Upload
independent
View
0
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
0
page 0 ELP 201Mineure ELP
C 3 &4 Les transmissions optiques
Mineure ELPModule 201
Laurent DupontDépartement d’optique
1
page 1 ELP 201Mineure ELP
dates Historiques ( 1 )
1864 1 er Câble télégraphique transatlantique : 1 canal
1950 - 1985 Câbles coaxiaux transatlantiques
36 → 4000 canaux de 4 kHz Répéteurs : 5km
1960 Apparitions des premières fibres optiquesatténuation: 1000 dB / km ! !
1965 Satellite INTELSAT 240 canaux de 4kHz
1975 Fibres optiques : Atténuation 20 dB / km
1981 Fibres optiques: Atténuation 0,2 dB / km
2
page 2 ELP 201Mineure ELP
dates Historiques (2)
1981 Mise au point des Lasers semi- conducteurs à 1,3 µm
1986 Mise au point des Lasers à 1,55 µm et desfibres à dispersion décalée
1987 Amplificateur à fibre dopée Erbium⇒ Concept de multiplexage en longueur d’onde (WDM)
1988 Premier câble sous-marin transatlantique à fibre (TAT 8) Répéteurs : 50 km
1995 Premier câble sous-marin transatlantique fibre + ampli optique(TAT12/13)
3
page 3 ELP 201Mineure ELP
Carte des systCarte des systCarte des systCarte des systèèèèmes de transmissionmes de transmissionmes de transmissionmes de transmission
PacrimEast
SAT-2
Americas-1
Columbus-2
SEA-ME-WE 2
TPC
PacrimWest
Tasman-2
NPC
JasurausUnisur
Cantat-3
TAT
4
page 4 ELP 201Mineure ELP
SEA - ME-WE - 3 : 39.000 km / 39.000 km / 39.000 km / 39.000 km / 2 x 48 λ λ λ λ x10 Gb/sSouth-East Asia - Middle East - Western Europe 3
5
page 5 ELP 201Mineure ELP
Pourquoi les fibres optiques ?Pourquoi les fibres optiques ?Pourquoi les fibres optiques ?Pourquoi les fibres optiques ?
Bande passanteBande passanteBande passanteBande passante
Fil cuivreFil cuivreFil cuivreFil cuivre
CableCableCableCable coaxcoaxcoaxcoax
Guide dGuide dGuide dGuide d’’’’ondeondeondeonde
Fibre optiqueFibre optiqueFibre optiqueFibre optique
6
page 6 ELP 201Mineure ELP
Bit rate Bit rate Bit rate Bit rate (Gb/s).km(Gb/s).km(Gb/s).km(Gb/s).km
10 000
100
1
106
1980 1990 2000
PMDPMDPMDPMD
Dispersion Dispersion Dispersion Dispersion interinterinterinter----modalemodalemodalemodale
Limitations des fibres optiquesLimitations des fibres optiquesLimitations des fibres optiquesLimitations des fibres optiques
Effets nonEffets nonEffets nonEffets non----linlinlinlinééééairesairesairesaires
n = f (I)n = f (I)n = f (I)n = f (I)
1970
Dispersion chromatique Dispersion chromatique Dispersion chromatique Dispersion chromatique n = f ( n = f ( n = f ( n = f ( λ)λ)λ)λ)
7
page 7 ELP 201Mineure ELP
I. Propagation guidI. Propagation guidI. Propagation guidI. Propagation guidéééée dans les fibres optiquese dans les fibres optiquese dans les fibres optiquese dans les fibres optiques
8
page 8 ELP 201Mineure ELP
Réflexion sur un dioptre
n2
n1E
E’⊥
E ’’ ⊥
θ θ'
ϕ
n2n1
E// E’ //
E’’ //
θ θ'
ϕ
r//
r⊥
0 θ =π/2
R2 = 1
r//
θ =π/2θlimθb
r⊥
θb
nnnn1111 < < < < nnnn2222
nnnn1111 > > > > nnnn2222
Soit un dioptre constitué par deux milieux d’indice n1 et n2. Considérons une onde électromagnétique se propageant du milieu 1 vers le milieu 2. Les angles θ et φ sont reliés par la relation: n1 sin θ = n2 sin φ. Les équations de continuité des champs électrique et magnétique à l’interface nous donnent les coefs de transmission et de réflexion. Dans le cas ou le milieu de l’onde incidente a un plus fort indice, on constate un phénomène de réflexion totale.
9
page 9 ELP 201Mineure ELP
Réflexion totale
δ//
δ⊥
θθc
0 π/2
180°
δδδδ
sinsinsinsin θθθθcccc = n= n= n= n2 2 2 2 / n/ n/ n/ n1111
n1
n2
θθθθcccc
DDDDééééphasage de phasage de phasage de phasage de GoosGoosGoosGoos----HandschenHandschenHandschenHandschen
⊥⊥⊥⊥
⊥⊥⊥⊥======== δδδδδδδδ i//i
//ereter
Condition de rCondition de rCondition de rCondition de rééééflexion totale :flexion totale :flexion totale :flexion totale :
θ θ θ θ > > > > θθθθcccc = = = = arcsinarcsinarcsinarcsin (n(n(n(n2 2 2 2 / n/ n/ n/ n1 1 1 1 ).).).).
10
page 10 ELP 201Mineure ELP
Caractéristiques de la fibre optique
2a n1
n2
x
y
φ
DiamDiamDiamDiamèèèètre exttre exttre exttre extéééérieur : 125 rieur : 125 rieur : 125 rieur : 125 µµµµmmmm
DiamDiamDiamDiamèèèètre du ctre du ctre du ctre du cœœœœur ( fibre monomode): 10 ur ( fibre monomode): 10 ur ( fibre monomode): 10 ur ( fibre monomode): 10 µµµµmmmm
Saut dSaut dSaut dSaut d’’’’indice relatif: indice relatif: indice relatif: indice relatif: ∆∆∆∆ <1%<1%<1%<1%
La fibre optique possède une symétrie cylindrique avec un cœur de fort indice et une gaine extérieure de faible indice et de diamètre extérieur d’environ 125µm.
11
page 11 ELP 201Mineure ELP
Ouverture numérique
n1
n2
2aθθθθi
θθθθr θθθθ
2
1
22 1sin1coscos
−=−=≤
n
ncc θθθ
1. θ > θc = arcsin (n2 / n1 ).2. Loi de Descarte:
sin θi = n1 sinθr.
sinθi nn
nn n≤ −
= −1
2
1
2
12
221 NA n n= −1
222
NumericalNumericalNumericalNumerical Aperture:Aperture:Aperture:Aperture:
Monomode : NA 0,1 Monomode : NA 0,1 Monomode : NA 0,1 Monomode : NA 0,1 –––– 0,20,20,20,2
MultimodeMultimodeMultimodeMultimode : NA 0,2 : NA 0,2 : NA 0,2 : NA 0,2 –––– 0,50,50,50,5
°°°°≈≈≈≈⇒⇒⇒⇒==== 61.0NA iθθθθ
C’est l’angle limite d’injection permettant d’obtenir un faisceau guidé dans la fibre.
La condition de réflexion totale est : θ > θ c = arcsin (n2 / n1 ).
Sur le dioptre air / coeur de fibre, nous avons la relation de Snell Descartes : sin θ = n1 sin θ r.
12
page 12 ELP 201Mineure ELP
Propriétés du vecteur d’ onde
θα
θβλπ
sink
coskkn2
nk 011
=
=== k
ββββ
θθθθ
αααα
0102 knkn ≤≤≤≤≤≤≤≤ ββββ
RRRRééééflexion totaleflexion totaleflexion totaleflexion totale GGGGééééomomomoméééétrietrietrietrie
2eff10eff nnnk/n ≥≥⇒= β
L’inégalité de droite résulte de la construction géométrique du vecteur d’onde
L’inégalité de gauche est la conséquence de la réflexion totale.
13
page 13 ELP 201Mineure ELP
Equation d’onde
(((( )))) (((( ))))[[[[ ]]]](((( ))))zr0
im0
E,E,EE
ztiexperEE
φφφφ
φφφφ ββββωωωω
====
−−−−====r
r
(((( )))) 0HE
nkr
1rr
1
r z
z22i
22
2
22
2
====
−−−−++++++++++++ ββββ
∂φ∂φ∂φ∂φ∂∂∂∂
∂∂∂∂∂∂∂∂
∂∂∂∂∂∂∂∂
Equation de propagation Equation de propagation Equation de propagation Equation de propagation dddd’’’’ondeondeondeonde dansdansdansdans un un un un reprepreprepèèèèrererere cylindriquecylindriquecylindriquecylindrique
JJJJmmmm: : : : FonctionFonctionFonctionFonction de Bessel de1 de Bessel de1 de Bessel de1 de Bessel de1 espespespespèèèècececece KKKKmmmm : : : : FonctionFonctionFonctionFonction de Bessel de Bessel de Bessel de Bessel modifimodifimodifimodifiééééeeee de 2 de 2 de 2 de 2 espespespespèèèècececece
CoeurCoeurCoeurCoeur GaineGaineGaineGaine0nk 22
12 >>>>−−−− ββββ 0nk 22
22 <<<<−−−− ββββ
Dans la gaine le champ doit être évanescent et le champ ne peut diverger lorsque qu’on s’éloigne du cœur : les solutions sont des fonctions de Bessel modifiées de second espèce.
Dans le coeur, la réflexion totale impose : k 2n12-β2 > 0 et les composantes des
champs ne peuvent diverger vers le centre de la fibr e : les solutions sont des fonctions de Bessel de première espèce.
14
page 14 ELP 201Mineure ELP
Dispersion des modes
ContinuitContinuitContinuitContinuitéééé de de de de EEEEzzzz and Hand Hand Hand Hzzzz au au au au traverstraverstraverstravers de de de de llll’’’’interfaceinterfaceinterfaceinterface gainegainegainegaine----coeurcoeurcoeurcoeur ⇒⇒⇒⇒ Equation de dispersion:
( )( )
( )( )
( )( )
( )( )
+
+=
+aJ
aKnk
aJ
aJnk
aJ
aK
aJ
aJ
a
m
m
mclad
m
mcore
m
m
m
m
γγγ
κκκ
γγγ
κκκ
κγβ '22
0'22
0''2
222
22 11
⇒⇒⇒⇒ Valeurs de Valeurs de Valeurs de Valeurs de β(β(β(β(λ,λ,λ,λ,n,a))))
(((( ))))221
20
22 nka ββββκκκκ −−−−====
(((( ))))22
20
222 nka −−−−==== ββββγγγγ
La deuxième étape consiste à assurer la continuité des champs. Les équations de continuité des champs débouchent sur l’équation de dispersion qui donne les valeurs discrètes des constantes de propagation b qui caractérisent les modes.
On représente en général la variation de l’indice effectif β/k en fonction de la fréquence généralisée V.
16
page 16 ELP 201Mineure ELP
Modes Polarisés linéaires (1 )
Limiter la dispersion chromatique : ∆∆∆∆nnnn << << << << 1 PolarisationPolarisationPolarisationPolarisation unidirectionelleunidirectionelleunidirectionelleunidirectionelle
⇒ Modes polarisés linéaires (modes LP)
LPLPLPLP01010101
D’après le diagramme de dispersion on voit que l’indice effective varie entre les indices de gaine et les indices de coeur lorsque la fréquence varie. C’est un phénomène de dispersion chromatique. Pour limiter cet effet on va construire des fibres avec un faible saut d’indice ∆n <<1. On obtient alors les modes polarisés linéaires (LP).
18
page 18 ELP 201Mineure ELP
Dispersion desdesdesdes Modes LP
FrFrFrFrééééquence de coupurequence de coupurequence de coupurequence de coupure
0 2 405< <V ,Condition rCondition rCondition rCondition réééégime gime gime gime monomodemonomodemonomodemonomode ::::
22
210 nnakV −−−−====
n1
nnnn2222
neff
LP01
LP11
LP21
LP02
19
page 19 ELP 201Mineure ELP
Approximation Gaussienne du mode LP01
LP01 mode peut être assimilé à un faisceau Gaussien
Cette approximation est suffisante pour la plupart des fibres
E rr
( ) exp= −
2
02ω
62/30 V879,2V619,165,0a
−−−−−−−− ++++++++====ωωωω
La largeur du mode Gaussien est donnée par la formu le:
Avec 1,2 < V< 2,405Avec 1,2 < V< 2,405Avec 1,2 < V< 2,405Avec 1,2 < V< 2,405
20
page 20 ELP 201Mineure ELP
Propriétés du faisceau Gaussien en
espace libre
0πωπωπωπωλλλλθθθθ ≈≈≈≈
(((( )))) 2
0
2
0 zz
1z
++++====
ωωωωωωωω
µm50z20
0 ≈≈≈≈====λλλλωωωωππππ
IntIntIntIntéééérêt du faisceau Gaussien: Il est facile rêt du faisceau Gaussien: Il est facile rêt du faisceau Gaussien: Il est facile rêt du faisceau Gaussien: Il est facile de dimensionner lde dimensionner lde dimensionner lde dimensionner l’’’’optique doptique doptique doptique d’’’’injection.injection.injection.injection.
2ω2ω2ω2ω(z)oz
Fibre
θ
EffetEffetEffetEffet de diffraction:de diffraction:de diffraction:de diffraction:
2ω2ω2ω2ω0
PhotodiodeLentille fibre
Diode laserDiode laserDiode laserDiode laser
Pelletier + thermistancePelletier + thermistancePelletier + thermistancePelletier + thermistance
Driver
PhotodiodeLentille fibre
Diode laserDiode laserDiode laserDiode laser
Pelletier + thermistancePelletier + thermistancePelletier + thermistancePelletier + thermistance
Driver
⇒
21
page 21 ELP 201Mineure ELP
Absorption dans les fibres
Spectre dSpectre dSpectre dSpectre d’’’’absorption de la siliceabsorption de la siliceabsorption de la siliceabsorption de la silice
120 nm15 THzfenêtre 1550 nm
80 nm14 THzfenêtre 1310 nm
∆λ∆λ∆λ∆λ∆ν∆ν∆ν∆ν
22
page 22 ELP 201Mineure ELP
Le WDM ( Le WDM ( Le WDM ( Le WDM ( WavelengthWavelengthWavelengthWavelength Division Division Division Division MultiplexingMultiplexingMultiplexingMultiplexing ))))
Spectre d’amplification optique
700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700
UV visibleλ (nm)
0
1
2
3
4
5
Per
teop
tique
dB/k
mDiffusion
absorption
S b
and e
L ba
nde
Mul
ti m
ode
O b
and e
C b
and e
DWDM canaux1491.88 nm à 1611.79 nm
CWDM 18 canaux1214 nm à 1610 nm
Spectre:
Bande passante 30 Bande passante 30 Bande passante 30 Bande passante 30 THzTHzTHzTHz
23
page 23 ELP 201Mineure ELP
II.II.II.II. Dispersions : Dispersions : Dispersions : Dispersions :
Chromatique et PMDChromatique et PMDChromatique et PMDChromatique et PMD
24
page 24 ELP 201Mineure ELP
Formats de modulation et spectre optiqueFormats de modulation et spectre optiqueFormats de modulation et spectre optiqueFormats de modulation et spectre optique
Format NRZ : Format NRZ : Format NRZ : Format NRZ : ∆∆∆∆ffff ≅≅≅≅ 2222DDDDnnnn
Format RZ : Format RZ : Format RZ : Format RZ : ∆∆∆∆ffff ≅≅≅≅ 4444DDDDnnnn
ωωωω0000
∆∆∆∆ffff
ωωωω0000
1 0 1 1 0 1 0 11 0 1 1 0 1 0 11 0 1 1 0 1 0 11 0 1 1 0 1 0 1+
Spectre Laser
Spectre avec modulation OOK
modulation OOK
25
page 25 ELP 201Mineure ELP
Impulsion optique
(((( ))))(((( ))))[[[[ ]]]]z.ktiexpE ωωωωωωωω −−−−∝∝∝∝OndeOndeOndeOnde monochromatiquemonochromatiquemonochromatiquemonochromatique::::
(((( )))) (((( )))) (((( )))) ....k
21k
kk 202
2
00
00
++++−−−−
++++−−−−
∂∂∂∂++++==== ωωωωωωωω∂ω∂ω∂ω∂ω∂∂∂∂ωωωωωωωω
ωωωω∂∂∂∂ωωωω
ωωωωωωωωVecteurVecteurVecteurVecteur dddd’’’’ondeondeondeonde::::
(((( )))) (((( )))) (((( ))))(((( )))) ωωωωωωωωωωωωωωωω dziktiexpAz,tA
0
−−−−==== ∫∫∫∫∞∞∞∞
Impulsion:Impulsion:Impulsion:Impulsion:
TFTFTFTF
Vitesse de phaseVitesse de phaseVitesse de phaseVitesse de phase Vitesse de groupeVitesse de groupeVitesse de groupeVitesse de groupe Dispersion chromatiqueDispersion chromatiqueDispersion chromatiqueDispersion chromatique
26
page 26 ELP 201Mineure ELP
Vitesses de phase et de groupe
(((( ))))z.ktcosE 111 −−−−==== ωωωω (((( ))))z.ktcosE 222 −−−−==== ωωωω
ω ω ω ω ω ω1 0 2 0
1 0 2 0
= − = += − = +
∆ ∆∆ ∆
,
,k k k k k kAvec:Avec:Avec:Avec:
DeuxDeuxDeuxDeux ondesondesondesondes EM :EM :EM :EM :
(((( )))) (((( ))))kztcoszktcos2EEE 0021 ∆∆∆∆ωωωω∆∆∆∆ωωωω −−−−−−−−====++++====Superposition d’ondes :
nc
kv
0
0 ========ωωωω
gg N
ck
v ========∆∆∆∆
ωωωω∆∆∆∆
VitesseVitesseVitesseVitesse de phasede phasede phasede phase
VitesseVitesseVitesseVitesse de de de de groupegroupegroupegroupe::::
L’onde qui résulte de la superposition des deux ondes monochromatique est uneonde de pulsation ω0 modulée par une onde de pulsation ∆ω.
C’est deux ondes en se superposant vont faire apparaître au cours de leur propagation des zones où elles sont en phase (des ventres) et des zones ou elles sont désynchronisées (des nœuds)
27
page 27 ELP 201Mineure ELP
Vitesse et indice de groupe
( )Nc
kc
kg = =
∂ω ∂
∂∂ω/
−−−−====
++++====∂λ∂λ∂λ∂λ∂∂∂∂λλλλ
∂ω∂ω∂ω∂ω∂∂∂∂ωωωω n
nn
nN g
0ω∂∂ω
=k
vg
TF.TF.TF.TF.tttt
ωωωω0 0 0 0 ωωωωVVVVgggg
VitesseVitesseVitesseVitesse de de de de groupegroupegroupegroupe
IndiceIndiceIndiceIndice de de de de groupegroupegroupegroupe::::
⇒⇒⇒⇒
Dans le cas d’une impulsion optique possédant un spectre continu, la vitesse de groupe s’identifie à la dérivée de la fréquence par rapport au vecteur d’onde k. De ce fait dans le domaine spectral, la vitesse de groupe est un paramètre qui peut varier.
28
page 28 ELP 201Mineure ELP
Dispersion chromatique - Définition
0g
k
ωωωωωωωωττττ
∂∂∂∂∂∂∂∂====Le temps que met l’impulsion pour parcourir l’unité de longueur:
Le temps que met l’impulsion pour parcourir une lon gueur L: Lgττττττττ ====
La dispersion des temps de La dispersion des temps de La dispersion des temps de La dispersion des temps de groupegroupegroupegroupe pour pour pour pour uneuneuneune impulsion impulsion impulsion impulsion avec large avec large avec large avec large spectrespectrespectrespectre::::
L’élargissement d’impulsion
LD .. λτ λ ∆≅∆
Lkc2
Lk
2
2
2
∂∂∂∂∂∂∂∂−−−−====
∂∂∂∂∂∂∂∂
∂∂∂∂∂∂∂∂====
ωωωωλλλλππππ
ωωωωλλλλλλλλ∆∆∆∆ττττ∆∆∆∆
02
2
2kc2
D
ωωωωλλλλ
ωωωωλλλλππππ
∂∂∂∂∂∂∂∂−−−−====Avec:Avec:Avec:Avec:
⇒⇒⇒⇒
(((( )))) (((( )))) λλλλ∆∆∆∆λλλλττττλλλλττττλλλλττττ
λλλλ00
∂∂∂∂∂∂∂∂++++====
L’élargissement temporel de l’impulsion suite au phénomène de dispersion chromatique est proportionnel au coef de dispersion chromatique Dλ, à la largeur spectrale de l’impulsion (du signal) et également à la distance parcourue par l’impulsion. Plus le débit et la longueur augmente plus les impu lsionss’élargissent (se déforment) et plus l’impact sur l a qualité de la transmission est importante.
29
page 29 ELP 201Mineure ELP
Impact de la dispersion Impact de la dispersion Impact de la dispersion Impact de la dispersion ChromatiqueChromatiqueChromatiqueChromatique
+ Modulation de + Modulation de + Modulation de + Modulation de frfrfrfrééééquencequencequencequence qui qui qui qui ddddéééépendpendpendpenddu du du du signesignesignesigne de Dde Dde Dde Dλλλλ
ElargissementElargissementElargissementElargissement dddd’’’’impulsionimpulsionimpulsionimpulsion::::
Vg1
Vg2
Vg3
λ
Z / tZ = 0 ∆τ = Dλ ∆λ Ζ0
Z = Z0
TFTFTFTF
30
page 30 ELP 201Mineure ELP
Dispersion chromatique dans la silice
LDn
cD
c
N ggg λτ
λ∂∂λ
λ∂τ∂
τ λλ ∆=∆−==⇒=2
2
DDDDλλλλ : : : : pspspsps / (nm.Km)/ (nm.Km)/ (nm.Km)/ (nm.Km)
λλλλ
Dλλλλ
1,3 µm
Dispersion Dispersion Dispersion Dispersion chromatiquechromatiquechromatiquechromatique dansdansdansdans SiOSiOSiOSiO
Le coefficient de dispersion chromatique est obtenu à partir de la mesure de l’indice du matériau en fonction de la longueur d’onde (dérivée seconde)
La dispersion chromatique s’annule autour de la longueur d’onde de 1,3 µm
31
page 31 ELP 201Mineure ELP
Dispersion Chromatique dans les fibres
λλλλ
Dλλλλ
1,3 µm
MatMatMatMatéééériauxriauxriauxriaux
(((( ))))guidem2
2
2
22122
2DD
dV
VBdV
nN
c)NN(n
cdd
D ++++====−−−−−−−−−−−−========λλλλ∂λ∂λ∂λ∂λ
∂∂∂∂λλλλλλλλττττ
λλλλ
(((( ))))22
21
22
20
nn
nk/B
−−−−−−−−====
ββββ
22
210 nnakV −−−−====
N1, N2 : indices de groupe
GuideGuideGuideGuide
Le coefficient de dispersion chromatique d’une fibre optique (guide optique) est la somme de la dispersion chromatique du matériau et de la dispersion chromatique de l’indice effectif du mode.
32
page 32 ELP 201Mineure ELP
Fibres à dispersion décalée
Nouveau Nouveau Nouveau Nouveau profilprofilprofilprofil dddd’’’’indiceindiceindiceindice::::
Objectif: réduire la dispersion chromatique: modifi er la dispersion des modeen changeant le profil d’indice de la fibre
→
En modifiant le profil d’indice des fibres, on modifie la dispersion de l’indice effectif et on est capable de créer des fibres optiques à dispersion décalée qui ne possède pas de dispersion chromatique autour de la longueur d’onde de 1,55µm.
33
page 33 ELP 201Mineure ELP
Compensation de la dispersion chromatique
LLL
0LDLD
21
2211
====++++====++++
•UtiliserUtiliserUtiliserUtiliser des des des des fibresfibresfibresfibres avec avec avec avec uneuneuneune faiblefaiblefaiblefaible dispersion Ddispersion Ddispersion Ddispersion Dλλλλ
•UtiliserUtiliserUtiliserUtiliser uneuneuneune fibrefibrefibrefibre composite avec des composite avec des composite avec des composite avec des caractcaractcaractcaractééééristiquesristiquesristiquesristiques DDDDλλλλ de de de de signessignessignessignes opposopposopposopposééééssss ::::
λ
Z / t
Z = 0
Z=L1
∆τ = Dλ ∆λ Ζ0
DDDD1111>0>0>0>0
DDDD2222<0<0<0<0
Z=L2
En combinant deux tronçons de fibres optiques qui possèdent des coefficients de dispersion chromatique de signes opposés, il est possible d’annuler l’effet de la dispersion tout en gardant dans chaque tronçon cet effet. Cela rend également possible de compenser la dispersion chromatique sur des fibres anciennes dans lesquelles ont souhaite augmenter le débit: Il suffit pour cela d’insérer un tronçon de fibre à coeff de dispersion chromatique de signe opposé à un endroit de la ligne de transmission.
34
page 34 ELP 201Mineure ELP
Limitations induites par la
dispersion chromatique
nDT
1====
DDDDnnnn : data rate (bit/s): data rate (bit/s): data rate (bit/s): data rate (bit/s)Signal détérioré !!
10 <<<<λλλλ∆∆∆∆⇒⇒⇒⇒ττττ∆∆∆∆>>>> λλλλDzDT nCondition de base:Condition de base:Condition de base:Condition de base:
εεεε<<<<λλλλ∆∆∆∆⇒⇒⇒⇒ττττ∆∆∆∆>>>>εεεε λλλλDzDT n 0Condition (signal)Condition (signal)Condition (signal)Condition (signal)
Les conditions de fonctionnement d’un système de transmission optique données ci-dessus sont une estimation de ce que doivent être les paramètres: débit numérique, distance de ligne et largeur spectrale du signal pour une dispersion chromatique donnée.
35
page 35 ELP 201Mineure ELP
Dispersion Modale de Polarisation (1)
nx
ny
BirBirBirBirééééfringencefringencefringencefringence induiteinduiteinduiteinduite dansdansdansdans la la la la fibrefibrefibrefibre
Causes:Causes:Causes:Causes:•Stress mécanique induit au cours de la fabrication de la fibre
•Stress mécanique induit par des vibrations
DeuxDeuxDeuxDeux vitessesvitessesvitessesvitesses de de de de groupegroupegroupegroupe selonselonselonselon deuxdeuxdeuxdeuxpolarisationspolarisationspolarisationspolarisations orthogonalesorthogonalesorthogonalesorthogonales
36
page 36 ELP 201Mineure ELP
Dispersion Modale de Polarisation (2)
⇔⇔⇔⇔ Orientation alOrientation alOrientation alOrientation alééééatoire des contraintesatoire des contraintesatoire des contraintesatoire des contraintes
S1 S2
∆τ
L∝τ∆
Limite de la PMD: il faut que Limite de la PMD: il faut que Limite de la PMD: il faut que Limite de la PMD: il faut que ∆τ∆τ∆τ∆τ <10% temps bit<10% temps bit<10% temps bit<10% temps bitIl nIl nIl nIl n’’’’y a pas encore de systy a pas encore de systy a pas encore de systy a pas encore de systèèèème opme opme opme opéééérationnel de compensation de rationnel de compensation de rationnel de compensation de rationnel de compensation de PMD!!!PMD!!!PMD!!!PMD!!!
37
page 37 ELP 201Mineure ELP
III.III.III.III. Amplification optiqueAmplification optiqueAmplification optiqueAmplification optique
38
page 38 ELP 201Mineure ELP
Les MatLes MatLes MatLes Matéééériaux pour lriaux pour lriaux pour lriaux pour l’’’’amplificationamplificationamplificationamplification
1660 nm1640162016001580156015401520150014601440 1480
1660 nm1640162016001580156015401520150014601440 1480
Fluoride EDFA 62 nm
EDFA 52 nm
EDFA ~47 nm
Tellurite EDFA 76 nm]
TDFA 37 nm
TDFA 35 nmRaman + Fluoride EDFA 80 nm
Dist. Raman + Fluoride EDFA 83 nm
Raman + TDFA 53 nm
Raman 18 nmRaman 40 nm
Raman 100 nmRaman 132 nm
C-Band L-BandS-Band U-BandE-Band
39
page 39 ELP 201Mineure ELP
Principe de lPrincipe de lPrincipe de lPrincipe de l’’’’amplification optiqueamplification optiqueamplification optiqueamplification optique
Energie de l’ion Er 3+
E10
1.54 eV
1.27 eV
0.80 eV E2
E3
E′3
1550 nm 1550 nm
Out
980 nm
Désexcitation non-radiative
Pompe
40
page 40 ELP 201Mineure ELP
Architecture complArchitecture complArchitecture complArchitecture complèèèète dte dte dte d’’’’un ampli.un ampli.un ampli.un ampli.
Erbium Aluminum Doped Optical FiberL = 10 ~ 80m, Er ~ 500 ppm = 0.05 %
980nm Pump
Laser Diode
20:1 Coupler
1,480nm Pump
Laser Diode
Rear ModulatorReflector / Isolator
PIN
Input Output
Long PeriodFiber Grating
SV Monitor &
Control Circuiit
LPG
PIN
20:1 Coupler
Input LevelMonitorPhoto-Diode
Output LevelMonitorPhoto-Diode
DC Input Power: 9 V 0.87 A ~ 8 W typ
Coupler
WDM MUX
Coupler
980nm Pumping 1,480nm Pumping
41
page 41 ELP 201Mineure ELP
Ampli optique sousAmpli optique sousAmpli optique sousAmpli optique sous----marinmarinmarinmarin
Document AlcatelDocument AlcatelDocument AlcatelDocument Alcatel
43
page 43 ELP 201Mineure ELP
Fabrication des Fabrication des Fabrication des Fabrication des fibresfibresfibresfibres optiquesoptiquesoptiquesoptiques (1)(1)(1)(1)
Préforme
Préforme
SiClSiClSiClSiCl4444 +O+O+O+O2222
GeClGeClGeClGeCl4444
Gaine Coeur
44
page 44 ELP 201Mineure ELP
Fabrication des Fabrication des Fabrication des Fabrication des fibresfibresfibresfibres optiquesoptiquesoptiquesoptiques (2)(2)(2)(2)
FibrageFibrageFibrageFibrage
Four
Préforme
Contrôle du diamètreEnduction de polymère
Test de résistance
FibreFibreFibreFibre optiqueoptiqueoptiqueoptique
Préforme : 1 m et d'un diamètre de 10 cm permet d'obtenir par étirement une fibre monomode d'une longueur de 150 km environ!
46
page 46 ELP 201Mineure ELP
Efficacité de couplage
−=
2
2rexp
ωΦ
−=
2
2rexp
σΨ
ΦΦΦΦ ΨP0
P1
0
12
2
P
PdS*. == ∫ ΨΦη
FibreFibreFibreFibre
Injection de la Injection de la Injection de la Injection de la lumilumilumilumièèèèrererere dansdansdansdans uneuneuneune fibrefibrefibrefibre
RendementRendementRendementRendement de de de de couplagecouplagecouplagecouplage::::
122 == ΦΨ
47
page 47 ELP 201Mineure ELP
EfficacitEfficacitEfficacitEfficacitéééé de de de de couplagecouplagecouplagecouplage en en en en fonctionfonctionfonctionfonction du du du du
diamdiamdiamdiamèèèètretretretre de modede modede modede mode
ηω σ
ω σ2 2
2 2
2
=+
σ / ω543210
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
η2
Φ / ωΦ / ωΦ / ωΦ / ω
Ψ /σΨ /σΨ /σΨ /σ
P0
P1
48
page 48 ELP 201Mineure ELP
EfficacitEfficacitEfficacitEfficacitéééé de de de de couplagecouplagecouplagecouplage en en en en fonctionfonctionfonctionfonction dededede
llll’é’é’é’écartementcartementcartementcartement entre entre entre entre fibresfibresfibresfibres
( ) 2
0
2
0
1
+=
z
zz
ωω
( )( )( )22
0
202
2
4
z/z
z/zη
+
+=
z/z0
0151050
1
0.8
0.6
0.4
0.2
ηηηη2222
zzzz
µm50z20
0 ≈≈≈≈====λλλλωωωωππππ
ωωωω(z)(z)(z)(z) ( )zω
49
page 49 ELP 201Mineure ELP
Filtrage et multiplexage optiquepour les transmissions optiques
Mineure ELPModule 201
Bruno FracassoDépartement d’optique
Ce cours est une introduction aux dispositifs de filtrage et démultiplexage optique utilisés en transmission à fibre optique.
50
page 50 ELP 201Mineure ELP
Spectre lumineux
Type de spectre• Continu : solide incandescent (lampe à filament), lumière solaire• Discret : gaz excités (lampe à vapeur de Hg, Na)
Largeur spectrale• Liée à la cohérence temporelle (Lc : longueur de cohérence)
Profil spectral• la forme Lorentzienne est à attribuer aux collisions entre atomes
• La distribution Gaussienne provient de l'effet Doppler, variation de la fréquence émise par les atomes du fait de leur mouvement.
( )20
2241
1)(
νντπν
−+=LI
−−−−−−−−==== 2
20
2
)(exp)(
σνννGI
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Lorentzienne
Gaussienne
∆νL = 2σ (2 Ln 2)1/2
∆νG = 1/(2πτ)
∆ν = α c/Lc
Les sources lumineuses peuvent être classées en fonction de leur dégré de cohérence, lui-même lié au mécanisme de production de la lumière.
La cohérence est une notion qui caractérise le rayonnement : un laser émet un rayonnement cohérent alors qu’une lampe à incandescence émet une lumière incohérente. On distingue :
1. La cohérence spatiale, caractérisant l’étendue spatiale des ondes issues d’une même source et à leur corrélation plus ou moins forte dans des rédgions différentes de l’espace
2. La cohérence temporelle, qui donne le caractère plus ou moins « monochromatique » de l’onde, sachant que la lumière peut être représentée par des « trains d’ondes » décorrélés en phase. La longueur moyenne du train d’onde Lc est appelée longueur de cohérence. La cohérence du champ électrique s’exprime à l’aide d’un terme de phase aléatoire φ(t)
E(t) = E0 exp[i(ω0t+ φ(t))]
On définit alors la fonction d’autocorrélation Γ(τ) par
Γ(τ) = < E(t) E*(t- τ)
En prenant la transformée de Fourier de Γ(τ), on obtient la densitéspectrale de puissance (ou « spectre lumineux ») de l’onde lumineuse
51
page 51 ELP 201Mineure ELP
Spectre du signal optique WDM
Composition• Signal : multiplex WDM à ∆λ = λi+1 – λi = 0,8 nm (norme ITU)
• Bruit : émission spontanée amplifiée (ASE); largeur de bande 30 nm
Conversion λ↔ ν
ν (Hz)λ (nm)
γ(λ) λ1 λ2 λ3 λ4 λ5
bruitbruit
signal
Den
sité
spec
tral
ede
pui
ssan
ce
νλ c=
νν
λλ ∆=∆
44444 344444 21µm 55,1
Ghz 100 nm 8,0=
=∆⇔=∆λ
νλ
Notion de canal optique :
52
page 52 ELP 201Mineure ELP
Définitions
Filtrage optique• Limite l’occupation spectrale d’une onde lumineuse
Démultiplexage optique• Sépare le spectre d’une onde lumineuse en bandes spectrales adjacentes
Analyse de spectre optique• Détermine les composantes spectrales d’une onde lumineuse• Regroupe les fonctions de filtrage et de démultiplexage
CCD
Filtre spatialmobile
DMUX
DMUX MUX
Détec.Détec.
Filtre dynamique(accordable)
1. Le filtrage est une opération fondamentale en télécommunications. Il permet de limiter l’occupation spectrale d’un signal. Cette opération peut-être justifiée pour :
• Séparer la bande fréquentielle utile du bruit ambiant
• Séparer le signal utile des bandes fréquentielles adjacentes, lorsque les canaux sont multiplexmultiplexéés en frs en frééquencequence
En transmission à moyenne et longue distance, le signal est le plus souvent portépar l’amplitude complexe ou l’intensité d’une onde électromagnétique.
On rappelle que la transmission sur fibre optique utilise deux bandes de transmissions préférentielles :
• Autour de 1300 nm pour les moyennes distances (typ. < 10 km)
• Autour de 1550 nm pour les longues distances (plusieurs dizaines àcentaines de km).
2. Le démultiplexage optique consiste à « éclater » spatialement le spectre d’une onde lumineuse en bandes spectrales adjacentes. Le multiplexage est l’opération inverse.
3. L’analyse de spectre est une opération qui peut être implantée soit par filtrage ou démultiplexage optique.
53
page 53 ELP 201Mineure ELP
Dispositifs de filtrage WDM
Désentrelaçeur
λ1
λ2
λ3
λ4
A titre d’ilustration, on considère cinq dispositifs que l’on pourra utiliser dans un réseau optique WDM. L’entrée est costituée d’une (ou plusieurs) fibre(s) véhiculant des canaux optiques aux longueurs d’ondes λ1 λ2 … λN. Ces porteuses sont modulées par l’information utile à transmettre. En sortie (une ou plusieurs fibres), on retrouvera les canaux optiques « filtrés » ou (de)multiplexés. Les dispositifs considérés sont :
1. Le filtre optique : le schéma illustre le cas d’un passe-bande qui extrait un canal en sortie. Les canaux non-filtrés sont aiguillés sur un troisième port.
2. Le multiplexeur optique : chaque entrée doit correspondre à un canal optique fréquentiel bien défini pour être injectée dans le canal de sortie, formant ainsi un multiplex WDM. Le dispositif est réciproque et peut fonctionner à une entrée et plusieurs sorties, pour former un démultiplexeur optique.
3. Le multiplexeur à insertion-extraction optique (MIEO). C’est un composant très utilisé sur les anneaux optiques métropolitains. Il permet de prélever et d’insérer un canal optique de manière optiquement transparente, sans perturber les autres canaux optiques. Il combine généralement des opérations de filtrage et de démultiplexage. L’acronyme Anglais correspondant est OADM (Optical Add-Drop Multiplexer).
4. Le routeur en longueur d’onde. C’est un multiplexeur/démultiplexeur généralisé. Chaque canal optique d’entrée est routé vers une fibre de sortie spécifique en fonction de sa longueur d’onde.
5. Le désentrelaceur est une fonction de démultiplexage « périodique ». Il permet de diminuer la densité des canaux optiques d’un multiplex WDM. Le dispositif réciproque est l’entrelaceur.
54
page 54 ELP 201Mineure ELP
Filtrage en transmission optique
Emission/Réception• Filtrage des modes longitudinaux du laser• Réception : limitation de la bande-optique avant photo-détection pour réduire
le bruit.
Filtrage en ligne
MUX
DMUX
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
1535 1540 1545 1550 1555 1560
Wavelength (nm)
Ga
in (
dB
)Pin = -20 dBm
Pin = -15 dBm
Pin = -10 dBm
Pin = -5 dBm
Pin = 0 dBm
Profil de gain d’un amplificateur optique à fibre dopée Erbium
Mise en cascade
On donne ici deux illustration du filtrage fréquentiel opéré sur un système de transmission optique WDM.
1. au niveau des composants d’extrémités : la porteuse optique est un signal émis par un composant laser, dont les modes longitudinaux sont filtrés par une cavité de type Fabry-Perot. En réception le canal optique WDM utilisé par le récepteur est extrait par filtrage optique.
2. en ligne : la courbe de réponse non uniforme des amplificateurs optiques (EDFA) induit un filtrage fréquentiel du spectre WDM.
55
page 55 ELP 201Mineure ELP
Paramètres d’un filtre optique (passe-bande)
Fréquence centrale Pertes d’insertion
Bande-passante à x dB Diaphonie
Dispersion chromatique Pertes dépendant de la polarisation
(PDL)
0
Bande-passante à x dB
10 logT ou 10 logR
ν (Hz)
λ (nm)ou
y (nm ou GHz)
Diaphonie ày nm
Li
Li - x
λ0, ν0
Pe (λ) Ps (λ)
( )( )0
00 log10)(
λλλ
e
si P
PL ⋅=
( )( )0
20log10)(λ
λ
e
ys
P
PyD
+⋅= D
On considère le cas d’un filtre passe-bande pour définir les principaux paramètres d’un filtre optique.
Nous aurons ainsi :
1. La fréquence centrale du filtre ν0, et la longueur d’onde correspondante λ0 = c/ν0.
2. Les pertes d’insertion du filtre, définies sur la bande-filtrée comme le rapport entre la puissance d’entrée et la puissance de sortie (valeurs en dB, bien évidemment).
3. La bande-passante à « x » dB du filtre, qui peut s’exprimer sous forme d’un ∆λ(en nm) ou sous forme d’un ∆f (en Ghz). Nous avons bien évidemment, en valeur absolue, ∆f/f = ∆λ/λ
4. La diaphonie à « y » nm (ou GHz) définie comme la puissance relative résiduelle en dehors de la bande filtrée. Ce paramètre est extrêmement important dans les transmissions optiques. Pour la plupart des filtres (et des multiplexeurs) en transmission WDM, la diaphonie à 20 GHz doit être inférieure à -40 dB.
5. La dispersion chromatique est la variation du temps de propagation de groupe àla traversée du filtre en fonction de la longueur d’onde. Elle est généralement faible, sauf aux extrémités de la bande filtrée.
6. Les pertes dépendant de la polarisation (PDL, Polarisation Dependant Loss), traduisant le fait que les pertes d’insertion peuvent dépendre de la polarisation de la lumière en entrée du filtre.
56
page 56 ELP 201Mineure ELP
Fonction de transfert réelle (1/2)
Exemple 1 : le filtre de Bragg en réflexion
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
193.67 193.68 193.69 193.70 193.71 193.72 193.73
Frequency (Thz)
Loss
( d
B )
-100
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
Chr
omat
icD
ispe
rsio
n(
ps/n
m )
10 Ghz
100 ps/nm
A titre d’exemple, voici la mesure expérimentale de la fonction de transfert d’un filtre passe-bande, en l’occurrence un filtre de Bragg observé sur son port de transmission.
On illustre ainsi les paramètres de pertes d’insertion (-2 dB), de diaphonie à 60 GHz (-32 dB), et de dispersion chromatique.
57
page 57 ELP 201Mineure ELP
Fonction de transfert réelle (2/2)
Exemple 2 : le filtre de Bragg en transmission
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
193.1 193.3 193.5 193.7 193.9 194.1 194.3Frequency (Thz)
Loss
( dB
)
-50
-25
0
25
50
75
Chr
omat
ic D
ispe
rsio
n( p
s/nm
)
Ripple 0.25 dB
+/-35 ps/nm
Pertes d’insertion Rejection
Firefox.lnk
Voici maintenant la mesure sur le port en transmission du filtre de Bragg : nous obtenons une caractéristique « coupe-bande ». En clair, les fréquences filtrées (donc sélectionnées) sur le port en réflexion apparaissent comme absorbées sur ce port (réjection).
A noter que les pertes d’insertion sont encore plus faibles dans ce cas (0,6 dB). Les ondulations dans la bande transmise (ripple) sont un facteur de dégradation de la transmission. Même remarque pour les distorsions en dispersion chromatique.
58
page 58 ELP 201Mineure ELP
Principaux défauts des filtres optiques WDM
BP trop faible BP trop largeRemontée de lobes latéraux
Longueur d’onde centrale
Pertes d’insertion
Intervalle spectral libre(FSR)
De manière schématique, on peut énoncer les principaux défauts de filtrage en transmission WDM. Le multiplex incident est représenté par une série de traits (rouges). Nous pouvons noter respectivement :
1. une bande-passante trop juste pour extraire intégralement le canal optique, de sorte que les fréquences extrêmes de ce dernier sont filtrées.
2. une bande-passante trop large, générant de la diaphonie entre le canal extrait et les canaux adjacents.
3. un filtre présentant une remontée de lobes latéraux, dont l’effet est identique àcelui du cas précédent.
4. une fonction de transfert périodique (de type Fabry-Pérot), qui peut être utilisée pour extraire un « sous-multiplex » d’un multiplex original.
5. un décalage de longueur d’onde centrale (effet mécanique, termique …), générant un filtrage imparfait du canal optique
6. des pertes d’insertion trop importantes.
59
page 59 ELP 201Mineure ELP
Filtre Fabry-Pérot
Facteur de réflexion(éclairement)
indice
n=1
L
LISL
2
2λ=LR
-R
πλ
δλ2
1
2
=
IntervalleSpectral Libre
Largeur à mi-hauteurFWHM
Finesse = ISL/ δλ
r2 = R
r
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-10 -5 5 10λλλλ
Intervalle spectral libre(ISL)
δλ
Fibre
Piézoélectrique
Miroirs
R1
R2R3
⋅−
+=
λπ
λnL
R
RII
2sin
)1(
41
1)(
22
max
-RRF
1π=
Les paramètres d’une cavité Fabry-Pérot sont : (i) son épaisseur L, son indice n, et son coefficient de réflexion en amplitude, noté r.
L’éclairement transmis peut être évalué en évaluant la superposition de toutes les amplitudes des ondes transmises par la cavité après réflexions successives. Ces interférences seront constructives ou destructives en fonction de la longueur d’onde incidente
La cavité de Fabry-Pérot est filtre périodique dans le sens où son coefficient de transmission est une fonction périodique en fonction de la longueur d’onde (mais pas de la fréquence !). La période du filtre est appelée « Intervalle spectral libre », ou ISL.
Les principaux paramètre du filtre sont :
• l’intervalle spectral libre
• la largeur de la fonction de transfert à mi-hauteur (Full Wave Half Maximum, FWHM)
• la finesse , définie comme le rapport entre les deux paramètres précédents.
60
page 60 ELP 201Mineure ELP
Réseaux épais (de Bragg) : milieu ΛΛΛΛ-périodique
Filtre de Bragg
θ
θ
Λ
- Condition de résonance (accord de phase)
- Longueur d’onde réfléchie (incidence normale)
- Modélisation fine : théorie des ondes couplées
nm
λθ cos2 =Λ
n 2 Λ=λ
-En pratique : R = R(λ), optimisé pour la longueur d’onde centrale λ0
R R
Réseau non apodisé Réseau apodisénL2
FWHM2λ
=Réponse spectrale
m : ordre de diffractionn : indice effectif à λ
Les principales structures de lasers utilisés en télécoms (lasers à semi-conducteurs) utilisent des réseaux de Bragg pour filtrer les modes longitudinaux émis par la cavité. On peut ainsi citer les lasers DFB (Distributed Feedback) et DBR (Distributed Bragg Reflector).
Le réseau est formé par un milieu présentant une variation périodique de l’indice de réfraction n. On note Λ la période spatiale de l’indice. La présence de ce réseau provoquera la présence de deux ondes se propageant en sens contraire le long du réseau. Des phénomènes de réflexion, d’absorption et de transmission se produisent en chaque point du réseau, générant un couplage entre les ondes propagatives et contra-propagatives . Le calcul précis des champs émergeant de part et d’autre du réseau est de ce fait compliqué.
En incidence normale, les longueurs d’onde réfléchies par le réseau se déterminent en exprimant le fait que toutes les contributions réfléchies sont en phase, c’est-à-dire :
2Λn = mλ
L’entier m est l’ordre de diffraction du réseau. La longueur d’onde de Bragg correspond à m = 1.
La réponse spectrale est liée au profil de variation de l’indice périodique. Elle peut présenter des remontées de lobes secondaires générant de la diaphonie. La méthode d’apodisation consiste à appliquer une fonction de fenêtrage spatial sur le profil d’indice, permettant de diminuer la puissance des lobes secondaires.
61
page 61 ELP 201Mineure ELP
Réseaux de Bragg intégrés dans les fibres
Spectred’entrée
Spectreréfléchi
Spectre transmis
quelques cm
n2
λ=Λ
510−≈∆n
Profil d’indice
5,1
Le réseau de Bragg peut être photo-inscrit directement dans la fibre optique qui transmet le signal à filtrer. On obtient ainsi un composant très compact, de plus en plus répandu dans le domaine des transmissions optiques ou des capteurs à fibre optique.
Si l’on veut extraire une longueur d’onde proche de 1,55 µm, l’ordre de grandeur du pas du réseau à inscrire est Λ = 1,55·10-6/(2·1,5) ~ 510 nm.
62
page 62 ELP 201Mineure ELP
Réseaux de Bragg inscrits dans les fibres
Principe• Effet photoréfractif dans les fibres en silice dopée à l’oxyde de germanium• Illumination en lumière U.V. (laser excimère, λ = 248 nm)
Photo-inscription par illumination latérale• Interférences entre deux ondes planes• Période de réseau ajustable par l’angle (miroirs de LLOYD)• Procédure sensible à la température.
Photo-inscription à travers un masque de phase• Interférences entre ordre +1 et –1 (élimination de l’ordre 0)• Période double de celle du réseau à photo-inscrire• Réseaux synthétiques -> apodisation aisée
Le réseau de Bragg fibré (Fiber Bragg Grating, FBG) est obtenu par procédéholographique en inscrivant un motif d’interférences à deux ondes planes dans le cœur d’une fibre dopée, présentant des propriétés « photo-réfractives »
63
page 63 ELP 201Mineure ELP
Amplificateurs optiques à « réponse aplatie »
Gain (dB)
Courbe de gain corrigée
1500 1530 1600 nm
Profil de gain d’un amplificateur optique EDFA
Méthodes d’égalisation de gain
1) Modification de la structure de l’EDFA (utilisation de verres fluorés)
2) Démultiplexage de longueurs d’ondes et atténuateurs variables
3) Filtrage inverse
RéseauBragg 1
RéseauBragg 2
RéseauBragg 3circulateur
F -1
Une première application des filtres optiques sous forme de réseaux de Bragg est l’aplatissement de la réponse spectrale des amplificateurs optiques de type EDFA, fréquemment utilisés en transmission optique.
L’idée consiste à faire passer le signal dans une série de filtres (cascade) dont la réponse spectrale cumulée se rapproche de la fonction inverse du gain de l’EDFA. On obtient ainsi une réponse globale « aplatie ». L’aiguillage du signal entre l’entrée et la sortie des réseaux de Bragg (en mode réflexion) se fait au moyen d’un circulateur optique.
64
page 64 ELP 201Mineure ELP
Compensation de dispersion chromatique
0=Z
Entrée
Sortie
1,4400
1,4450
1,4500
1,4550
1,4600
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
nm
indi
ce
Indice de la silice en fonction de λ
λ1 λ2 λ3< <
Réseau de Bragg fibré
Circulateur
2
2
0
1
λλ
λ d
dn
cd
dT
LD g −==
Vg1
Vg2
λ
Z /
Z = Z0
∆τ= D ∆λ Ζ
Vg3Vg3
λ
Vg1
Vg2
0ZZ =0ZD ⋅∆⋅=∆ λτ λ
tZ /
Il faut retarder les basses fréquences (+ grandes λ) par rapport aux hautes fréquences (+ faibles λ)
Dispersion anormale
Un principe similaire peut être appliqué pour compenser la dispersion chromatique accumulée lors de la propagation sur une fibre optique.
On rappelle que pour une fibre standard en silice (monomode), la dispersionchromatique Dλ provient essentiellement du matériau. Elle s’exprime par
Dλ = ∂τg/∂λ = -(λ/c) ∂2n/∂λ2 , où τg est le temps de propagation de groupe et n désigne l’indice de réfraction de la silice. L’unité de dispersion chromatique est le ps/nm/km. La courbe donnant l’indice en fonction de la longueur d’onde montre que ∂2n/∂λ2 < 0 à 1550 nm, donc Dλ>0. On parle alors de dispersion anormale . Par conséquent, plus la longueur d’onde augmente, plus le temps de groupe augmente et les longueurs d’ondes les plus grandes du paquet d’ondes (plus faibles fréquences) se propageront plus lentement que les faibles longueurs d’onde (hautes fréquences).
La dispersion chromatique de la fibre monomode standard (dite G-652) est typiquement de 17 ps/nm/km. Pour compenser cette dispersion chromatique, on peut utiliser un tronçon de fibre à dispersion négative (typ. -100 ps/nm/km). On peut également avoir recours à des filtres de Bragg disposés en cascade, associés à un circulateur optique pour séparer l’entrée de la sortie.
65
page 65 ELP 201Mineure ELP
Multiplexeur à Insertion-Extraction Optique
Structure d’un MIEO
Solution 1 : réseau de Bragg + circulateurs
• Problème majeur : coût élevé des circulateurs
Multiplexeur à Insertion-Extraction OptiqueOptical Add-Drop Multiplexer
MIEO(OADM)
λi
λe λi
λi - λe+ λi
Extraction (drop) Insertion (Add)
Entrée SortieAnneau Optique
(réseau métropolitain)
Le multiplexeur à insertion extraction optique (MIEO) est un dispositif couramment employé sur les réseaux WDM, et en particulier sur les anneaux optiques métropolitains. Il permet d’insérer et d’extraire une (ou plusieurs) longueurs d’ondes sur un multiplex optique de manière transparente, sans recourir à aucune une conversion optique-électronique. De plus, l’opération s’effectue sans perturber les autres longueurs d’ondes. Les quatres ports – (1) Entrée (2) Sortie (3) Insertion et (4) Extraction – sont des fibres optiques.
Nous allons envisager plusieurs architectures d’implantation de MIEO à base de filtres et/ou de multiplexeurs optiques.
La première solution consiste à utiliser un réseau de Bragg pris en sandwich entre deux circulateurs optiques. L’opération s’effectue en 3 temps :
1. le multiplex entrant (λ1, .. λn) est aiguillé vers le réseau de Bragg par le circulateur,
2. le pas du réseau étant réglé pour filtrer la longueur d’onde λo (par réflexion) celle-ci est aiguillée par le circulateur vers le port d’extraction (Drop),
3. Un canal optique (modulé) à longueur d’onde λo est inséré sur le port Add. Il se réfléchit donc sur le réseau de Bragg est est aihuillé vers le port de sortie (Out) par le circulateur.
On a donc globalement réalisé la fonction de MIEO.
66
page 66 ELP 201Mineure ELP
Note : le coupleur optique directionnel
LE1
E2
S1
S2
( )( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( )( )( )
⋅
⋅=
νν
κκκκ
βνν
2
1
2
1
cossin
sincosLi-exp
E
E
LLi
LiL
S
S
( )gs nndw ,,,κκ = : coefficient de couplage
– Structure planaire sur guide d’onde optique ou fibre fusionnées
– Facteur de transmission en considérant une seule entrée activée (E2 = 0)
– Coupleur à –3dB :
– De multiples applications : métrologie optique, coupleurs en étoile, structure Mach-Zehnder…
)(sin et )(cos 22
1
2
222
1
2
1κL
E
SκL
E
S==
κπ
4)12( += kL
( )
=− 1
1
2
exp 3 i
i-iβiC dB
wd
Le coupleur directionnel est constitué de deux guides d’ondes voisins (parallèles) intéragissant sur une longueur L. L’intéraction est provoquée par un ajustement de la distance entre les guides (d).
La matrice de transfert du champ entre les deux entrées et les deux sorties permet de calculer le coefficient de couplage (en puissance).
On peut ainsi réaliser un coupleur équilibré (3dB) en ajustant le longueur du composant.
67
page 67 ELP 201Mineure ELP
Multiplexeur à insertion-extraction optique
Solution 2 : réseaux de Bragg + coupleurs à 3 dB
On peut proposer une fonction de MIEO en associant deux réseaux de Bragg à deux coupleurs à 3 dB comme indiqué sur la figure ci-dessus
En utilisant la matrice de couplage précédemment introduite, on peut montrer que le port d’extraction reçoit bien le canala optique à λi injecté via le port d’entrée, et que le port de sortie reçoit bien le canal optique inséré à λi.
Le démontrer à titre d’exercice.
68
page 68 ELP 201Mineure ELP
Multiplexeur à insertion-extraction optique
T(λ)
λ
1
0,5 δλ
ISLCoupleur
CavitéF.P.
λ1 λ2 λ3 λ4
λ1
λ2 λ3 λ4
λ5
λ2 λ3 λ4 λ5
Solution 3 : Filtre Fabry-Pérot + coupleur à 3 dB
• Technologies d’implantation
- micro-cavités accordables sur fibres : cales piezo-électriques, MEMS
- Réseaux de Bragg photo-inscrits sur fibres : miroirs diélectriques
On peut également réaliser la fonction MIEO en utilisant un filtre Fabry-Pérot (FP) associé à un coupleur optique.
Le démontrer à titre d’exercice.
69
page 69 ELP 201Mineure ELP
Multiplexeur à insertion-extraction optique
Solution 4 : Multiplexeurs en λ + commutateur spatial
Entrée(IN)
Sortie(OUT)
Insertion(ADD)
Extraction(DROP)
λ1
λ4
Technologie MEMS
Micro-miroir à platou relevé à 90°
λ2DEMUX
λ1 … λ4λ3
MUX
λ2
λ4 λ3 λ1λ2
λ2
λ2
λ2
Une dernière solution : quatre multiplexeurs/démultiplexeurs optiques couplés à une matrice de micro-miroirs. Ces derniers sont implantés en technologie MEMS (Micro-Electro Mechanical Systems), permettant d’obtenir une haute densité d’intégration (qq centaines de microns par miroir) et une grande souplesse dans le positionnement. Les miroirs sont orientables suivant deux positions : « baissés »dans le plan de la feuille (à plat) ou à 90°de celle- ci (levés).
Ainsi, pour extraire (et insérer) une longueur d’onde λi, il suffit de baisser le ième
miroir.
A l’inverse, les canaux optiques situés sur le trajet des miroirs levés ne seront pas traités.
Bien que très flexible car reconfigurable et permettant d’extraire et d’insérer n’importe quel groupe de longueurs d’ondes, ce système se révèle plutôt couteux par rapport aux solutions précédentes
70
page 70 ELP 201Mineure ELP
Réseaux de diffraction pour le démultiplexage optique
Réseaux minces
• Équation des réseaux :
• Sélectivité angulaire :
Configurations d’utilisation
• Du spectroscope …au lecteur CD/DVD…au WDM.
θi θd
p
( ) λθθ mp di sin sin =−
d
d
d
m
θλθ
cos
⋅=
∂∂
Réseau en transmission
Réseau en réflexion e
pλ
Hypothèse deréseau mince
222
λλδkp
ke−
=
p <<δ
Un réseau de diffraction est un composant présentant une variation périodique de l’épaisseur ou de l’indice de réfraction. Cette variation peut-être mono- ou bidimensionnelle. Le réseau pourra être utilisé (éclairé) soit en réflexion soit en transmission.
L’angle de déflexion d’une onde plane incidente en fonction de la longueur d’onde et du pas du réseau est donné par l’équation des réseaux. Le paramètre m est l’ordre de diffraction. En pratique, on travaille sur l’ordre m = 1.
Le profil d’une période du réseau (modulation, d’amplitude et/ou de phase) va fournir la répartition relative de l’éclairement dans les différents ordres du réseau.
La fonction réalisée est une conversion de la longueur d’onde en un angle de propagation. On peut donc utiliser le réseau de diffraction pour démultiplexer une lumière incidente, qu’elle soit à spectre continu ou discret (i.e. signal WDM).
71
page 71 ELP 201Mineure ELP
Fonction de transfert d’un DMUX
– Technologie à réseau de diffraction (STIMAX de chez HighWave/Jobin-Yvon)
– Espacement conforme au peigne ITU : ∆λ = 100 Ghz @ 1550 nm
Jusqu’à ∆λ = 25 Ghz : Ultra Dense WDM
32 canaux optiques
La figure ci-dessus montre l’architecture d’un démultiplexeur en longueur d’onde àbase de réseau de diffraction, selon une structure en réflexion. L’objectif convergent (double lentille) permet de collimater le faisceau issu de la fibre d’entrée. Le réseau sépare alors angulairement les canaux optiques qui sont refocalisés via l’objectif vers une fibre différente.
La fonction de transfert d’un démultiplexeur à réseau à 32 canaux optiques est illustrée, montrant l’uniformité des pertes d’insertion du dispositif. On mesure également sur la courbe la diaphonie spatiale entre les voies de sortie.
72
page 72 ELP 201Mineure ELP
Réseau de guide d’ondes ( ArrayedWaveguide Grating)
Caractéristiques d’une structure AWG• Circuit photonique planaire (PLC) en optique intégrée :
silice sur silicium
• Géométrie à « nattes de petite fille »
Fonction de démultiplexeur en longueur d’onde• Chaque longueur d’onde est « focalisée » sur des guides
de sortie donné
nmLLL kk
01 λ=∆=−+
La longueur des guides suit une loi de variation linéaire
λ1,… λ8
Coupleursespace libre
Réseau de guides
d’ondes
La version « intégrée » du démultiplexeur à réseau de diffraction est le réseau de guide d’ondes ou AWG (Arrayed Waveguide Grating).
Le multiplex WDM d’entrée est réparti en N parties égales vers un ensemble de Nguides d’ondes au moyen d’un coupleur optique de 1 vers N. En clair, chaque guide d’onde voit donc en entrée toutes les longueurs d’ondes du multiplex.
La longueur de chaque guide varie de telle façon que des déphasages sont introduits de manière linéaire en fonction de la longueur d’onde. Le phénomène de dispersion chromatique intervient également sur chaque guide.
Globalement, les longueurs d’ondes sont déphasées de manière quadratique en sortie, reformant une onde convergente –donc focalisée- vers les fibres de sortie, via un second coupleur. La fonction ainsi réalisée est un démultiplexage optique. Le composant est réversible et l’on peut l’utiliser en multiplexeur de longueurs d’onde.
L’avantage principal de l’AWG sur le démultiplexeur à réseau de diffraction est sa compacité.
73
page 73 ELP 201Mineure ELP
λ-routeur à base d’AWG
Principe et implantation d’un λ-routeur
Application : réseau optique passif
La fonction de multiplexeur/démultiplexeur peut être généralisée à N entrées et Nsorties. On aboutit alors au routeur de longueurs d’onde. Chaque canal optique est alors démultiplexé vers les sorties de manière différente selon le port d’entrée.
Cette fonction peut être réalisée grâce à deux structures d’AWG cascadées. On aboutit à une carte de routage périodique.
Ce dispositif est utilisable comme coeur d’aiguillage de canaux optiques dans les réseaux optiques dits « passifs ».
74
page 74 ELP 201Mineure ELP
Glossaire et bibliographie
Principaux acronymes utilisés
• ASE : Amplified Spontaneous Emission• EDFA : Erbium Doped Fibre amplifier• FBG : Fibre Bragg Grating• MIEO : Multiplexeur à Insertion-Extraction Optique• OADM : Optical Add-Drop Multiplexer• PDL : Polarisation-Dependant Loss• WDM : Wavenlength Division Multiplexing
Pour approfondir• 3.4628 : SIRO R. Sirohi et M. P. Kothiyal, Optical components, systems end measurement
techniques , éd. Marcel Dekker, inc., New York, 1991• 5.25 TOFF : Z. Toffano, Optoélectronique , éd. Ellipses, collection « Technosup », 2002• 5.2542 LAUD : J.P. Laude, Le multiplexage de longueurs d’onde , éd. Masson, collection « Lasers et
optoélectronique », 1992
75
page 75 ELP 201Mineure ELP
C 6
Les LASER à semiconducteursMineure ELPModule 201
Laurent DupontDépartement d’optique
76
page 76 ELP 201Mineure ELP
Les MarchLes MarchLes MarchLes Marchéééés des diodes lasers des diodes lasers des diodes lasers des diodes laser
Source: RHK
Laser telecom
CD / DVD
Imprimante
77
page 77 ELP 201Mineure ELP
Principe du laserPrincipe du laserPrincipe du laserPrincipe du laser
Milieu amplificateur + cavitMilieu amplificateur + cavitMilieu amplificateur + cavitMilieu amplificateur + cavitéééé rrrréééésonnantesonnantesonnantesonnanteMilieu Milieu Milieu Milieu amplificateuramplificateuramplificateuramplificateur
R1R2
Gain :g:g:g:g MiroirMiroirMiroirMiroir
LLLL
LumiLumiLumiLumièèèère re re re éééémise mise mise mise par le laserpar le laserpar le laserpar le laser
Laser Laser Laser Laser àààà diode :diode :diode :diode :
actif
n-DBR
p-DBR
Laser à émission par la surface
Laser à émission par la tranche
Une onde électromagnétique se propage en effectuant des allers et retours entre les deux miroirs (cavité Fabry-Pérot) . Une partie de l’onde passe au travers des miroirs : c’est le rayonnement LASER. Ces « pertes » sont exactement compensées par le gain du milieu amplificateur
Le LASER VCSEL est l’empilement de deux miroirs de Bragg qui confine au centre une zone active constitué de puits quantiques. Le courant de pompe est injecté par une électrode sur la surface supérieure. C’est une structure très compacte et du fait de la faible longueur de la cavité Fabry-Pérot et donc de la zone active, ce LASER à un faible gain et il doit donc avoir une forte réflectivité des miroirs. L’avantage de ce type de LASER est qu’il est potentiellement monomode.
Le LASER à émission par la tranche est la superposition de couches de matériaux semi-conducteurs formant une double hétéro-jonction.
Le courant de pompe est injecté par une électrode sur la surface supérieure
78
page 78 ELP 201Mineure ELP
CavitCavitCavitCavitéééé Fabry Fabry Fabry Fabry ---- Perot ( 1 )Perot ( 1 )Perot ( 1 )Perot ( 1 )
NnL
NLnL.k
N2
222
2
====⇒⇒⇒⇒
============
λλλλ
ππππλλλλππππφφφφ∆∆∆∆
Distribution des champs Distribution des champs Distribution des champs Distribution des champs EM dans la cavitEM dans la cavitEM dans la cavitEM dans la cavitéééé ::::
Condition de rCondition de rCondition de rCondition de réééésonancesonancesonancesonance
nL2
20λλλλλλλλ∆∆∆∆ ====
λ
I(λ)λλλλ∆∆∆∆
Intervalle spectral libre ISLIntervalle spectral libre ISLIntervalle spectral libre ISLIntervalle spectral libre ISL
L miroirmiroir
Une cavité peut être représentée par une lame d’indice n et d’épaisseur L entourée d’air ( indice 1). Le coefficient de réflexion: R = r 2 et le coefficient de transmission: T = t 2 .
R et T vérifient la relation: R + T = 1.
La condition de résonnance correspond à des interférences constructives pour l’onde qui oscille dans la cavité: le déphasage cumulé sur un aller-retour est égal à 2π. Cette condition vérifiée, il est facile de démontrer que l’intensité lumineuse intra-cavité est très importante
L’onde électromagnétique dans la cavité se décrit comme la superposition d’onde propagative et contra-propagative : onde stationnaire. Ces ondes sont également appelées modes de cavité ou modes résonants.
79
page 79 ELP 201Mineure ELP
CavitCavitCavitCavitéééé Fabry Fabry Fabry Fabry ---- Perot ( 2 )Perot ( 2 )Perot ( 2 )Perot ( 2 )
I R IN= 20
Pour N allers et retours :Pour N allers et retours :Pour N allers et retours :Pour N allers et retours :
t
I
( ) ( ) ( )( )I t R I R t Itt= = = −
20 0 0
0 2/ exp ln / expτ ττ
====
R1
ln2
0ττττττττ
La longueur de cavitLa longueur de cavitLa longueur de cavitLa longueur de cavitéééé : 1 m: 1 m: 1 m: 1 m, R= 99,9% , R= 99,9% , R= 99,9% , R= 99,9% ⇒⇒⇒⇒ L L L L ≈≈≈≈ 1km1km1km1km ττττ ≈≈≈≈ 3 µµµµssssLa longueur de cavitLa longueur de cavitLa longueur de cavitLa longueur de cavitéééé : 1 mm: 1 mm: 1 mm: 1 mm, R=32% , R=32% , R=32% , R=32% ⇒⇒⇒⇒ L L L L ≈≈≈≈ 1 mm1 mm1 mm1 mm ττττ ≈≈≈≈ 3 ps
DurDurDurDuréééée de vie du photon dans la cavite de vie du photon dans la cavite de vie du photon dans la cavite de vie du photon dans la cavitéééé::::
========
R1
ln
lvL gττττDurée de vie du
photon dans la cavité :
Distance de propagation du photon dans la cavité :
On fixe un plan d’onde et on regarde l’évolution de l’intensité en fonction du temps. A chaque réflexion la lumière perd de l’intensité.
Le temps que va mettre la cavité pour ce vider est typiquement égal à τ
80
page 80 ELP 201Mineure ELP
Amplification du rayonnementAmplification du rayonnementAmplification du rayonnementAmplification du rayonnement
81
page 81 ELP 201Mineure ELP
Les interactions matiLes interactions matiLes interactions matiLes interactions matièèèèrererere----rayonnementrayonnementrayonnementrayonnement
Temps
AbsorptionAbsorptionAbsorptionAbsorption
ÉÉÉÉmission mission mission mission spontanspontanspontanspontanééééeeee
ÉÉÉÉmission mission mission mission stimulstimulstimulstimulééééeeee
12 EEE −−−−======== ωωωωhωωωωh====EÉnergie du photon :
Emission spontanée
Un atome excité au niveau E2 a une durée de vie limitée et passe spontanément au niveau E1 en émettant un photon pulsation w
Absorption
C’est le processus inverse de l’émission spontanée: un photon de fréquence n est absorbépar un atome dans le niveau E1 qui passe ainsi au niveau supérieur E2
Emission stimulée
Un photon incident provoque la désexcitation radiative de l’atome passant ainsi à l’état E1. En final il y a deux photons de même énergie et en phase
82
page 82 ELP 201Mineure ELP
Principe de lPrincipe de lPrincipe de lPrincipe de l’’’’effet lasereffet lasereffet lasereffet laser
1 photon
LLLL’é’é’é’émission stimulmission stimulmission stimulmission stimuléééée doit être plus probable que le doit être plus probable que le doit être plus probable que le doit être plus probable que l’’’’absorption !!absorption !!absorption !!absorption !!Amplification du rayonnement :Amplification du rayonnement :Amplification du rayonnement :Amplification du rayonnement :
PPPPaaaa = Probabilit= Probabilit= Probabilit= Probabilitéééé par unitpar unitpar unitpar unitéééé de temps dde temps dde temps dde temps d’’’’avoir une absorptionavoir une absorptionavoir une absorptionavoir une absorptionPPPPeeee = Probabilit= Probabilit= Probabilit= Probabilitéééé par unitpar unitpar unitpar unitéééé de temps dde temps dde temps dde temps d’’’’avoir une avoir une avoir une avoir une éééémission stimulmission stimulmission stimulmission stimulééééeeee
Le gain: G ∝∝∝∝ Pe-Pa
Ex : Soit un système avec 4 atomes. 3 avec niveaux excités, 1 relaxé + 1 photonAu final il y a plus d’électrons qu’au début : Pour qu’il y ait amplification du rayonnement, il faut que l’émission stimulée soit plus probable que l’absorption !!
83
page 83 ELP 201Mineure ELP
Diagramme de bande dans les semiDiagramme de bande dans les semiDiagramme de bande dans les semiDiagramme de bande dans les semi----conducteursconducteursconducteursconducteurs
Bande de conduction
Bande de valence
Énergie Énergie
DensitDensitDensitDensitéééé dddd’é’é’é’étatstatstatstats
Continuum de niveaux d’énergie
Le modèle décrit dans les transparents précédents, avec des niveaux d’énergie discret est valable avec des atomes isolés (ex : gaz). Dans le cas des solides, il existe des couplages entre atomes et lorsque le nombre d’atomes est important les niveaux discrets se transforment en ensemble quasi continu de niveaux d’énergie qu’on appelle bande d’énergie. Entre ces bandes d’énergie, il y a des niveaux d’énergie non autorisés : bandes interdites.
Eg désigne la différence d’énergie entre deux bandes.
Tous comme dans le cas des niveaux discrets, l’électron peut effectuer des transitions entre les bandes d’énergie. La bande de conduction est la dernière bande d’énergie à avoir des électrons.
Chaque niveau d’énergie est associé un certain nombre d’états quantiques :C’est la densitéd’états.
84
page 84 ELP 201Mineure ELP
Distribution des porteursDistribution des porteursDistribution des porteursDistribution des porteurs
Distribution thermodynamique:Distribution thermodynamique:Distribution thermodynamique:Distribution thermodynamique:
Énergie
Probabilité de trouver un électron : P1
Probabilité de trouver un trou : P2
• P1 + P2 = 1P1 + P2 = 1P1 + P2 = 1P1 + P2 = 1
• Niveau de Fermi Niveau de Fermi Niveau de Fermi Niveau de Fermi ≈≈≈≈ au milieu de la bande interditeau milieu de la bande interditeau milieu de la bande interditeau milieu de la bande interdite
EEEEffff : Niveau de : Niveau de : Niveau de : Niveau de Fermi :Fermi :Fermi :Fermi :
P =1/2P =1/2P =1/2P =1/2Bande interditeBande interditeBande interditeBande interdite
Énergie Énergie
T
T
Probabilité de trouver un électron au niveau d’énergie E est donnée par la relation de Fermi-Dirac: Plus l’énergie est élevée plus la probabilité de trouver un électron est faible
85
page 85 ELP 201Mineure ELP
Principe de lPrincipe de lPrincipe de lPrincipe de l’’’’amplification optique amplification optique amplification optique amplification optique
avec les Semiavec les Semiavec les Semiavec les Semi----conducteursconducteursconducteursconducteurs
Énergie
Niveau de Niveau de Niveau de Niveau de Fermi BV : FFermi BV : FFermi BV : FFermi BV : Fvvvv
Niveau de Niveau de Niveau de Niveau de Fermi BC :FFermi BC :FFermi BC :FFermi BC :Fcccc
Densité d’états
Transition rapide
Trous
BC
BV
Transition lente
électrons
PompePompePompePompe
Inversion de population :Inversion de population :Inversion de population :Inversion de population :Peupler fortement la bande de conduction Peupler fortement la bande de conduction Peupler fortement la bande de conduction Peupler fortement la bande de conduction DDDDéééépeupler fortement la bande de valencepeupler fortement la bande de valencepeupler fortement la bande de valencepeupler fortement la bande de valence
2 pseudo2 pseudo2 pseudo2 pseudo----niveaux de Ferminiveaux de Ferminiveaux de Ferminiveaux de Fermi : probabilit: probabilit: probabilit: probabilitéééé dddd’’’’occupation = occupation = occupation = occupation = ½½½½
SystSystSystSystèèèème hors me hors me hors me hors ééééquilibrequilibrequilibrequilibre
Amplification optiqueAmplification optiqueAmplification optiqueAmplification optique
Cas d’un matériau semiconducteur soumis à une injection de porteurs intense (pompage). Les bandes de conduction et de valence ont alors leur propre distribution statistique avec des pseudo niveaux de Fermi Fc et Fv. Ces deux niveaux correspondent à une probabilité de ½.
Inversion de population :
. Peupler fortement la bande de conduction
. Dépeupler fortement la bande de valence
Si on induit des transitions électroniques entre les pseudo-niveaux de Fermi on se trouve dans une situation d’inversion de population, ce qui autorise l’amplification du rayonnement et donc potentiellement l’effet LASER :
86
page 86 ELP 201Mineure ELP
Le gainLe gainLe gainLe gain
Fc - Fv > > EgωωωωhCondition pour que le milieu soit amplificateur:Condition pour que le milieu soit amplificateur:Condition pour que le milieu soit amplificateur:Condition pour que le milieu soit amplificateur:
(Loi de BernardLoi de BernardLoi de BernardLoi de Bernard----Duraffourg)Duraffourg)Duraffourg)Duraffourg)
Eg
Gain (U.A)
0
E
12
3
GGGG ==== gggg ((((ωωωω)))) ....( N( N( N( N----NNNN0 0 0 0 ))))
Courbe de gain pour des densitCourbe de gain pour des densitCourbe de gain pour des densitCourbe de gain pour des densitéééés s s s de porteurs croissantesde porteurs croissantesde porteurs croissantesde porteurs croissantes
ωh=EPhoton :Photon :Photon :Photon :
Énergie
FFFFcccc
Densité d’états
FFFFvvvv
∆∆∆∆E = ℏℏℏℏωωωω
Un photon se propage dans le semi-conducteur où l’inversion de population a été réalisée. Cela va provoquer beaucoup plus d’émission stimulée que d’absorption puisque le niveau d’énergie dans la bande de conduction aura un taux de peuplement supérieur à ½ et même chose pour la bande de valence en ce qui concerne les trous. Cela autorise l’amplification du rayonnement
87
page 87 ELP 201Mineure ELP
Le rayonnement en prLe rayonnement en prLe rayonnement en prLe rayonnement en préééésence de gainsence de gainsence de gainsence de gain
N N N N : photons dans la cavit: photons dans la cavit: photons dans la cavit: photons dans la cavitéééé
V = aV = aV = aV = a2222LLLL : Volume de la cavit: Volume de la cavit: Volume de la cavit: Volume de la cavitéééé
a
a
L
Flux de photons IdzdI αααα====
I : Le flux de photons:Energie passant au travers de lEnergie passant au travers de lEnergie passant au travers de lEnergie passant au travers de l’’’’unitunitunitunitééééde surface et de surface et de surface et de surface et par unitpar unitpar unitpar unitéééé de tempsde tempsde tempsde temps
nc
hVN
nLc
.a
NhI
2νννννννν
========
====VN
Pavec
PdzdP αααα==== P
cn
dtdP αααα====
⇒⇒⇒⇒ ⇒⇒⇒⇒
P :densité de photons
(((( ))))
Gcn
*GavecPGdzdP
PNNgP.GdtdP
* ========
−−−−======== 0
Dans le cas du LASER, un flux de photons se propage selon un seul axe. La longueur de la cavité est L. L’onde passe au travers d’une surface a2. L’intensité de lumière suit la loi dite de Beer –Lambert ,
89
page 89 ELP 201Mineure ELP
Structures de laser Structures de laser Structures de laser Structures de laser àààà semisemisemisemi----conducteurconducteurconducteurconducteur
~2µm
IntervalleIntervalleIntervalleIntervalle spectral spectral spectral spectral librelibrelibrelibre
Laser Laser Laser Laser àààà éééémission par la tranche mission par la tranche mission par la tranche mission par la tranche VCSELVCSELVCSELVCSEL
500 µm
ν
ν ν
ν
1RRee 21L2GL2 *
=−αCondition pour l’effet LASER:
La condition pour l’effet LASER
L’émission LASER apparaît lorsqu’une onde stationnaire intra-cavité voit un gain positif : Pour qu’il y ait effet LASER il faut la coïncidence des deux phénomènes :
- Modes de cavité
- Gain positif
R1 et R2 sont les coefficients de réflexion des miroirs du LASER
α : Le coefficient des pertes linéiques de la cavité et G, le gain.
Pour qu’il y ait effet LASER il faut qu’un régime stationnaire s’installe dans le LASER, c’est àdire, qu’après un aller et retour, l’intensité de l’onde reste identique. On obtient la condition pour l’effet LASER
90
page 90 ELP 201Mineure ELP
Puissance dPuissance dPuissance dPuissance d’é’é’é’émission du lasermission du lasermission du lasermission du laser
En statique :
CaractCaractCaractCaractééééristique du laser en ristique du laser en ristique du laser en ristique du laser en fonction de la tempfonction de la tempfonction de la tempfonction de la tempéééérature :rature :rature :rature :
Intensité du pompage
I Laser laserSaturation
Niveau de Fermi BV : FNiveau de Fermi BV : FNiveau de Fermi BV : FNiveau de Fermi BV : Fvvvv
Niveau de Fermi BC: Niveau de Fermi BC: Niveau de Fermi BC: Niveau de Fermi BC: FFFFcccc
DensitDensitDensitDensitéééé dddd’é’é’é’étatstatstatstats
0 1
Énergie
E2
E1
Puissance d’émission du laser et modulation directe
En fonction de l’intensité de pompage, il existe plusieurs régimes :
Pour les faibles intensités intracavité, c’est l’émission spontanée qui est prépondérante.
Pour les fortes intensités, c’est l’émission stimulée, cela favorise le rayonnement cohérent : c’est l’effet LASER.
Pour les très fortes intensités, le milieu ne peut plus amplifier un tel flux de lumière : le gain diminue : c’est la saturation
La caractéristiques du LASER dépendent fortement de la température.
91
page 91 ELP 201Mineure ELP
Dynamique des lasers S.C.Dynamique des lasers S.C.Dynamique des lasers S.C.Dynamique des lasers S.C.
4 x 50 Å In0.3Ga0.7As QW laser
Modulation harmonique de faible amplitude du courrantModulation harmonique de faible amplitude du courrantModulation harmonique de faible amplitude du courrantModulation harmonique de faible amplitude du courrant
( )
( )n
N
p
PPNNg
dtdP
PNNgn
NeVI
dtdN
s0
0
τβ
τ
τ
+−−=
−−−=
N : densité de porteursP: densité de photons dans la cavitéI : courant injecté dans la cavitéτp: durée de vie des photons dans la cavitéτn :constante de temps de l'émission spontanéeN0 : densité de porteurs à la transparenceβs : coefficient de couplage à la cavité
Equations d’évolution:
92
page 92 ELP 201Mineure ELP
Laser semiLaser semiLaser semiLaser semi----conducteur conducteur conducteur conducteur àààà double hdouble hdouble hdouble hééééttttéééérojonctionrojonctionrojonctionrojonction
p n
Bande interdite
Trous
Électrons
p n
Bande interdite
Trous
Électrons
Double hétérojonction avec structure à puits quantiques:
Avantages des puits quantiques:Avantages des puits quantiques:Avantages des puits quantiques:Avantages des puits quantiques:
•Forte densitForte densitForte densitForte densitéééé de porteurde porteurde porteurde porteur
•Largeur spectrale de gain Largeur spectrale de gain Largeur spectrale de gain Largeur spectrale de gain éééétroitetroitetroitetroite
Bon confinement Bon confinement Bon confinement Bon confinement des porteursdes porteursdes porteursdes porteurs
L’objectif des hétérojonction est de favoriser l’interaction matière rayonnement. Il faut pour cela concentrer à la fois les porteurs et les photons. Concernant les porteurs une des solutions retenus est de créer une double hétérojonction 2 sections de matériau A dopé n et p assemblé avec au centre un 2ième matériau semiconducteur B mais de bande interdite plus faible. En injectant des électrons côté n et des trous côté p (injection directe) on favorise la concentration des porteurs et donc les recombinaisons radiatives.
Pour augmenter la densité de porteurs et réduire la largeur spectrale de gain, on utilise des puits quantiques qui sont des nano-structures de matériaux semi-conducteurs de différentes bandes interdites.
93
page 93 ELP 201Mineure ELP
Les matLes matLes matLes matéééériaux et technologiesriaux et technologiesriaux et technologiesriaux et technologies
Al[GaAs] (λ=0.81-0.87 µm)
InGaAsP (λ=1-1.65 µm)
Confinement Confinement Confinement Confinement optiqueoptiqueoptiqueoptique
Substrat
Isolant Isolant Isolant Isolant éééélectriquelectriquelectriquelectrique
Zone active
Injection de Injection de Injection de Injection de porteursporteursporteursporteurs
Les matLes matLes matLes matéééériaux :riaux :riaux :riaux :
94
page 94 ELP 201Mineure ELP
Process de fabricationProcess de fabricationProcess de fabricationProcess de fabrication
1.1.1.1. Mise en boMise en boMise en boMise en boîîîîtiertiertiertier
2.2.2.2. TestTestTestTest
•PhotolithographiePhotolithographiePhotolithographiePhotolithographie
•ÉÉÉÉpitaxiepitaxiepitaxiepitaxie
5 étapes fondamentales dans l’élaboration du LASER
Épitaxie : dépose des différentes couches de semi-conducteurs
Photolithographie : Réalisation des puces par masquage et gravure
Découpe des puces : sciage ou clivage
Mise en boîtier : puce mise sur embase et conectorisée
Test : test électrique, test en émission, test de vieillissement
95
page 95 ELP 201Mineure ELP
PackagingPackagingPackagingPackaging
PhotodiodeLentille fibre
Diode laserDiode laserDiode laserDiode laser
Pelletier + thermistancePelletier + thermistancePelletier + thermistancePelletier + thermistance
Driver
La puce est posée sur une embase (circuit hyper-fréquence) qui permet de moduler le courant de pompe à haute fréquence. Cette embase est posée sur une cellule Pelletier qui permet de réguler en température le LASER. Le LASER est couplé à une fibre optique via une lentille relais. La lumière émise par l’autre face du LASER est couplée à une photodiode qui mesure l’intensité émise, ce qui permet de faire un « monitoring » du système.
96
page 96 ELP 201Mineure ELP
Les diodes lasers spLes diodes lasers spLes diodes lasers spLes diodes lasers spéééécifiquescifiquescifiquescifiques
97
page 97 ELP 201Mineure ELP
Les diffLes diffLes diffLes difféééérents types de lasers rents types de lasers rents types de lasers rents types de lasers àààà S.C.S.C.S.C.S.C.
I1 I2 I3
Laser Fabry-Pérot :
Laser Double Bragg Reflector:
Laser Distributed Feedback Reflector
Laser Fabry-Pérot :
Structure de base : cavité Fabry-Perot constituée d’une double hétérojonction clivée.
Laser Double Bragg Reflector: DBR
Structure de type Fabry-Pérot mais avec un miroir de Bragg au lieu d’une face clivée. Trois courant peuvent être utilisé dans trois zone différentes : zone de gain pour alimenter le LASER (I3) , zone de phase et zone de Bragg (resp. I2, I1) pour modifier la longueur d’onde.
Laser Distributed Feedback Reflector DFB
Laser constitué par une double hétéro-jonction et avec un filtre de Bragg sur toute la longueur.
98
page 98 ELP 201Mineure ELP
1.1.1.1. Laser FabryLaser FabryLaser FabryLaser Fabry----PPPPéééérotrotrotrot
λλλλ1.651.61.551.51.451.4
10.
1.
0.1
0.01
0.001
I
Émission spontanée
Modes de CavitéFacette clivée
Guide optique
Structure:Structure:Structure:Structure:Spectre dSpectre dSpectre dSpectre d’é’é’é’émission :mission :mission :mission :
Hétérojonction + Puits quantiques
AvantagesAvantagesAvantagesAvantages InconvInconvInconvInconvéééénientsnientsnientsnients
Technologie simple.
Multi-modes :1) Incompatibilité avec le WDM2) Forte dispersion chromatique
Le principal problème de ces LASER est l’émission multimodale. L’encombrement spectral de ces sources fait que le signal possède lui-même au moins la même largeur spectrale, ce qui le rend difficilement compatible avec les transmissions haut débit lorsqu’il y a de la dispersion chromatique.
99
page 99 ELP 201Mineure ELP
2. Lasers DBR2. Lasers DBR2. Lasers DBR2. Lasers DBR
Gain Phase Bragg
Bragg Gain Bragg
Gain Bragg
Filtre de Bragg:Filtre de Bragg:Filtre de Bragg:Filtre de Bragg:
Filtrage des modes FP Filtrage des modes FP Filtrage des modes FP Filtrage des modes FP ⇒⇒⇒⇒Fonctionnement monomode Fonctionnement monomode Fonctionnement monomode Fonctionnement monomode + + + + AccordabilitAccordabilitAccordabilitAccordabilitéééé
1
0.8
0.6
0.4
0.2
Structures DBR:Structures DBR:Structures DBR:Structures DBR:
Accordabilité 10 nm
Puissance optique 10 - 100 mW
Largeur spectrale 10 -2, 10-3 Å
Courant seuil 10 mA
Le principe du LASER DBR est de remplacer un miroir de cavité Fabry-Pérot par un miroir très sélectif en longueur d’onde. On sait que l’effet LASER apparaît s’il y a coïncidence entre les modes Fabry-Pérot et un gain positif. Si en plus, on met un miroir très sélectif en longueur d’onde, un seul mode va être réfléchi, les autres modes sortent très vite de la cavité, si bien que la condition pour qu’il y ait l’effet LASER n’est pas vérifiée.
100
page 100 ELP 201Mineure ELP
Miroir de BraggMiroir de BraggMiroir de BraggMiroir de Bragg
z∆n
PPPPéééériode du rriode du rriode du rriode du rééééseau dseau dseau dseau d’’’’indiceindiceindiceindice : Λ Λ Λ Λ Indice moyen du rIndice moyen du rIndice moyen du rIndice moyen du rééééseau : nseau : nseau : nseau : n0000
Condition de rCondition de rCondition de rCondition de rééééflexion du rflexion du rflexion du rflexion du rééééseau seau seau seau
de Bragg : de Bragg : de Bragg : de Bragg : λλλλΒΒΒΒ = 2n= 2n= 2n= 2n0000ΛΛΛΛ
1
R( R( R( R( λ )λ )λ )λ )
λλλλΒΒΒΒ λλλλ
Injection de porteur dans le miroir de Bragg
Modification de n0
Modification de λλλλΒΒΒΒ!!!!!!!!!!!!
Condition de réflexion du réseau de Bragg : λB = 2n0L
Modifier les caractéristiques du miroir de Bragg:
Injection de porteurs dans le miroir de Bragg entraîne une modification d’indice, ce qui entraîne une modification de la longueur d’onde de Bragg.
101
page 101 ELP 201Mineure ELP
AccordabilitAccordabilitAccordabilitAccordabilitéééé des lasers DBRdes lasers DBRdes lasers DBRdes lasers DBR
ModulationModulationModulationModulation : Zone de phase: Zone de phase: Zone de phase: Zone de phase1
ModulationModulationModulationModulation : Zone de Bragg: Zone de Bragg: Zone de Bragg: Zone de Bragg
Accordabilité de la zone de Bragg
Accordabilité de la zone de phase
Longueur d’onde d’émission
Courants : I
1 1
λ
En superposant les caractéristiques spectrales du miroir de Bragg aux modes de cavitéFabry-Pérot, on voit que le changement de longueur d’onde de Bragg permet de sauter d’un mode à l’autre et donc de modifier les conditions d’émission du LASER DBR.
Modifier les caractéristiques de la zone de phase
En injectant des porteurs dans la zone de phase, on modifie également l’indice du semi-conducteur est donc les valeurs des longueurs d’onde des modes Fabry-Pérot sont modifiés.
En combinant l’accordabilité de la zone de Bragg et de phase, on obtient une accordabilitécontinue du LASER DBR
102
page 102 ELP 201Mineure ELP
3. Laser DFB3. Laser DFB3. Laser DFB3. Laser DFB
2 0 1 0 0 -1 0 -2 0 0
ω − ω Β
Structure du Laser DFB Spectre d’émission du laser DFB
Saut de phaseSaut de phaseSaut de phaseSaut de phase
dans le rdans le rdans le rdans le rééééseauseauseauseau Accordabilité 2 nm
Puissance optique 10 - 100 mW Largeur spectrale 10-3 - 10-4 Å Courant seuil 10 mA
CaractCaractCaractCaractééééristiques des lasers DFBristiques des lasers DFBristiques des lasers DFBristiques des lasers DFB
Dans le cas du LASER DFB, l’onde incidente est partiellement réfléchie tout le long du réseau d’indice situé sur le LASER. La Contre-réaction optique n’est plus localisée sur les faces de la cavité.
Ce réseau de Bragg peut être vue spectralement comme une bande interdite photonique. Pour qu’il y ait effet LASER, il faut que les ondes soient réfléchies (contre-réaction) mais qu’elles puissent quand même se propager dans le LASER pour être amplifiées. Ce n’est donc pas la longueur d’onde de Bragg qui va être émise (elle est totalement expulsée du Bragg), mais deux longueurs d’onde en bord de bande interdite.
103
page 103 ELP 201Mineure ELP
4. 4. 4. 4. SSSSampled ampled ampled ampled GGGGrating rating rating rating DBRDBRDBRDBR
igeff
Bragg Lkn
2 ππππΛΛΛΛππππ
λλλλππππ ++++====
Condition de Bragg sur un SGBR:Condition de Bragg sur un SGBR:Condition de Bragg sur un SGBR:Condition de Bragg sur un SGBR:
R
Bragg2λλλλeffn2 Lg
R
coïncidence
Le mode qui va laser correspond Le mode qui va laser correspond Le mode qui va laser correspond Le mode qui va laser correspond àààà la cola cola cola coïïïïncidence de 2 ncidence de 2 ncidence de 2 ncidence de 2 pics de rpics de rpics de rpics de rééééflexion pour les 2 miroirs:flexion pour les 2 miroirs:flexion pour les 2 miroirs:flexion pour les 2 miroirs:
Λ
Lg
∆ne
∆neZ
coïncidence
Effet « vernier »
105
page 105 ELP 201Mineure ELP
Sommaire
Les photodiodes dans les systèmes de transmission
Principe de la photodétection par jonction semi-con ductrice
Les photodiodes PIN
Les photodiodes à avalanche
De la photodiode au récepteur
106
page 106 ELP 201Mineure ELP
Synoptique d’une liaison par fibre optiqueD
omai
ne é
lect
rique
Dom
aine
op
tique
InterfaceElectrique
Circuitde
commande
E/O O/E
InterfaceElectrique
Circuitde
réception
Fibre optique
Composants optoélectroniques
d’extrémité
Signal électriqueau format normaliséG.703, IEEE802.3,…
Cartes d’interfaceÉmission/réception
Les photodiodes font partie de la famille des composants optoélectroniques. Comme leur nom l’indique, ils fonctionnent en exploitant les interactions entre la lumière et les électrons externes des atomes de la matière. Réalisés à base de matériaux semi-conducteurs, leur faible encombrement, leur compacité, leur potentiel d’intégration en font les composants incontournables de la conversion électrique-optique et optique-électrique des systèmes de transmission sur fibre optique ou en espace libre (systèmes FSO: Free Space Optics).
107
page 107 ELP 201Mineure ELP
Les jonctions P-N: des transducteurs opto-électroniques
DEL ou diode laser
+
-
PIN ou APD
I Iph
+
-
Fibre optique
Les jonctions semi-conductrices sont utilisées pour émettre ou recevoir de la lumière.
Pour émettre de la lumière, on fait passer du courant dans une diode électro-luminescente ou une diode laser polarisées en direct. La structure et le matériau de la diode déterminent la nature spectrale de la lumière émise.
A la réception, la lumière reçue illumine une photodiode polarisée en inverse. Un courant dit photocourant traverse alors la photodiode.
108
page 108 ELP 201Mineure ELP
Sommaire
Les photodiodes dans les systèmes de transmission
Principe de la photodétection par jonction semi-con ductrice
Les photodiodes PIN
Les photodiodes à avalanche
De la photodiode au récepteur
109
page 109 ELP 201Mineure ELP
Bande d’énergie interdite d’un cristal semi-conducteur
Énergie d’un électron externe d’un atome du cristal
Eg
p
hélectron =λ
D’après Einstein, Planck et de Broglie :
Bande interdite
Bande de valence électron lié
Bande de conduction électron libre
cristald
d≈λ
Onde évanescente
La physique de semi-conducteurs fait essentiellement appel à la physique du solide et à la mécanique quantique. L’introduction rigoureuse de la théorie des bandes nécessiterait un cours complet (et complexe) qui dépasse largement le cadre de ce cours. Aussi nous ne retiendrons que le strict nécessaire à l’explication des phénomènes fondamentaux de l’électroluminescence et de la photoélectricité.
Dans un solide, les niveaux d ’énergie que peuvent prendre les électrons des atomes sont regroupés sur des intervalles donnés. On parle donc de bandes d’énergie qui correspondent à des états lié ou libre de l’électron. On appelle bande de valence l’ensemble des niveaux d’énergie (bas) pour lesquels l’électron est prisonnier d’une orbitale d’atome du cristal: l’électron est lié. On appelle bande de conduction l’ensemble des niveaux d’énergie suffisante pour que l’électron circule dans le cristal: l’électron est libre.
A température nulle donc hors agitation thermique, on distingue trois cas :
Premier cas: la bande de conduction est vide et le gap est important. Aucun électron ne peut circuler dans le cristal: nous avons affaire à un isolant, même à chaud.
Deuxième cas: la bande de conduction est partiellement remplie. Des électrons peuvent circuler dans le cristal: nous avons affaire à un conducteur.
Troisième cas: la bande de conduction est vide mais le gap est faible : nous sommes dans le cas intermédiaire d’un cristal isolant à température nulle mais qui si on le chauffe verra sa bande de conduction se remplir partiellement par agitation thermique. Il devient alors conducteur. Nous avons affaire à un semi-conducteur, intermédiaire entre un isolant et un conducteur. Plus la température augmente, plus la conductivité devient forte. Les composants à base de semi-conducteurs fonctionnent donc dans une plage de température bien définie (ni trop froid, ni trop chaud). Par exemple, la plage de température d’utilisation des composants aux normes militaires va de -80 °C à +125°C.
110
page 110 ELP 201Mineure ELP
Émission de lumière dans les semi-conducteurs
µmeneVEE
ch
ggc )(
24,1=⋅=λLongueur d’onde de radiation maximale :
vc EEEh g −==ν
Bande de conduction
Bande de valence
Énergie
Eg
Ec
Ev
Application aux diodes électro-luminescentes (DEL) et diodes laser.
L’émission de lumière est le résultat de la recombinaison radiatives des électrons et des trous dans le matériau. Les atomes récupèrent leurs électrons, la différence d’énergie est émise sous forme de photon: c’est le phénomène d’électro-luminescence.
111
page 111 ELP 201Mineure ELP
Absorption de lumière dans les semi-conducteurs
Effet photo-électrique
gg
chhEEE
λνφ ==−> vc
Bande de conduction
Bande de valence
Énergie
Eg
Ec
Evhν
absorption
hνg
Herr Hertz, 1887
Absorption du photon si
L’absorption de lumière dans le matériau correspond au transfert d’énergie des photons incidents aux électrons de la bande de valence qui passent dans la bande de conduction si l’énergie du photon est suffisante: c’est l’effet photo-électrique. Cet effet a découvert par le physicien Heinrich Hertz en 1887.
Ainsi les photons incidents ne sont pas absorbés si leur énergie est inférieure àl’énergie de gap; le matériau est transparent. Inversement, si leur énergie est supérieure ou égale à l’énergie de gap, ils sont absorbés et le matériau est alors opaque.
112
page 112 ELP 201Mineure ELP
Coefficient d’absorption de qqes matériaux
[ ]1−mα
[ ]eVphε
[ ]mµλ
[ ]mµα/1
2
3
4
5
6
7
8
9
0,5 510
10
10
10
10
10
10
10
1 2
2.48 1.24 0.62 0.25
100
10
1
0.1Si
InP
2
3
4
5
6
7
8
9
0,5 510
10
10
10
10
10
10
10
1 2
2.48 1.24 0.62 0.25
100
10
1
0.1
GaAs
0.85 µm
GeInGaAs
1.55 µm
1.3 µm
λc coupure( ) ( )eV
24.1µm
ggc EE
hc ==λ
En dessous de la fréquence optique de coupure, l’absorption chute brutalement. Au contraire, au dessus de la fréquence de coupure pour des photons ayant une énergie excédant l’énergie de gap, le coefficient d’absorption croît de manière quasi régulière.
113
page 113 ELP 201Mineure ELP
Fenêtres de transmission des fibres en silice
3ème fenêtre1,5 µm
1ère fenêtre0,85 µm
2ème fenêtre1,3 µm
code bande O E S C L Ubande passante (nm) 1260 - 1360 1360 - 1460 1460 - 153 0 1530 - 1560 1565 - 1625 1625 - 1675
Les fenêtres de transmission de la fibre optique en silice sont au nombre de trois. Leur utilisation au fil du temps suit l’augmentation de la longueur d’onde. La première fenêtre, la plus ancienne donc, est celle du proche infrarouge autour de 0,85 µm. Elle est utilisée pour la transmission sur les premières fibres optiques silices multimode àla fin des années 60. Les composants semi-conducteurs utilisés sont à base de silicium et d’arséniure de gallium. Pour les deuxième et troisième fenêtres dans l’infrarouge moyen correspondant au minimum d’atténuation de la fibre, on utilise des composants III-V à base de phosphure d’indium.
114
page 114 ELP 201Mineure ELP
0,85 µm
1,5 µm
1,3 µm
Largeur de bande interdite de quelques matériaux
1,43 à 0,36directGaxIn1-xAs yP1-yComposésIII-V
quaternaires
1,43 à 0,361,43 à 2,13
directdirect ou indirect
GaxIn1-xAsGaxAl1-xAs
ComposésIII-V
ternaires
2,241,431,290,35
indirectdirectdirectdirect
GaPGaAsInP
InAs
ComposésIII-V
binaires
1,120,72
indirectSiGe
ElémentIV
Largeur de bande E c-Ev
(eV @ 300°K)
Type de bande
Matériau semi-conducteur
Position dans la table des éléments
chimiques
Ce tableau rassemble les propriétés des composés semi-conducteurs les plus utilisés en télécommunications sur fibre optique. Les composants pour les fenêtres 1,3 et 1,5 µm nécessitent des composés plus complexes ternaires ou quaternaires. En ajustant les proportions des différents éléments, il est possible de régler finement les propriétés optiques des matériaux.
115
page 115 ELP 201Mineure ELP
La jonction P-N non polarisée
Atome donneur d’électron
Atome accepteur d’électron
neutre + - neutre
ZCE : Zone de charge d’espace ou de déplétionc’est à dire vide de charges
mobiles
Anode
Zone dopée P
Cathode
Zone dopée N
e-
ZCE
E
La zone N est dopée en atomes donneurs d’électrons. Les charges mobiles sont donc des électrons.
La zone P est dopée en atomes accepteurs d’électrons. Ces atomes vont capter des électrons des atomes environnants, Les charges mobiles sont alors les lacunes en électron des atomes du cristal, appelées trous. Les trous se comportent en fait comme des particules fictives.
Près de la frontière entre les deux zones, les atomes accepteurs vont capter de manière permanente les électrons des atomes donneurs (et inversement on peut considérer que les atomes accepteurs donnent un trou en échange) : c’est le phénomène de diffusion. Il se crée ainsi deux zones qui ne sont plus électriquement neutres (la zone N se charge positivement et la zone P négativement) et une barrière de potentiel se forme qui s’oppose à la diffusion. A l’équilibre, il existe un champ et donc une barrière de potentiel interne à la jonction (justement appelée potentiel de jonction), dont la valeur dépend des matériaux et de leur dopage. La zone proche de la jonction est appelée zone de charge d’espace (ZCE) ou de déplétion car sans charges mobiles.
116
page 116 ELP 201Mineure ELP
La photopile et l’effet photovoltaïque
P
N
Iph
hνννν
neutre + -- neutreZCE
hνννν
V0
N P
(quelques dixièmes de V)
RL
L’effet photovoltaïque, c’est à dire la conversion de la lumière en électricité, est un phénomène connu depuis le XIXème siècle. Il a en effet été découvert en 1839 par Antoine Becquerel, grand-père du découvreur de la radioactivité. Cependant, il aura fallu un siècle et la maîtrise des semi-conducteurs pour en voir les premières applications.
L’existence d’une barrière de potentiel dans une photodiode non-polarisée permet de détecter la lumière. Si on éclaire la zone de charge d’espace avec un rayonnement de longueur d’onde suffisamment courte, les paires électron-trous créées vont être séparées par le champ électrique interne et repoussées dans les zones neutres ou le champ est nul: les électrons vont s’accumuler dans la zone N et les trous dans la zone P. La diode se transforme ainsi en pile où la zone P est le pôle positif et la zone N le pôle négatif. Si on charge la diode par une résistance, un courant circule tant que l’on éclaire la zone de charge d’espace de la diode.
En l’absence de polarisation, on peut donc produire du courant électrique grâce à la lumière reçue. En général, les photopiles sont fabriquées avec du silicium. Le rendement de « conversion » des photons en paires électrons-trous est de 15 à 20% environ. Ce mode de détection de la lumière avec une jonction non polarisée est appelée régime photovoltaïque. Les panneaux du même nom fonctionnent suivant ce régime.
La recherche de meilleurs rendements par l’utilisation de matériaux nouveaux est un champ de recherche particulièrement en vogue avec le renchérissement des combustibles fossiles et la crise de l’énergie.
117
page 117 ELP 201Mineure ELP
Cellule photovoltaïque : caractéristique I=f(V)
Source : Panasonic solar cells handbook
Circuit de testV
I
Grâce à la barrière de potentiel interne à la jonction (égale à Vco : tension en circuit ouvert), la photodiode se comporte comme un générateur de courant lorsqu’elle est éclairée. Le courant décroît jusqu‘à zéro pour une tension aux bornes de la photodiode égale à Vco.
118
page 118 ELP 201Mineure ELP
La jonction PN polarisée en inverse
e-
h+
Er
P N
e.V
Zone de déplétion
e-
h+ R
+
- V
Vp Iphp
n
L’absorption d’un photon dans un matériau semi-conducteur crée une paire électron-trou si l’énergie du photon est supérieure à la largeur de la bande interdite Eg.
hv>Eg
Pour éviter la recombinaison de cette paire électron-trou, il faut que le photon soit absorbé dans une zone vide de porteurs mobiles , par exemple la zone déplétée(zone de charge d’espace) d’une jonction P-N.
Pour recueillir ces porteurs sous forme de photocourant, il faut les séparer par un champ électrique fort. On polarise donc la jonction en inverse.
119
page 119 ELP 201Mineure ELP
Caractéristique I=f(V) de la photodiode
Photo-courant
V
I
Tension inverse Tension directe
avecillumination
tension Zener
sansillumination
Sans éclairement, la photodiode présente la caractéristique I=f(V) classique d’une diode. Quand elle est éclairée, la caractéristique est décalée vers le bas de la valeur du photocourant.
120
page 120 ELP 201Mineure ELP
Le rendement quantique
Le rendement quantique interne du semi-conducteur :
Le rendement quantique externe du composant :
C’est le rendement quantique externe qui est utile (et accessible) àl’utilisateur.
matériauleparabsorbésphotonsdenombre
crééestrouélectronpairesdenombre −=intη
incidentsphotonsdenombre
crééestrouélectronpairesdenombreext
−=η
Le rendement quantique est le paramètre fondamental. On distingue le rendement quantique interne caractéristique du matériau massif et le rendement quantique externe qui est le rendement global du dispositif de réception complet et qui prend en compte la géométrie du composant, son optique de couplage et les pertes diverses.
121
page 121 ELP 201Mineure ELP
νη
h
P
e
I oext=
Nb d’électrons par seconde du photocourant
Nb de photons arrivant sur la photodiode par seconde
Relation entre puissance optique reçue et photocourant
Un flux lumineux de puissance moyenne P 0 à la longueur d’onde λλλλ correspond à P0/hνννν photons par seconde.
Si la probabilité de création d’une paire électron-t rou contribuant au photocourant est ηηηηext, on récolte ηηηηextP0/ hνννν électrons par seconde.
00 PSPh
eI ext ⋅=⋅=
νη
⇒⇒⇒⇒
S : sensibilité (en anglais responsivity R ) de la photodiode en A/W
La relation entre la puissance optique d’éclairement de la photodiode et le photocourant correspondant est particulièrement simple dans le cas d’une lumière monochromatique pour laquelle tous les photons transportent la même énergie. Le processus d’absorption s’effectuant au niveau quantique, on peut considérer la lumière comme un flux de photons engendrant un flux équivalent d’électrons dans la jonction, au rendement quantique près. Il y a donc proportionnalité entre photocourant et puissance optique reçue sur la jonction.
122
page 122 ELP 201Mineure ELP
Sensibilités typiques en régime photoconductif en fonction de λ λ λ λ pour différents matériaux
Chaque matériau semi-conducteur présente sa propre fenêtre de sensibilité. Le silicium est idéal pour le visible proche et le proche infrarouge autour de 800 nm, les composés ternaires et quaternaires pour l’infrarouge moyen. Le silicium, sous des formes cristallines diverses (polycristallin, monocristallin ou amorphe), est le matériau utilisé pour les cellules photovoltaïque.
123
page 123 ELP 201Mineure ELP
Sommaire
Les photodiodes dans les systèmes de transmission
Principe de la photodétection par jonction semi-con ductrice
Les photodiodes PIN
Les photodiodes à avalanche
De la photodiode au récepteur
124
page 124 ELP 201Mineure ELP
Zoned’absorption
Structure « mesa » à éclairement par le dessus
P
I
N
Photons
Substrat N
Zone P
Couche anti-reflet
Rc
Vp
Contact ohmique
Contactohmique
Er
Photographie : Lightwave
Mesa géologique
Mesa optoélectronique
La structure classique d’une photodiode PIN est appelée structure « mesa » qui signifie table ou plateau en espagnol. En géomorphologie, le mesa désigne une élévation de terre ou un plateau entouré de coteaux ou falaises abruptes. Effectivement, la photodiode mesa est construite en élévation par rapport à un substrat de base cristal semi-conducteur dopé N. sur celui-ci, on fait croître verticalement par épitaxie une couche de cristal semi-conducteur non dopé(Intrinsèque) puis une couche dopée P. Pour réaliser les électrodes, on dépose une couche d’or (en général) sur la face inférieure de la zone N et sur la face supérieure de la zone P. Le contact métal semi-conducteur est appelé contact ohmique car il se comporte comme une résistance très faible. Il faut prévoir un « hublot » d’éclairement de la photodiode par le dessus. Pour maximiser la lumière transmise à l’intérieur du cristal, une couche antireflet est déposée sur la couche dopée P.
125
page 125 ELP 201Mineure ELP
La photodiode PIN
anode cathode
Couche anti-reflet
x0 xp xn
P I N
W
Contacts ohmiques
L’insertion entre les zones P et N d’une large zone intrinsèque « I » vide de porteurs mobiles permet d’améliorer le rendement en maximisant la puissance lumineuse absorbée.Pour ce faire, il faut:
- une couche anti-reflet sur la puce.- une zone P mince et une zone N peu absorbante.- une zone I suffisamment large (mais pas trop car le temps de
transit augmente et avec lui le temps de réponse de la photodiode).compromis rendement–bande passante
126
page 126 ELP 201Mineure ELP
La puissance lumineuse décroît exponentiellement da ns le composant en, fonction de la profondeur de pénétration du rayonne ment:
Où αααα est le coefficient d’absorption
Absorption du rayonnement dans le composant
xp xn
Pabs
)Xexp()R1(P)X(P 0 α−⋅−=
0
P I N
P(x)
P0(1-R)
W
La puissance optique dans le matériau constitutif de la diode décroît de manière exponentielle. Il s’agit d’absorber le maximum de rayonnement dans la zone I la plus propice à la création de paires électron-trou qui ne se recombinent pas immédiatement.
127
page 127 ELP 201Mineure ELP
Rendement quantique externe d’une photodiode PIN
Pour la structure de diode PIN mesa, le rendement q uantique externe a pour expression:
Avecαααα : coefficient d’absorption de la lumière dans la di odeW : largeur (ou hauteur) de la zone IR : coefficient de réflexion de la couche anti-refl et
On en déduit la sensibilité :
))exp(1()1(int WRext αηη −−⋅−=
( ) ( )hc
eR1)Wexp(1)(S int
λαηλ −−−⋅=
Le rendement quantique externe d’une photodiode est évidemment inférieur au rendement quantique interne du matériau utilisé. Le rendement quantique interne est diminué par deux facteurs :
1) les pertes optiques à la pénétration dans le matériau. Il s’agit de maximiser la puissance transmise à l’intérieur du cristal. Compte tenu de la différence d’indice entre l’extérieur (air le plus souvent) et l’intérieur (matériau semi-conducteur), un traitement anti-reflet de la face d’entrée de la diode d’impose. Les matériaux semi-conducteurs utilisé ont un indice optique de l’ordre de 3,5 ce qui conduit un coefficient de réflexion en puissance de 30% du dioptre air/matériau !!
2) les pertes à l’absorption du rayonnement optique. En effet, du fait de la structure de la diode, le flux optique qui a pénétré dans la jonction n’est pas nécessairement absorbé en intégralité. La structure de la diode est donc fondamentale dans le rendement externe.
128
page 128 ELP 201Mineure ELP
Photodiode éclairée par le côté
Avantages: meilleur rendement à largeur de zone I id entique, moins de pertes.Inconvénient: couplage fibre-photodiode plus délica t.
Photons Rc
Vp
Contact ohmique
Contact ohmique
P
I
NΦΦΦΦ
Couche réfléchissante
Couche anti-reflet
On peut à la fois obtenir un bon rendement et une grande bande passante en éclairant directement la zone I par le côté. On découple alors les problèmes de rendement liés à la longueur du trajet optique dans le matériau du problème de la bande passante lié à la longueur du trajet des porteurs de charge. En contrepartie, le couplage de la lumière est plus délicat.
Au lieu d’éclairer la photodiode mesa par le haut, on éclaire directement zone I par le côté. La lumière effectue un trajet égal à la largeur de la diode. Si la face opposée est recouverte par une couche réfléchissante, on double ainsi le trajet dans le matériau. La puissance absorbée est donc plus importante que si la lumière arrivait par le haut et traversait la zone I dans le sens vertical. Le temps de transit des porteurs demeure lié à l’épaisseur de la zone I.
129
page 129 ELP 201Mineure ELP
Rc
Vp
Er
Photodiode guide optique
PhotonsΦΦΦΦ P
IN
Couche réfléchissanteContact ohmiqueCouche anti-reflet
La photodiode guide est l’ultime amélioration de la photodiode avec éclairement par le côté. Le couplage avec la fibre est optimisé de manière à maximiser la puissance transmise et donc le rendement. La courbe de rendement quantique en fonction de la fréquence montre une performance bien meilleure.
130
page 130 ELP 201Mineure ELP
Le courant d’obscurité
En l’absence d’éclairement, la photodiode polarisée en inverse est parcourue par un courant de faible intensité dit cou rant d’obscurité.
Ce courant est la somme de plusieurs courants dont :• un courant de surface liés aux charges piégées aux interfaces métal/semi-
conducteur.• un courant de volume dû aux charges liées aux impuretés du matériau.
• un courant de conduction par effet tunnel quand la tension inverse est élevéet l’énergie de bande interdite faible.
Le courant d’obscurité dépend beaucoup de la tempéra ture
Le courant d’obscurité est le courant de fuite de la diode lorsqu’elle est polarisée. Ce courant est dû à différentes imperfections de la diode. De ce fait, il a été peu à peu réduit au fur et à mesure des progrès technologiques.
Pour les photodiodes « télécom » actuelles, le courant d’obscurité est de l’ordre du nA et peut ainsi être négligé, ce qui n’était pas toujours le cas par le passé. Le courant d’obscurité est un courant continu qui se superpose au photocourant. Il estsource de bruit de grenaille et croît avec la température.
131
page 131 ELP 201Mineure ELP
Schéma électrique équivalent d’une photodiode PIN
La photodiode polarisée en inverse se comporte comm e un générateur de courant lorsqu’elle est éclairée .
Vpolar
Rcharge V0
Popt
⇔⇔⇔⇔ Rcharge
Cj
Rsh
Iph=S.Popt
Cboîtier
Rsérie
V0
Le schéma électrique équivalent d’une photodiode éclairée est simplement celui d’une diode auquel on rajoute un générateur de courant en parallèle. En première approche, on a donc un générateur de courant (le courant suit la puissance optique reçue) qui débite sur un circuit RC parallèle.
132
page 132 ELP 201Mineure ELP
Exemple : photodiode PIN InGaAs Fujitsu
Source: documentation en ligne Fujitsuwww.fujitsu.com
A titre d‘exemple, voici la fiche technique (data sheet) d’une photodiode PIN pour transmission à 2,5 Gbit/s sur fibre optique monomode. A base de InGaAs (composésemi-conducteur ternaire), elle est conçue pour fonctionner dans les deuxième et troisième fenêtres de transmission. La sensibilité en A/W est légèrement différente suivant la fenêtre, du fait de la différence d’énergie du photon entre 1,3 et 1,5 µm. En effet, à puissance identique, un flux optique à 1,55 µm contient plus de photons qu’un flux à 1,3µm. Sa détection engendrera donc un courant supérieur.
133
page 133 ELP 201Mineure ELP
Rendement quantique: diode PIN InGaAsFujitsu
Rendement quantique ≈≈≈≈ 80% à 1,3 µmhc
eS ⋅⋅= λληλ )()(On a
Source: documentation en ligne Fujitsuwww.fujitsu.com
La distinction entre rendement quantique et sensibilité est illustrée par ces deux graphiques.
En théorie, la sensibilité est proportionnelle à la longueur d’onde à rendement quantique constant. En réalité, on constate une car le rendement quantique baisse légèrement entre les deux fenêtres 1,3 et 1,5 µm.
134
page 134 ELP 201Mineure ELP
Courant d’obscurité de la photodiode PIN Fujitsu
Source: documentation en ligne Fujitsuwww.fujitsu.com
Figure 1
Figure 2
Pour illustrer le transparent précédent, voici les courbes représentant d’une part le courant d’obscurité en fonction de la tension de polarisation pour différentes températures (figure 1) et celle représentant le courant d’obscurité en fonction de la température. Le courant d’obscurité augmente avec la tension inverse de polarisation d’environ un facteur 10 quand on passe de 0 à 20V. Il augmente d’un facteur 1000 quand on passe de -40 à +80 °C, c’est-à-dire qu’il p asse du pA au nA, ce qui demeure très faible en absolu.
135
page 135 ELP 201Mineure ELP
Photodiode PIN Fujitsu: bande passante
Bande passante à 3 dB: environ 3 GHz Capacité de jonction quasim ent constante
La réponse en fréquence est très régulière et proche de l’idéal d’un filtre passe-bas du premier ordre. La capacité de jonction est quasiment indépendante de la tension de polarisation.
136
page 136 ELP 201Mineure ELP
Sommaire
Les photodiodes dans les systèmes de transmission
Principe de la photodétection par jonction semi-con ductrice
Les photodiodes PIN
Les photodiodes à avalanche
De la photodiode au récepteur
137
page 137 ELP 201Mineure ELP
Le phénomène d’avalanche Au delà d’une tension V a de polarisation inverse dite tension
d’avalanche, l’énergie cinétique des porteurs accélérés par le champ électrique est suffisante pour ioniser par ch oc des atomes du cristal et créer ainsi d’autres porteurs libres .
C’est le phénomène d’avalanche :
whν
Le phénomène d’avalanche permet de multiplier les paires électron-trou à partir de l’absorption d’un seul photon. Ce phénomène permet d’amplifier le signal en interne àla photodiode. La photodiode à avalanche est donc un photomultiplicateur à état solide.
138
page 138 ELP 201Mineure ELP
Le photocourant d’une diode avalanche
Un photon incident crée donc non pas une seule pair e de porteurs libres au maximum mais M paires en moyenne .
Le coefficient M est le coefficient de multiplicati on.
Le photocourant s’écrit donc :
M étant la valeur moyenne du coefficient de multipl ication, le processus de multiplication apporte un bruit de gre naille supplémentaire dit bruit en excès. Le facteur de br uit en excès est caractérisé par l’exposant x
optph PSMI ⋅⋅= )(λ
Le phénomène d’avalanche est cependant bruyant. Comme le coefficient de multiplication des paires électron-trou fluctue autour d’une valeur moyenne; il en résulte un bruit de grenaille supplémentaire. En pratique, il existe un coefficient M optimal qui maximise le rapport signal à bruit.
139
page 139 ELP 201Mineure ELP
M en fonction de la tension de polarisation
M
VpolarVa
≈≈≈≈1
10
T100n
bVV
1
1M
−−−−
≈≈≈≈
Va: tension d’avalancheVb: tension de claquage (« breakdown »)
n=1,4 - 4
Vb
M augmente avec la tension de polarisation Vpolar
M décroît avec la température.
Tension de polarisation forte:
Si: 500V
Ge: 30 V
Coefficient de multiplication M:
Si: M=100
Ge: M=10
Caractérisation par produit gain-bande MxB. M.B >> 200 GHz
En général, quand M augmente, la bande passante diminue.
Si le phénomène d’avalanche permet d’obtenir du gain en interne au composant, il est en revanche bruyant. La photodiode à avalanche est donc par nature plus bruyante que la photodiode PIN.
Compromis gain-bruit
140
page 140 ELP 201Mineure ELP
Une structure classique de PDA: la diode PππππPN
P+ I(π)(π)(π)(π) N+
x
Pe-
h+
Er
Zone absorbante I
photons
ΦΦΦΦ
E
Zone de multiplication(jonction abrupte)
Ea
x
141
page 141 ELP 201Mineure ELP
Sommaire
Les photodiodes dans les systèmes de transmission
Principe de la photodétection par jonction semi-con ductrice
Les photodiodes PIN
Les photodiodes à avalanche
De la photodiode au récepteur
142
page 142 ELP 201Mineure ELP
Mise en œuvre des photodiodes
Un récepteur optique complet comprend:• La photodiode de détection avec son optique de couplage.
• Le circuit de polarisation de la diode.• Le circuit d’amplification du signal à détecter et le circuit de polarisation.
• Éventuellement des filtres.
Le récepteur complet doit être adapté au signal à dét ecter:• En niveau optique minimum (sensibilité)
• En niveau optique maximum (éblouissement, saturation)• En bande passante (débit, modulation,…)
• En rapport signal sur bruit.
143
page 143 ELP 201Mineure ELP
Récepteur optique adapté
hν
Lumière incidente
Vs= G .VeVe = Rc. Iph
+ V
Rc
PIN: qqes volts
PDA: qqes dizaines de volts
préamplificateurfaible bruitIph
optCS PSRGV ⋅⋅⋅=
La tête optique de réception (front-end en anglais) est constituée de trois éléments fondamentaux: la photodiode, la charge et le préamplificateur. On fait ici abstraction des composants périphériques de polarisation et de découplage d’alimentation qui entrent également dans le calcul de la réponse en fréquence du récepteur complet. A l’origine, ces trois éléments étaient des composants discrets assemblés sur des circuits imprimés ou hybrides.
La photodiode polarisée en inverse produit un courant proportionnel à la puissance reçue. Ce courant traverse la résistance de charge. La tension aux bornes de cette dernière est amplifiée par le préamplificateur (généralement un transistor à effet de champ). Si le préamplificateur est linéaire, on obtient à sa sortie une tension proportionnelle à la puissance optique reçue.
144
page 144 ELP 201Mineure ELP
Récepteur optique moderne transimpédance
hν
Vs = Z . Iph
Z: transimpédance (en Ω ou dBΩ) en contre réaction de l’amplificateur: meilleur compromis bruit-bande
récepteurs intégrés PIN-FET ou APD-FET
+ V
Rc
Préamplificateurtransimpédance
Iph
optS PSZV ⋅⋅=
L’intégration monolithique a permis de rassembler en une seule et même puce les trois éléments fondamentaux que sont la photodiode, la résistance de charge et le préamplificateur (en général un transistor à effet de champ). La structure adoptée pour ce dernier est une structure transimpédance avec contre-réaction permettant d’optimiser la bande passante et le bruit.
145
page 145 ELP 201Mineure ELP
Schéma équivalent d’un récepteur optique
Cd Rc RaCa
Détecteur Amplificateur
in ain thin q
Iph
Résistancede charge
G
Vs
Source debruit quantique
Source debruit thermique
Source de bruit de l’amplificateur
Les deux schémas précédents sont équivalents à :
Le schéma équivalent du « front-end » optique de réception fait apparaître trois sections:
-La photodiode proprement dite avec sa source du bruit de grenaille qui débite sur les deux sections suivantes en parallèle.
-La résistance de charge et sa source de bruit thermique
-L’amplificateur avec son impédance d’entrée et sa source de bruit ramenée àl’entrée.
146
page 146 ELP 201Mineure ELP
Bande passante électrique de réception
La photodiode débite ainsi dans un circuit R-C parallèle où
Ce réseau est un filtre passe-bas du 1er ordre qui détermine la fréquence de coupure électrique du photodétecteur. On a:
Une bande passante de détection étendue implique une impédance de charge basse et une capacité réduite.
ac
ac
RR
RRR
+=
RCfc π2
1=
badtotale CCCC ++=
Capacité du boîtier
147
page 147 ELP 201Mineure ELP
Rapport signal sur bruit (SNR) après détection
En sortie du préamplificateur, le rapport signal su r bruit électrique s'écrit, dans sa forme la plus générale :
Iph : photocourantId : courant d'obscuritéIamp : courant de bruit du préamplificateurM : facteur de multiplication (égal à l’unité pour PIN)x : coefficient d'excès de bruit (nul pour PIN)∆∆∆∆f : bande passante électrique du récepteur
><+∆⋅+∆⋅+=
+ 22
2
4)(2
)(
ampc
xdph
ph
ifR
kTfMIIe
MISNR
148
page 148 ELP 201Mineure ELP
Exemple: un module APD-FET « Bookham »
Source: doc. en ligne Bookhamwww.bookham.com
149
page 149 ELP 201Mineure ELP
Caractéristiques du module APD-FET «Bookham»
Z
S
Sensibilité du récepteur
Source: doc. en ligne Bookhamwww.bookham.com
150
page 150 ELP 201Mineure ELP
Glossaire
PIN: jonction semi-conductrice à 3 zones dopées resp ectivement P -Intrinsèque-N
APD: A valanche P hotoD iode PDA: PhotoD iode à A valanche FET: Field E ffect T ransistor : transistor à effet de champ.
151
page 151 ELP 201Mineure ELP
C8Transmission sur fibre optique
Bases d’ingénierie
Michel MorvanENST Bretagne, Département d’optique
152
page 152 ELP 201Mineure ELP
Sommaire
Introduction, classification des systèmes
Le canal de transmission
Modulation des sources optiques
Récepteurs optiques et seuil de réception
Budget, marge, pénalité d’une liaison non amplifiée
153
page 153 ELP 201Mineure ELP
Les systèmes de transmission sur fibre optique
ÉmetteurE/O
RécepteurO/E
S R
Fonction: transporter l'information d'un point à un autre, sous forme optique, avec la meilleure qualité possible (c ouche physique du modèle OSI).
Canal optiquede transmission
(Fibres optiques, connecteurs/épissures, coupleurs, amplificateurs, MUX/DMUX, filtres,compensateurs de dispersion chromatique, etc…)
Signaux reçusSignaux émis
154
page 154 ELP 201Mineure ELP
Fenêtres de transmission des fibres en silice
1111èèèèrererere fenêtrefenêtrefenêtrefenêtre0,85 0,85 0,85 0,85 µµµµmmmm
2222èèèèmemememe fenêtrefenêtrefenêtrefenêtre1,3 1,3 1,3 1,3 µµµµmmmm
3333èèèèmemememe fenêtrefenêtrefenêtrefenêtre1,5 1,5 1,5 1,5 µµµµmmmm
Atténuation (dB/km)
Longueur d’onde(µµµµm)
155
page 155 ELP 201Mineure ELP
Structure d’un système de transmission sur fibre optique
Les modules d'émission et de réception sont de comp lexité et de coûts variables selon:• Les performances visées (débit, portée, marge)• L’application (réseau local, longue distance, sous-marin, etc…).
Les conditions de propagation (monomode ou multimode, dispersions diverses,…) et la composition du canal déterminent la conception et les performances globa les du système.
156
page 156 ELP 201Mineure ELP
Comparaison des fibres
gradient d’indice
nmonomode
r
réponse enimpulsion
profil d’indicetype de fibre
multimodenc
ng
50
10
62.5
φφφφ=125
157
page 157 ELP 201Mineure ELP
Bande passante des différentes fibres
Fréquence de modulation de la source optique
Coefficient d’atténuation
(dB/km)
1 MHz
0
10 MHz 100 MHz 1 GHz 10 GHz 100 GHz
1
2
3
4
multimodesaut d’indice
multimodegradient d’indice
monomodesaut d’indice
Le type de fibre impose la bande passante vue des i nterfaces de transmission.
158
page 158 ELP 201Mineure ELP
Bande passante des différentes fibres GRIN multimodes
5001500OM3
500500OM2
500200OM1
Bande passante à1300 nm (MHz.km)
Bande passante à850 nm (MHz.km)
Type de fibreISO/IEC 11801
OM : Optical Multimode
159
page 159 ELP 201Mineure ELP
Classification simple des systèmesFibre
Courte portéeDébit « moyen »
multimode monomode
Longue distanceet/ou haut débit
DatacomLAN &
réseaux locaux
Télécom &Datacom haut débit
160
page 160 ELP 201Mineure ELP
Sommaire
Introduction, classification des systèmes
Le canal de transmission
Modulation des sources optiques
Récepteurs optiques et seuil de réception
Budget, marge, pénalité d’une liaison non amplifiée
161
page 161 ELP 201Mineure ELP
Les caractéristiques de base de la fibre optique
L’atténuation (en dB/km) , proportionnelle à la dist ance.
Les effets de dispersion (se cumulent avec la dista nce)• dispersion intermodale (pour les fibres multimodes)• dispersion chromatique (ou intramodale).• dispersion modale de polarisation (PMD).
Les effets non-linéaires (la réponse de la fibre dé pend de la puissance en ligne)• effet Kerr (SPM, XPM, FWM).• effets de diffusion stimulée Brillouin et Raman.
162
page 162 ELP 201Mineure ELP
Fonction de transfert de la fibre optique
La réponse de la fibre optique est linéaire quand le champ électromagnétique propagé n’est pas trop intense.
Un tronçon de fibre est donc caractérisé par sa fonction de transfert :
)()A(=)H( ωωω Φ⋅ je
Α(ω) est l’atténuation du tronçon de fibre à la pulsation considérée.
Φ(ω) est le déphasage apporté par la propagation dans le tronçon de fibre.
( )ωeE ( )ωω es EHE ⋅= )(Tronçon de fibre optique monomode
( )tee ( )tethte es ∗= )()(
163
page 163 ELP 201Mineure ELP
Modélisation du canal fibre optique
)()()( vji
ievAH φν −⋅=
)()()( tjSS
SetPKtE ϕ−⋅= )()()( thtEtE SR ∗=
⋅
= ∑∑ )()()( * tEtEkSti RRR
)(tiS
Signal transmis Signal reçu
DEL oudiode laser
I
P
PhotodiodePIN ou APD
P
I
164
page 164 ELP 201Mineure ELP
Atténuation linéique d’une fibre optique
TX RX
Pe Pr
kmdBkmr
edB L
P
PA /log10 α⋅=
⋅=Atténuation de la fibre :
Fibre de longueur L (km)
αααα : atténuation linéique
165
page 165 ELP 201Mineure ELP
Atténuation de la fibre monomode à saut d’indice
Longueur d’onde(µµµµm)
Atténuation (dB/km)1
.8
.6
.4
.2
01 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
0,18 dB/km
Pic d ’absorption OH
166
page 166 ELP 201Mineure ELP
Dispersion chromatique d’une fibre
TX RX
te tr
er ttt −=∆ )(λTemps de propagation de groupe :
Dispersion chromatique :
Fibre de longueur L (km)
( ))(
)()( λ
λλλ dL
d
tdD ⋅=∆=
unité: ps/nm.kmLa dispersion chromatique est la variation du temps de propagation de groupe par rapport à la longueur d’onde
unité: ps/nm
167
page 167 ELP 201Mineure ELP
Dispersion chromatique de la fibre standard
10
-10
20
0
1200 1300 15001400
-20
1310
1550
17
Dispersion (ps/nm.km)
Longueur d’onde (nm)
D<0: les fréquences basses se propagent plus vite q ue les hautes. C’est le régime de dispersion normale
D>0: les fréquences hautes se propagent plus vite q ue les basses. C’est le régime de dispersion anomale
168
page 168 ELP 201Mineure ELP
Zones d’utilisation de la fibre optique monomode
Longueur d’onde ( µµµµm)
Atténuation (dB/km)
1
.8
.6
.4
.2
01 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
Dispersion (ps/nm.km)
20
10
- 10
- 20
0
169
page 169 ELP 201Mineure ELP
Les principaux types de fibres monomodes Fibre monomode standard à saut d’indice
• ~ 0 ps/nm.km @ 1310 nm• ~ 17 ps/nm/km @ 1550 nm• standard ITU-T G.652 (SSMF: Standard Single Mode Fi ber)
Fibre à dispersion décalée (prévue pour transmission TDM à haut débit, désormais délaissée)• DC ~ nulle @ 1550 nm.• standard ITU-T G.653 (DSF: Dispersion Shifted Fiber)
Fibre à dispersion réduite ( pour transmission WDM longue distance)• Ex: LEAF: DC de 2 à 6 ps/nm.km typ. de 1530 à 1560 nm• standard ITU-T G.655 (NZDSF: Non–Zero Dispersion Shi fted Fiber)
170
page 170 ELP 201Mineure ELP
Dispersion des différentes fibresmonomodes
SMF
Dis
pers
ion
(ps/
nm×k
m)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
Atté
nuat
ion
(dB
/km
)
1600 1700140013001200 15001100
Longueur d’onde (nm)
DSF
20
10
0
-10
-20
Bande de gain de l’EDFA
NZ-DSF
Atténuation(tous types de fibres)
NZ-DSF
171
page 171 ELP 201Mineure ELP
Sommaire
Introduction, classification des systèmes
Le canal de transmission
Modulation des sources optiques
Récepteurs optiques et seuil de réception
Budget, marge, pénalité d’une liaison non amplifiée
172
page 172 ELP 201Mineure ELP
Caractéristiques spectrales des sources optiques
Diodes électro-luminescente (LED)• Puissance optique : 0.1 – 0.5 mW• Longueur d’onde : 1300 nm• Largeur spectrale : 50 - 150 nm• Débit max (DM): qqes centaines de Mbit/s
Diodes laser multimodes (Fabry-Pérot, VCSEL)• Puissance optique : 1 – 10 mW• Longueur d’onde FP : 1300 - 1550 nm• Longueur d’onde VCSEL : 850 nm • Largeur de l’enveloppe spectrale : 2 - 10 nm• Débit max(DM): jusqu’à 10 Gbit/s
Diodes laser monomode (DFB, DBR)• Puissance optique : 1 – 10 mW• Longueur d’onde : 1300 - 1550 nm• Largeur spectrale : 0,1 - 0,5 pm• Débit max (DM): jusqu’à 10 Gbit/s
P
λ
λοP
λ
λο
λ
λοP
173
page 173 ELP 201Mineure ELP
Association source - fibre
fibre source
multimode 50/125 µm
monomode 9/125 µm
DEL ou DSL
(spectre large)
pas de problème
- spectre trop large - couplage difficile
laser Fabry Pérot (spectre de raies)
bruit modal
- OK pour 1,3 µm - dispersion trop grande à 1550 nm
laser DFB ou DBR
(raie unique)
bruit modal
transmission sur
fréquence porteuse
Le bruit modal se traduit par une fluctuation de la puissance reçue.
174
page 174 ELP 201Mineure ELP
Largeur de source et dispersion chromatique
avec une fibre monomode standard D = 17 ps/nm.km à 1 .55 µm
avec une fibre monomode à dispersion décalée D = 1 p s/nm.km à 1.55 µm
Source Largeur
spectrale (nm)
∆τ∆τ∆τ∆τ (ps) Bande Passante 1000/ ∆τ∆τ∆τ∆τ(GHz) par km de fibre
DEL 50 50 20
Laser FP 2 2 500
Laser DFB 0.02 0,02 50 000
Source Largeur spectrale
(nm)
∆τ∆τ∆τ∆τ (ps) Bande Passante 1000/ ∆τ∆τ∆τ∆τ(GHz) par km de fibre
DEL 50 750 1.33
Laser FP 2 30 33
Laser DFB 0.02 0.3 3333
175
page 175 ELP 201Mineure ELP
Classification des systèmes sur fibre monomode
Source laser
Courte portée(10 km max)
Débit moyen à fort(2,5 Gbit/s max)
FP(multimode)
DFB(monomode)
Longue distance (de 2 à4000 km)
et/ou haut débit622 Mbit/s à 40 Gbit/s
Datacom haut débitRéseaux métro
Datacom très haut débitWDM LH et ULH
176
page 176 ELP 201Mineure ELP
La photodétection: une détection quadratique
+ VPIN: qqes volts
PDA: qqes dizaines de voltsLumière incidente
Rc
préamplificateurfaible bruit
SEchampr
*2
SSSoptph EEEPSIrrr
⋅=∝⋅=
ES VGV ⋅=phCE IRV ⋅=
L’information de phase contenue dans le champ est p erdue
177
page 177 ELP 201Mineure ELP
Modulations numériques utilisées en optique
Dans les systèmes à détection d’intensité, le signal optique transmis est unipolaire : on module une puissance qui est une grandeur positive.
On utilise des modulations à deux niveaux (considéra tions de simplicité à haut débit) sur un canal à grande bande p assante.
NRZ
RZ
1 0 111 00
Manchester
178
page 178 ELP 201Mineure ELP
Modulation directe d’un laser On module le courant de polarisation du laser:
I
Poptique
P0
Pmin
Pmax
I0
179
page 179 ELP 201Mineure ELP
Modulation directe des lasersLa densité de porteurs est modifiée par la modulation : [n] = f(t)
→→→→ indice du SC n = f( t )
→→→→→→→→ longueur d’onde λλλλ =f( t )
C’est le phénomène de « chirp »
Intensité
lumineuse
Porteurs
t
Chirp observé
Élargissement du spectre d’émission du laser
180
page 180 ELP 201Mineure ELP
Diagramme de l’œil On observe le diagramme de l’œil en visualisant le signal reçu sur
un oscilloscope synchronisé par l’horloge récupérée.
Récupération d’horloge
hν
Préamp.faible bruit
GO/E
Filtre passe-bas
Sync.
Signal
Oscilloscope
181
page 181 ELP 201Mineure ELP
Effet du chirp à l’émission
100 km
0 km
Spectre du signal optique émis
f0f1
Diagrammes de l’œil
Le chirp à l’émission détermine la dispersion chroma tique (en ps/nm) maximale admissible sur la liaison.
182
page 182 ELP 201Mineure ELP
Propagation d’une impulsion optique « chirpée »
Impulsion optique « chirpée » à l’émission
La fibre présente un temps de propagation de groupe qui dépend de la longueur d’onde : l’impulsion est distordue et étalée temporellement.
Temps
Fibre optiquedispersive avec D>0
Impulsion optique étalée en réception
Temps
ff
fréquence fréquence
Spectre en puissance inchangé
183
page 183 ELP 201Mineure ELP
Modulation externe des lasers
On utilise un dispositif de modulation séparé de la source:• modulateur électro-optiques en LiNbO3.• modulateur à électro-absorption
Bande passante de modulation: jusqu’à 30 GHz.
Sourcelaser continue
données
Mod. Ext.
184
page 184 ELP 201Mineure ELP
Le modulateur interférométrique de Mach-Zehnder
On utilise un effet électro-optique pour modifier l a phase dans l’une des branches de l’interféromètre et ainsi modifier l’in tensité à la recombinaison.
L
Signal à transmettre
( )∆Φ+= iE
E inout exp1
2
∆Φ−⋅ iin eE
2
2inE
inE
∆Φ⋅=2
cos2inout PPLnL ⋅∆⋅=⋅∆=∆Φ λ
πβ 2
185
page 185 ELP 201Mineure ELP
Caractéristique d’un modulateur Mach-Zehnder
avec
Vππππ-2 Vππππ -Vππππ 2 Vππππ0
in
out
P
P
V
⋅⋅=
π
πV
VPP inout 2
cos2
nnn moyen ∆+=d
Vnrn moyen
3
2
1 ⋅⋅=∆
Effet Pockels: variation d’indice proportionnelle a u champ scalaire.
186
page 186 ELP 201Mineure ELP
Modulation par modulateur de Mach-Zehnder
Polarisation à 2Vππππ−−−−
V
Tension électrique
Puissance optique
Signaux en phase Tension
électrique
Puissance optique
Signaux en opposition de
phase
VVπ-Vπ 0
1
Vπ/2Vπ-Vπ 0
1
-Vπ/2
Polarisation à2πV+
187
page 187 ELP 201Mineure ELP
Modulateur à électro-absorptionDiode intégrable avec le laser
Sans polarisation
λ λ λ λ
Absorption αααα
∆α∆α∆α∆α
λλλλsignal
polarisation inverse
( )LVPP inout ⋅⋅Γ−⋅= )(exp α
P0 : puissance couplée dans le guide.
ΓΓΓΓ : le facteur de confinement optique.
αααα(V) : coefficient d’absorption fonction de V
L : longueur du guide.
Tension inverse (∼∼∼∼4Vmax)
Puissance optique de sortie
Tension électrique
Puissance optique
En opposition de phase
188
page 188 ELP 201Mineure ELP
Tension de commande: dépend de la technologie:• 1 à 3 V pour les modulateurs électro-absorbants• 4 à 7 V pour les modulateurs LiNbO3
Bande passante: dépend du débit. Une valeur supérie ure à 0,75 x débit est recommandée.
Taux d’extinction: une valeur autour de 10 dB est r ecommandée
Coefficient de chirp αααα: dépend de l’architecture du modulateur et de la technologie:
• α = -0,7 pour un modulateur Mach-Zehnder simple.• α réglable (positif, nul ou négatif) pour les modulateurs Mach-Zehnder push-pull• α < -0,7 plus fort pour les modulateurs électro-absorbants.
le chirp fixe la valeur maximale de dispersion chro matique admissible pour l’émetteur optique.
Caractéristiques principales des modulateurs
189
page 189 ELP 201Mineure ELP
« Chirp » d’une modulation d’amplitude
Le facteur de couplage phase-amplitude (« chirp ») d’ une modulation directe ou externe est défini par :
( )dtdI
I
dtd
H
⋅
=1
φα
Ce coefficient est appelé facteur de Henry. Il vaut
• plusieurs unités (de 3 à 7) pour une modulation directe.• - 0,7 pour un modulateur de Mach-Zehnder simple.• 0 pour un modulateur de Mach-Zehnder symétrique.
La modulation d’amplitude est d’autant meilleure qu e le facteur de Henry est faible.
190
page 190 ELP 201Mineure ELP
Propagation d’une impulsion non « chirpée »
Diagrammes de l’œil (NRZ) à 10 Gbit/s en modulation d’amplitude idéale après transmission sur fibre standard G.652
0 km
120 km
60 km
180 km
L’encombrement spectral naturel de la modulation d’ amplitude pure suffit à limiter la portée de transmission.
191
page 191 ELP 201Mineure ELP
Longueur de dispersion
Le caractère dispersif d’une fibre peut s’apprécier en calculant la longueur de dispersion :
T0 est la largeur de l’impulsion initiale et ββββ2222 la dérivée seconde de la constante de propagation de la fibre.
Cette longueur représente la distance au bout de la quelle une impulsion à profil gaussien est déphasée de ππππ du fait de la dispersion chromatique
2
20
βT
LD =22
1 2)D( β
λπ
λβλ ⋅−== c
d
doù
192
page 192 ELP 201Mineure ELP
Dispersion chromatique : élargissement d’une impulsion
impulsion à profil d’amplitude gaussien
avec D : dispersion chromatique
dZ L
Ztt += 10
D
ctLD 2
202
λπ=
T BIT
Z…
zto tz
1 0 1 1
T BIT
…
pour une fibre monomode G.652 : D = 0 à la longueur d’onde 1.3 µm
193
page 193 ELP 201Mineure ELP
Sommaire
Introduction, classification des systèmes
Le canal de transmission
Modulation des sources optiques
Récepteurs optiques et seuil de réception
Budget, marge, pénalité d’une liaison non amplifiée
194
page 194 ELP 201Mineure ELP
Récepteur optique transimpédance (front- end)
hν
Préamplificateurtransimpédance
Vs = Z x Iph
Z: transimpédance de l’amplificateur (en ΩΩΩΩ ou dB ΩΩΩΩ)
optphS PSZIZV ⋅⋅=⋅=
Popt
+ VRc
195
page 195 ELP 201Mineure ELP
Exemple: un module PIN-FET « Bookham »10G
11 mm
Source :www.bookham.com
196
page 196 ELP 201Mineure ELP
Z S
Sensibilité du récepteur
Caractéristiques du module PIN-FET «Bookham»
197
page 197 ELP 201Mineure ELP
Schéma bloc d’un récepteur optique (code NRZ)
Préamplificateurfaible bruitSignal
optique incident
O/E
CK
Rec.
Récupération de rythme
Récepteur O/E
Filtre passe-bas
Echantillonneur
Comparateur
Signal électrique
binaire régénéré
Signal d’horloge
198
page 198 ELP 201Mineure ELP
Si on compte N e bits erronés sur N bits reçus, on définit le taux d’erreurs sur les bits (TEB) ou BER (Bit Error Rate) en anglais par:
N
NlimTEB e
∞→= N
Signal reçu
Signal émis
Erreur
Le taux d’erreurs sur les bits ou TEB
Le critère fondamental de qualité d’une transmission numérique est le taux d’erreurs sur les bits (ou TEB). On peut ensuite dériver du TEB d’autres indicateurs de qualité adaptés aux applications comme le nombre de secondes erronées ou gravement erronées.
La mesure du TEB est d’autant plus précise que le nombre N de bits reçus est grand, donc que le temps de comptage est long.
Quand les erreurs sont en nombre suffisant, une étude statistique de la distribution de celles-ci au fil du temps donne certaines indications sur les causes probables de perturbation de la transmission. Par exemple, si les erreurs sont réparties de manière homogène et obéissent àune statistique de Poisson, alors on peut supposer que les erreurs sont dues au bruit reçu avec le signal. Si par contre les erreurs arrivent en rafales, on est en présence d’un phénomène intermittent: ce peut être une dégradation passagère du canal de transmission, une interférence électromagnétique ou un défaut intermittent d’un organe de la chaîne.
Si les caractéristiques du canal varient au cours du temps, les erreurs peuvent survenir en rafale et il s’agit alors d’adopter les moyens de codage de canal adéquats pour s’en protéger. Si au contraire le canal est stable, les rafales d’erreurs sont synonymes de dégradation du système.
199
page 199 ELP 201Mineure ELP
Temps de comptage pour TEB +/- 30%: Ne=100
116 j10-159953,28
10 s10-99953,28
465j10-152488,32
40 s10-92488,32
7442 j10-15155,52
643 s10-9155,52
TempsTEBDébit (Mbit/s)
200
page 200 ELP 201Mineure ELP
Du signal binaire à l’histogramme des échantillons
Seuil de décision : valeur de I d
τ
occurrence
signal
Probabilité d’avoir un 1 : p(1)
Probabilité d’avoir un 0 : p(0)
Probabilité d’erreur
I1
I0
Fenêtre d’échantillonnage
t
201
page 201 ELP 201Mineure ELP
Calcul du TEB pour un bruit gaussien
I1
ID
I0
20 0200 0
( )1 1P(1/0) exp
2 22 2D
D
I
I I I IdI erfc
σσ π σ∞ − −= − =
∫
21 1211 1
1 ( ) 1P(0/1) exp
2 22 2
DI DI I I IdI erfc
σσ π σ−∞
− −= − =
∫
+
Hypothèse: bruit total gaussien en réception et pui ssance de bruit différente suivant le symbole.
01
1 0
1BER
4 2 2DD I II I
erfc erfcσ σ
−−= +
=
I
202
page 202 ELP 201Mineure ELP
=
−+
−=σσσ 222
1
224
1 01 derfc
VVerfc
VVerfcTEB DD
Avec d : distance entre les deux symboles
Si le bruit blanc additif gaussien est indépendant du symbole reçu, on a σσσσ1=σσσσ0=σσσσ.
Le seuil de décision doit être placé à mi-distance de s deux niveaux pour une performance optimale. On a donc:
Calcul du TEB pour un signal binaire avec BBAG
Si le canal est à bruit blanc additif gaussien, les probabilités de dépassement du seuil de décision pour le symbole « 0 » et pour le symbole « 1 » s’expriment à l’aide de la fonction d’erreur complémentaire erfc(x). La probabilité d’erreurs sur les bits (PEB) dépend donc uniquement du rapport d/σ de la distance entre symboles sur l’écart type du bruit blanc. L’écart entre symboles est proportionnel à la puissance du signal reçu.
Si le niveau de bruit dépend du symbole reçu, il faut distinguer l’écart type du bruit sur le « 0 »de l’écart type du bruit sur le « 1 ».
203
page 203 ELP 201Mineure ELP
Le TEB est minimal pour ce qui correspond à
l’équiprobabilité des erreurs sur les « 1 » et les « 0 ».
On a alors :
On a donc :
Le TEB en fonction du facteur Q
10
0110
σσσσ
++= II
I d
01
01
0
0
1
1
σσσσ +−=≅−=− II
QIIII dd
32
)2/exp(
22
1 2
≥−≈
= QsiQ
QQerfcTEB
π
204
page 204 ELP 201Mineure ELP
Courbe TEB=f(Q)
Q
TEB
7,6.10-2410
1,1.10-199
6,2.10-168
1,3.10-127
9,9.10-106
2,9.10-75
3,2.10-54
1,3.10-33
TEBQ
205
page 205 ELP 201Mineure ELP
où m 1 et m 0, σσσσ1 et σσσσ0 sont respectivement les moyennes et les écarts type des échantillons au niveau "1" et au niveau "0 " respectivement.
1 0
1 0
m mQ
σ σ−=+
A partir de l’histogramme des échantillons du diagr amme de l’œil obtenu en réception après filtrage, l’oscilloscope calcule le facteur Q précédemment défini par:
Obtention du facteur Q
Fenêtre d’échantillonnageHistogramme du bruit
m1
m0 t
σσσσ1111
σσσσ0000
206
page 206 ELP 201Mineure ELP
><?
Bruits thermiques
Bruit quantique du photocourant
élecSampc
élecélecd
S
BeSPiR
kTBBeI
SPSNR
24
2
)(
2
2
+><++=
Rc Vs
Ps
préamplificateurfaible bruit
Lumière incidente
Ve = Rc x Iph
Bruit quantique du courant d’obscurité
Rapport SNR en photoréception avec diode PIN
Courant de bruit thermique : blanc
En photodétection, le bruit quantique ou de grenaille est proportionnel au photocourant et donc à la puissance optique reçue. Pour les photodiodes modernes, le courant d’obscurité est très faible, ce qui engendre un bruit de grenaille négligeable. Quant au bruit thermique, il est indépendant du niveau de signal optique reçu.
A faible puissance reçue, le bruit thermique est donc dominant. On peut alors simplifier l’expression du SNR.
207
page 207 ELP 201Mineure ELP
f∆
R
Tk ⋅4
f
( )fγ
Réseauélectronique R
Résistance « bruyante » ⇔⇔⇔⇔ Réseau
électronique
Résistancenon
« bruyante »R
<i² th>
R
fTki th
∆⋅⋅>=< 42
Le bruit thermique (ou bruit Johnson)
Le bruit Johnson est dû à l'agitation thermique des électrons dans les matériaux conducteurs et semi-conducteurs. Il est présent dans les résistors et les transistors à température ambiante. Le courant de bruit thermique se superpose au courant traversant le composant. En électronique, on le modélise en considérant des résistances non-bruyantes avec en parallèle (resp. en série) un générateur de courant (resp. un générateur de tension) de bruit (cf. cours ELP102 en S1).
Pour toutes les applications en électronique jusqu’à quelques milliers de GHz, ce bruit est considéré comme blanc . Il est à moyenne nulle et obéit à une statistique gaussienne.
208
page 208 ELP 201Mineure ELP
qq iIititi +=+>=< )()(
Courant électrique i(t)
t
I=< i(t) >
Composante aléatoire du courant: bruit de grenaille blanc, gauss ien et centré
0>=< qiavec
fIeiq ∆⋅⋅>=< 22
e=1,6.10-19 C, charge élémentaire
.
iq
Le bruit de grenaille (ou bruit Schottky)
Le bruit de grenaille (ou bruit Schottky) est une conséquence de la nature corpusculaire du courant électrique (flux d’électrons) ou du rayonnement électromagnétique (flux de photons). Pour cette raison, il est aussi appelé bruit quantique, notamment en communications optiques, où il peut dans certains cas représenter la principale contribution au bruit total. Le bruit de grenaille est inévitable et accompagne tout courant électrique ou flux de photons.
Le courant électrique n’est en effet pas un continuum de charge en mouvement mais un flux d’électrons irrégulièrement espacés portant chacun une charge élémentaire. La loi statistique qui régit le passage des électrons ou des photons est la loi de Poisson. Nous autres humains avons du bruit de grenaille une expérience acoustique: c’est par exemple le bruit de la pluie sur une vitre. Chaque goutte de pluie frappe la vitre provoquant un son de type impulsionnel. La superposition de toutes ces impulsions nous apparaît comme un bruit de type grenaille.
Pour le passage d’un grand nombre d’électrons par unité de temps, ce qui est pratiquement toujours le cas en électronique, la loi de Poisson tend vers une loi de Gauss. C’est la raison pour laquelle le bruit de grenaille est considéré comme gaussien.
209
page 209 ELP 201Mineure ELP
Bruit de grenaille en détection optique
La puissance du courant de bruit de grenaille (ou quantique) dû au photocourant sur la bande électriqu e du récepteur s’écrit donc:
Contrairement au bruit thermique, la puissance de b ruit de grenaille dépend donc de la puissance optique reçue .
élecphq BIei ⋅⋅>=< 22 avec optph SPI =
210
page 210 ELP 201Mineure ELP
Le rapport SNR est défini par:
Donc
bruit
crêteSignal
P
PSNR=
2
2
2
2 )(
σσSPd
SNR ==
Pour un signal unipolaire en tout ou rien (modulati on OOK), on a:
Expression du TEB en fonction du rapport SNR
dt
0
d
P, I
=
=électh
moy
Bd
SPerfcSNRerfcTEB
222
1
22
1
2
1
On peut parler de rapport signal à bruit quant le bruit est indépendant du signal reçu. C’est notamment le cas du canal BBAG largement utilisé en transmission radioélectrique et par extension pour toutes les transmissions où le bruit thermique est dominant.
Ici, nous prenons comme convention la puissance crête du signal pour le calcul du rapport SNR. Vous pouvez également trouver des ouvrages où l’on prend la puissance moyenne, auquel cas on trouve un facteur 2 entre les deux rapports.
Le rapport SNR est une fonction croissante de la puissance du signal reçu alors que la PEB est une fonction décroissante de P. Pour que la PEB soit inférieure à une valeur limite fixée, il faut donc que la puissance reçue soit supérieure à une puissance donnée dite seuil de réception ou de détection.
211
page 211 ELP 201Mineure ELP
Relation entre facteur Q et rapport SNR
Le rapport SNR électrique après détection est défin i par la relation:
En reprenant le même signal idéal, on obtient :
Donc finalement :
bruit
crêteSignal
P
PSNR=
( ) ( )2
2
21 2QBd
SP
P
PSNR
électhbruit
crêteSignal =⋅
==
2
SNRQ =
= SNRerfcTEB22
1
2
1et
Rappel : cette relation entre facteur Q et SNR est valable uniquement quand le bruit thermique est dominant
212
page 212 ELP 201Mineure ELP
Détermination du seuil de réception
On doit donc augmenter la puissance reçue Ps pour diminuer le TEB.
Si on se fixe une limite supérieure du TEB, on se fixe de ce fait une limite inférieure pour la puissance reçue. Cette limite est le seuil de réception (à taux d’erreurs donné).
)( SPfSNR=On a
fonction croissante de Ps
)( SPgTEB= fonction décroissante de Ps
minmax SS PPTEBTEB >⇒< Seuil de réception
213
page 213 ELP 201Mineure ELP
Pour un signal idéal avec un taux d’extinction infini, le niveau de puissance optique pour « 0 » est nul donc m0=0.
On a σ0=0 car le bruit quantique est proportionnel au photocourant.
En limite quantique pour un signal idéal, le facteur Q devient donc :
Le facteur Q en limite quantique
élecélec eB
SP
BeSP
SPmmmQ
221
1
1
1
1
01
01 ===+−=
σσσ
21
2Q
S
eBPP élec
moy ⋅==Soit une puissance moyenne reçue :
214
page 214 ELP 201Mineure ELP
Pour un signal idéal avec un taux d’extinction infini, le niveau de puissance optique pour « 0 » est nul donc m0=0.
Si le bruit thermique est dominant, on a σ1=σ0= σth avec :
Pour un bruit thermique dominant en réception d’un signal idéal, le facteur Q s’écrit donc :
Le facteur Q pour un bruit thermique dominant
électhth Bd
SPmmmQ
2
11
01
01
22==
+−=
σσσ
électhth Bd ⋅= 22σ
QS
BdPP électh
moy ⋅==2
1
2Soit une puissance moyenne reçue :
215
page 215 ELP 201Mineure ELP
Seuils de réception typiques
Seuils de réception typiques des modules de récepti on actuels:
à 2,5 Gbit/s pour TEB=10 -10 :• PIN/transimpédance: de -28 dBm environ • APD/transimpédance : de -30 à -35 dBm• avec préamplificateur optique: -42 dBm environ.
à 10 Gbit/s pour TEB=10 -10 :• PIN/transimpédance: de -15 à -20 dBm • APD/transimpédance : de –20 à -25 dBm environ• avec préamplificateur optique: -30 dBm environ.
216
page 216 ELP 201Mineure ELP
Sommaire
Introduction, classification des systèmes
Le canal de transmission
Modulation des sources optiques
Récepteurs optiques et seuil de réception
Budget, marge, pénalité d’une liaison non amplifiée
217
page 217 ELP 201Mineure ELP
Définitions: budget et bilan de liaison, marge
• Le seuil de réception (à TEB donné) d’un récepteur optique est la puissance nécessaire en entrée de celle-ci pour assurer le dit TEB.
• Le budget de liaison (à TEB donné) est l’atténuation (en dB) que l’on peut supporter entre la sortie de l’émetteur et l’entrée du récepteur pour assurer le dit TEB. C’est la différence (en dB) entre la puissance émise et le seuil de réception.
• Le bilan de liaison désigne la répartition du budget de liaison sur les différents postes d’atténuation (fibre, connecteurs, marge, pénalité,…). Il découle de l’ingénierie choisie pour la liaison.
• La marge en puissance est la différence de puissance (en dB) entre le niveau de réception dans les conditions opérationnelles de fonctionnement et le niveau de réception minimum permis par les interfaces pour une qualitédonnée.
218
page 218 ELP 201Mineure ELP
Performances d’un système non-amplifié
Pour un système non-amplifié optiquement, c’est le b udget qui détermine la performance sur une fibre donnée. Il f aut donc connaître :• La puissance à l’émission.
• Le seuil de réception : puissance en réception pour un TEB donné.
La réception va généralement s’effectuer à faible ni veau de signal, donc à bruit thermique dominant. Le seuil de récepti on s’exprime donc en fonction du facteur Q et des paramètres car actéristiques du récepteur:
QS
BdPP électh
moy ⋅==2
1
2
219
page 219 ELP 201Mineure ELP
Marge et budget de liaison
Puissance émise
Seuil de détection @ 10 -N
Puissance reçue
Budget maximumpermis par les interfaces
Marge
Budget de la liaison
Bmax= Budget effectif de liaison + Marge
Niveaux de puissance
220
page 220 ELP 201Mineure ELP
Pénalité de transmission
-11
-10
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-32 -31 -30 -29 -28 -27 -26 -25 -24 -23 -22
Puissance reçue (dBm)
10 log (BER)Courbes TEB=f(P reçue )
Pénalité de 3 dBen puissance
Émetteur Récepteur
Back-to-back
signal émis(back-to-back)
Canal de transmission
Sur canal de transmission
après transmission sur le canal
La pénalité de transmission, appelée aussi pénalité de conduit dans le cas de la transmission sur fibre optique ou sur câble, est l’écart de puissance (en dB) à TEB constant donné (10-9 dans ce cas précis), entre les niveaux de réception avec et sans propagation.
Cette pénalité traduit le fait que la canal de transmission distord le signal, ce qui a pour conséquence d’augmenter le niveau de réception pour récupérer la même distance entre signaux (à bruit constant).
221
page 221 ELP 201Mineure ELP
Influence de la pénalité sur le budget effectif
Pémise
Seuil de détection @ 10 -N
en back to back
Budget effectif de liaison
Niveaux de puissance
Pénalité du canal depropagation
Seuil de détection @ 10 -N
sur canal de transmission
Preçue
Marge
Budget maximum autorisépar les interfaces