Transcript

1

Zarys historii elektroniki

Politechnika Wrocławska

Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Wrocław 2018

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKA - początekpierwszy kalkulator (ok.1500)??

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKA - początekRadio 1900 ??

Radio - metoda przekazu informacji na odległość za pomocą fal radiowych.

Nicola Tesla1856 - 1943

2

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKA - początekRadio 1900 ??

Guliemo Marconi1874 - 1937

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKA

Elektronika to dziedzina techniki, nauki zajmującasię praktycznym zastosowaniem zjawisk związanychz dającym się sterować ruchem elektronów w próżni,gazach i półprzewodnikach.

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKAOdkrycie elektronu

Najmniejsza porcja elektryczności = ELEKTRON

Odkrycie elektronu (1897)Joseph J.Thomson(1856-1940)

Nagroda Nobla 1906

3

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKALampy elektronowe

Termin „elektronika” pojawił się na początku XX wieku dla opisania zastosowań lamp elektronowych.

Lampa katodowa (protoplasta kineskopu) --- Karl F. Braun (1897r.)

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKALampy elektronowe

Dioda próżniowa (zawór elektryczny) -- Ambrose Fleming (1904r.)

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKALampy elektronowe

Trioda próżniowa

Lee de Forest (1906r.)

4

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKALampy elektronowe

Trioda próżniowa

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKALampy elektronowe

http://vimeo.com/28565075

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKARozwój radiotechniki

Pojawienie się lamp zapoczątkował rozwój radiotechniki i TV

lampy wieloelektrodowe i elektronopromieniowe:tetroda (1919), pentoda(1927),

lampy obrazowe (tv) i analizujące (kamera).

elektroniczny system telewizyjny (1927)

Termin „elektronika” ugruntował swoje znaczenie stając sięnazwą miesięcznika wydawanego przez znane wydawnictwoMcGraw-Hill.

5

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKATranzystor bipolarny (1947)

JOHN BARDEEN,WALTER BRATTAIN,WILLIAM SHOCKLEY

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKALata 40 - 50

Elektronika już w latach 40 uznana zostaje za strategiczną dziedzinę.

W połowie stulecia decyduje o burzliwym rozwoju - radiotechniki,- teletechniki, - telewizji, - metrologii elektronicznej,- automatyki, - maszyn matematycznych (komputerów).

Tranzystor zwiększa tempo wprowadzania elektroniki w różne dziedziny życia. Urządzenia stają się bardziej niezawodne, miniaturowe, tańsze.

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKATyrystor, układ scalony, laser

1950r. – pierwszy komputer UNIVAC I

6

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKATyrystor, układ scalony, laser

1956r. – tyrystor - sterowanie urządzeń dużych mocy1958r. – pierwszy układ scalony (Jack Kilby) [1961r. – komercyjna produkcja]1960r. – tranzystor polowy MOS1962r. – laser półprzewodnikowy – systemy łączności z kanałami o b. dużych pojemnościach.Rozwój techniki laserowej otwiera nową epokę w mikromechanice, biologii, medycynie.

Równoległy rozwój techniki lampowej – kolorowa TV (1956r.)

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKAMikroelektronika

Pierwszy sterowany elektronicznie robot przemysłowy(1962)

Pierwszy działający satelita telekomunikacyjny –Telstar(1962)

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKAMikroelektronika

Pierwszy popularny mikrokomputerPDP-8(1963)

Pierwsza transmisja radiowa z Księżyca(1969)

7

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKAMikroelektronika

Mikroprocesor (1971) – 2300 tranzystorów w monolitycznym kawałku krzemu

Mikroprocesor (1997) – 7,5mln tranzystorówMikroprocesor (2000 - ....) – minimalna długość kanału tranzystora

2005 – 65 nm2008 – 45 nm2011 – 32 nm > 2mld tranzystorów w mikroprocesorze2012 – 22 nm2022 – 5 nm

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKAPrzyszłość….GRAFEN??

Bardzo dobry przewodnik ciepła – ok.5000 W/mK(diament 1500W/mK, srebro, miedź ok..400W/mK),

Niewielka rezystancja

Bardzo wysoka ruchliwość elektronów wtemperaturze pokojowej μ = 200 000 cm²/Vs(krzem – 1500 cm²/Vs, arsenek galu – 8500 cm²/Vs)

Prędkość elektronów, wynosząca 1/300 prędkościświatła

Andre Geim; Konstantin Novoselov

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKAPrzyszłość….GRAFEN??

Niemal całkowicieprzezroczysty (pochłaniatylko 2,3% światła)

Ponad 100 razy mocniejszyniż stal o tej samej grubości,

Elastyczny - można go bezszkody rozciągnąć o 20%.

8

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

ELEKTRONIKAPrzyszłość….GRAFEN??

Zastosowanie:

Szybkie procesory,

Energooszczędne źródła światła.

Czujniki z grafenu potrafią zarejestrowaćobecność pojedynczej cząsteczki substancji.

Elektrony poruszają się w grafeniez prędkością sięgająca 1/300 prędkości światła,pozwala to wykonywać wiele doświadczeń, któredotąd wymagały użycia akceleratora.

Podstawowe elementy bierne w elektronice

Politechnika Wrocławska

Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Wrocław 2017

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Rezystor (opornik)Podział

Najprostszy element bierny obwodu elektrycznego (elem. liniowy).

I

U

RIU Podział rezystorów:

Rezystory stałe - elementy o wartości rezystancji ustalonej w procesie wytwarzania i niepodlegającej zmianie w czasie pracy

Rezystory zmienne - elementy charakteryzujące się zmiennością rezystancji.

nastawne, o konstrukcji umożliwiającej płynną, dokonywaną w sposób mechaniczny,zmianę wartości rezystancji w obwodzie (potencjometry),

półprzewodnikowe (wytwarzane z półprzewodników) o rezystancji zmieniającej sięw znacznym przedziale wartości pod wpływem rozmaitych czynników zewnętrznych, sąto np. termistory, magnetorezystory, fotorezystory.

9

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Rezystor (opornik)Podział

Ważne znaczenie ma klasyfikacja objęta międzynarodowym systemem normalizacyjnym(IEC), w której rezystory dzieli się na:

typu1, tj. wysokostabilne i precyzyjne,

typu2, tj. powszechnego stosowania.

Niekiedy wyróżnia się rezystory mające szczególnie kształtowane wartości niektórychparametrów, przykładem mogą być rezystory:

wysokonapięciowe (> 1 kV),

wysokoomowe (> 10 M),

dużej mocy (> 2 W),

wysokotemperaturowe (> 175°C),

precyzyjne (< 1%),

itp.,

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Rezystor (opornik)Parametry

•Rezystancja (0.1Ω – 10MΩ szeregi E12(10%) i E24(5%)

E3 50% 10, 22, 47

E6 20% 10, 15, 22, 33, 47, 68

E12 10%10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 68, 82

E24 5%

10, 11, 12, 13, 15, 16, 18, 20, 22, 24, 27, 30, 33, 36, 39, 43, 47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Rezystor (opornik)Parametry

•Moc (1/8 – 5W)

•Maksymalne napięcie (100V – 1000V)

•Stabilność termiczna (10ppm/deg – 500ppm/deg)

•Stabilność czasowa (np. 1%/1000h)

•Indukcyjność pasożytnicza

(indukcyjność doprowadzeń 6-8nH)

•Pojemność (0.1pF – 5pF)

•Nieliniowość (R=R(U) rzędu 0.01%/V)

10

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Rezystor (opornik)Oznaczenia

Oznaczenia rezystorów:a) bezpośrednie zapisanie wartości na obudowie rezystora, występuje w przypadku rezystorów przewlekanych,- np. wartość 0.47 Ω zapisujemy 0.47 lub R47 lub 0E47- np. wartość 4.7 Ω zapisujemy 4R7- np. wartość 470 Ω zapisujemy 470 lub 470R lub k47- np. wartość 4.7 k Ω zapisuje się 4.7k lub 4k7- np. wartość 4.7M Ω zapisujemy 4M7 lub 4.7M

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Rezystor (opornik)Oznaczenia

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Rezystor (opornik)Oznaczenia

c) kod paskowy – zakodowanie wartości za pomocą czterech, pięciu lub sześciukolorowych pasków

11

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Rezystor (opornik)Model

R

C~0,5pF

C~0.5pF C~0.5pF

L~5-10nH

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Rezystor (opornik)Przykładowe rezystory

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Rezystor (opornik)Rezystory powierzchniowe

12

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Kondensator (pojemność)

i(t)

u(t)

t

oudttiC

tudtdu

Cti0

)()(1

)(;)(

Zbudowany jest z dwóch okładek (przewodników) rozdzielonych dielektrykiem

Podłączenie napięcia do okładek kondensatora powoduje zgromadzenie się nanich ładunku elektrycznego. Po zaniku napięcia, ładunki utrzymują się naokładkach siłami przyciągania elektrostatycznego.Kondensator charakteryzuje pojemność określająca zdolność kondensatora dogromadzenia ładunku:

U

QC

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Kondensator (pojemność)

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Kondensator (pojemność)

13

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorParametry

•Pojemność (0.1pF – 5F; szeregi E6 – E12)

•Napięcie przebicia (5V – 10kV)

•Polaryzacja (dla kondensatorów elektrolitycznych !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!)

•Rezystancja upływu (0 - 10μA)

•Stratność (rodzaj dielektryka i upływność)

•Rezystancja szeregowa

•Stabilność termiczna (rodzaj dielektryka np. NP0….)

•Prąd maksymalny (szczególnie impulsowy)

•Indukcyjność doprowadzeń

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorParametry

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorParametry

14

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorParametry

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorParametry

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorParametry

15

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorParametry

Dopuszczalne napięcie znamionowe – jest to chwilowa wartość sumy napięcia stałego i amplitudynapięcia zmiennego jaką można przyłożyć do końcówek kondensatora nie powodując jegouszkodzenia (przebicia warstwy dieelektryka). Wartość napięcia znamionowego zależy od typudieelektryka.Wartość napięcia znamionowego podaje się wprost na obudowie kondensatora lub koduje za pomocąlitery.

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorParametry

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorModel

RSC

C~0.5pF C~0.5pF

L

RU

16

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorPrzykładowe kondensatory

ceramiczne

styrofleksowe

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorPrzykładowe kondensatory

polipropylenowe

tantalowe

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorPrzykładowe kondensatory

elektrolityczne

17

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorZakres pojemności

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorRodzaje

Typ kondensatora

Zakres pojemności

Napięcie przebicia [V]

DokładnośćStałość tempera-turowa

Upływ-ność

Uwagi

Mikowy 1 pF-0,01uF 100-600 dobra maładoskonały; dobry w

układach w.cz.

Ceramiczny 10pF-luF 50-30k kiepskaZależy od rodzaju ceramiki

średniamały, niedrogi, bardzo

popularny

Poliestrowy 0,001uF- 50jiF 50-600 dobra kiepska małatani, dobry, bardzo

popularny

Polistyrenowy(styrofleksowy)

10pF-2,7uF 100-600 b. dobra dobra b.maławysokiej jakości, o dużych

wymiarach, dobry do filtracji sygnałów

Poliwęglanowy 100pF-30uF 50-800 b. dobra znakomita maławysokiej jakości, o małych

wymiarach

Polipropylenowy 100pF-50uF 100-800 b. dobra dobra b.maławysokiej jakości, mała

absorpcja dielektryczna

Teflonowy 1 nF-2uF 50-200 b. dobra najlepsza b.b.maławysokiej jakości,

najmniejsza absorpcja dielektryczna

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

KondensatorRodzaje

Typ kondensatora

Zakres pojemności

Napięcie przebicia [V]

Dokła-dność

Stałość temperatur

o-wa

Upływ-ność

Uwagi

Szklany 10pF-l000pF 100-600 dobra b.maładuża stałość długoczasowa

pojemności

Porcelanowy 100 pF-0,1uF 50-400 dobra dobra maładobry, duża stałość

długoczasowa pojemności

Tantalowy 0,1 uF-500uF 6-100 kiepska kiepskaduże pojemności,

polaryzowany, małe wymiary; mała indukcyjność własna;

Elektrolityczny aluminiowy

0,1uF-1F 3-600 zła okropna b.dużafiltry w zasilaczach;

polaryzowany, krótki czas życia

Buck-up 0,1 F-10F 1,5-6 kiepska kiepska małado podtrzymywania zawartości

pamięci; duża rezystancja szeregowa

Olejowy 0,1 uF-20uF 200-10k małafiltry wysokonapięciowe; duże

wymiary; długi czas życia

Próżniowy 1 pF-5nF 2k-36k b.mała Układy w.cz.

18

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Cewka (indukcyjność)Jest elementem zdolnym do gromadzenia energii w wytwarzanym polumagnetycznym.

i(t)

u(t)

dtdi

LtuidttuL

tit

)(;)0()(1

)(0

Zwój z drutu, który może być nawiniętyna rdzeniu z powietrzem lub innymniemagnetycznym materiale, lub nardzeniu magnetycznym (żelazo, materiałferrytowy).Zastosowanie rdzenia zwiększaindukcyjność cewki.

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Cewka (indukcyjność)

•Indukcyjność (szereg E12 tylko dla dławików małej dobroci)

•AL [nH/zw2] - stała rdzenia (L = AL• z2 )

•Rezystancja szeregowa - dobroć

•Naskórkowość

•Nieliniowość i histereza rdzenia, straty w rdzeniu

•Maksymalny prąd (nasycenie materiału rdzenia – Bmax=0,2 - 1.6T)

•Maksymalne napięcie pracy (przebicie międzyuzwojeniowe)

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

CewkaModel

RS

C

C~0.5pF C~0.5pF

L

19

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

CewkaTransformator

Dwie cewki sprzężone magnetycznie (nawinięte na wspólnym rdzeniu)tworzą transformator.

Doprowadzanie do uzwojenia pierwotnego napięcia zmiennego U1 spowodujepowstanie strumienia magnetycznego w rdzeniu. Strumień ten przenikając uzwojeniewtórne, wyindukuje w nim napięcie zmienne U2. Napięcie to będzie miało taki samkształt jak napięcie w uzwojeniu pierwotnym, a amplitudę wprost proporcjonalną doprzekładni transformatora.

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

CewkaTransformator

1

2

12

N

NN

UNU

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

CewkaPrzykładowe cewki i transformatory

20

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Bezpieczniki w aparaturze elektron.

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Bezpieczniki w aparaturze elektron.Parametry

Napięcie znamionowe – największe napięcie (stałe lub zmienne) dla któregomożna stosować dany bezpiecznik

Prąd znamionowy – prąd (roboczy), dla którego przystosowany jest bezpiecznik.Jest mniejszy od maksymalnego prądu, który nie powoduje zadziałaniabezpiecznika.

Zdolność łączenia – najwyższa wartość prądu, który może być przerwany przezbezpiecznik, przy danym napięciu, bez ryzyka wystąpienia przebicia lub stopieniaobudowy.

Prąd zadziałania IN – minimalna wartość prądu powodująca zadziałaniebezpiecznika (przerwanie obwodu)

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Bezpieczniki w aparaturze elektron.Parametry

Charakterystyka zadziałania – opisuje zależność pomiędzy szybkościązadziałania bezpiecznika a wartością prądu:- bezpieczniki szybkie – krótkim czasie zadziałania, stosowane w układach gdzieprzekroczenie prądu maksymalnego może uszkodzić układ- bezpieczniki zwłoczne – zadziałanie bezpiecznika następuje po przepływieprądu większego/równego prądowi zadziałania przez określony czas; stosowanew układach gdzie występuje tzw. prądy rozruchowe, dużo większe od prądupobieranego przez układy podczas pracy normalnej

21

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Bezpieczniki w aparaturze elektron.Parametry

FF – bardzo szybkie – zabezpieczają układy zawierające elementypółprzewodnikowe przed zwarciamiF – szybkie – stosowane w układach, w których nie występują nagłe skokinapięcia lub jako bezpieczniki główneM – o średnim opóźnieniu zadziałania – używane w układach niskonapięciowychi niskoprądowychT – o opóźnionym czasie zadziałania – stosowane w układach z przełączanymiprądami o powolnych czasach narostu i opadaniaTT – z dużą zwłoką zadziałania – w układach z krótkotrwałymi prądamirozruchowymi

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Bezpieczniki w aparaturze elektron.Parametry

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Bezpieczniki w aparaturze elektron.Obudowy

22

Politechnika WrocławskaInstytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki

Bezpieczniki w aparaturze elektron.Obudowy SMD


Recommended