61
Wykład 11: Elektrostatyka dr inż. Zbigniew Szklarski [email protected] http://layer.uci.agh.edu.pl/Z.Szklarski/

Wykład 11: Elektrostatyka - AGH University of Science and …layer.uci.agh.edu.pl/Z.Szklarski/11-Elektrostat-18.pdf · 2019. 3. 15. · Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji

  • Upload
    others

  • View
    5

  • Download
    0

Embed Size (px)

Citation preview

  • Wykład 11: Elektrostatyka

    dr inż. Zbigniew Szklarski

    [email protected]

    http://layer.uci.agh.edu.pl/Z.Szklarski/

    mailto:[email protected]://layer.uci.agh.edu.pl/Z.Szklarski/

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    2

    Kwantyzacja ładunku

    Każdy inny ładunek jest wielokrotnością ładunku elementarnego |Q|= Ne

    Każdy elektron ma masę = me i ładunek = -e

    Każdy proton ma masę = mp iładunek = e

    e=1,602·10-19 C Ładunek elementarny

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    3

    Zasada zachowania ładunku

    Całkowity ładunek układu odosobnionego, tzn. algebraiczna suma dodatnich i ujemnych ładunków występujących w dowolnej chwili, nie może ulegać zmianie.

    Qcałk=const Qcałk= Qe + Qp

    = -2 e +2 e

    = 0

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    4

    Przykłady zasady zachowania ładunku

    Rozpad promieniotwórczy jądra uranu

    HeThU2389242

    234 +→

    Emisja cząstki αLiczba atomowa Z=92

    oznacza 92 protony w

    jądrze i ładunek 92e

    92e=90e+2eZ zasady zachowania ładunku

    90

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    5

    Proces anihilacji elektronu e- i antycząstki -pozytonu e+

    Proces kreacji pary

    →+ +− ee

    Emisja dwóch kwantów promieniowania elektromagnetycznego

    +− +→ eeγ

    γγ+

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    6

    Empiryczne prawo Coulomba (1736-1806)

    F = -F1,2 2,1

    III zasada dynamiki

    1785 – waga skręceń

    2

    212

    oNm

    C1085.8ε gdzie

    πε4

    1k −==

    o

    2

    21

    r

    qqkF =

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    7

    Zasada superpozycji

    oś xqL q0 qR

    xFFF ˆx

    )q(qkq2

    RL00

    −=+= LR

    =i

    icał FF

    FR FL

    Ładunki qL, q0 i qR są tego samego znaku

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    8

    Natężenie pola elektrycznego

    q

    rE ˆ2r

    kq=

    ładunek próbny q0 >0

    Natężenie pola ładunku punktowego

    r

    E

    ==i

    i

    i

    i rEE ˆ2ir

    kq

    Natężenie pola pochodzące od wielu ładunków punktowych(rozkład dyskretny)

    0q

    FE

    =q0

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    9

    Linie pola elektrostatycznego

    Pole ładunku punktowego-

    symetria sferycznaDwa jednoimienne ładunki punktowe

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    10

    Dipol elektryczny - dwa różnoimienne ładunki w bardzo małej odległości

    moment dipolowy

    odległość między ładunkami

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    11

    Ciągły rozkład ładunku

    Dla ładunków dyskretnych

    pole wypadkowe E jest

    sumą wektorów natężenia

    Ei czyli:

    Dla ładunku, dq, natężenie

    pola elektrycznego w punkcie

    P dane jest zgodnie z prawem

    Coulomba jak dla ładunku punktowego

    Dla ciągłego rozkładu ładunku pole wypadkowe jest całką:

    =i

    iEE

    ==Q

    rEE ˆr

    kdqd

    2

    rE ˆd2r

    kdq=

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    12

    Przykłady

    1) Dwa ładunki +Q oraz -2Q wytwarzają w punkcie P wypadkowe pole elektryczne. Oblicz i narysuj wektor tego pola.

    2) Potencjał pola elektrycznego w punkcie A jest równy zero. a) Oblicz wartość i znak ładunku q3 jeżeli q2 = 2q1 = 4 C;b) Oblicz wartość natężenia pola w punkcie A.

    A q1 q2 q3

    • • • d d d

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    13

    W zależności od rozkładu ładunku rozróżniamy:

    gęstość liniową ładunku λ,

    gęstość powierzchniową ładunku σ,

    gęstość objętościową ładunku ρ

    dx

    dqλ =

    dS

    dq=

    dV

    dq=ρ

    Dla ciągłego rozkładu ładunku, w zależności od rodzaju gęstości ładunku, pole wypadkowe może być całką liniową, powierzchniową lub objętościową:

    ==V

    rEE ˆr

    dVρkd

    2

    + + + + + + + + +x

    +

    ++

    ++

    ++

    +

    +

    ++

    +

    +

    ++

    ++ +

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    14

    Przykład

    Znaleźć wektor natężenia pola elektrycznego w punkcie P na osi liniowego rozkładu ładunku

    xE ˆ)x(x

    kdqd

    2o−

    =x

    λdxdq =

    xE ˆ)x(x

    kd

    2o−

    =dx

    x

    Wypadkowe natężenie pola jest sumą pól pochodzących od ładunków elementarnych dq:

    −==

    L

    0

    2o

    xx)(x

    λdxkdEE

    L)(xx

    Lkλ

    oo −=

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    15

    Strumień pola (elektrycznego) -przypomnienie

    Dla dowolnej powierzchni

    AEE

    =

    AEE

    =

    W prawie Gaussa występuje strumień przechodzący przez dowolną powierzchnię zamkniętą

    AEE

    d=

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    16

    Prawo Gaussa dla pola elektrycznego

    Całkowity strumień pola elektrycznego przechodzący przez

    dowolną powierzchnię zamkniętą jest proporcjonalny do

    całkowitego ładunku zawartego wewnątrz tej powierzchni.

    →→

    ==

    S

    EdSE

    qq

    00

    Właściwości powierzchni Gaussa:

    Powierzchnia Gaussa jest tworem hipotetycznym, matematyczną

    konstrukcją myślową,

    Jest dowolną powierzchnią zamkniętą, lecz w praktyce powinna mieć kształt związany w symetrią pola,

    Powierzchnię Gaussa należy tak poprowadzić aby punkt, w którym obliczamy natężenie pola elektrycznego leżał na tej powierzchni.

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    17

    Od prawa Gaussa do prawa Coulomba

    Ładunek punktowy otaczamy powierzchnią Gaussa – sferą o promieniu r ponieważ

    AE

    dE = == EdAdAcosθE

    dA = ˆ n dAE IIcos 0 = 1

    ˆ n

    E = const na powierzchni sfery oraz

    Obliczamy całkowity strumień przez powierzchnię Gaussa

    )πrE(4dAEΦ 2E ==

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    18

    Korzystamy z prawa Gaussa

    Porównujemy z obliczonym strumieniem

    oE

    ε

    q=

    o

    2

    ε

    q)πr(4 =E

    2orπε4

    q(r) = E

    Skoro0q

    FE =

    2

    0

    04

    1)(

    r

    qqrF

    =więc

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    19

    Liniowy rozkład ładunku

    rhEπ2E =

    Całkowity strumień przechodzący przez powierzchnię Gaussa

    ooE

    ε

    λh

    ε

    Q==

    Całkowity ładunek zawarty wewnątrz powierzchni Gaussa

    Wartość wektora natężenia pola elektrycznego

    r

    1

    πε2

    λE

    o

    =

    symetria cylindryczna

    >

    E

    r

    λh=Q

    zatem

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    20

    Powierzchniowy rozkład ładunków

    Całkowity strumień przez

    powierzchnię Gaussa

    Z prawa Gaussa

    Wartość wektora natężenia

    pola

    ES2E

    =

    ooE

    ε

    σS

    ε

    Q==

    o2ε

    σ=E

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    21

    Pole elektryczne sferycznego rozkładu ładunków

    Erπ4 2E =

    Całkowity strumień przez powierzchnię Gaussa będącą sferę o promieniu r wynosi:

    oE

    ε

    Q=Z prawa Gaussa:

    Ładunek całkowity Q jest rozłożony tylko na powierzchni sfery o promieniu R

    r>R2

    o rπε4

    QE =

    Pole na zewnątrz pustej powłoki sferycznej jest takie jakby cały ładunek był skupiony w środku kuli

    Ze względu na rozkład ładunku rozważmy dwa przypadki:

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    22

    r

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    23

    Zastosowania prawa Gaussa

    Prawo Gaussa stosujemy do obliczania natężenia pola elektrycznego gdy znamy rozkład ładunku lub do znajdowania rozkładu ładunku gdy znamy pole.

    Prawo Gaussa możemy stosować zawsze ale sens ma to tylko w tym przypadku gdy pole elektryczne wykazuje symetrię (sferyczną, cylindryczną).

    Aby skutecznie skorzystać z prawa Gaussa trzeba coś wiedzieć o polu elektrycznym na wybranej powierzchni Gaussa.

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    24

    W praktyce zastosowanie prawa Gaussa jest ograniczone do konkretnych przypadków -symetrii:

    a) pole (jednorodne) od naładowanej nieskończonej płaszczyzny (powierzchniowy rozkład ładunku)

    b) pole (o symetrii cylindrycznej) od nieskończenie długiego pręta (liniowy rozkład ładunku) lub walca (powierzchniowy rozkład ładunku – walec przewodzący, objętościowy rozkład ładunku -walec nie przewodzący)

    c) pole (o symetrii sferycznej) od naładowanej kuli lub powierzchni sferycznej

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    25

    Przykłady zadań z zastosowania prawa Gaussa.

    Kula z dielektryka o promieniu R naładowana jest z gęstością ładunku zmieniającą się wraz z odległością od środka, opisaną zależnością . Wyznaczyć rozkład natężenia pola E.

    Nieskończony metalowy walec o promieniu R, jednorodnie naładowano z gęstością + i otoczono innym współosiowym, cienkim metalowym walcem o promieniu 2R i takiej gęstości powierzchniowej ładunku -, że pole elektryczne na zewnątrz tych walców wynosi zero. ◼ Obliczyć rozkład pola w funkcji odległości od osi

    walców;◼ Narysować wykres E(r);◼ Określić gęstość - Odp. - =½ +

    −=R

    r1max

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    26

    Pole elektryczne przewodnika

    Na powierzchni metalicznej (przewodzącej) cały ładunek gromadzi się na zewnątrz (wewnątrz pole E=0).

    Istnieje tylko składowa prostopadła do powierzchni a składowa styczna równa się zeru (gdyby istniała składowastyczna to: po powierzchni płynąłby prąd wywołany ruchem elektronów).

    00

    ==

    S

    qE

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    27

    Dygresja matematyczna - operatory

    Operator przyporządkowuje np. polu skalarnemu odpowiednie pole wektorowe

    gdzie

    ppg EEF −=−= grad

    zyx

    kji

    +

    +

    = ˆˆˆ

    Gradient funkcji skalarnej to pole wektorowe wskazujące kierunki

    najszybszych wzrostów wartości danego pola skalarnego w

    poszczególnych punktach, przy czym moduł (długość) każdej

    wartości wektorowej jest równy szybkości wzrostu.

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    28

    Dywergencja (źródłowość) pola wektorowego - operator różniczkowy przyporządkowujący trójwymiarowemu polu wektorowemu pole skalarne będące formalnym iloczynem skalarnym operatora nabla z polem.

    V

    d

    limdiv0V

    =AE

    E

    jest w granicy nieskończenie małej objętości V, strumieniem wychodzącym ze źródła i określa jego wydajność

    V

    EE

    =div

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    29

    Rotacja lub wirowość – operator różniczkowy działający na pole wektorowe , tworzy pole wektorowe wskazujące wirowanie (gęstość cyrkulacji) pola wyjściowego.

    Krążenie (cyrkulacja) pola wektorowego F po konturze zamkniętym jest zdefiniowane jako całka krzywoliniowa:

    dl

    =C

    ld

    F

    ld

    Krzywa C ogranicza pewną powierzchnię zamkniętą rozpiętą na tej krzywej.

    to element drogi całkowania - ma kierunek styczny do krzywej C w danym punkcie.

    Jeżeli F jest siłą, to krążenie Γ ma sens fizyczny pracy.

    Jeżeli F jest siłą zachowawczą to Γ=0.

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    30

    Rotacja pola

    dl

    =C

    l

    dF

    +=21

    ddd

    CCC

    lll

    FFF

    Prowadząc krzywą B tworzymy dwa

    zamknięte kontury C1 i C2 takie, że:

    i

    C

    a a

    l

    i

    i

    →=

    d

    limˆ)(0

    F

    nFrot

    definicja operatora rotacji

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    31

    Jeżeli rotacja danego pola wektorowego jest równa zero (wektorem zerowym), to pole to jest bezwirowe.

    Pole bezwirowe posiada potencjał (i odwrotnie: pole posiadające potencjał jest polem bezwirowym).

    rotacja wektora F:

    zyx FFF

    zyx

    kji

    FFrot

    ==

    ˆˆˆ

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    32

    Przykład:

    Zbadać wirowość pola elektrostatycznego oraz pola

    magnetycznego przewodnika.Przewodnik z prądem i

    C

    sd

    E

    0Brot

    0=Erot

    =C

    lE 0d

    C

    ldB 0

    Pole magnetyczne jest polem wirowym. To określa prawo Ampère’a.

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    33

    Zadanie

    Trzy z przedstawionych

    pól wektorowych mają

    znikającą dywergencję w

    przedstawionym obszarze.

    Dwa z nich mają znikającą

    rotację.

    Proszę ocenić, które z pól

    mają omawiane własności?

    a), b), d)

    c), d)

    a) b)

    e)

    d)c)

  • Przykłady z rachunku operatorowego

    Mając zdefiniowane:

    - pole skalarne

    - pole wektorowe

    - wektory: oraz

    oblicz:

    a)

    b)

    c)

    d)

    e)Wydział Informatyki, Elektroniki i

    Telekomunikacji - Elektronika34

    ),,( zyx

    ),,(ˆ),,(ˆ),,(ˆ),,( 321 zyxVkzyxVjzyxVizyxV ++=

    kzjyixr ˆˆˆ ++=

    kAjAiAA zyxˆˆˆ ++=

    2rgrad

    ( )rA

    graddiv

    Arotdiv

    ( )

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    35

    Twierdzenie Gaussa-Ostrogradskiego

    =S V

    dVdivd EAE

    =V o

    dVε

    ρd

    S

    AE

    Z prawa Gaussa w postaci całkowej:

    Porównując wyrażenia podcałkowe:

    ρdiv == EE

    =S

    wew

    QdAE

    gdzie =V

    ρdVQwew

    umożliwia zamianę całki powierzchniowej na objętościową (potrójną) i na odwrót

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    36

    Potencjał pola

    Wektor natężenia pola – istnieje zawsze

    Potencjał (skalar) – istnieje tylko dla pól zachowawczych (potencjalnych)

    oq

    =

    o

    p

    q

    EV =

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    37

    Wielkości charakteryzujące:

    oddziaływanie pomiędzy ładunkami punktowymi

    pole

    elektrostatyczne

    siła

    energia potencjalna Ep

    natężenie

    potencjał V

    oq

    o

    p

    q

    EV =

    F

    rF ˆr

    qq

    πε4

    12

    21

    o

    =

    r

    qq

    πε4

    1E

    21

    o

    p =

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    38

    Związek potencjału z natężeniem pola

    Dla dowolnej siły zachowawczej, zmiana energii potencjalnej

    dEp dana jest wzorem:

    lElF

    dddEp oq−=−=

    praca dW

    Z definicji potencjału:

    o

    p

    q

    dEdV = lE

    ddV −=

    Vgrad−=E

    więc

    𝑉1 − 𝑉2 = −න

    1

    2

    𝐸°𝑑Ԧ𝑙

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    39

    Różnica potencjałów ΔV między dwoma punktami jest równa

    wziętej z przeciwnym znakiem pracy W wykonanej przez siłę

    elektrostatyczną, przy przesunięciu jednostkowego ładunku z

    jednego punktu do drugiego.

    Różnicę potencjałów nazywamy napięciem U=ΔV

    Jednostki: C

    JVU === 1

    q

    EV

    o

    p

    m

    VE =

    𝑉1 − 𝑉2 = −න

    1

    2

    𝐸°𝑑Ԧ𝑙 ∆𝑉 = 𝑉1 − 𝑉2 = −𝑊

    𝑞0

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    40

    Potencjał pola jednorodnego

    Potencjał wyższy Va

    Potencjał niższy Vb

    Va>Vb

    d

    a b

    𝑊𝐹𝑐 = න

    𝑎

    𝑏

    𝐹𝑐 ∙ 𝑑𝑟 =න

    𝑎

    𝑏

    𝑞𝐸 ∙ 𝑑𝑟 𝑞𝑉𝑏 − 𝑞𝑉𝑎 = න

    𝑎

    𝑏

    𝑞𝐸 ∙ 𝑑𝑟 𝑉𝑎 − 𝑉𝑏 = −න

    𝑎

    𝑏

    𝐸𝑑𝑟

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    41

    Potencjał pola ładunku punktowego

    −=−=−R R

    EdrdVV P sE

    Przesuwamy ładunek próbny qo z punktu P do nieskończoności

    cosθdsEd =sE

    2

    o r

    q

    πε4

    1E =Przyjmujemy V∞=0 i

    r

    q

    πε4

    1V(r)

    o=zatem

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    42

    Potencjał ciągłego rozkładu ładunków

    Dla naładowanej ładunkiem powierzchniowym Q powłoki sferycznej, gdy r < R jest: E = 0, czyli potencjał V jest wielkością stałą, niezależną od r.

    Dla r>R, V zanika z odległością r jak 1/r

    Zadanie: Pokazać, że potencjał dla powłoki sferycznej wykazuje taką zależność V(r) jak na powyższym wykresie

  • PRZYKŁAD:

    Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    Uproszczony model atomu zakłada, punktowe jądro o ładunku +Q, które jest

    otoczone w odległości R powłoką elektronową będąca sferą naładowaną

    ładunkiem –Q.

    A) Narysuj zależność E(r) i uzasadnij obliczeniami;

    B) Oblicz rozkład potencjału w funkcji odległości od

    jądra atomu.

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    44

    Potencjał dipola

    Potencjał wytwarzany przez dipol w dowolnym punkcie P:

    𝑉 = 𝑉1 + 𝑉2 = 𝑘𝑄

    𝑟+ 𝑘

    −𝑄

    𝑟 + ∆𝑟=

    𝑄

    4𝜋𝜀0

    1

    𝑟−

    1

    𝑟 + ∆𝑟

    =𝑄

    4𝜋𝜀0

    ∆𝑟

    𝑟 𝑟 + ∆𝑟∆𝑟 ≈ 𝑙 ∙ 𝑐𝑜𝑠𝜃

    𝑟 ≫ ∆𝑟 ∆𝑟

    𝑄 ∙ 𝑙 = 𝑝

    𝑉 =𝑄

    4𝜋𝜀0

    𝑙 ∙ 𝑐𝑜𝑠𝜃

    𝑟2

    𝑉 =1

    4𝜋𝜀0

    𝑝

    𝑟2

    w mianowniku do zaniedbania

    𝑟 ≫ 𝑙

    Zakładamy:

    Moment dipolowy: stąd

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    45

    Przykład

    Określic składowe pola elektrycznego 𝐸𝑥oraz 𝐸𝑦 wytwarzanego przez dipol w

    dowolnym punkcie P(x,y), w płaszczyźnie

    dipola. Założyć, że 𝑟 = 𝑥2 + 𝑦2 Τ12 ≫ 𝑙

    Rozwiązanie:

    𝑉 =1

    4𝜋𝜀0

    𝑝 ∙ 𝑐𝑜𝑠𝜃

    𝑟2=

    1

    4𝜋𝜀0

    𝑝 ∙ 𝑥

    𝑥2 + 𝑦2 ൗ32

    𝑐𝑜𝑠𝜃 = Τ𝑥 𝑟 = 𝑥/ 𝑥2 + 𝑦2 ൗ

    12

    𝐸𝑥 =𝜕𝑉

    𝜕𝑥=

    𝑝

    4𝜋𝜀0

    𝑦2 − 2𝑥2

    𝑥2 + 𝑦2 ൗ52

    𝐸𝑦 = −𝜕𝑉

    𝜕𝑦=

    𝑝

    4𝜋𝜀0

    3𝑥𝑦

    𝑥2 + 𝑦2 ൗ52

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    46

    Pojemność

    Jednostką pojemności jest 1F (farad). W praktyce używamy μF, pF, nF

    Analogia między kondensatorem mającym ładunek q i sztywnym zbiornikiem o objętości V,zawierającym n moli gazu doskonałego:

    VCq =

    ΔV

    QC =

    pRT

    nV

    =

    Przy ustalonej temperaturze T, pojemność kondensatora C pełni podobną funkcję jak objętość zbiornika.

    = F

    V

    C

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    47

    Kondensator

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    48

    Zadanie

    Okładki kondensatora płaskiego o powierzchni Sznajdują się w położeniach x = 0 i x = d i naładowane są odpowiednio z gęstościami powierzchniowymi ładunku + i -. Efekty brzegowe są do zaniedbania.

    ▪ Korzystając z prawa Gaussa oblicz wypadkowe natężenie pola elektrycznego wewnątrz i na zewnątrz kondensatora (rysunek!) oraz narysuj wykres E(x).

    ▪ Korzystając ze związku między natężeniem pola E a potencjałem V oblicz różnicę potencjałów między okładkami oraz wyprowadź wzór na pojemność tego kondensatora.

    ▪ Oblicz energię tego kondensatora przy zadanej gęstości powierzchniowej ładunku.

    Powierzchnia Gaussa

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    49

    dEV 0 =d

    εεC o

    0

    o0 SCdE

    SE==

    Dla pola jednorodnego pokazaliśmy, że

    ΔVC

    q=Soo εEq = z definicji

    Energia kondensatora, gęstość energii

    Energia naładowania = energii rozładowania kondensatora

    Objętość kondensatora Vobj= S·d

    Gęstość energii

    =

    3

    20

    2 m

    JE

    V

    W

    obj

    n

    === nWC

    qdq

    C

    qdqUW

    2

    2

    nWqU

    =2 22

    20SdEqEdWn

    ==

    Natężenie pola między okładkami –

    obliczamy z prawa Gaussa:

    Sooo

    ε

    q

    ε

    σE == Soo εEq =

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    50

    Przykłady

    Jaka musiałaby być powierzchnia okładki kondensatora płaskiego, aby, przy odległości okładek d=1 mm, uzyskać pojemność C=1 F?

    Udowodnić, że pojemność kondensatora cylindrycznego wyraża się wzorem

    Kondensator kulisty, którego okładki są współśrodkowymi sferami naładowano ładunkiem Q. Jeżeli nastąpi przesunięcie wewnętrznej sfery (przy chwiejnej równowadze mogą zadziałać siły elektryczne) – zaburzenie współ-środkowości, to czy pojemność kondensatora wzrośnie czy zmaleje ?

    ( )12o

    RRln

    Lπε2C =

    S=113 mln m2

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    51

    Powłoka sferycznego balonika została naładowana z jednorodną gęstością powierzchniową ładunku . Do wnętrza tego balonika wprowadzono punktowy pyłek o ładunku q – tego samego znaku co powłoka. Czy spowoduje to zmianę średnicy balonu ? Oto rozumowania dwóch studentów:

    ◼ Jednoimienne ładunki się odpychają, a zatem dowolny element powłoki będzie odpychany od ładunku q co doprowadzi do wzrostu średnicy balonu.

    ◼ Równomiernie naładowana powłoka sferyczna nie wytwarza w swoim wnętrzu pola, co oznacza brak oddziaływania pomiędzy powłoką i ładunkiem q. A zatem średnica balonu się nie zmieni się.

    Który student ma rację?

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    52

    Dielektryki

    Dielektryki – ładunki nie mogą się swobodnieprzemieszczać ale możliwe są przesunięciaładunków w skali mikroskopowej.

    HRW t.3

    dielektryki

    piezoelektryki

    ferroelektryki

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    53

    + + + + + + + + + + + +

    - - - - - - - - - - - - - - -

    - - - - - - - - - - - -

    + + + + + + + + +

    q

    q’

    q – ładunek swobodny

    q’ – indukowany ładunek polaryzacyjny

    - bez dielektryka (𝑉0)

    - z dielektrykiem (V)

    0C

    Cdiel=

    EdE0

    E

    𝐸0 =𝑉0𝑑

    𝐸 =𝑉

    𝑑=𝑉0 ∙ 𝜀0𝜀 ∙ 𝑑

    𝐸 = 𝐸0𝜀0𝜀= 𝐸0 − 𝐸𝑑

    𝐸𝑑 = 𝐸0𝜀 − 𝜀0𝜀

    𝐸0 =𝜎

    𝜀0

    𝜎𝑑 =𝑞′

    𝑆

    𝐸𝑑 =𝜎𝑑𝜀0

    𝜎𝑑𝜀0

    =𝜎

    𝜀0

    𝜀 − 𝜀0𝜀

    𝑞′ = 𝑞𝜀 − 𝜀0𝜀

    zatem gdzie natomiast

    gdzie

    stąd i ostatecznie

    d

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    54

    Dla każdego dielektryka możnazdefiniować tzw. wektor polaryzacji:

    zwrot wektora: od ładunku ujemnego do dodatniego ładunku indukowanego - jak w każdym dipolu.

    Płytka dielektryka ma moment dipolowyo wartości q’ d

    p

    + + + + + + + + + + + +

    - - - - - - - - - - - - - - -

    - - - - - - - - - - - -

    + + + + + + + + +

    +q

    - q’

    +q’

    -q

    D0E

    𝐷 = 𝜀0𝐸 + P

    P =𝑞′ ∙ 𝑑

    𝑆 ∙ 𝑑=𝑞′

    𝑆= 𝜎𝑑P =

    Ԧ𝑝

    𝑆 ∙ 𝑑

    Prawo Gaussa dla obszaru: ׯP°𝑑𝑆 = P ∙ 𝑆 = 𝑞′

    ර𝐸°𝑑𝑆 =𝑞 − 𝑞′

    𝜀0=

    𝑞

    𝜀0−1

    𝜀0රP°𝑑𝑆 ර 𝜀0𝐸 + P °𝑑𝑆 = 𝑞lub inaczej

    Aby powiązać wektory 𝐸oraz P wprowadzamy wektor indukcji 𝐷

    P

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    55

    A więc

    - łączy ładunki polaryzacyjne

    - dotyczy wszystkich ładunków

    - łączy ładunki swobodne (jest taki sam dla próżni i dielektryka)

    P

    DE

    0

    CTT

    A

    −=

    gdzie A – stała Curie-Weissa. E

    D

    TTC

    P

    ferro- -para

    elektryk

    EP 0=

    histereza ferroelektryka →

    Zdolność polaryzacji dielektryka pod wpływem pola elektrycznego określa podatność dielektryczna :

    = 𝜀𝑑 − 1

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    56

    Przykłady:

    Po naładowaniu płaskiego kondensatora zawierającego dielektryk, odłączono go od źródła, a następnie wysu-nięto dielektryk. Określ i uzasadnij jak zmieni się:

    ◼ Pojemność kondensatora jego ładunek

    ◼ Natężenie pola oraz napięcie między okładkami

    ◼ Energia kondensatora

    Do próżniowego, płaskiego kondensatora dołączonego do źródła napięcia wsunięto dielektryk. Jak wówczas zmienią się powyższe parametry kondensatora?

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    57

    Połączenia kondensatorów

    Równoległe

    UUUVV ba ===− 21

    UC

    Q

    C

    Q

    C

    Q===

    2

    2

    1

    1

    UCCUCUCQQQ )( 212121 +=+=+=

    C = C1 + C2

    Pojemność kondensatora zastępczego

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    58

    Szeregowe

    2121

    C

    Q

    C

    QUUU +=+=

    21

    111

    CCC+=

    Pojemność kondensatora zastępczego

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    59

    Zadanie:

    Dwa kondensatory o pojemności C każdy – jeden próżniowy,

    a drugi zawierający dielektryk o stałej r połączono równolegle

    i naładowano do napięcia U. Następnie, po odłączeniu od

    źródła napięcia, z jednego kondensatora wyjęto dielektryk i

    wprowadzono do kondensatora próżniowego. Obliczyć

    wykonaną przy tym pracę.

  • Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    60

    Podsumowanie

    Elektrostatyka opisuje pola statyczne utworzone przez ładunki elektryczne w spoczynku.

    Pole elektrostatyczne jest zachowawcze (potencjalne). Pole to jest charakteryzowane przez wektor natężenia pola i potencjał.

    Wartość natężenia pola pochodzącego od konkretnych rozkładów ładunku obliczamy bądź z zasady superpozycji i prawa Coulomba bądź z prawa Gaussa.

    Kondensator jest urządzeniem, w którym magazynowana jest potencjalna energia elektrostatyczna. Gęstość energii zmagazynowanej jest proporcjonalna do kwadratu pola E.

    Prawo Gaussa w postaci całkowej lub różniczkowej stanowi jedno z równań Maxwella.

  • Wzory różniczkowe podsumowanie

    Funkcja skalarna:

    Funkcja wektorowa:

    Dla pola elektrostatycznego:

    Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji - Elektronika

    61

    zyx

    kji

    +

    +

    = ˆˆˆ

    ),,( zyx

    ),,( zyxW

    =

    dgra WdivW

    = WrotW

    =

    Vgrad−=E

    ρdiv =E

    0rot =E