“1Giga-bit ” 급반도체용차세대고분자소재 …...-1-“1Giga-bit ”급반도체용차세대고분자소재 기술개발에관한연구 ()최종보고서 2002.12 주관기관

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급 반도체용 차세대 고분자 소재“1Giga-bit ”

기술개발에 관한 연구

최종보고서( )

2002. 12

주관기관 포항공과대학교

참여기관 금호석유화학 주( )삼성전자 주( )제일모직 주( )주 금강고려화학( )동우화인켐 주( )하이닉스반도체 주( )앰코테크놀로지코리아 주( )

위탁기관 한국과학기술원포항공과대학교고려대학교성균관대학교한양대학교

산 업 자 원 부

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최종보고서 제출서

년 산업기술개발사업에 의하여 완료한 급 반도체용 차세대 고분2002 “1Giga-bit

자 소재에 관한 기술개발 사업의 최종보고서를 별첨과 같이 제출합니다” .

동사업운영요령 제 조 개발사업결과의 활용 에 따라 전담기관이 최종보고서를( 31 ( )

관련연구기관 산업계 학계 등으로의 배포에 동의합니다, , .)

첨 부 : 최종보고서 부1. 10참여기업대표의 기술개발성과 확약서 및 평가의견서 각 부2. 1

2002. 12. 12

총괄 관리 책임자( ) : 박 찬 언 인( )

총 괄 관 리 기 관 : 포항공과대학교 직인( )

산업자원부 귀하

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제 출 문

산 업 자 원 부 장 관 귀 하

본 보고서를 급 반도체용 차세대 고분자 소재에 관한 기술개발 개발기“1Giga-bit ” (

간 과제의 최종보고서로 제출합니다: 1997. 12. ~ 2002. 9) .

2002. 12. 12

개발사업 총괄관리기관명 : 포항공과대학교

개발사업 총괄 관리 책임자( ) : 박 찬 언

연 구 원 : 박 주 현박 재 근동 현 수임 종 찬송 형 수

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산업기술개발사업 보고서 초록

관리번호 B38-979-5406-00-4-5

과 제 명 급 반도체용 차세대 고분자 소재 개발1Giga-bit

키 워 드급 레지스트 감광성 폴리이미드 봉지재 반1Giga-bit / ArF / / /

도체용 화학약품

개발목표 및 내용

최종 개발목표1.

전자산업의 기술 경쟁력 향상을 위한 부품 제조기술의 핵심이 되는< 1Giga-bit

급 반도체용 차세대 고분자 소재의 기술개발 및 사업화>

최근 기술동향 분석 및 급 반도체용 차세대 고분자 소재 개발1Giga-bitㆍ

기술계통도에 의거하여 사업방향 설정 및 중장기 기술개발 수행ㆍ

전자산업 고도화 방안 제시ㆍ

당해연도 개발내용 및 결과2.

급 반도체용 차세대 고분자 소재를 개발하였음

해상도 이하의 감도 이상의 이상100nm, 15mJ/ , 10% EL margin, 400nmㆍ ㎠

의 레지스트 이상의 에칭 내성을 보유한 레지스트를 개발DOF margin, KrF ArF

하고 한 시제품을 하이닉스 반도체에 공급하여 공정적용 평가scale up

해상도 감도 신률 이상 열팽창계수 이하 경화4 , 700mJ/ , 20% , 50ppm ,ㆍ ㎛㎠

필름의 투명도가 확보된 감광성 폴리이미드 개발

패키지 적용 양산 제품의 신뢰성 확보 및1Giga DRAM TSOP , Scale EMCㆍ

기반 조성

및 의 규격을 만족하고 공정에도Warpage Wire Sweep Pb-free JEDECㆍ

를 만족하는 고신뢰성 패키지용 봉지제 개발Level 2 BGA

수준 음이온 수준 로 개 이하인Metal 0.1ppt , 0.1ppb , Particle 0.1 50ㆍ ㎛

급 반도체 화학약품 과산화수소수 황산 암모니아수 이소프로판올 개1Giga-bit ( , , , )

발

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기대효과 기술적 및 경제적 효과3. ( )

수입에 의존하고 있는 차세대 반도체 소재의 국산화를 이루어 수입대체 효과가

클 것으로 예상되며 세계 최초로 개발되는 레지스트 감광성 폴리이미드는ArF ,

수출도 가능하다 레지스트 개발도 고직접도의 제품을 생산할 수 있어 경쟁. ArF

우위를 점할 수 있으며 비감광성 폴리이미드를 감광성 폴리이미드로 대체할 경,

우 회의 포토레지스트 공정을 생략할 수 있기 때문에 공정이 약2 buffer coating

정도 감소한다50% .

국내 독자기술에 의해 반도체 소재 봉지재 관련 핵심기술 및 유관기1G-DRAM

술을 확보함으로써 차세대 패키지 기술분야에선 선진 해외 메이커와 대등한 경

쟁력 확보가 가능하며 반도체 패키지 다양화 및 초박형화에 따른Type

등 신규 패키지 및 재료개발 가속화로 타소재 개발 및CSP(Chip scale package)

응용이 가능

적용분야4.

레지스트를 사용하는 는 영역으로ArF technical node 100nm~65nmㆍ

의 집적도를 갖는 제품생산에 사용됨4G~64G

감광성 폴리이미드의 주용도는 이지만 차세대 반도체 패키지buffer coating ,ㆍ

기술인 의 층간 절연막 소재로 부각되WL-CSP(Wafer level chip size package)

고 있음

패키지 기판 적용 패키지 환경친화형 고신뢰성1G DRAM TSOP , Laminate ,ㆍ

패키지용 봉지재로 사용됨

용 화학약품으로 사용됨1~4G DRAMㆍ

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목 차

제 장 기술개발의 필요성1 .

제 절 기술개발의 중요성1 .

제 절 국내외 관련기술의 현황2 .

제 절 기술개발시 예상되는 파급효과 및 활용방안3 .

제 절 시장현황4 .

제 장 기술개발의 목표 및 추진계획2 .

제 절 기술개발의 최종목표1 .

제 절 연도별 주요개발 내용2 .

제 절 개발방법 및 추진전략3 .

제 절 기술개발 체계도4 .

제 장 사업추진 실적 및 기술개발 내용3 .

제 절 기술개발 내용 요약1 .

제 절 세부사업별 추진실적 및 기술개발 내용2 .

제 절 특허출원 논문발표 및 거래선 품질 인증3 . ,

제 장 결론4 .

부록 급 반도체용 차세대 고분자 소재개발 사업 발표회 및 운영회의1. 1Giga-bit

안건 및 회의록 회 회(1 ~12 )

부록 제 회 급 반도체용 차세대 고분자 소재개발 심포지움2. 1 1Giga-bit

부록 참여기업 대표의 기술개발 성과 확약서3.

부록 완료과제에 대한 참여기업 대표의 평가의견서 기업화 계획4. ( )

부록 완료과제에 대한 참여기업 주관기관 대표자의 평가의견서 개발 결과5. [ , ] ( )

부록 금강고려화학 합격보고서6. JEDEC LEVEL 2(260 ), 2A(260 )℃ ℃

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제 장 기술개발의 필요성1 .

제 절 기술개발의 중요성 필요성1 . ( )

반도체용 차세대 고분자 소재는 전자 정보분야의 기반산업이다 국내 반도체 산업.ㆍ

은 및 차 전지와 함께 년의 국가산업을 이끌고 갈 수 있는 핵심산업으LCD 2 2000

로 부각되었다 그러나 최종제품인 반도체를 생산하는 산업은 반도체 제조설비를.

거의 전량 외국에서 수입하고 있는 실정이며 등Polyimide, Photoresist(PR), EMC

의 핵심 고분자 소재 제조 및 공정에 대한 기술을 독자적으로 개발하지 않으면 선

진국과의 기술경쟁력 확보에 어려움이 클 것으로 예상된다.

이미 선진국에서는 핵심화학소재의 기술이전을 기피하고 있는 실정이고 특히 반도

체용 고분자소재의 중장기적인 기술개발 및 개발된 소재의 품질평가 및 인증기술이

확보되지 않으면 경쟁력 있는 반도체소재 제조기술 확보에 많은 어려움이 있을 것

으로 사료된다 그러므로 전자 화학 기계분야의 복합산업이라 할 수 있는 장치산. ㆍ ㆍ

업의 특성을 지닌 반도체산업을 육성하기 위해서는 개발되는 반도체소자의 신뢰도

를 평가할 수 있는 기술기반을 구축하여야한다.

전자정보용 부품 화학소재는 전자정보 산업의 기초산업으로 신제품 개발 등 기술ㆍ

혁신을 추진하는데 있어 가장 기본이 되는 산업이다 그러나 최근 선진국의 기술이.

전 기피와 세계의 지역주의 심화 및 후발개도국의 저가품에 밀려 우리 나라 전자정

보 산업의 발전이 어려운 상황에 놓여 있다.

전자정보 산업의 기초산업인 전자정보용 부품 화학소재산업이 선진국에 비하여 낙ㆍ

후된 이유로는 첫째 화학소재산업의 경우 막대한 연구개발 자금과 장기간의 연구,

개발 기간이 소요되는 것에 비하여 내수시장이 너무 좁아 반도체 소재 관련 기업,

에서 이에 대한 투자를 과감하게 하지 못했고 둘째 전자정보용 부품과 반도체용, ,

화학소재개발을 주로 담당했던 대학과 연구소가 연구비를 받기 위한 첨단연구에만

전념하였고 또한 대부분 연구가 단기적 길어야 년 으로 끝나 보고서만을 제출, ( 3~5 )

하는데 불과하였고 셋째 정부에서는 수출정책에만 일관하여 기업이 부품과 화학소, ,

재를 대부분 수입하는 현상을 초래하였고 또한 부품과 화학소재는 주로 중소기업,

에서 개발해야 하는데 반도체 제조 회사와 연계하여 공동으로 기술개발을 할 수,

있는 지원이 미미하였고 넷째 기술이 발전함에 따라 전자부품과 화학소재의 용도, ,

와 특성도 복합화 다기능화 하는데 이에 따른 고급인력의 양성이 미미하였고 다섯, ,

째 여러 가지 이유로 인하여 중소기업에 대한 금융 지원의 혜택이 미미하였고 이, ,

밖에도 국내 전자정보용 부품 화학소재업체가 기술적 현황을 제대로 파악하고 있ㆍ

지 못한 것과 해외시장의 정보부족 및 기술 인력부족 등에 기인한 것 같다 전자, .ㆍ

정보용 부품 화학소재산업은 앞에서 언급한 것처럼 전자산업의 기초이고 새로운, ,ㆍ

제품을 개발하는데 가장 기본이 되는 것이기 때문에 수입에 의존할 수만은 없다.

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더욱이 반도체용 고분자소재는 선진국에서 전략적으로 무기화할 수 있는 요소가 많

기 때문에 국산화는 필수적이다 특히 정부에서 추진하고 있는 선진화 기술수준에. ,

들어가기 위해서는 첨단산업의 지원도 중요하지만 기초부품 및 화학소재산업 중,

국산화되지 않은 전자소재분야에도 많은 지원이 있어야 할 것이다 따라서 전자정. ,

보 산업의 기본이 되는 전자정보용 부품과 화학소재산업을 활성화시키기 위해서는

핵심소재개발을 위한 품질평가 및 기술인증을 수행할 수 있는 기반기술과 구조소

재 기능소재 공정소재의 핵심을 이루는 화학소재의 중장기적인 기술개발계획이 동, ,

시에 추진되어야 한다.

기술적 측면1.

이미 전자재료개발의 중요성은 정부와 기업체의 전문기술 인력의 필요성에 의하여

깊이 인식되어 왔다 하지만 실리콘 웨이퍼나 웨이퍼 등의 기능재료와 일부. GaAs

과 를 제외한 공정재료와 패키지 재료를 중심으로 한 구Lead frame Bonding wire

조재료의 많은 부분이 화학소재로 구성되어 있으나 이러한 소재의 종합적이고 체계

적인 기술개발 및 평가인증기술은 이루어지지 않고 있는 실정이다 실제로 포토마.

스크 포토레지스트 고순도 가스등이 차지하는 비율은 전체공, , Process Chemical,

정재료의 로서 국내시장만 년도 기준 억 천만달러에 달하나 전체물량의91% 96 31 2

를 외국에서 수입하여 사용하고 있다 표82% .( 1).

따라서 국내의 많은 화학소재의 생산업체들은 DuPont, Hoechst A.G., Mitsubishi,

등 외국회사와 기술제휴 하에 엄청난 를 지불하면서 화학소재B.O.C holding Royalty

를 생산하여 국내전자업체에 공급하고 있고 아직도 이상은 완제품을 직접 외76%

국에서 수입하여 공급하고 있다 그리고 이러한 화학소재기술의 취약함으로 인하여.

전자부품 생산 장비 제조기술과 공정기술이 거의 외국기술에 의존하고 있어100%

서 이러한 화학소재 기술개발은 매우 중요하다고 볼 수 있다 특히 전자정보산업이. ,

급속히 발달하면서 부품의 고집적화 고기능화 고밀도화가 이루어지면서 전자정보, ,

용 화학소재에 대한 고도화된 기술개발이 요구된다.

예를 들면 반도체 칩의 크기가 증가하고 다핀화가 되면서 열팽창계수의 부조화로

생기는 열응력을 극소화시킬 수 있는 에폭시 molding compound, die attach

등이 필요하며 이하의 미세형상을 만들 수 있는 레지adhesives sub-half micron

스터가 요구된다 이러한 엄격한 규격을 만족시킬 수 있는 화학소재를 각 소재에.

필요한 주요성분에 대한 국내의 공동기술 기반을 확립하고 이를 반도체 제조업체,

반도체 설비 업체 대학교 연구소 등과 유기적으로 연관시키고 기술개발을 통해 고, ,

성능 고부가가치의 전자정보용 부품에 근간이 되는 화학소재를 개발할 수 있다.

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표 반도체용 소재의 국내시장 및 각 소재별 화학소재 비율1.

경제 사회적 측면2. ㆍ

전자정보용 부품과 화학소재산업의 중요성을 인식해서 업체는 물론이고 정부에서,

는 전략적인 차원에서 국산화하려는 노력이 있어야 할 것이며 현재 정부에서 지원,

하고 있는 연구개발 자금의 효율적인 운영이 있어야 할 것이다 즉 국내 전자정보. ,

용 부품 화학소재산업의 정확한 실태를 조사한 후 가장 국산화를 필요로 하는 기ㆍ

본적인 기술과제에 많은 연구비의 지원이 있어야 할 것이며 또한 국책연구과제로,

수행되고 있는 연구를 단기적으로 지원해 줄 것이 아니라 기초연구와 응용연구로,

부터 산업화를 할 수 있을 때까지 장기적으로 지원할 수 있는 기술 기반 및 전문

기술 인력 양성을 지원해 주어야 할 것이다.

또한 업체에서는 현상태의 제품개발에만 전념할 것이 아니라 장기적인 안목으로,

새로운 제품개발에 대한 투자가 뒤따라야 할 것이며 이와 함께 대기업과 중소기업,

의 협력 강화가 있어야 할 것이다 즉 기술과 인력이 부족한 중소기업에 품질 평. ,

가 기술 인증 고급 기술 인력 양성 등의 기반 기술지원을 통하여 여러모로 도움을, ,

주어야 할 것이다.

천연자원이 없는 우리 나라로서는 인적자원을 육성해서 효율성 있게 잘 활용해야

한다 최근 기술은 복합화 다기능화의 추세에 있기 때문에 한 가지의 학문영역으로. ,

만 대처하기가 곤란한 상황이다 그러나 현재 대학의 공학교육은 대부분 자기 전공.

분야에 대해서만 교육이 이루어지고 있는 실정이다.

따라서 고급 인력 양성을 위한 관련 전공에 대한 기초교육 및 관련 분야와의 연계

교육을 강화해야 할 필요가 있다 아울러 국내의 여건상 어려움은 있으나 대학의. ,

전문 기술자 양성을 위한 재정지원이 강화되어야 할 것이며 이와 함께 기업에서도,

산학협력의 일환으로 연구설비의 지원이 필요하다 하겠다.

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제 절 국 내외 관련기술의 현황2 . ㆍ

국내 외 기술 현황1. ㆍ

년대의 유망 산업으로 각광을 받고 있는 전자정보 산업은 높은 소득 탄력성과2000

대규모의 시장창출을 통해 세계경제 성장의 견인차 역할을 수행하고 있다 또한 그.

경제적 중요성 및 관련 다른 산업에 미치는 영향과 더불어 핵심기술을 체제WTO

하에서 무기화할 수 있는 전략적 중요성을 지니고 있고 디지탈 기술의 발전을 계기

로 하여 타산업 기술과의 융합을 통해 해당산업의 고기능화를 유도함으로서 광범위

한 기술 파급 효과와 합께 산업구조 고도화의 핵심적 역할을 수행하고 있다 아울.

러 향후 전자정보 산업은 정보화 시대로의 진입과 함께 기계 소재 자동화 등 산업, ,

간 적극적인 융합화를 통해 고부가 가치 산업으로서 중요성이 더 커질 전망이다.

전자정보 산업은 기술혁신의 속도가 빠르고 제품의 사이클이 짧은 기술과 지Life

식 집약적 특성을 보유하고 있다 전자정보 산업의 주요분야는 전자 의 운. (Electron)

동특성을 이용한 기계장치나 소재 및 부품을 제조하는 하드웨어 부분과 정보수집,

가공 전송을 통해서 고부가가치를 창조하는 소프트웨어 부문으로 나눌 수 있고 특,

히 전자정보용 소재 기술은 고성능성의 전자정보용부품 제조를 위한 기반 기술의

성격을 띠고 있다.

따라서 미국 등 선진국에서는 전자정보 소재 기술의 고도화를 통해서 전자정보용

부품 산업을 선도하고 있고 동시에 소재의 가공 및 제품평가 기술 개발을 지속적으

로 수행하여 소재 기술 가공 기술 생산설비 기술 성능평가 기술을 유기적으로 복, , ,

합화한 기술 집약적인 장치산업의 특성을 지니는 전자정보 산업을 이끌어 갈 수 있

는 이나 등 반도체용 소재개발 및 평가 인증 그리고 이를 위한SEMATECH MCNC

데이터 베이스 구축을 통하여 기업체의 차세대 반도체용 고분자 소재 개발을 지원

하고 있다.

특히 자원이 부족하고 관련분야의 기술기반이 취약한 우리 나라로서는 전자정보 산

업의 기술 연관성을 고려하여 가공 기술이나 생산설비 기술보다는 국가산업의 전략

적인 측면에서 기반 기술이면서 핵심 기술의 성격을 지니고 있는 인증 기술 분야와

성능평가 기술 분야에 장기적인 기술개발 계획을 세워서 소재 생산 업체 반도체,

업체와 최종 수용자가 공동으로 이용할 수 있는 기반 기술 구축 사업을 추진하는

것이 바람직하다고 볼 수 있다 또한 전자정보용 소재 중에서도 반도체용 고분자.

소재가 차지하는 비중은 매우 크고 중요한 역할을 하고 있어서 기술 발전이 늦어지

면 전자정보산업 발전에 병목으로 작용하게 되므로 이에 시급한 대책이 필요하다.

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차세대 반도체 소재 기술 동향2.

현재 국내 반도체 산업은 외형적으로는 생산 및 판매활동을 통해 타 부문의 산업과

비교하여 높은 수익을 올리고 있지만 반도체 제조를 위한 생산 설비 및 원자재의

대부분을 수입에 의존하고 있다 따라서 반도체 산업이 지속적으로 성장하고 대외.

경쟁력을 유지하려면 반도체용 차세대 고분자소재의 자체기술을 확보 및 자급화가

절대적으로 필요하다.

가 포토레지스트.

선 포토레지스트의 수요는 줄고 선 포토레지스트의 수요가 계속 늘고G , i 64M

이상에서는 원자외선 포토레지스트로 대치되어야 하므로 국내의 원자외선 레DRAM

지스트의 개발 및 양산적용은 국내반도체 산업이 전세계 반도체 첨단기술을 선도하

기 위해서 절실히 요구된다.

나. Polyimide

최근 일본의 사와 미국의 사는 전략적 제휴의 하(1997. 9) Hitachi Chemical DuPont

나로서 라고 하는 합작사를 설립하여“HD Microsystems" ”High Performance

에 대한 적극적인 시장 공략에 나서고 있다 주된 사업Liquid Polyimide materials” .

영역은 반도체용 과 층간 절연막으로서 연구개발 생산 품질관리Buffer Coating , , ,

및 영업과 전분야에 대한 협력 체제를 구축중이다Technical Service . Hitachi

이 갖고 있는 과 전자분야의 경험과 사가 갖고 있는 고분자Chemical Resin DuPont

기술의 복합화를 통한 세계 시장 공략이 목적이다.

국내 반도체 제조업체는 기존의 비감광형 을 감광형으로 대체키 위Buffer Coating

한 검토에 들어갔다 현대전자는 일부 에서 소랑의 감광형 를 적용시. Line Polyimide

키고 있으나 아직은 매우 미미한 상태이다 삼성전자의 경우 주로 일본의, . Asahi

사 등에서 샘플을 입수하여 평가중인데 현재 완전한 신뢰성을 확Chemica, Toray ,

보하지 못하여 적용이 보류된 상태이다 선진사의 계속적인 개량 샘플의 제공으로.

년을 전후한 시점에서 적용이 가능하리라는 것이 제조사의 예측이다2000 .

다. Epoxy Moding Compounds

전세계적으로 생산업체는 현재 개사가 있으며 대부분이 일본업체이다 현재EMC 14 .

수준을 비교해보면 수준에 있으나 년에는 선진사와 동등한EMC 16M DRAM 2003

수준의 생산수준이 가능하리라 예상된다.

라 고순도. Chemicals

주요 의 국내외 시장 동향 을 볼 때 주요화학약품은 세Process Chemical (‘96~‘99)

계시장의 경우 정도의 증가를 보이나 국내의 경우 이상 증가를 보이3~4% 10~18%

고 있고 그 만큼 국내 메모리 반도체 산업의 발전속도를 짐작할 수 있으며 과산화,

수소수 황산 암모니아수가 단일 품목으로는 많은 양을 차지하고 있으며 불, , IPA, ,

산의 경우도 많은 양인 것으로 나타났다.

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관련산업현황3.

전자정보 산업은 하드웨어 기술의 발전과 정보 및 정보처리 형태의 변화에 따라 기

준 제품의 기능향상과 다양한 신제품의 출현이 가속화될 전망이다 이러한 경향은.

크게 디지탈화 지능화 고정밀화 대형화 등으로 집약될 수 있다 이중 특히 디지.ㆍ ㆍ ㆍ

탈화는 화상 영상 등 각종 정보의 효율적 처리와 네트워크에 의한 정보의 통합 처ㆍ

리를 가능하게 함으로써 지금까지 아날로그 신호처리가 많았던 기기와 통신기기AV

의 산업에 큰 영항을 미칠 것으로 보인다.

이에 따라 앞으로 전자정보 산업은 독자적인 형태의 기기보다는 멀티미디어 형태의

시스템적 기기가 세계시장을 주도하게 될 것으로 예상된다 그리고 이러한 신제품.

개발에 힘입어 세계 전자정보 산업은 향후 의 성장률을 기록함으로써 높은5.5% ,

성장세를 이어갈 것으로 예상된다 또한 반도체용 소재에 대한 공통기술기반을 구.

축함으로써 차세대 반도체 설비와 나 의 핵심 반도체 제조 공정의 핵4G 24G DRAM

심기술을 개발함으로써 세계 반도체 시장에 있어서 국제 경쟁력 향상에 크게 기여

할 수 있다.

제 절 기술개발시 예상되는 파급효과 및 활용방안3 .

무역수지 개선 효과1.

의 무역수지 개선효과를 객관적으로 입증할 수 있는 근거를 제시2. 1

수입에 의존하고 있는 차세대 반도체 소재의 국산화-

용: ArF excimerresists, photosensitive polyimide, 1G bit Epoxy Molding

용고순도 화학약품 및 가스Compounds, 1G bit

활용방안3.

용 레지스트의 제조기술을 확보 후 국내에서 상업생산 시장성- ArF excimer laser (

을 고려하여 생산시점 선정 을 시작하고 원재료에 대한 기술을 확보하여 정부의) ,

주도하에 국내에 생산할 수 있는 업체를 지원하고 국내생산이 어려울 경우 일본이,

나 미국의 생산 업체에 외주 가공을 하거나 기술 수출

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국내 독자기술에 의해 반도체 소자 봉지재 관련 핵심기술 및 유관 기- 1G-DRAM

술을 확보함으로써 차세대 기술분야에선 선진 해외 메이커와 대등한 경, Package

쟁력 확보가 가능하며 반도체 다양화 및 초박형화에 따른, Pakage Type CSP(Chip

등 신규 및 재료개발 가속화로 타소재개발 및 응용이 가능Scale Package) Pakage

용 을 시생산하고 반도체 업체 를 받음- 1~4G DRAM Chemical Test

제 절 시장현황4 .

시장규모1.

주시장 국가 또는 지역 한국 일본 미국( ) : , ,○

시장규모○

세계시장의 성격2.

성장성이 있음-

독점성 또는 과점성 이 있음- ( )

본 기술을 보유하고 있는 국내외 회사는3. ?

회사 국명 일본 외 개사 이상- : Sumitomo ( : ) 5

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제 장 기술개발의 목표 및 추진계획2 .

제 절 기술개발의 최종목표1 .

전자 산업의 기술 경쟁력 향상을 위한 부품 제조기술의 핵심이 되는 급1Giga-bit

반도체용 차세대 고분자소재의 고도화 기술개발 및 사업총괄

최근기술동향 분석 및 급 반도체용 차세대 고분자소재 개발1Giga-bit•

기술계통도에 의거하여 사업방향 설정 및 중장기 기술개발수행•

산 학 연 공동 기술 인력 양성 사업수행• ㆍ ㆍ

전자산업 고도화 방안 제시•

급 반도체제조에 필요한 차세대 고분자소재 개발목표를 각 소자기술별로1Giga-bit

그림 에 나타내었다1 .

그림 급 반도체용 차세대 고분자 소재 개발을 위한 각 세부 분야별1. 1Giga-bit

개발 목표

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제 절 연도별 주요 개발내용2 .

년

도주요 개발내용 범위/ 단계별 성능 규격/

1

차

년

도

수지 및 광산발생제의 설Matrixㆍ

계 및 합성

수지용 단량체의 설계 합- Matrix ,

성 및 분석

수지의 설계 합성 및 분석- Matrix ,

광산발생제의 설계 및 합성-

Matrix resinㆍ

분자량 이하- : 20,000

분자량 분포 이하- : 2

Sensitivity : 3% for 365nm)

설계 합성Polymide Resin ,

고감도 증감재 설계 합성- ,

감도 : 700mJ/ㆍ ㎠

해상력 경화막두께: 10 ( : 10ㆍ ㎛

)㎛

신율 : 20%ㆍ

인장강도 : 70MPaㆍ

이온함량 : 1.0ppmㆍ

기초 연구ㆍ

특허 작성 및 문헌조사- MAP

성형성 분석용 평가시- Auto-Mold

스템 구축

난연 기초 연구- Non-Halogen

기초연구ㆍ

특허 작성 및 문헌조사- MAP :

기술 작성Road

성형성 분석용 및- AUTO-MOLD

금형발주 설치완료/

난연 기구 해석- NON-HALOGEN

물성평가 및 기초 배Substrateㆍ

합의 선정

에 따른 경화거동의 고찰Binderㆍ

분산성 및 점도거동 예측방EMCㆍ

법 고찰

인자확인 및 인자변화Warpageㆍ

실험

(Computer Simulation)

Cure Time : 175 × 120secㆍ ℃

PMC Time : 175 × 6hrㆍ ℃

Warpage : max. 2.0ㆍ

Coplanality : max. 6.0ㆍ

Wiresweep : max. 5.0ㆍ

Delamination : Noㆍ

횟수 회Plasma : 2~3ㆍ

Reliability : Levelㆍ Ⅲ

(60 /30% × 168hr)℃

정제 분석방법 자료 조사,ㆍ

정제- (Resin, Membrane,

기술 조사Distillation)

분석법 조사 환경 분석기기등- ( , )

Spec.ㆍ

이하- Metal : 10ppt

이하- Anion : 10ppb

로 개 이하- Particle : 0.2 50㎛

성능 용: 1~4G DRAM Chemicalㆍ

- 16 -

년도 주요 개발내용 범위/ 단계별 성능 규격/

2

차

년

도

합성된 수지 및 광산발생matrixㆍ

제의 성능 향상 및 평가 기술의 확

립

수지의 성능 향상- Matrix

수지의 분석법 확립- Matrix

광산발생제의 합성 및 분석-

레지스트 평가기술 확립-

Sensitivity :

- 17 -


3

차

년

도

기타 첨가제의 합성 및 Resistㆍ

기술 확립Formulation

첨가제 합성 또는 선정- Base

선정- Surfactant

기술확립- Formulation

Sensitivity :

- 18 -


4

차

년

도

원재료 설비 확보scale up (PAG, resin)ㆍ

레지스트 원재료 수지 첨가제 의( , PAG, )ㆍ

scale up

원재료의 성능 개선Scale upㆍ

금속 불순물 및 제거기술 확립particleㆍ

PED time : 2 hours(5 ppb amine)ㆍ

상온Shelf life : 6 month( )ㆍ

반응기 규모의 설비20L~50L( ) scale upㆍ

확보

원재료 수지 첨가제 의 실험실적( , PAG, )ㆍ

공정 재현성 및 안정성 확보

원재료의 공정 재현성 및 안정Scale upㆍ

성 확보

불순물 제거 기술 확립ㆍ

잔류금속 제거기술 : Na, Ca, Fe < 5ㆍ

ppb

반도체 신뢰성 평가Line

후보물질의 계속적인 합성 및 개선

제조 공정20liter Scale base resin

고순도 정제 기술 개발

설계Pilot

감도 :500mJ/㎠

해상력 필름두께: 5 ( 10 )㎛㎛

신율 :20%

인장강도 :120MPa

이온함량 < 0.5ppm

반도체 품질승인 확보Pilot Scale

성형성 평가 및 시험 통과- Precon

삼성전자 품질인증 확보-

시양산품(1G DRAM )

제조조건 확립 연구Pilot

위탁연구

이형제 상용성 평가 연구-

내크랙성 향상 연구-

품질승인 확보Pilot Scale

시양산품- Device: 1G DRAM

- JEDEC Precon Test Level 1

(85 /85% RH, 168hr Soak)℃

후- PCT 121 240hr No Corrosion℃

시험 후 검사 통과- T/C 500 Cycle Crack

고충진계 제조공정 연구ㆍ

환경 친화형 난연제 연구ㆍ

을 이용한 물성 예측Simulationㆍ

성형성 신뢰성 향상 최적배합 선정,ㆍ

거래선 품질인증(Full Qualification)ㆍ

Cure Time : 175 × 60sec.℃

PMC Time : 175 × 0hr℃

Warpage : max. 1.5

Coplanarity : max. 5.0

Wiresweep : max. 4.0

내오염성Mold : Min. 2 shift

청소성Mold :

- 19 -


5

차

년

도

재설정 목표 성능 달성ㆍ

Resist pilot testㆍ

제품의Pilot user testㆍ

공정적용 안정성 확보ㆍ

레지스트 시제품 결정spec.ㆍ

해상도 감도: 0.10 L/S, :ㆍ ㎛

10~20mJ/㎠

레지스트 기준 : 50L/batchㆍ

레지스트의 보관 안정성 및 안batchㆍ

정성 확보

안정성 확보User lineㆍ

최종목표치의 물성을 만족하는 레지ㆍ

스트 및 원재료 수지 첨가spec. ( , PAG,

제 시제품 생산) pilot

평가 완료Stepperㆍ

반도체 공개 평가 참여ㆍ

고순도 정제기술 확립ㆍ

저장 안정성 평가ㆍ

제조 공정20 liter scale base resinㆍ

최적화

생산 조건 확립Formulationㆍ

생산 설비 설계ㆍ

감도 :500mJ/ㆍ ㎠

해상력 필름두께: 5 ( : 10 )ㆍ ㎛㎛

신율 : 30%ㆍ

인장강도 :120MPaㆍ

이온함량

- 20 -

제 절 개발방법 및 추진전략3 .

과제의 연계성1.

반도체 칩 제조 및 공정을 그림 에 나타내고 있는데 차세대 고분자 소재Package 2

에 요구되는 공정의 특성에 따라 핵심 소자 기술 차 소자 기술 차, 1 Layer , 2 Layer

소자 기술로 나눌 수 있고 각 소자 기술에 요구되는 단계별 목표는 그림 의3 1

급 반도체용 고분자소재 기술개발 주요 과 같다Giga-bit Milestone .

그림 반도체 칩 제조 및 공정2. Package

- 21 -

그림 급 반도체용 고분자소재 기술개발 주요3. 1 Giga-bit Milestone

추진전략2.

소재개발 및 생산을 전문으로 하는 기업체 조도로 기술개발을 수행하며 반도체 화

학 소재를 생산하는 화학회사와 사용하는 반도체 회사와 공동개발을 함으로써 소재

개발 및 평가와 테스트를 통하여 기술의 상용화를 꾀하며 산재해 있는 대학교 및

연구소의 전문 인력을 결집하여 산학연 공동연구개발체계를 구축하여 연구를 수행

하고 있다.

추진현황3.

공기반 기술 개발 사업의 중기거점 과제로 선정되어 층 사업기간이‘97. 12 1997

년 월 일부터 년 월 일까지이고 총 연구비는 억원이며 이중 정부지12 1 2002 9 30 211

원은 억원이다 차년도 연구비는 억원이고 이중 정부지원금은 억84.9 . 1-2 62.6 25.8

원이며 차년도 연구비는 억원이고 이중 정부 지원금은 억원이며 차년도 연, 3 46 19 , 4

구비는 억원이고 이중 정부 지원금은 억원이며 차년도 연구비는 억원48.9 20 5 53.5

이고 이 중 정부지원금은 억원이다 포항공과대학이 총괄 추진기관이 되고 금20.1 .

호화학등 개 기업체가 주관 기관 및 참여 업체가 되고 한국과학기술원등 개 대학7 5

이 위탁 기관이 되어 아래의 개 과제를 수행하여 계획된 목표를 달성했다 이중6 .(

반도체용 초고순도가스의 정제 생산 및 평가기술개발은 차년도로 완료되었음, 3 )

- 22 -

제 절 기술개발 체계도4 .

- 23 -

제 장 사업추진실적 및 기술개발 내용3 .

제 절 기술개발 내용 요약1 .

급 반도체용 고분자 소재의 기술개발 내용을 요약하면 아래표와 같다1Giga-bit .

세부사업 기술개발 내용

용 레지스트 재료ArF Eximer Laser

개발

수지의 특성 분석ROMAㆍ

수지를 이용한 레지스트 평가ROMAㆍ

선정 및 평가KUPR-A2500 gradeㆍ

해상도- 100nm

- CD-SEM Slimming 5.5%

- EL 10%

- DOF 0.7㎛

보관 안정성 개월 이상- 3

수지ROMA / PAG Scale upㆍ

레지스트 제조 및 평가Gallon baseㆍ

반도체1G DRAM Buffer

용 감광성 폴리이미드 개발Coating

를 적용한 화학증폭형의Acetal chemistry base resinㆍ

제조기술

형의 를 도입한 합성 기술PMR end-capper base resinㆍ

제조 기술20 liter scale base resinㆍ

가용성 폴리이미드를 혼합한 조성물base resinㆍ

주요 첨가제인 광산발생제 의 신규개발(PGA)ㆍ

감도 700mJ/ㆍ ㎠

해상도 5 L/S(@10 film thickness)ㆍ ㎛㎛

고순도 정제기술 확보 이하(metalion 1ppm )ㆍ

이상Elongation 20%ㆍ

용 봉지재 개발1G DRAM TSOP

접착기구 해석 및 첨가제 영향 연구ㆍ

난연 에 대한 연구mechanismㆍ

대응 고온 강인화 향상 연구Pb-freeㆍ

에 의한 열경화성수지 유동해석 연구Rheometerㆍ

최종조성물 확보Mass scaleㆍ

성형특성 등 개선(Delamination, Package Crack )ㆍ

신뢰성 확보(Precon Level I)ㆍ

급 반도체 소자를 위한1G DRAM

용 플라스틱 컴파운드 개발BGA

Cure time 175 60secㆍ ℃

Post cure time 175 2hrsㆍ ℃

Coplanarity(warpage) 4.0milㆍ

Wire sweep 3.5%ㆍ

횟수 회Plasma 2ㆍ

Non-Br / Sbㆍ

온도Reliability JEDEC level 2(Reflow = 260 )ㆍ ℃

- 24 -

세부사업 기술개발 내용

용 기술 개발1G DRAM Chemical

용 과산화수소수 황산 암모니아수1G DRAM Chemical( , , ,ㆍ

이소프로판올 양산 기준 기술 개발)

Metal 0.1pptㆍ

Anion 0.1ppbㆍ

개 이하 기준Particle 50 (0.1 )ㆍ ㎛

용 평가 방법 개발1G DRAM Chemicalㆍ

(Metal 0.01ppt, Anion 0.01ppb)

웨이퍼 세정평가 방법 확립ㆍ

제 절 세부사업별 추진 실적 및 기술개발 내용2 .

단파장 자외선 광원 용 레지스트 재료 개발1. (ArF Eximer Laser)

가 수지의 특성분석. ROMA

기존의 계 수지보다 투과도가 정도 향상되었으며 이는 패COMA UV(@193nm) 20%

턴 모양의 수직성을 증가시킬 수 있었으며 에칭내성을 비교평가한 결과 용, KrF PR

수지인 보다 약 정도 향상된 결과를 보임PHS 20% .

나 수지를 이용한 레지스트 평가. ROMA

차년도까지 수지를 사용한 시제품인 으로는 해상도가4 COMA KUPR-A1000ㆍ

이었는데 수지를 사용하여 목표 해상도 를 달성함130nm ROMA 100nm

과정에서 발생하는 을 로 줄Pattern profile inspection CD-SEM Slimming 5.5%ㆍ

였다.

다 시제품 선정 및 평가. KUPR-A2500 grade( )

해상도에서 이100nm EL(Energy Latti tude) 10%, DOF(Depth of Focus) 0.7ㆍ ㎛

상 달성

로 사용되는 에서의 패턴특성 검토 결과 계 수지Hard mask Nitride / SiON Acrylㆍ

를 사용한 포토레지스트 대비 후에 남아 있는 패턴모양이 변형없이 우etch / strip

수한 특성을 보임

패턴 크기 변화에 따른 안정도를 결정하는 특성은 부터CD linearity 100nmㆍ

까지 우수함200nm

의 보관안정성을 평가한 결과 개월 경과후에도 감도 및 패KUPR-A2500 grade 3ㆍ

턴이 변하지 않았음

라 수지. ROMA / PAG Scale up

수지 종 종에 대하여 반응기를 사용하여 실험ROMA 4 , PAG 1 10L, 20L Scale up

을 수행하여 이상의 수율로 재현성 있게 를 얻을 수 있는 공정조건을85% Product

확보함

- 25 -

마 레지스트 제조 및 평가. Gallon base

원재료 실험에서 확보된 재료를 사용하여 레지스트 샘플의Scale up gallon base

조제 실험을 회 실시하여 재현성 및 안정성을 확보하고 하이닉스반도체에6 batch

평가용으로 그 을 공급함gallon .

그 은 소내 보유 에 장착하여 로 사용중이며gallon Stepper standard resist gallon

로 조제된 에 대한 물성분석 결과는 아래표와 같다base KUPR-A2500 grade .

의 물성 분석Gallon resist (KUPR-A2500)◈

분 석 항 목 단 위 Data 분 석 장 비1. Viscosity(25 )℃ mpa.s 2.94 Viscometer(AVS-360)2. Water content % 0.14 Karl-Fisher(Orion AF7LC)3. Thickness(3000rpm) nm 280 Nanospec4. Eth mJ/㎠ 4.4 ArF stepper/Nanospec5. Particle 0.2㎛

N/ml48

Liquid Particle Counter0.3㎛ 5

6. Metal ionsNa ppb 16Fe 5K 6Ca 4Mn

- 26 -

차년도에서는 삼성전자 공정 평가시 의 문제점으로 지적되었던 경5 SP-2000 grade

화 필름의 투명성 개선에 중점을 두고 연구를 진행하여 대비 투명성이SP-2000

획기적으로 개선된 를 개발하였다SP-2010grade .

가 제조기술. Base resin

를 적용한 화학증폭형의 제조 기술Acetal chemistry base resinㆍ

한국 미국 일본 특허 출원- , ,

분자랑 및 치환률 조절 방법의 재현성 확보-

형의 를 도입한 합성 기술 개발PMR end-capper base resinㆍ

한국 미국 일본 특허 출원 년- , , (2001 )

신률 이상의 우수한 물성이 확보됨- (Elongation) 20%

저온 경화 가능 고농도에서의 저점도화 기술 확보- ,

제조 기술20 Liter scale Base resin Setupㆍ

양산 업체인 제일 모직 참여-

가용성폴리이미드를 혼합한 조성물 개발base resinㆍ

한국 미국 일본 특허 출원 중 년- , , (2002 )

가용성 폴리이미드 제조 기술 확보-

경화 필름 투명성의 획기적 개선-

나 기술. Formulation

주요 첨가제인 광산발생제 의 신규 개발(PAG)

한국 미국 일본 물질 특허 출원 년- , , (99 )

고해상력 확보를 위한 핵심 기술-

감도 수준의 고해상력 확보700mJ/ , 5 /S(@10 film thickness)ㆍ ㎠㎛㎛

고순도 정제 기술 확보ㆍ

함량 이하- metal ion 1ppm

다 목표 대비 달성도.

뒷장의 표에서 차년도와 차년도 개발 시제품인 과 의 제품 특4 5 SP-2000 Sp-2010

성을 최종 목표수준과 비교하였다 는 모든 특성에서 목표치를 성. SP-2000 grade

공적으로 달성하였으며 경화필름의 투명성이 개선된 에서도, SP-2010 grade

대비 신률 특성이 저하되기는 하였지만 거의 모든 항목에서 초기 목표치SP-2000 ,

를 상회하고 있다.

- 27 -

표 최종 목표치와 및 의 특성 비교. SP-2000 grade SP-2010 grade

박막소형 용 봉지재 개발3. 1G DRAM (TSOP)

가 핵심 요소 기술 확보.

소형화 고집적화 박형화 되어가는 패키지용 봉지재 개발에 필요, , 1G-DRAM TSOP

한 다음과 같은 핵심 요소 기술들을 확보하였다.

접착기구 해석 및 첨가제 영향 연구ㆍ

난연 에 대한 연구mechanismㆍ

대응 고온 강인화 향상 연구Pb-freeㆍ

에 의한 열경화성수지 유동해석 연구Rheometerㆍ

최적조성물 확보Mass scaleㆍ

성형특성 등 개선 및 신뢰성 확(Delamination, Package Crack ) (Pre n Level I)ㆍ ∞

보

이상은 회로선폭의 제약으로 로 양산이 어려워1G DRAM TSOP package BGA

등으로 검토하였으나 최근 기술의 도입으로 적어도 기가 까Package nano 8 DRAM

지는 로 제품을 조립할 수 있을 것으로 보인다 따라서 향후TSOP package . TSOP

는 의 주력 로 성장할 것이 분명해졌다package memory device package .

본 연구에 의하여 개발된 은 계로 신뢰성은Starcom SV-7500SL OCN/PN Pb-free

조건인 이상을 확보하며 성형작업성은IR-rellow 260 , Level 2 , biphenyl/xylok,℃

계 대비하여 우수한 특성이 발현되기 때문에 용 차세대 제품OCN/xylok TSOP(LOC)

에 적용이 가능하다.

- 28 -

년간의 개발 기간을 통하여 공정 중에 발생할 수 있는5 , molding wire sweeping,

및 등의 문제를 을 통한 유동 응력 해석pad tilt/shift, void warpage simulation / ,

를 통한 유동특성 분석 최적 충전 조합 및 고충전 기술 신규 고반응성auto-mold , ,

첨가제 적용기술 등을 이용하여 해결하였고 이를 통하여, lab scale, pilot scale,

의 최적 성형성을 확보하였다 그리고 이온 에 의한mass scale . impurity corrosion,

의 오염원 분석을 통한 고점착 와 접착기구 고기능 신mounting tape , Cu L/F EMC ,

규 수지 적용 인성 및 접착성 항상 강인성 항상 신규 충진제와 나노입자epoxy , , ,

에 의한 고온 강인성 등의 연구를 통하여 기본 신뢰성 확보에서부터 품질인증에 이

르기까지의 높은 신뢰성을 확보하였다 또한 분산성 내 오염성 보관성 등의 개선. , , ,

실험을 통하여 작업성을 확보함으로써 최종적인 제품을 완성 하였다 현재는 향후.

전개될 를 대비하기 위한 의 연구를 통Green Round Non-Halogen, Non-Antimon

한 차세대 제품에 대한 평가를 진행하고 있다 현재까지 용 봉지재 개. TSOP(LOC)

발은 의 품질승인을 획득하여 양산 진행 중이고 용 제품64M, 128M, 256M 512M

을 진행 중에 있으며 년 월 완료 예정이다Qualification 2002 12 .

나 파급효과.

본 과제를 통하여 년 분기 혹은 년 분기에 세계최초로 상업화 될2003 4 2004 1ㆍ

것이 예상되는 반도체의 출시시기에 맞춰 봉지재의 선행개발을1G DRAM TSOP

국내 독자기술에 의해 성공시킴으로써 국내 반도체 봉지 소재 산업의 수준을 세계

적 수준으로 끌어 올리는 데 크게 기여하였다.

본 연구를 통하여 반도체 소자 봉지재 관련 핵심기술 및 유관 기술. 1G-DRAMㆍ

을 확보함으로써 차세대 기술 분야에서 선진 해외 메이커와 대등한 경쟁, Package

력 확보가 가능해졌다.

본 연구는 반도체 다양화 및 초박형화에 따른Package Type CSP(Chip Scaleㆍ

등 신규 및 재료개발 가속화에 따른 타소재 개발 등에 응용이Package) Package

가능하며 에 대응하는 타소재 출현에 능동적으로 대처할 수 있는 원천 기술을, EMC

확보하였다.

급 반도체 소자를 위한 구형격자 배열 용 플라스틱 컴파운드4. 1G DRAM (BGA)

개발

가 최종목표 대비 달성실적.

하기표와 같이 최종목표 대비 실적사항은 이상의 달성율을 나타낸다100% .

나 거래선 품질인증 내역.

차년도에 국내 개 업체로부터 공식 품질인증을 획득하였고 이 중 하이닉스 반도5 2 ,

체에서는 상업화에 성공하여 정식 납품이 진행되고 있다.

- 29 -

연도 거래선명 패키지명 인증내역2001 하이닉스반도체 FBGA 공식 품질인증

2002 앰코테크놀로지코리아 CABGA 공식 품질인증

다 제품규격.

본 과제로부터 개발된 패키지용 봉지재 의 제품규격은 하기와 같BGA (KTMC-8300)

다.

항 목 단 위 규 격Spiral Flow at 175℃ inch 40±5Gelation Time at 175℃ sec 30±5Hot Hardness at 175℃ - 70≥Bleed Flush (0.5mil) mm 3≤

(1.0mil) mm 3≤(2.0mil) mm 3≤

Melt Viscosity at 175℃ poise 100 ± 30Glass Transition Temperature ℃ 160 ± 20

Coefficient of Thermal Expansion( 1)α 1/ ×10℃ -6 10 ± 3Coefficient of Thermal Expansion( 2)α 1/ ×10℃ -6 30 ± 10

Flexural Strength at 25℃ MPa 150 ± 30Flexural Modulus at 25℃ GPa 25 ± 30Water Absorption % 0.3≤

Electrical Conductivity S/cmμ 30≤pH - 4.0 ± 1.0Na+ ppm 2≤Cl- ppm 2≤

Dielectric Constant at 1MHz - 4.0≤Volume Resistivity at 100℃ cm(×10Ω 14) 5≤

Mold Shrinkage % 0.5≤Flammability UL94V V-0

용 고순도 화학약품 과산화수소 황산 암모니아수 이소프로판올5. 1G DRAM ( , , , )

기술 개발

가 용 양산 기준 기술개발 완료. 1G DRAM Chemical

개발완료 개 이하 기준Spec : Metal 0.1ppt; Anion 0.1ppb; Particle 50 (0.1 )ㆍ ㎛

정제 개발 내용ㆍ

과산화수소소 정제법을 이용한- : Resin method

황산 암모니아수 흡수법- , :

- IPA Distillation method

중의 평가방법 개발1G DRAM Chemical用ㆍ

- 30 -

- Metal(0.01ppt), Anion(0.01ppb)

웨이퍼 중의 세정평가 방법 확립ㆍ

평가법- Particle

평가법- Metal

나 향후 계획.

의 양산 적용 년User Line Test 2003 ~ 2004ㆍ

타 로의 정제 분석법 적용 등Chemical , (H3PO4, KOH )ㆍ

개발 산학연 공동New Cleaning Method ( )ㆍ

제 절 특허출원 논문발표 및 거래선 품질인증3 . ,

특허출원1.

가 금호석유화학 주. ( )

순번 특허제목 출원국출원연도

등록연도( )출원기관

1양성 포토레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는

화학증폭형 포토레지스트 조성물한국

1998

(2000)

금호석유

화학 주( )

2포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는

화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물한국

1998

(2000)

금호석유

화학 주( )

3양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는

화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물한국

1998

(2000)

금호석유

화학 주( )

4레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형

포지티브 레지스트 조성물한국

1998

(2000)

금호석유

화학 주( )

5 술포늄의 제조방법한국 미국 일본, , ,

유럽 대만 중국, ,

1998

(2000)

금호석유

화학 주( )

6화학증폭형 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는

레지스트 조성물

한국 미국, ,

일본 유럽, ,

1998

(2000)

금호석유

화학 주( )

7 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물한국 미국, ,

일본 유럽, ,

1998

(2000)

금호석유

화학 주( )

8감방사선성 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는


한국 미국, ,

일본 유럽, ,

1998

(2000)

금호석유

화학 주( )

9노르보르넨 측쇄에 콜릭산 또는 디옥시콜릭산 유도체등의

스테로이드 계열을 갖는 화합물을 이용한 포토레지스트한국 1999 KAIST

10 용 단량체 및 개발ArF excimer laser PAG 한국 1999 KAIST

11 술포니움 염 및 그 합성방법한국 미국 일본, , ,

유럽 대만,

1999

(2001)

금호석유

화학 주( )

12 카르복시산 유도체 및 그 제조방법한국 미국 일본, , ,

유럽 대만,

1999

(2001)

금호석유

화학 주( )

13노보난계 저분자 화학물 첨가제를 포함하는 화학증폭형


한국 미국 일본, , ,

유럽 대만,

1999

(2002)

금호석유

화학 주( )

14저분자 화합물 첨가제를 포함하는 화학증폭형 레지스트

조성물


유럽 대만,2000

금호석유

화학 주( )

- 31 -

순번 특허제목 출원국출원연도

등록연도( )출원기관

15 폴리머 술포늄 및 그 제조방법한국 미국 일본, , ,

유럽 대만,

2000

(2002)

금호석유

화학 주( )

16신규한 산민감성 중합체 및 이를 함유하는 레지스트

조성물


유럽 대만,2001

금호석유

화학 주( )

17화학증폭형 레지스트용 중합체 및 이를 함유한

화학증폭형 레지스트 조성물


유럽 대만,2001

금호석유

화학 주( )

나 삼성전자 주. ( )

- 32 -

다 제일모직 주. ( )

- 33 -

- 34 -

라 주 금강고려화학. ( )

- 35 -

논문발표2.

가 금호석유화학 주. ( )

순번 발표제목국가

학회명 학회지( ) 일 자 연구기관

1Novel single-layer photoresistcontaining cycloolefins for 193nm

미국SPIE(1998, V3333, P

454)1998. 2.28 금호석유

2Chemically amplified resists based onthe norbornene copolymers with steroidderivatives

미국 SPIE(1999, V3678, P 36) 1999. 3.15금호석유현대전자KAIST

3Materials design and lithographicperformance of maleic anhydridelcycloolefin copolymer for ArF resist

미국SPIE(2000, V3999, P

1163)2000. 2.29 금호석유

4ArF photoresist containing novel addlabile cross-linker for high contrastand PED stability

미국 SPIE(2000, V3999, P13) 2000. 2.28 현대전자

5Chemically amplified resists based onnorbornene polymer with2-trimethylsilyl-2-propyl ester protecting group

미국SPIE(2000, V3999, P

1079)2000. 2.29 KAIST

6Adhesion-promoted polymers for∞193nm photoresists without crosslinkingduring lithographic process

일본Photopolymer(2000, V13,

N4, P 929)2000. 6.30 KAIST

7 ArF excimer laser resist 일본Electronic Journal 42thTechnical SymposiumProceedings (P149)

2001. 7.25 금호석유

8New ArF photoresists based onmodified maleic anhydride cycloolefinpolymers

일본19th Photopolymerconference 2002

2002. 6.27 금호석유

나 삼성전자 주. ( )

고분자학회 학술발표 회5ㆍ

국제학술발표ㆍ

- Polymer for Advanced Technology(Tokyo, 1999)

- IUPAC(Warsaw, 2000)

다 주 금강고려화학. ( )

전문학술지 발표 건(6 )ㆍ

조인희 배진영 김진환 공병선 윤효창 반도체봉지용 에폭시 수지 블렌드 계, , , , , “①

의 경화거동 및 기계적 물성”, Polymer(Korea), Submitted.

조인희 배진영 김진환 공병선 윤효창 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에, , , , , “②

서 촉매 종류에 따른 경화거동 및 기계적 물성”, Polymer(Korea), Submitted.

이주화 배진영 김진환 공병선 윤효창 반도체 봉지용 액상 에폭시 수지 조성, , , , , “③

물에서 조성비가 물성에 미치는 영향”, Polymer(Korea), Submitted.

유석윤 배진영 김진환 공병선 윤효창 적인을 이용한 반도체 봉지용 에폭시, , , , , “④

수지 조성물에서 난연성 향상에 관한 연구”, Polymer(Korea), Submitted.

- 36 -

김인범 배두한 이명천 이의수 윤효창 임종찬 반도체 봉지용 의 점도거, , , , , , “ EMC⑤

동 특성 연구 식을 이용한 정도예측- Mooney -”, J. Korean Ind. Eng. Chem.,

Vol. 10, No.6, 1999, 949-953

윤효창 환경친화성 기술동항 공업화학 전망, “ EMC ”, , Vol. 5, No.2, 2002,⑥

35-39

학술회의 발표 건(10 )ㆍ

김우석 이주화 김진환, , , “A Study on The Curing Reaction and Mechanical①

한국고분자학회 연구논문 초록Property of Epoxy Molding Compounds(EMC)”, ,

집, 26(1), 84 (2001).

노진영 김진환, , “Preparation and characterization of epoxy-organically②

한국고분자학회 연구논문초modified mica type silicate(OMTS) nanocomposite”, ,

록집, 26(1), 288 (2001).

최유선 김진환 배진영 공유결함에 의한 새로운 유기클레이의 합성과 에폭시, , , “ /③

클레이 나노복합제의 제조 및 물성에 관한 연구 한국고분자학회 연구논문초록집” , ,

26(2), 256 (2001).

유석윤 배진영 김진환 적인에 의한 수지의 난연성 향상 한국고분자학, , , “ epoxy "④

회 연구논문초록집, , 27(1), 121 (2002).

이주화 김진환 절연성이 우수한 에폭시 산무수물의 혼합비 경화촉진제의 몰, , “ / ,⑤

농도에 의한 에폭시 산무수물 계의 경화거동 및 일적 성질에 관한 연구 한국고분/ ",

자학회 연구논문초록집, , 27(1), 207 (2002).

조인희 김진환 의 종류와 배합비에, , “Epoxy molding compound(EMC) catalyst⑥

따른 경화 거동 및 열적 성질에 관한 연구 한국고분자학회 연구논문초록집", , ,

27(1), 208 (2002).

유석윤 배진영 김진환 수지의 기계적 강도에 대한 와, , , “Epoxy Nanoclay Silica⑦

의 효과 비교 한국고분자학회 연구논문초록집", , , 27(1), 224 (2002).

윤효창 환경친화적 개발동향 한국고분자학회 산학협동 특별, “ EMC ", , Session.⑧

2002

Jang Won Hwang et aI., "Effect of fracture toughness of epoxy molding⑨

compound on cracking of plastic IC packages during solder reflow", SEMICON

Taiwan, 2000

Byung-Seon Kong et aI., "High reliable and environmentally friendly⑩

molding compound for CABGA packages", 51st ECTC, 2001

- 37 -

거래선 품질인증3.

가 제일모직 주. ( )

용 제품은 년 삼성전자에서 제품 을 등록TSOP(LOC) SV-7500SL 2002 specification

하여 정식 품질 승인을 얻었으며 품질 안정화를 바탕으로 여러 차례의 시양산을,

거쳐 현재는 등에 안정적인 공급을 하고 있다256M TSOP(LOC) .

은 삼성전자에 등록된 품질 사양서이다Table .

품질 사양서Table. SV-7500SL

- 38 -

나 주 금강고려화학. ( )

앰코테크놀로지코리아 주 에서 성형성 및 신뢰성 평가를 하여 규격을 만족시키는( ) ,

제품에 대한 엔지니어링 품질인증을 획득하였다 관련자료로.( JEDEC LEVEL 2(26

합격보고서를 첨부함 부록0 ), 2A(260 ) - 6)℃ ℃

- 39 -

제 장 결론4 .

급 반도체 제조에 요구되는 핵심소자 기술인 용 레지스1Giga-bit ArF Eximer Laser

트 기술 개발 차 소자 기술인 용 감광성 폴리이미드 제조기, 1 Layer Buffer Coating

술 개발 차 소자 기술인 및 용 기술개발 반도체 제조 공정중, 2 Layer TSOP BGA ,

필수적인 고순도 기술개발에 관한 연구를 을 통하여Chemical System Integration

상호협조 체재하에 진행 하였다.

급 반도체를 제조하려면 불순물의 농도가 이하가 되어야 하는데 포토1Giga-bit 1ppt

레지스트 폴리이미드 등 모든 소재에 공히 적용되며 포토레지스트나, , Chemicals

감광성 폴리이미드는 자외선을 쪼여서 화학증폭 기술을 이(Chemical Amplication)

용하는 공통점이 있으며 폴리이미드 위에 가 되므Passivation Layer EMC Molding

로 각 세부과제 간에 상호 유기적으로 연관되어 있으므로 회의 전체사업회의와12

다수의 상호 관련 연구팀 회의를 통하여 잦은 의견 교환과 교류가 있었으며 서로

관련있는 연구결과는 공유하였다 또한 포토레지스트 폴리이미드. , , Epoxy Molding

등 각 분야의 국내외 전문가들을 초청하여 강연을 듣고 질문 및 토의Compounds

를 통하여 연구방향 설정 등 많은 도움을 얻을 수 있었다.

년간의 각 세부과제간의 체계적이고 상호 협조하에 용 레지스트5 ArF Eximer Laser ,

용 감광성 폴리이미드 및 용 봉지재 개발 고Buffer Coating , 1G DRAM TSOP BGA ,

순도 기술을 개발하여 첨단 반도체 재료의 국산화 및 수입대체를 이룰Chemical

수 있게 되었다 국내외 특허 출원 및 등록으로 독자적인 신기술을 확보하게 되었.

으며 선진국과 동등 내지 우월한 수준에서 기술개발을 추진할 수 있다.

용 레지스트 및 용 감광성 폴리이미드는 아직 세ArF Eximer Laser Buffer Coating

계에서 제품이 출시가 안되었고 본 과제에서 개발한 제품이 우수한 평가 결과를,

보이므로 조속히 반도체 디바이스 생산업체의 양산 공정 적용 를 완료할line test

경우 해외시장 선점이 가능하다.

또한 급 차세대 반도체용 고분자 소재를 국산화 함으로써 선진국 일본1 Giga-bit ( ,

미국 의 기술 독점화를 방지하고 선진 재료 업체의 기술 미공개 수출 규제 등의) ,

기술 무기화 정책에 적절히 대응할 수 있다.

- 40 -

부록 급 반도체용 차세대 고분자1. 1Giga-bit

소재개발 사업 발표회 및 운영회의 회의록

회 회(1 ~ 12 )

- 41 -

제 회 급 반도체용 차세대 고분자1 1Giga-bit

소재개발 사업회의 및 운영회의 개최

회의일정 및 안건

년 월 일 목 오후 시 시 숭실대학교 별관 호1998 1 15 ( ) 4 ~ 6 601

인사말 사업총괄책임자 박찬언 교수1. ( : )

중기거점기술개발사업 선정 결과 박찬언 교수2. ( )

분야Photoresist①

분야Polyimide②

분야EMC③

고순도화학 약품 및 가스분야④

기반구축사업 분야⑤

총괄 사업 분야⑥

중기거점기술개발사업 운영방안 허완수 교수3. ( )

각 세부과제별 건의사항 및 토의4.

기술 개발 방향①

기술 개발 체계②

사업화③

신규과제 제안 및 운영방안 토의5.

- 42 -

제 회 사업회의 및 운영회의 회의록1

일 시 년 월 일 오후 시 시1. : 1998 1 15 4 ~ 6

장 소 숭실대학교 별관 호2. : 601

참 석 자 김기섭 동우반도체 김진백 김진환 성균관대 박세동 고려화3. : ( ), (KAIST), ( ), (

학 박진구 한양대 박주현 금호화학 박재근 삼성종합기술원 박찬언 포항공대), ( ), ( ), ( ), ( ),

송형수 동우반도체 윤호규 고려대 이명천 동국대 정재창 현대전자 조길원 포( ), ( ), ( ), ( ), (

항공대 차민호 동우반도체 한주탁 대성산소 허완수 숭실대 황성덕 제일모직), ( ), ( ), ( ), ( )

회의내용4.

중기거점기술개발 사업의 선정결과에 대한 설명 및 사명감을 지니고 과제에 임ㆍ

하기를 바란다는 사업단장의 설명이 있었음

사업의 운영방안에 대한 설영 및 논의ㆍ

세부주관기관과 위탁기관사이의 신뢰구축이 사업성공에 매우 중요함-

사업비 관리 및 회계 관리의 철저성 요망-

차년도 신규과제 제안2ㆍ

전자 정보용 고분자 소재 성능 평가 기술 개발- ㆍ

액상 봉지제 개발-

개발- X-ray resist

- 43 -

제 회 급 반도체용 차세대 고분자2 1Giga-bit

소재개발 사업회의 및 운영회의 개최


년 월 일 월 오후 시 시 숭실대학교 별관 호1998 4 13 ( ) 3 ~ 6 601


세부기술개발 과제 진행 결과 발표2.

분야 김성주 박사 금호석유화학Photoresist : ( )①

분야 박재근 박사 삼성전자Polyimide : ( )②

용 분야 유제홍 팀장 제일모직TSOP EMC : ( )③

용 분야 임종찬 박사 고려화학BGA EMC : ( )④

고순도 분야 송형수 박사 동우반도체Chemical : ( )⑤

초고순도 가스 분야 박두선 박사 대성산소: ( )⑥

총괄 사업 박찬언 박사 포항공대: ( )⑦★ 발표 내용

계획서 대비 연구진행 상황 위탁과제 포함- ( )

연구수행시 애로사항 및 건의 사항-

차년도 세부과제별 예산 및 내역 발표시 제출- 2 ( )

차년도 보고서 목차 발표시 제출- 1 ( )★ 발표시간 각 과제당 분: 15

차년도 사업토의3. 2

차년도 신규과제 토의2①

전자정보용 고분자소재 평가 및 인증 기술 개발-

액상 봉지제 개발-

개발- X-ray Photoresist

차년도 사업예산 토의2②

연속과제 총괄예산-

신규과제 추가예산-

- 44 -

공통 관심사 연구 개발 추진 사업 토의4.

해외 전시회 및 학회 공동 참가 방안①

국내 심포지움 개최 방안②

추가건의사항5.

- 45 -


일 시 년 월 일 오후 시 시1. 1998 4 13 3 ~ 6


참 석 자 김기섭 동우반도체 김성주 금호화학 김진백 김진환 성균관3. : ( ), ( ), (KAIST), (

대 박두선 대성산소 박재근 삼성종합기술원 박찬언 포항공대 백기호 현대전), ( ), ( ), ( ), (

자 서동철 금호화학 윤호규 고려대 윤효창 고려화학 이기성 반도체산업협회), ( ), ( ), ( ), ( ),

이명천 동국대 임종찬 고려화학 정재창 현대전자 조길원 포항공대 한주탁 대( ), ( ), ( ), ( ), (

성산소 허완수 숭실대 황성덕 제일모직), ( ), ( )

회의내용4.

각 분야별 세부기술개발 과제 진행 결과 발표ㆍ

차년도 사업토의2ㆍ

차년도 신규과제로서 전자 정보용 고분지 소재 성능 평가 기술 개발과제를 추- 2

진키로 함 개 세부 주관기관에서 현금 만원을 출자키로 함(6 6,500 )

공통 관심사 연구 개발 추진 사업 토의ㆍ

해외학회 참가 및 해외 전시회 참가에 공동 참가키로 함-

- 46 -

제 회 급 반도체용 차세대 고분자 소재개발3 1Giga-bit

사업회의 및 운영회의 개최


년 월 일 금 오후 시 시 포항공대 산업과학연구원 호1998 7 10 ( ) 2 ~ 6 3326








초고순도 가스 분야 박두선 박사 대성산소: ( )⑥★ 발표 내용 :


연구수행시 애로사항 및 건의 사항-★ 발표시간 각 과제당 분: 30

년 윌 일 토 오전 시 시 포항공대 산업과학연구원 호1998 7 11 ( ) 9 ~ 12 3326

총괄 사업 발표 및 운영방안 박찬언 교수3. ( )



- 47 -


일 시 년 월 일 오후 시 년 월 일 오전 시1. : 1998 7 10 2 ~ 1998 7 11 12

장 소 포항공과대학교 산업과학연구원 호2. : ( 3326 )

참 석 자 김기섭 동우반도체 김성주 금호화학 김진백 박재근 삼성종3. : ( ), ( ), (KAIST), (

합기술원 박두선 대성산소 임종찬 고려화학 김도윤 삼성종합기술원 서동철 금), ( ), ( ), ( ), (

호화학 송형수 동우반도체약품 노치형 현대전자 황성덕 제일모직 김조균 제일), ( ), ( ), ( ), (

모직 윤호규 고려대 박진구 한양대 이영천 동국대 박찬언 포항공대 조길원), ( ), ( ), ( ), ( ),

포항공대 김진곤 포항공대 현 욱 외 명 숭실대( ), ( ), 5 ( )

회의내용4.

각 문야별 세부기술 과제 진행 결과 발표 및 토의ㆍ

각 세부과제당 시간 이상의 일반 발표 및 토의가 있었고 향후에는 발표 및 토- 1 ,

의 시간을 넉넉히 갖기 위하여 오후 시부터 시작하기로 함1

제 차 사업회의는 숭실대학교에서 년 월 일 오후 시에 개최키로 함4 1998 11 27 1ㆍ

불순물제거 등 공통관심사는 세부주관기관 간에 상호 협조키로 함ㆍ

월 일까지 차년도 최종보고서 분기 실적요약서 및 차년도 신규과제로8 20 1 , 3/4 2ㆍ

추진하는 반도체용 고분자 특성 평가기술 및 접합 기술개발에 대한 개 세부Layer 6

주관기관의 참여의사 확인서를 제출키로 함

월 초에 에 있는 을 방문키로 함8 Texas Austin SEMATECHㆍ

포항공대 박찬언 교수 숭실대 허완수 교수( , )

- 48 -




년 월 일 금 오후 시 시 숭실대학교 별관 호1998 11 27 ( ) 1 ~ 6 103










연구수행시 애로사항 및 건의 사항-★ 발표시간 각 과제당 분: 30★ 세부과제 책임자 및 위탁과제 책임자 필히 참석요망




- 49 -


일 시 년 월 일 오후 시 시1. : 1998 11 27 1 ~ 6


참 석 자 정명식 산업자원부 김기섭 동우반도체 김진백 임종찬 고려3. : ( ), ( ), (KAIST), (

화학 김도윤 삼성종합기술원 서동철 금호화학 박두선 대성산소 황성덕 제일모), ( ), ( ), ( ), (

직 송형수 동우반도체약품 박진구 한양대 박찬언 포항공대 허완수 숭실대 서), ( ), ( ), ( ), ( ),

정우 배진형 성균관대 윤효창 고려화학, ( ), ( )

회의내용4.

각 분야별 세부기술 과제 진행 결과 발표ㆍ

차년도 심사결과 및 재심사 결과에서 지적 받은 사항을 보완하여 차년도 심사1 2ㆍ

에 대비할 것

해외 학회 참가 및 해외 전시회 찬기에 공동 참가키로 함ㆍ

- 50 -




년 월 일 월 오후 시 시 숭실대학교 별관 호1999 4 19 ( ) 1 ~ 6 513



분야 김성주 박사 금호석유화학Photoresist · ( )①










추가건의사항5.★ 위탁과제책임자 분들에게도 알려두시면 감사드리겠습니다.

- 51 -


일 시 년 월 일 오후 시 시1. : 1999 4 19 1 ~ 6


참 석 자 박창형 산업자원부 김진백 김성주 금호화학 백기호 현대전3. : ( ), (KIST), ( ), (

자 박재근 삼성종합기술원 최경세 제일모직 윤효창 고려화학 박두선 대성산), ( ). ( ), ( ), (

소 김기섭 동우반도체 장두원 삼성종합화학 서동철 금호화학 정재창 현대전), ( ). ( ), ( ), (

자 김도윤 삼성종합기술원 한주탁 대성산소 이명천 동국대 김진환 성균관대), ( ), ( ), ( ), ( ).

배진영 성균관대 윤호규 고려대 박진구 한양대 조길원 포항공대 박찬언 포항( ), ( ), ( ), ( ), (

공대)

회의내용4.


차년도 중간 결과발표 및 차년도 연구계획서 제출에 만전을 기할 것2 3ㆍ

차년도 중간결과 발표시 월 예정 년으로 연구기간이 단축된 과제들은 년으2 (5 ) 3 5ㆍ

로 연장 요청을 할 예정이므로 이에 대한 대비 철저 요망

제 차 사업회의를 월초에 포항공대에서 일에 걸쳐 하기로 함6 7 2ㆍ

- 52 -




년 월 일 금 오후 시 시 포항공대 산업과학연구원 관리동 층1999 7 9 ( ) 2 ~ 6 3

대회의실











년 월 일 토 오전 시 시 포항공대 산업과학연구원 관리동 층 대회1998 7 10 ( ) 9 ~ 12 3

의실



추가건의시항5.

- 53 -


일 시 년 월 일 오후 시 월 일 오전 시1. : 1999 7 9 2 ~ 7 10 12

장 소 포항공과대학교 산업과학연구원 관리동 층 회의실2. : ( 3 )

참 석 자 김진백 김성주 금호화학 박재근 삼성종합기술원 임종찬 고3. : (KAIST), ( ), ( ). (

려화학 송형수 동우화인캠 박두선 대성산소 서동철 금호화학 김도윤 삼성종합), ( ), ( ), ( ), (

기술원 서승주 삼성종합기술원 정명섭 삼성종합기술원 최경세 제일모직 이근), ( ), ( ), ( ),

재 동우화인켐 정재창 현대전자 한주탁 대성산소 이명천 동국대 이의수 동국( ), ( ), ( ), ( ), (

대 배진영 성균관대 윤호규 고려대 박진구 한양대 조길원 포항공대 김진곤), ( ), ( ), ( ), ( ),

포항공대 박찬언 포항공대( ), ( )

회의내용4.


각 분야들끼리 실험장비와 연구정보를 공유키로 함ㆍ

차년도에는 각 분야의 전문가들을 초정하여 세미나를 갖기로 함3ㆍ

제 차 사업회의를 월말에 개최키로 함7 11ㆍ

- 54 -




년 월 일 금 오후 시 시 숭실대학교 별관 정보과학대학 호2000 1 14 ( ) 1 ~ 6 ( ) 513










연구수행시 애로사항 및 건의 사항-★ 발표시간 각 과제당 분: 30★ 세부과제 책임자 및 위탁과제 책임자 필히 참석 요망




- 55 -


일 시 년 월 일 금 오후 시 시1. : 2000 1 14 ( ) 1 ~ 6

장 소 숭실대학교 별관 정보과학대학 호2. : ( ) 513

참 석 자 박찬언 포항공대 조현훈 산업자원부 배진영 성균관대 김진환 성3. : ( ), ( ), ( ), (

균관대 도정회 한국산업기술평가원 이명천 동국대 이의수 동국대 김성주 금호), ( ), ( ), ( ), (

화학 박두선 대성산소 김진백 한국과학기술원 조길원 포항공대 김진모 제일모), ( ), ( ), ( ), (

직 윤효창 고려화학 공병선 고려화학 백기호 현대전자 정재창 현대전자 서동), ( ), ( ), ( ). ( ),

철 금호화학 김도윤 삼성종합기술원 정명섭 삼성종합기술원 정성경 삼성종합기( ), ( ), ( ), (

술원 박진구 한양대 송형수 동우화인켐 김기섭 동우화인켐 김경호 대성산소). ( ), ( ), ( ), ( ),

허완수 숭실대( )

회의내용4.


각 분야들기리 실험장비와 연구정보를 공유키로 함ㆍ

해외 학회 참가 및 해외 전시회 참가에 공동 참가키로 함ㆍ

월중에 급 반도체용 고분자 소재 심포지움을 갖기로 함4 1Giga-bitㆍ

- 56 -




년 월 일 금 오후 시 시 포항공대 산업과학연구원 호2000 7 14 ( ) 2 ~ 6 (3376 )











년 월 일 토 오적 시 시 포항공대 산업과학연구원 호2000 7 15 ( ) 9 ~ 12 (3376 )




- 57 -


일 시 년 월 일 금 오후 시 월 일 토 오전 시1. : 2000 7 14 ( ) 2 ~ 7 15 ( ) 12

장 소 포항공대 산업과학연구원 호 세미나실2. : 3376

참 석 자 최병준 제일모직 윤호규 고려대 정명섭 삼성종합기술원 조현훈3. : ( ). ( ), ( ),

산업자원부 박진구 한양대 고차원 현대전자 서동철 금호화학 김성주 금호화( ), ( ). ( ), ( ), (

학 송형수 동우화인켐 김진환 성균관대 배진영 성균관대 임종찬 고려화학 공), ( ), ( ), ( ), ( ),

병선 고려화학 최경세 제일모직 김진백 박두선 대성산소 김경호 대성산( ), ( ). (KAIST), ( ), (

소 박찬언 포항공대 임병직 산업기술평가원 허완수 숭실대), ( ), ( ), ( )

회의내용4.

각 분야별 세부기술과제 진행 결과 발표ㆍ

산학의 협조가 잘 이루어졌다는 평가를 받았음ㆍ

각 세부 과제일 많은 진척을 보여주었으며 일부 과제는 실험실적 시제품을 선,ㆍ

정했음

제 차 사업회의를 월말에 개최키로 함9 11ㆍ

- 58 -




년 월 일 월 오후 시 시 숭실대학교 사회봉사관 층 대동강회의실2001 4 9 ( ) 1 ~ 6 2














- 59 -


일 시 년 월 일 월 오후 시 시1. : 2001 4 7 ( ) 1 ~ 6

장 소 숭실대학교 사회봉사관 층 대동강회의실2. : 2

참 석 자 서동철 금호석유화학 김철호 산업자원부 박재근 삼성종기원 오부3. : ( ), ( ), ( ),

근 삼성종기원 정명섭 삼성종기원 조길원 포항공대 배진영 성균관대 허완수( ), ( ), ( ), ( ),

숭실대 공병선 금강고려화학 정연수 앰코테크놀로지 김대곤 제일모직 최경세( ), ( ), ( ), ( ),

제일모직 김기섭 동우화인켐 송형수 동우화인켐 김진백 한국과학기술원 윤호( ), ( ), ( ), ( ),

규 고려대학교 박진구 한양대학교 도정회 한국산업기술평가원 유제홍 제일모( ), ( ), ( ), (

직 박찬언 포항공대), ( )

회의내용4.


차년도까지의 결과 차년도에 한 일 앞으로 할 일을 구분하여 발표함으로써3 , 4 ,ㆍ

과제의 진척상황을 쉽게 알 수 있었음

각 분야들끼리 실험장비와 연구정보를 공유키로 함ㆍ

해외 학회 참가 및 해외 전시회 잠가에 공동 참가키로 함ㆍ

- 60 -




년 월 일 금 오후 시 분 시 포항공대 산업과학연구원 호2001 7 6 ( ) 1 30 ~ 6 3376

세미나실





용 분야 동현수 박사 제일모직TSOP EMC : ( )③


고순도 분야 송형수 박사 동우반도체Chemical : ( )⑤★ 발표 내용 :



년 월 일 토 오전 시 시 포항공대 산업과학연구원 호 세미나실2001 7 7 ( ) 9 ~ 12 3376




- 61 -


일 시 년 월 일 금 오후 시 분 월 일 금 오전 시1. : 2001 7 6 ( ) 1 30 ~ 7 7 ( ) 12

장 소 포항공대 산업과학연구원 호 세미나실2. : 3376

참 석 자 윤효창 금강고려화학 정관식 앰코테크놀로지 김동영 앰코테크놀로3. : ( ), ( ), (

지 정연수 앰코테크놀로지 윤호규 고려대학교 송형수 동우화인켐 김기섭 동우), ( ), ( ), ( ), (

화인켐 정성경 삼성전자 정명섭 삼성전자 김진백 김상태 동우화인켐), ( ), ( ), (KAIST), ( ),

정재창 하이닉스반도체 최경세 제일모직 유제홍 제일모직 박주현 금호석유화( ), ( ), ( ), (

학 하상태 한국산업기술평가원 김진환 성균관대 허완수 숭실대 김철호 산업자), ( ), ( ), ( ), (

원부 배진영 성균관대 서동철 금호석유화학 박찬언 포항공대), ( ), ( ), ( )

회의내용4.

각 분야별 세부기술과제 진행결과 발표ㆍ

연구책임자가 발표함으로써 사업화 전략에 관한 토의가 가능했음ㆍ

각 세부과제별 많은 진척을 보여주었으며 산학의 협조가 잘 이루어졌다는 평가,ㆍ

를 받았음

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년 월 일 월 오후 시 시 숭실대학교 사회봉사관 층 대동강 회의실2002 4 15 ( ) 1 ~ 6 2













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일 시 년 월 일 월 오후 시 시1. : 2002 4 15 ( ) 1 ~ 6

장 소 숭실대학교 사회봉사관 층 대동강회의실2. : 2

참 석 자 유제홍 제일모직 정명섭 삼성종합기술원 신기수 하이닉스반도체3. : ( ), ( ), ( ),

김익흠 제일모직 서동철 금호석유화학 김철호 산업자원부 김기섭 동우화인켐( ), ( ), ( ), ( ),

송형수 동우화인켐 윤효창 고려화학 공병선 고려화학 김성주 금호석유화학 박( ), ( ), ( ), ( ),

재근 삼성전자 김진환 성균관대 김진백 김태헌 박진구 한양대( ), ( ), (KAIST), (ITEP), ( ),

윤호규 고려대 박찬언 포항공대( ), ( )

회의내용4.


차년도까지의 결과 차년도에 한 일 앞으로 할 일을 구분하여 발표함으로써4 , 5 ,ㆍ

과제의 진척상황을 쉽게 알 수 있었음

제 차 사업회의를 월에 개최키로 함12 7ㆍ

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년 월 일 금 오후 시 분 시 포항공대 산업과학연구원 호2002 7 5 ( ) 1 30 ~ 6 3376

세미나실










년 월 일 토 오전 �

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“1Giga-bit ” 급반도체용차세대고분자소재 …...-1-“1Giga-bit ”급반도체용차세대고분자소재 기술개발에관한연구 ()최종보고서 2002.12 주관기관