2013 セミコンダクターストレージ社事業説明 - ToshibaChipSize/GB BiCS 19nm 微細化製品量産時期とチップサイズ NAND更なる微細化(1Znm) 14年度に出荷

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2013年度セミコンダクター&ストレージ社事業説明

2013年9月11日株式会社東芝執行役上席常務セミコンダクター＆ストレージ社社長成毛康雄

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1. 概況説明 2. 事業戦略 3. 最後に

目次


セミコンダクター& ストレージ社は環境が激しく変化するなか自ら道を切り開き持続的成長を実現します

経営方針


-3,000

-2,000

-1,000

0

1,000

-30,000

-25,000

-20,000

-15,000

-10,000

-5,000

0

5,000

10,000

15,000

2007 2008 2009 2010 2011 2012

半導体ストレージ営業利益

売上高:億円営業利益:億円

売上高・営業利益推移メモリは復活、ディスクリート、システムLSIは道半ば

（年度）


SSD

HDD

NAND

白色LED イメージセンサ

パワーデバイス

小信号

フォトカプラ

エネルギーストレージコネクティビティ

注力分野と製品群

メモリ・ストレージ製品ディスクリート製品

電源

処理（制御）

ApP Lite

ロジックLSI ミックスドシグナル製品

MCD 小型大容量高速低消費電力セキュリティ高効率画像処理

通信

無線

ストレージシステム

スマートフォン、サーバー

センサーネット、M2M 医用、ヘルスケア

太陽光発電、スマートメータ

インフラモニタ車載、LED

ApP Lite(Application Processor Lite) ：センシングしたデータを処理、通信するLSI MCD: Motor Control Device


10上 10下 11上 11下 12上 12下 13上

事業環境

成長戦略

構造改革

ディスクリートシステムLSI メモリストレージ共通

●東日本大震災 ●タイ洪水

セミコンダクター&ストレージ社発足●

●3.5型HDD事業参入

●（九）5Φ終息 ●（岩芝）6Φ終息（九）6Φ終息●

長崎12Φ売却● （四日市）8Φ終息●

●（TSDT）売却

欧州経済危機世界的景気減速

システムLSI事業部再編●

●(四日市)Fab5 Ph1稼働

(九)、(浜岡)、(トスコム)生産終息●

（大分）6Φ半減化● （姫半）（加賀）5Φ半減化●

HDD開発機能横浜集結● 米国ストレージマーケティング強化●

ニューフレアテクノロジー連結●

先端開発（四日市）集結●

この三年間を振り返って

円高進行円安進行

(四日市)Fab5 Ph2着工● ●新(TST)稼動

(TEM)売却●

構造改革と成長戦略を着実に実行

（姫半）：姫路半導体工場、（九）：北九州工場、（大分）：大分工場、（四日市）：四日市工場、（岩芝）：岩手東芝エレクトロニクス（加賀）：加賀東芝エレクトロニクス、（浜岡）：浜岡東芝エレクトロニクス、（トスコム）：東芝コンポーネンツ、（TST）：東芝エレクトロニクス・タイ社（TEM）：東芝エレクトロニクス・マレーシア社、（TSDT）：東芝ストレージデバイス・タイ社、無錫通芝：無錫通芝微電子有限公司

無錫通芝売却●

ブリッジラックス社白色LED資産買収●

イメージセンサ組織再編●


大分工場

姫路半導体工場

四日市工場

岩手東芝エレクトロニクス

加賀東芝エレクトロニクス・パワー半導体・小信号デバイス・白色LED

・NAND型フラッシュメモリ

・MCU ・イメージセンサ

・ミックスドシグナルIC ・イメージセンサ・ロジックLSI

・小信号デバイス・パワー半導体・SiC

製造における集中と選択集約・再編により製造拠点の最適化を推進

・大口径化拡大、小口径縮小・コスト削減（動力、調達）・ロジスティクス統合・後工程拠点の集約

東芝情報機器フィリピン社・HDD ・SSD


製造力の強化コスト・工期・品質の優位性を実現

ストレージプロダクツ・サプライヤとの先行開発体制構築

ロジックLSI ・アウトソース活用によるフレキシブル生産

CMOSセンサ・（四日市）製造ノウハウの（大分）展開加速

共通・自動化の推進・ CIM機能の強化・製造設備効率の向上・後工程: 海外アウトソーシングの活用


0

500

1,000

1,500

2,000

2,500

2010年度 2011年度 2012年度 2013年度 2014年度 2015年度

（億円）

940

1,700 1,460

1,890

Y5-Ph1 Y5-Ph2

NAND、白色LED、SSD、パワーデバイスに投資、成長を確実に

設備投資計画

（発注ベース）


NAND型フラッシュメモリの出荷ビット伸長率CAGR 40-50%

メモリ事業微細化限界を乗り越え、3Dメモリでもリード

2012年度 2015年度出荷ビット

3倍 (対12年)


既存ビジネスを超えるマーケット・売上拡大

微細化の壁を超える大容量化・コスト力強化

高性能/高信頼性化

自社ブランド強化

新規市場の開拓

・MLC相当の性能のTLC製品拡大・1Znm開発 NAND限界への挑戦

３次元メモリ

次世代露光技術

・BiCS のサンプル出荷(13年度末) ・ReRAM他先端開発

・EUVL等技術開発

・FlashAirTM 派生品・コンテンツ・車載・医療・インメモリコンピューティング

・コントローラ開発強化⇒UFS ・TLC 組込み向け製品の拡販

・自社SSD拡大・ブランドカード/USB拡大

2020年情報量 40ZB

大容量化 Tbit/chip

メモリ事業戦略


微細化戦略（2D vs. 3D構造メモリ） GBあたり世界最小のチップサイズを堅持

12年度 13年度 14年度 15年度

ChipSize/GB

BiCS

19nm

■微細化製品量産時期とチップサイズ NAND更なる微細化(1Znm) 14年度に出荷

3D構造メモリ（BiCS）第1世代 13年度末サンプル出荷 14年度マーケット浸透後、15年度以降量産

A19nm

1Znm

※A19nm : 19nm第2世代製品


0

1000

2000

3000

1Q11 2Q11 3Q11 4Q11 1Q12 2Q12 3Q12 4Q12 1Q13

(億円)

(FY)

市場環境への対応

NAND供給過多率（%）東芝推定 ■メモリ事業売上高推移

四日市工場生産調整

環境変化に即応し、収益の安定化を図る・需要動向に合わせたフレキシブルな生産・機動的な投資・製品ポートフォリオの拡大・ OEM販路の拡大

供給過剰

供給不足


四日市工場第5棟完成イメージ

ＮＡＮＤの次世代プロセス品、３Ｄメモリの生産スペースを確保建屋完成は2014年夏を目途微細化技術の継続開発により、さらなる事業競争力強化を企図ＬＥＤ照明の全面展開、最新省エネ製造設備の導入などによりCO2排出量を13%低減（第4棟比較）

四日市工場第5棟 Phase2 着工第5棟Phase2により、3Dメモリ製造の場を確保


クライアントHDD中心からエンタープライズ及びSSD中心へシフト加速

ストレージ事業

エンタープライズ及びSSD

その他

50% 25%

ストレージ事業におけるｴﾝﾀｰﾌﾟﾗｲｽﾞ用とSSDの売上高比率

2012年度 2015年度売上高


製品ラインナップ拡大による新規顧客開拓・シェア拡大

ストレージ事業戦略

•業界最高容量帯製品のリリース •サプライヤとの連携強化 •製造コスト削減の推進

•業界最高容量帯製品のリリース(SAS) • 技術リソースの強化による開発加速 •ラインナップの強化(SATA、PCIe)

エンタープライズ向けHDD

エンタープライズ向けSSD

クライアント向けHDD/SSD •Hybrid Drive (HDD+NAND)の拡販 •先端NAND製品(A19nm)のSSD展開加速 •自社ブランド外付けHDDの拡販網拡充

高速回転HDD ニアラインHDD

エンタープライズ向けSSD


ストレージ・システムデバイスのノウハウを駆使して、

高速･大容量･省電力･省スペースなソリューションを提供

デバイスの進化・集積・階層化により超高速化

2013年～ 2016年～ 2018年～

HDD Storage Pool

eSSD/HDD

大容量コールドストレージ※1システム高速大容量省電力省スペース

MRAM

NAND

SSD

HDD

CPU DRAM

アクセラレータ

SATA※3 SSD HDD

CPU DRAM

アクセラレータ

BiCS※4SSD

CPU

MRAM ※2

BiCS SSD

※1: コールドストレージ：低ｱｸｾｽ頻度向けのストレージ ※2: MRAM：Magnetoresistive Random Access Memory ※3: SATA：コンピュータと記憶装置を接続するIDE(ATA)規格の拡張仕様の一つ ※4: BiCS：Bit Cost Scalable memory

大容量化

2014年～

高速化省電力化

コンピューティング性能アップ (サーバ・PC)


ディスクリート事業

白色LEDとパワーデバイス

その他

70% 50%

ディスクリート事業における白色LEDとパワーデバイスの売上高比率

2012年度 2015年度売上高

白色LED、パワーデバイスビジネス比率の向上


実装面積を大幅縮小周囲反射シート面積増加

超薄型バックライト光源

WL2P-Sideview 更に薄型ﾓﾊﾞｲﾙ機器を構成

5x5mm

3x3mm

~40W 5klm級

~20W 2.5klm級

ヘッドライト 1.5k～3klm

高天井／街路灯～20klm

HID/水銀灯/高電力電球 200～400W級もラインアップ

灯光器１klm以上

Wafer Level LED Package ; WL2Pで超小型化

5x5mm大チップで産業用アプリケーションに注力

白色LED 新しい価値の提供による差別化


SiC GaNパワー

ハイパワー（車載・産業・電鉄）

次世代MOS

非注力製品群

現行世代MOS

SiC/GaN ・低損失実現可能な新素材で、ラインアップ拡充・ＧａＮパワーは先行する８インチＧａＮｏｎＳｉ技術をベースに、急峻立上げ・ＳｉＣは大電力用途で拡大

ハイパワー・インバータ、電鉄、電力変換機、産業用モータードライブ、特殊電源等用途で拡大

次世代MOS ・業界トップの低Rｏｎ抵抗を実現・新世代ＤＴＭＯＳで、電源を中心に拡大

注力分野

パワーデバイストータル・エネルギーイノベーション拡大の基盤となる、高い伸長の産業市場に注力


ミックスドシグナルIC事業社内融合製品拡大により、車載、産業用途の確実な成長

車載・産業用途その他

ミックスドシグナルIC事業における車載・産業用途の売上高比率

2012年度 2015年度

売上高

50% 30%

・実績のある高い通信品質の提供で差異化（RF特性・プロトコル技術）・アナログ製品によるソリューション展開・パートナーとの連携強化

・消費電力当りの画像処理性能WW No.1 ・独自アルゴリズムによる差別化・コスト競争力

無線： ICT社会の成長機会を獲得

画像認識：総合力で他社をリード

ディスクリートとの融合製品・車載、モータドライバ、スマートメータ、電源


センシング APによる処理出力プロジェクト

例温度湿度心拍ジャイロコンパス磁気加速度圧力映像音声電力香り/ガス放射線・・・

楽天とのキレイ℃ナビなど

ApP Lite

Geometric

Gyro

Acceleration

Temperature

Pressure GPS

AFE Processor BLE BB

NFC

Chip

PKG

DCDC

ANT

OSC

Flash

RF

Flash

ロジックLSI事業半導体ソリューションを提供する事業部への転換

クラウド社会において、ApP Liteを中心にソリューション提案を実施

ソリューションその他

ロジックLSI事業におけるソリューションビジネスの売上高比率

2012年度 2015年度

売上高

70%

ApP Lite

ApP Plus

FFSA

ApP Plus(Application Processor Plus)：アプリケーションプロセッサを補完するコンパニオンLSI ApP Lite(Application Processor Lite) ：センシングしたデータを処理、通信するLSI FFSA(Fit Fast Structured Arrayｓ)：短期間でサンプル提供できるストラクチャードアレイ製品


CMOSセンサスマートフォンメーカチップセットメーカメモリ

ソリューション販売

イメージセンサ事業メモリ事業部への再編による再強化

①開発：高解像画像処理と微細化技術の先行 ②製造：四日市の製造・技術ノウハウを大分300mmCRに導入 ③販売：ソリューション販売


製品の環境配慮

事業プロセスの環境配慮

環境調和型製品の提供製品の化学物質管理

地球温暖化の防止化学物質管理資源の有効活用

お客様、パートナー様との連携エコシステム実現による省エネへの貢献

環境への取り組み


注意事項 ●この資料には、当社グループの将来についての計画や戦略、業績に関する予想及び

見通しの記述が含まれています。

●これらの記述は、過去の事実ではなく、当社が現時点で把握可能な情報から判断した想定及び所信にもとづく見込みです。

●当社グループはグローバル企業として市場環境等が大きく異なる国や地域で広く事業活動を行っているため、実際の業績は、これに起因する多様なリスクや不確実性（経済動向、エレクトロニクス業界における激しい競争、市場需要、為替レート、税制や諸制度等がありますが、これに限りません。）により、当社の予測とは大きく異なる可能性がありますので、ご承知おきください。

FlashAir™、ApP Plus™、ApP Lite™、 FFSATMは東芝の商標です。

2013年度�セミコンダクター&ストレージ社�事業説明スライド番号 2スライド番号 3経営方針売上高・営業利益推移注力分野と製品群この三年間を振り返って製造における集中と選択製造力の強化設備投資計画スライド番号 11メモリ事業メモリ事業戦略微細化戦略（2D vs. 3D構造メモリ）市場環境への対応四日市工場第5棟 Phase2 着工ストレージ事業ストレージ事業戦略ストレージ・システムディスクリート事業白色LEDパワーデバイスミックスドシグナルIC事業ロジックLSI事業イメージセンサ事業スライド番号 26環境への取り組みスライド番号 28スライド番号 29

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2013 セミコンダクターストレージ社事業説明 - ToshibaChipSize/GB BiCS 19nm 微細化製品量産時期とチップサイズ NAND更なる微細化(1Znm) 14年度に出荷