Transmisores y Receptores Invierno 2012 12. Generacin de Seales
Ungeneradordeseales1,esundispositivoelectrnicodelaboratorioquegenerapatronesde
seales peridicas o no peridicas tanto analgicas como digitales. Los
circuitos generadores de seales
sepuedendividiren:osciladores,generadoresdefunciones,sintetizadoresdefrecuencia,y
sintetizadoresdigitalesdeseales.Losgeneradoressonequiposdelaboratorioutilizadosparael
diseo,prueba,yreparacindecircuitoselectrnicos.Sinembargo,muchossistemasoequipos
electrnicos(decomunicaciones,decontrol,etc.)deunamanerauotrautilizanalgunaetapade
generacin de seales.
Lososciladoressoncircuitoselectrnicosquegeneranunasealperidicayaseacuadrada,
sinusoidal, triangular, diente de sierra, etc. Los circuitos
osciladores ms comunes son los osciladores de onda sinusoidal y los
osciladores de onda cuadrada. La mayora de los sistemas de
comunicaciones
analgicosutilizanunosciladordeondasinusoidalmientrasquelossistemasdecomunicaciones
digitales utilizan osciladores de onda cuadrada. Existen dos tipos
de circuitos osciladores: osciladores armnicos y osciladores de
relajacin. Los osciladores armnicos generan una seal sinusoidal
mientras que los osciladores de relajacin generan una seal no
sinusoidal.
Lososciladoresderelajacinsebasanenlacargaydescargadeuncapacitorouninductorpor
mediodeuncircuitonolinealdedisparoquepuedeseruncomparador,unSchmidttrigger,oun
elemento con resistencia negativa (diodo Gunn, diodo de tnel, UJT,
etc.).
Bsicamente,unosciladorsinusoidalesuncircuitoquegeneraunasealsinusoidalenbasea
mecanismosdeamplificacinyretroalimentacin.Laamplificacinesefectuadapormediodeun
componenteactivo(p.e.,untransistoroFET)ylafrecuenciaestdeterminadaporuncircuito
sintonizado (o cristal piezoelctrico) en la trayectoria de
retroalimentacin. Aunque existen muchos tipos de osciladores;
algunos de los factores que influyen en la seleccin de un circuito
para una aplicacin en particular incluyen:Frecuencia de operacin
Amplitud de salida Estabilidad de frecuencia Estabilidad de
amplitud Impedancia de salida Pureza de la forma de onda Modos de
oscilacin no deseados.
Existentambincircuitosquenosonosciladoresperoquetiendenaoscilar.Enelcasode
amplificadores, la oscilacin es algo no deseable. De hecho, se
pueden utilizar los mismos criterios de diseo de circuitos
amplificadores para el diseo de osciladores. 1 Tomado de Wikipedia,
the free encyclopedia,
http://en.wikipedia.org/wiki/Signal_generator. Transmisores y
Receptores Invierno 2012 2Criterio de oscilacin
Elcriteriodeoscilacin,ocondicionesparaqueuncircuitoosciladoroscile,sepuedeexpresar
rigurosamente de varias maneras
equivalentes:1.Unosciladorquecontengaundispositivoactivodedospuertosdebetenerunatrayectoriade
retroalimentacin por medio de la cual parte de la salida es
retroalimentada a la entrada. Si la seal retroalimentada es mayor y
est en fase con la seal de entrada, las oscilaciones iniciarn y
crecern en amplitud hasta que la ganancia del bucle sea limitada
debido a la saturacin del elemento activo.
Porlotanto,uncircuitooscilarcuandotengaunatrayectoriaderetroalimentacinconalmenos
una ganancia de lazo unitaria con una fase de 0 (Criterio de
Barkhausen). Conreferenciaalasiguientefigura,sea( )oA j
lagananciadelelementoactivoy( )oj la
gananciadelareddeatenuacin(oderetroalimentacin,odefasadora)aunafrecuencia
o .La ganancia de lazo cerrado est dada por: 0 =A(]o)1-A(]o)[(]o).
El criterio de Barkhausen se puede expresar como: arg( ( ) ( )) 0(
) ( ) 1o oo oA j jA j j = =
Entonces,sisecumplenestasdosecuaciones,lafrecuenciadeoscilacines o
ylospolosdela ganancia de lazo cerrado son jo.
Diagrama a bloques de un osciladorPolos Lacondicin|A(])[(])| =
1esslolacondicinmnimaparalaoscilacin.Enlaprcticala condicin
|A(])[(])| > 1 tiene el efecto de hacer que la oscilacin inicie
ms fcilmente. Entonces
lasoscilacionescontinuarnacrecerhastaque,debidoalasnolinealidadesdelamplificador,la
ganancia se reduce hasta que la ganancia de lazo abierto sea
|A(])[(])| = 1. oj +oj Entrada Salida Red atenuadora) ( j) ( j
ATransmisores y Receptores Invierno 2012 32.Conceptualmente, un
circuito que tenga una trayectoria de retroalimentacin es un
amplificador que puede generar su propia entrada. Este es
precisamente un amplificador inestable que por lo regular
sebuscaevitareneldiseodecircuitosamplificadores.Porlotanto,unsegundocriteriode
oscilacin es: el factor de estabilidad de Stern K del circuito
oscilador debe ser menor que 1. 2 211 2212 211 det12s s SKs s +=
< donde sij son los parmetros de dispersin y S es la matriz de
dispersin.
3.Cuandouncircuitocumplecualquieradelosdoscriteriosanteriores,eldeterminantedelamatriz
delsistemadeecuacionesdenodoodemallaescero.Esteeseltercercriteriodeoscilacin,y
aporta un mtodo matemtico conveniente para calcular la frecuencia
de oscilacin en caso de que se pueda resolver la ecuacin
involucrada. 4.Si cualquier circuito oscilador puede ser separado
en porcin activa y carga, la impedancia de salida de la parte
activa tendr parte real negativa cuando se cumplan las condiciones
de oscilacin. Esta es una condicin para la oscilacin aunque no es
una condicin suficiente. Aunque el criterio de resistencia negativa
es particularmente til para explicar circuitos osciladores
demicroondasqueusandiodosconresistencianegativa(diodosdetnel,Gunn,IMPATT,y
TRAPATT), puede ser tambin aplicado a osciladores con dispositivos
activos de dos puertos.
Esnecesarioaclararquecualquiercircuitoosciladorpuedecumplircontodosloscriterios
anteriores.Pero,algunodeellospuedesermsfcildeaplicarquelosotrosauncircuitooscilador
dado. Osciladores de Onda Sinusoidal
Lososciladoresdeondasinusoidalsedividenen:osciladoresderesistencianegativay
osciladores retroalimentados. Osciladores de resistencia negativa
LososciladoresderesistencianegativaconstandeunaredresonanteLCyunaresistenciaRt
conectada en paralelo con una resistencia negativa rn. Algunos
dispositivos como los diodos de tnel,
diodosGunn,transistoresUJT,yciertascombinacionesdedosomstransistoresBJTpresentan
resistencia negativa dentro de cierto ancho de banda finito.
Transmisores y Receptores Invierno 2012 4 Oscilador de resistencia
negativa. Caracterstica de resistencia negativa de un diodo activo.
Osciladores retroalimentados
Lososciladoresretroalimentadosmscomunesson:osciladoresdedesplazamientodefase,
osciladores sintonizados o LC, osciladores de puente de Wien, y
osciladores de cristal. Los osciladores
sintonizadosmscomunesson:osciladorColpitts,osciladorHartley,osciladorClapp,osciladorde
salida sintonizada, oscilador de entrada sintonizada. Oscilador de
salida sintonizada
ElosciladordesalidasintonizadacontieneuncircuitoresonanteLCcomocargaalasalidadel
elemento amplificador como se muestra en la siguiente figura. En
este caso, el circuito resonante acta
comofiltropasabanda,lasealdeentradaesdefasada180poreltransistor,luegoesatenuaday
defasadaotros180alpasaralsecundariodeltransformador(notelaposicindelospuntosenel
transformador). El factor de atenuacin est dado por la razn de
vueltas del transformador, por lo tanto el secundario debe tener
menos vueltas que el primario. Dispositivo con resistencia negativa
Transmisores y Receptores Invierno 2012 5
Oscilador de salida sintonizada. En este caso, la frecuencia de
oscilacin est dada por: =12nIC El factor de atenuacin de la red de
atenuacin est dado por: [ = nsnp Donde ns y np son los nmeros de
vueltas del primario y secundario respectivamente. Oscilador
Colpitts El oscilador Colpitts tiene, como red defasadora, un
circuito resonante formado por una red que
constadedoscapacitoresyuninductor.LafigurasiguientemuestraunosciladorColpittsconun
transistorenconfiguracindeemisorcomn.Lasealdeentradaesamplificadaydefasadaporel
transistor, luego es atenuada y defasada de nuevo por la red
defasadora de manera que el defasamiento
netoesiguala0.Labobinadechoqueo RFC se utiliza en este circuito
para evitar cortocircuitar en alta frecuencia a tierra el colector,
ya que es la salida del oscilador. RE RB2RB1CECBCCircuito
sintonizado nsnp L Transmisores y Receptores Invierno 2012 6
Oscilador Colpitts con BJT de emisor comn. La frecuencia de
oscilacin est dada por: =12nICseiie donde Cseiie =C1C2C1 +C2
Enlaprctica,lafrecuenciadeoscilacinestambinfuncindelascapacitanciasparsitasdel
transistor y de la carga aplicada. La figura siguiente muestra un
oscilador Colpitts con FET en la configuracin de drenaje comn.
Oscilador Colpitts con FET. 100nC3820pC23.3kR1J310Q1820pC1
1.1uL15VoRERBCECBC2LC1RFC Red atenuadora Bobina de choque
Transmisores y Receptores Invierno 2012 7 La siguiente figura
muestra un oscilador prctico a una frecuencia de 35MHz con una
potencia de salida de 10 mW (10dBm). Oscilador Hartley El oscilador
Hartley tiene como red defasadora un circuito resonante formado por
una red que
constadedosinductoresyuncapacitor.LafigurasiguientemuestraunosciladorHartleyconun
transistorenconfiguracindeemisorcomn.Lasealdeentradaesamplificadaydefasadaporel
transistor y luego es atenuada y defasada de nuevo por la red
defasadora de manera que el defasamiento
netoesiguala0.Labobinadechoqueseutilizaenestecircuitoparaevitarcortocircuitarenalta
frecuencia el colector a tierra, ya que es la salida del oscilador.
Transmisores y Receptores Invierno 2012 8 Oscilador Hartley con BJT
de emisor comn. La frecuencia de oscilacin est dada por: =12n(I1
+I2)C
Enlaprctica,lafrecuenciadeoscilacinestambinfuncindelascapacitanciasparsitasdel
transistor y de la carga aplicada, por lo tanto este es el problema
principal de este tipo de oscilador. Oscilador Clapp
ElosciladorClappesunavariantedelosciladorColpittsenlacualseconectauncapacitoren
serie con el inductor de la red . En el oscilador Colpitts, la
frecuencia de oscilacin es afectada por las
capacitanciasparsitasdeltransistor.Encambio, en el oscilador Clapp,
la frecuencia de oscilacin es
msestabledebidoalcapacitorenserieconelinductor.Conreferenciaalafigurasiguiente,la
capacitancia C3 es usualmente ms pequea que las capacitancias C1 y
C2. Por lo tanto, la frecuencia de oscilacin prcticamente slo
depende de C3 y L. RERB2CECBRFCCL2 L1RB1CARed atenuadora Bobina de
choque Transmisores y Receptores Invierno 2012 9 Oscilador Clapp
con BJT en emisor comn. La frecuencia de oscilacin est dada por:
=12nICseiie donde Cseiie =11C1 + 1C2 + 1C3 es la capacitancia en
serie de tres capacitores. Modelo del transistor en alta frecuencia
Enlaregindealtafrecuencia, las capacitancias parsitas juegan un
papel importante en la respuesta
enfrecuenciadeltransistor.Lafigurasiguientemuestralascapacitanciasparsitasdeltransistor(Cbe,
Cbc y Cce) incluyendo las capacitancias de las terminales Cwi y
Cwo.VCCQRc R1R2ReCeC2 C1LC3Red atenuadora Usar bobina de choque
Transmisores y Receptores Invierno 2012 10
Lasiguientefiguramuestraelmodeloequivalentecompletodepequeasealdeltransistorbipolary
en la que sigue se muestra el circuito equivalente de un transistor
en particular mostrando los valores de los componentes.
Enlafigurasiguientesemuestraunmodelosimplificadoconocidocomomodelohbrido-dealta
frecuencia del transistor, el cual incorpora las resistencias del
modelo de baja frecuencia, excepto por la
resistenciarqueesbastantegrande(10M),ascomolascapacitanciasparsitasdeltransistor.
Observe que tampoco se han incluido las resistencias rc, y rex.
Transmisores y Receptores Invierno 2012 11 La capacitancia C
incluye las capacitancias Cwi y Cbe. La capacitancia Co incluye las
capacitancias Cwo y Cce. En general, la capacitancia Cbe es la
mayor de todas las capacitancias parsitas mientras que Cce
eslamenor.LacapacitanciaCbecomprendedoscapacitancias:lacapacitanciadedifusinCbquees
proporcionalalacorrientedeDCylacapacitanciadelacapadeagotamientoCjequedependedel
voltaje VBE. La capacitancia C o Cbc o Cjc comprende slo la
capacitancia de agotamiento que depende del voltaje VCB. Para la
mayora de los transistores, C est en el rango de unos cuantos
picofaradios a
algunasdecenasdepicofaradios,Cestenelrangodefraccionesdepicofaradiosaalgunos
picofaradios, y Co est en el rango de unos cuantos picofaradios.
Las capacitancias de las uniones semiconductoras dependen del punto
de operacin en el que se opere el transistor. Si CE C JCV F V <
, la capacitancia Cjc est dada por: 1JCJCjcmCBJCCCVV= - en caso
contrario, 11 (1 )(1 )JCCBC JC JCJCjc JCmCVF m mVC CF+- + +=- donde
mJC es un factor que depende de la unin (vale para una unin abrupta
o para una gradual), VJC es el potencial de contacto de la unin
(tiene un valor tpico de 0.8) y CJC es la capacitancia de la
unina0volts,FCesuncoeficienteparalacapacitanciadetransicincuandoestpolarizada
directamente, por default vale 0.5. Como en el anterior caso, si BE
C JEV F V > . Por lo tanto, esa ecuacin se puede simplificar a 1
( )mfeg rhs C C r =+ +. De aqu se puede concluir que el parmetro
hfe tiene un comportamiento de filtro pasabajas con un solo polo a
una frecuencia 12 ( )fC C r =+ y un solo cero a una frecuencia
02mgfC= . La magnitud del parmetro hfe est dada por 2 2 2 2 22 2 21
( )mfeg r C rhC C r +=+ + Para baja frecuencia el parmetro hfe est
dado por fe mh g r = = La siguiente figura muestra una grfica de
fehen funcin de la frecuencia. En sta se pueden apreciar tres
frecuencias importantes, f, fT y f0.
Lafrecuenciaalacuallamagnituddelparmetrohfeesunitariaesllamadafrecuenciadetransicin
(ancho de banda de ganancia unitaria de corriente) fT. La
frecuencia de corte f es la frecuencia a la cual la ganancia de
corriente hfe cae 3dB de su valor a bajas frecuencias (0.7071 de su
valor). De la ecuacin anterior tenemos que la frecuencia de
transicin fT est dada por: 2 2 22 2 2 21 1 1 12 ( ) 2 ( ) 2 ( )m
mTg r gfC C r C C r C C = = + + + Ya que el parmetro hfe en DC es
igual al parmetro , entoncesmg r = . Por otro lado, la frecuencia
de transicin fT y la frecuencia de corte f estn relacionadas por Tf
f
=LafrecuenciadetransicinfT(productogananciaporanchodebanda,oanchodebandadeganancia
unitaria)esusualmenteespecificadaenlashojasdedatosdeltransistor.Algunasveces,fTes
Transmisores y Receptores Invierno 2012
14especificadaenfuncindeICyVCE.ElvalordefTvausualmentedeunos100MHzaunoscuantos
GHz. La capacitanciaC C +puede calcularse por medio de2mTgC Cf + .
La capacitancia C puede medirse directamente entre colector y base
en el punto de operacin deseado. En general, el valor de la
frecuencia de corte fT es funcin de IC y VCE. Para bajas
corrientes, fT crece
linealmenteconelvalordeIC,peroaaltascorrientescaedebidoalefectoKirk,queconsisteenel
aumento de la anchura de la zona neutra efectiva de la base al
superarse una determinada corriente de colector. La siguiente
figura muestra la variacin de la frecuencia de corte para un
voltaje de colector-emisor constante.
Lasiguientefigurailustramejorladependenciaentrelacorrientedecolectoryelvoltajedecolector
emisor para el transistor 2N2401. En realidad, la frecuencia de
corte tambin depende de VCE. Transmisores y Receptores Invierno
2012 15El modelo hbrido- slo es vlido para frecuencias 5Tff . En
vez de usar fT para determinar qu tan buena respuesta en frecuencia
tiene un transistor, es mejor usar un parmetro ms realista como lo
es la frecuencia mxima de operacin fmax dada por max8TbffC r .
Ejemplos del clculo de los parmetros del modelo hbrido-pi
1.Calcular los parmetros del modelo hbrido-pi del transistor 2N3904
a una corriente de colector de 2 mA y un voltaje de colector emisor
de 5V. Frmulas: c cmTq I IgkT V= =para bajas corrientes. (1 )cmq
Igm kT= para un transistor NPN en alta corriente (1 )cmq Igm kT=+
para un transistor PNP en alta corriente 0.3 m =para germanio y0.45
m =para silicio. TkTVq=es aproximadamente 26 mV a 27C 2 22 21 12 (
) 2 ( )m mTg r gfC C r C C = + + max8TbffC r1 12TT Tf = =(tiempo de
transicin) 1m mb jeT T Teg gC C C Cr = + = b je jeT Fm m mC C C C C
C Cg g g + + + += = = +bFmCg = (tiempo de trnsito en sentido
directo) si 1JCJCjc CE C JCmCBJCCC V F VVV= < - Transmisores y
Receptores Invierno 2012 1611 (1 )(1 )JCCBC JC JCJCjc JCmCVF m mVC
CF+- + +=- si 1JEJEje BE C JEmBEJECC V F VVV= < - 11 (1 )(1
)JEBEC JE JEJEje JEmCVF m mVC CF+- + +=- A Ao cec mV qVr rI kTg= =
=emr rg = =1em EkTrg qI= Solucin: De la hoja de datos de Fairchild
tenemos que: 0010 ohms23074.032 pF2
mA300K4.493pF3.638pF0.75V0.75V0.25930.30850.68V301.2psbAcAjejcjejcjejcBEFrVCITCCVVmmV==============
12mA0.07725mVcmTIgV= = 23029870.077mrg= = Transmisores y Receptores
Invierno 2012 170.30853.6382.01pF4.321 10.75JCJCjcmCBJCCCVV= = = +
- 1 1.25930.681 (1 )1 0.5(1 0.2593) 0.25930.75(4.493) 6.512pF(1
0.5) (1 )JEBEC JE JEJEje JEmCVF m mVC CF+- + +- + += = =- -
301.2(0.077) 23.2pFb F mC g = = =23.2 6.512 29.71pFb jeC C C= + = +
=374.0337K2 10Ao cecVr rI= = = = 120.077386MHz2 ( ) 2 (2 29.71)
10mTgfC C = + + 6max 12384 10874MHz8 8 (2 10 )(10)TbffC r =
2.Calcular los parmetros del modelo hbrido-pi del transistor 2N3904
a una corriente de colector de 10 mA y un voltaje de colector
emisor de 10V. De la hoja de datos de Fairchild tenemos que: 0010
ohms22574.032 pF10
mA300K4.493pF3.638pF0.75V0.75V0.25930.30850.72V301.2psbAcAjejcjejcjejcBEFrVCITCCVVmmV==============
110mA0.425mVcmTIgV= = 225562.50.4mrg= = Transmisores y Receptores
Invierno 2012 180.30853.6381.63pF9.281 10.75JCJCjcmCBJCCCVV= = = +
- 1 1.25930.721 (1 )1 0.5(1 0.2593) 0.25930.75(4.493) 6.66pF(1 0.5)
(1 )JEBEC JE JEJEje JEmCVF m mVC CF+- + +- + += = =- - 301.2(0.4)
120.48pFb F mC g = = = 120.48 6.66 127.14pFb jeC C C= + = +
=374.037.4K10 10Ao cecVr rI= = = = 120.4493MHz2 ( ) 2 (2 127.14)
10mTgfC C = + + Parmetros hbridos o h
Losparmetroshbridos(parmetrosbipuerta)sonmuypopularesyampliamenteutilizadospara
modelar transistores en baja frecuencia o a una frecuencia fija
debido a que se pueden medir fcilmente y que son capaces de dar
resultados exactos. La siguiente figura muestra el modelo
equivalente de pequea seal en trminos de parmetros hbridos de una
red bipuerta. Ep L LtrEnlasiguparmetros Los
parmetLosparmeadmitancia. transconducrazn por la ientefigura
hbridos detros hbridosetroshbridoPorejempctancia,h11eque esos
paasemueste un transiss se pueden
cossonunamlo,h21esgesimpedancarmetros sontraelmodestor
bipolarcalcular a pa11h =12h =21h =22h
=mezcladepgananciadeciadeentradn llamados peloequivalen la
configartir de las si0cebeiebvvhi== =0bberece ivhv== =0cecfeb
vihi== =0bcoece iihv== =parmetrosdecorriente, da,h22esadparmetros
hlentedepeguracin deiguientes ecu0 0 0 0
dediferentesh12esgandmitanciadehbridos. Transmequeasee emisor
comuaciones: stipos:ganananciainveresalida.Estamisores y
ReInvieralentrmmn. ancia,impedrsadevoltaaesprecisameceptores rno
2012 19minosde danciay ajeode mentela Transmisores y Receptores
Invierno 2012 20Los valores de los parmetros hbridos varan con el
punto de operacin y la frecuencia. Sin embargo,
esposiblecalcularlosacualquierfrecuenciapormediodelmodelohbrido-piparaunpuntode
operacindado.Porejemplo,lassiguientesecuacionesdanunvaloraproximadodelosparmetros
hbridos para cualquier frecuencia 5Tff .111 ( )ierh hj C C rpp m
pw= =+ + 21( )1 ( )mfer g j Ch hj C C rp mp m pww-= =+ + 121 ( )rej
Crh hj C C rm pp m pww= =+ + 22(1 )11 ( )moeoj C g r j Crh hr j C C
rm p p pp m pw ww+ += = ++ + Ejemplo: Calcular los parmetros h del
transistor 2N3904para una corriente de colector de 10 mA y un
voltaje de colector emisor de 10 V y a una frecuencia de 100 MHz.
Solucin:110mA0.425mVcmTIgV= = 225562.50.4mrg= = 120.48 6.66
127.14pFb jeC C C= + = + = 0.30853.6381.63pF9.281
10.75JCJCjcmCBJCCC CVVm= = = = + - 6 12562.512.36 88.71 ( ) 1 2(100
10 )(127.14 1.63)10 (562.5)ierhj C C r jpp m pw p-= = = W -+ + + +
6 126 12( )562.5(0.4 2(100 10 )(1.63 10 ))4.94 88.91 ( ) 1 2(100 10
)(127.14 1.63)10 (562.5)mfer g j Cjhj C C r jp mp m pwpw p---- = =
= -+ + + + Medicin en laboratorio de los parmetros H Transmisores y
Receptores Invierno 2012 21Medicin de los parmetros hie y hfe El
circuito para medir estos parmetros se muestra en la siguiente
figura. En sta, RB es una resistencia de valor grande que sirve
para fijar IB, la resistencia RC sirve para fijar VCE en el punto
de operacin, y
RLesunaresistenciadevalormuypequeoquesirveparamedirlacorrientedeACdelcolector.El
capacitorC1esdevalorgrandeyjuntoconRLhacenque,enAC,elcolectorestefectivamente
cortocircuitado a tierra de modo que oc oLvi iR = Si RB y C2 son de
valor grande, entonces toda la corriente de AC de la fuente vs
fluye hacia la entrada del transistor de modo que b iSvi iR =El
voltaje vb puede ser medido directamente de modo que los parmetros
hie y hfe pueden ser calculados por medio de biebvhi=y cfebihi= .
Medicin de hre Para medir este parmetro se utiliza el circuito de
la figura siguiente. Como se puede ver, se utiliza una fuente de AC
y un capacitor C1 de valor grande para excitar el circuito del lado
del colector. Se mide
directamenteelvoltajevb.SilaresistenciaRBtieneunvalormuchomsgrandequelaresistenciaen
AC de base/emisor del transistor, el parmetro hre puede ser
calculado mediante brecvhv= . Transmisores y Receptores Invierno
2012 22 Medicin del parmetro hoe El mismo circuito anterior puede
ser utilizado para medir este parmetro. Para esto se inserta en
serie con la fuente vc una resistencia de valor pequeo para medir
su cada de voltaje de AC y as calcular la corriente que circula a
travs de ella. Luego, se calcula el parmetro hoe por medio de
coecihv= . Frmulas de conversin para los parmetros H Usualmente los
fabricantes de transistores proporcionan los parmetros h de la
configuracin de emisor comn. Sin embargo, en la prctica el
transistor es utilizado en cualquiera de sus tres configuraciones.
Por lo tanto, es necesario calcular los parmetros h a partir de los
parmetros h del transistor en emisor comn.
Latablasiguientemuestralasfrmulasaproximadasdeconversindelosparmetrosh,bajola
suposicin de que1reh
