PNRM 13/05: flusso delle attività

• 15

Test and Exploitation

Nano Demonstrators

Test

Results and future Devel.

Analisys

NMP Integrated Environment Analisys & Sinthesys

“State of Art” Study

Implementazione ed applicazione dell‘Ambiente Integrato ai 4 settori

d‘interesse

- DB Ambiente NMP- DB Nano Intelligence - DB Impatto Ambientale

Definizione e progettazione ambiente integrato multiscala

Models & NanoTechnologies

Development

THERMAL MANAGEMENT

NANOCOPS

NANOBIO

NANOVALV

NANOCHIM

NANOFSS

NANOMET

NANOEMA NANOPROT

PNRM 13/05: struttura del progetto

• 4 Sotto-Progetti: Nano-Sensors, Nano-Electronics, Nano-Radar Selective Material, Nanostructured Metallic Material

• 3 “Data Base”: Multiscale Modelling DB, Nano-R&D DB, Biological & Environmental Impact of Nanotechnologies DB

• 9 Temi di Ricerca: Sensore CO, Sensore Chimico, Sensore Biologico, Nanotriodo al THz basato su CNT, Thermal Management per HP devices basato su CNT, FSS Nanostrutturate, Materiali EMA, Materiali Metallici per Aeronautica, Materiali per applicazioni Ballistiche

Sensoristica – NANOCOPS (Nano Carbon MonOxide Photonic Sensor)

CIM (Chemically Interactive Material) sviluppati in NANOCOPS

Composto Vantaggi Svantaggi

Porfirina basata su Rodio Buona sensibilità Commercialmente poco diffusa

Porfirina basata su ferro(III) Buona stabilità chimica Scarsa sensibilità

Porfirina basata su ferro(II) Alta sensibilità Instabilità chimica

Composti Corrolici Media sensibilità Buona stabilità

Obiettivo: Realizzazione di un sensore per CO ad elevata sensibilità (>5 ppm), robusto, a basso rumore e di facile utilizzo

Micro-bilancia

• CIM

IN FLOW

OUT FLO

W

λ LASER

Chamber Target Particle

Detector

IN FLOW

OUT FLO

W

λ LASER

Chamber Particle

Detector

Detectors

IN FLOW

OUT FL

OW

λ LASER

Chamber Particle

GRATING

Reflected Beams

Detector

Detector Array

CIM

LIGHT Spectrum Analyzer

Analyte

Spettroscopia UV in assorbimento

Fase 2

Sensore resistivo (elettrodi interdigitati + CIM)

Fase 3

Fase 4


Tecniche di sensing sperimentate


Integrazione dell’hardware e del software del sensore basato su micro-bilancia

• 100ppm

• 25ppm• 5ppm

• 50ppm

• 150ppmDimostratore del Sensore NanoCOPS basato sul principio della micro-bilancia

Misure di CO a varie concentrazioni. Il sistema ha dimostrato di avere un’ottima sensibilità misurando agevolmente concentrazioni che arrivano fino a 5 ppm.

Sensoristica – NanoBio Interactive Material

Obiettivo: Sviluppo di biosensori basati su array di microcantilever in silicio e realizzazione di un sensore a basso costo

Principi di funzionamento: Il bioricettore viene depositato su ciascun microcantilever con tecniche di tipo ink-jet. A seguito dell’interazione del bioricettore con l’elemento da detettare il microcantilever varia la sua massa e di conseguenza varia la frequenza di oscillazione che viene misurata tramite tecniche ottiche.

La variazione della frequenza di oscillazione è direttamente proporzionale alla variazione di massa del microcantilever a seguito della detezione

Sensoristica – NanoBio Interactive Material

1. CAMERETTA A VUOTO; 2. CELLA PELTIER; 3. DISCO

PIEZOELETTRICO; 4. CHIP CONTENENTI GLI

ARRAY DI CANTILEVER;

5. INGRANDIMENTO AL MICROSCOPIO OTTICO DI UN ARRAY

Completati i test per la funzionalizzazione dei cantilever e avviati i test funzionali preliminari

Sensoristica – Sensore Chimico NanoChim

R =

R1

R2

……

R4096

Algoritmi di

ClassificazioneC =

C1

C2

……CN

PCA (Principal Component Analysis)PLS-DA (Partial Least Square Discriminant Analysis)Reti Neurali

ObiettivoRealizzare un sensore in grado di rilevate sostanze chimiche direttamente o indirettamente pericolose

Principio di funzionamento• Sensore costituito da una matrice di NxN (=4096) contatti elettrici resistivi costituiti

da polimeri organici drogati di diversa natura e struttura• Polimeri diversi presentano risposta diversa alla interazione chimica con il

medesimo analita (indipendenza dei polimeri)• Il numero di polimeri utilizzati è << del numero di celle (10-20 polimeri). Si ha

pertanto una naturale ridondanza e non indipendenza delle celle

Sensore (4096 elementi polimerici resistivi)

Sensoristica – Sensore Chimico NanoChim

IL DIMOSTRATORE: INTEGRAZIONE DEI COMPONENTI

Scheda NI-6212

Matrice su Daughter Board

Gas Chamber

Scheda Scansione e

LetturaSW Lettura e

Controllo

Nanoelettronica – Nanotriodo a catodo freddo

Potenziali applicazioni: sono legate alla possibilità di raggiungere frequenze di funzionamento molto elevateApplicazioni nell’Homeland SecurityDetezione di esplosivi tramite analisi di spettri di assorbimento Comunicazioni sicure a corto range (attenuazione atmosferica)

ObiettivoRealizzare un dispositivo valvolare il cui catodo sia realizzato tramite nano-tubi di carbonio (CNTs); l’emissione di elettroni dal catodo è ottenuta fruttando l’effetto punta di strutture nano-metriche quali i CNTsVantaggi• Elevata miniaturizzazione• Alte frequenze di funzionamento• Alta potenza (Thermal Management

facilitato)

CNTs for Cathode

Spettri di assorbimento di esplosivi

Imaging al THz

• Processi tecnologici più semplici per la realizzazione• Frequenza operative maggiori rispetto alla• Configurazione Crossbar Config. Crossbar

(Fase 2)

E’ stata avviata la realizzazione del primo prototipo di nano-valvola Multi-Finger

Nanoelettronica – Nanotriodo a catodo freddo

Le più recenti simulazioni basate sulla configurazione Multi-Finger hanno evidenziato limiti di funzionamento del dispositivo per frequenze non superiori dell’ordine del centinaio di GHz

Nanoelettronica – Thermal Management

ObiettivoSfruttare l’elevata conducibilità termica dei nano-tubi di carbonio (CNTs) per sviluppare nuovi materiali e tecniche di montaggio per chip di potenza a microonde al fine di migliorarne la dissipazione.

VantaggiMigliorare le prestazioni e l’affidabilità in particolare dei dispositivi MMIC in tecnologia GaN che possono sviluppare elevati valori di densità di potenza in conseguenza degli elevati valori di tensione di polarizzazione e corrente a cui possono operare.

Riduzione della T di giunzione in dispositivi basati su tecnologia GaAs e GaN quali elementi costitutivi dei TRM (Transmit/Receive Module)

GaN

BumpSapphire

Sapphire

AlN Substrate

Nanoelettronica – Thermal Management

Principi di funzionamento• Inclusione di CNT in matrici commerciali per l’aumento di conducibilità termica del

materiale (face-up). I CNT fungono da ‘ponte’ tra le particelle metalliche della resina commerciale

• Utilizzo di CNT come bump per aumento della conducibilità termica e diretta interconnessione elettrica del chip al substrato (flip-chip)

TIM

ChipPackage

Heat sink

TIM

ChipPackage

Face-up Flip-chip

CNTs Bumps

High Power Chip

Die Substrate

Package

Heat SinkCNTs Bumps

High Power Chip

Die Substrate

Package

Heat Sink

CNT come ‘ponte’ tra le strutture metalliche

della resina

Set-up di misura delle resine

Bump in CNT

Applicazioni EM – Multistrati nanometrici per FSS

Vantaggi• FSS low cost e flessibile per Sistemi

Multifunzione @ 6-18GHz con: • Trasmittanza > 80% nella banda 6 GHz-

18-GHz • Riflettanza < 40% nella banda 6 GHz-

18-GHz

Principi di funzionamento• Patch metallica realizzata in Film Sottile

multistrato• Dielettrico realizzato utilizzando matrice

base standard più nano/micro polveri dielettriche per la calibrazione della costante dielettrica del composito

• Azione filtrante dell’assieme nel range di frequenze voluto

Banda passante a 0.8 da circa 6 GHz fino a 18 GHz

TiO2

T

R

Nanopolvere di TiO2

ObiettivoRealizzazione di schermi FSS (Frequency Selective Surface) per antenne RADAR attive al fine di migliorarne le prestazioni

FSS a Banda Larga per Sistemi Multifunzione - Progettazione

strato dielettrico

FSS

strato dielettrico

FSS

PatchFilm sottile multistrato (50nmdi Ni e 300 nm di Cu) SE di circa 60 dB

DielettricoResina epossidica + 4% Titania(TiO2), spessore 3.5 mm

Progettazione del dimostratore FSS multistrato (nano-composito) con patch a film sottile multistrato

T

R

Banda passante a 0.8 da circa 6 GHz fino a 18 GHz

Materiali nano-compositi dielettrici con permettività controllata

parte realeparte immaginaria

0

Matrice: resina epossidicaFiller: Al2O3 (1-10 m), TiO2 (0.3-0.5 m), SrTiO3 (5 m) Progettazione del nano-composito mediante simulazione (EMT)Test di caratterizzazione: misure permettività effettiva 8-18 GHz


FSS a Banda Larga per Sistemi Multifunzione Realizzazione e Test


Sono stati realizzati una serie di dimostratori tecnologici costituiti da pannelli FSS delle dimensioni di 40X40 cm circa

Tutti i dimostratori sono stati misurati in camera anecoica mostrando un buon accordo con le simulazioni

Multistrati nanometrici per applicazioni EMA

ApplicazioniLa struttura è utilizzata per la schermatura di calotte e di finestre per sensori aeronautici; mira a garantire alta trasmittanza ottica nelle bande operative di vari sensori elettro-ottici (E/O) di missione, ed al contempo bassa osservabilità a radio-frequenza

ObiettivoStudio e sviluppo di nuovi materiali multistrato nano-strutturati conduttivi a Radio Frequenza, ma trasparenti nel:• visibile e vicino infrarosso (fino a 1,5 μm)• medio infrarosso (8 – 12 μm)


Medio infrarosso (8–12 μm):Substrato di Germanio su cui, attraverso tecniche di deposizione tramite sputtering e tecniche di fotolitografia, viene realizzata una struttura reticolare metallica a film sottile opportunamente ottimizzata nella geometria.

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

7000 7500 8000 8500 9000 9500 10000 10500 11000 11500 12000 12500 13000

wavelength (nm)

T%

T% P1A uncoated T% P1A con micro-grliglia T% P1A with micro-griglia + AR su 2 lati

Lo studio e la simulazione di tali strutture è stato fatto con l’ausilio di modelli matematici e tool di calcolo appositamente sviluppati che tengono conto del comportamento dei materiali su scala micrometrica e nanometrica


Visibile e vicino infrarosso (fino a 1,5 μm)

Lo studio e la simulazione di tali strutture è stato fatto con l’ausilio di modelli matematici e un tool di calcolo costituito di 4 moduli appositamente sviluppati; Attraverso di esso è possibile calcolare la correlazioni tra dimensioni dei grani del rivestimento su scala nanometrica e proprietà funzionali dello schermo

Immagini SEM del rivestimento e successive elaborazioni grafiche

Immagine di un provino

ARB per Applicazioni Aeronautiche e Balistiche

Principi di funzionamento: consiste nella ripetizione di cicli di laminazione di un precursore costituito da un accoppiamento di due lamierini sovrapposti. La laminazione impartisce a tale precursore una deformazione plastica con una riduzione di spessore tipicamente del 50% realizzando così una giunzione metallurgica tra i due lamierini. Al termine di ogni ciclo il lamierino prodotto viene riaccoppiato ad un suo analogo e laminato nuovamente.

Ciclo n°1

2 strati

Interfaccia creata

Ciclo n°2

4 strati

interfaccia creata

Ciclo n° N

2^N strati

Interfaccia creata…

Laminatoio

Materiale in sezione post laminazione

Obiettivo: utilizzare la tecnica ARB (Accumulative Roll Bonding) per sviluppare materiali metallici nanostrutturati per applicazioni aeronautiche e balistiche con prestazioni migliorate rispetto al materiale tal quale.

Vantaggi:il materiale nanostrutturato ha mostrato il miglioramento su leghe da incrudimento dei seguenti parametri

• sforzo ultimo a rottura• durezza

Applicazioni Aeronautiche e Balistiche

Potting Inferiore

Potting Superiore

Microdurezza Vickers AA6056-T4

Microdurezza Vickers AA6056-T6

Microdurezza Vickers AA6056-ARB

Test di durezza

Dimostratore Balistico: eseguiti test preliminari

Dimostratore Aeronautico:parte strutturale costituita da uno skin in AA5083 nanostrutturato mediante ARB e stringer in AA7075 – T6511

AA5083: CURVE SFORZO DEFORMAZIONE

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25DEFORMAZIONE

SFOR

ZO (M

PA)

10P-1_trazioneh111-1_trazione10P_compressione

Test di trazione su AA5083H111

ARB

Nano Amb: Progettazione Multiscala

La dinamica dei Sistemi Naturali e Tecnologici é determinata da uno spettro di fenomeni e processi che interagiscono fra loro su un’ampia gamma di scale spaziali e temporali.

Progettazione Multiscala: metodologia di progettazione supportata da simulatori e ottimizzatori che risolvono numericamente modelli analitici che si riferiscono a strutture fisiche il cui comportamento è determinato da fenomeni che avvengono a diverse scale spaziali e/o temporali.

NanoAmb: architettura software generale

NanoAmb è concepito come un’infrastruttura software per la gestione di programmi per la simulazione e in generale l’ottimizzazione di dispositivi elettronici di varia natura (antenne, amplificatori, nanovalvole, metamateriali, guide d’onda, ecc…) il cui comportamento è descritto attraverso modelli matematici che rappresentano fenomeni che, in generale, avvengono a diverse scale spaziali e/o temporali.Funzionalità chiave: permettere lo scambio di modelli e dati tra i diversi software integrati in modo da realizzare un workflow completo di simulazione/ottimizzazione

CAD: permettono la definizione dei modelli meccanici e quindi, l’immissione della parte più rilevante dei dati di input Mesher: permettono la discretizzazione dei modelli meccanici necessaria per le successive fasi di calcolo numerico Solver: attraverso opportune tecniche di calcolo forniscono la stima dei parametri fisici di interesse e che, in generale, si riferiscono a scale spazio/temporali diverse Optimizer: attraverso l’analisi comparata e reiterata dei risultati forniti dai vari solver, consentono la soluzione di problemi di ottimizzazione quali ad esempio la ricerca di massimi e minimi condizionati, ecc…

NanoAmb: esempio di emissione da nano-punta

A partire dalla costruzione del modello a elementi finiti della nano-punta, attraverso TiberCAD calcola la corrente di emissioneTale valore di corrente viene utilizzato come dato di input per CST per calcolare le traiettorie degli elettroni

NanoInt: database Nano Intelligence

NanoInt: data-base contenente anagrafica e informazioni di aziende, università, politecnici ed anti di ricerca che a vario titolo si occupano direttamente o indirettamente di nanotecnologie

NanoImAm: Database Nano Impatto Ambientale

NanoImAm: data-base contenente articoli, documenti e normative riguardanti i vari aspetti delle nanotecnologie legate a questioni di impatto ambientale e sicurezza per i lavoratori e la popolazione

e-mail: [email protected] +39 06 415013104M. +393351379733

Anna Maria Fiorello

Documents

4 Aprile 2012