View
246
Download
6
Category
Tags:
Preview:
DESCRIPTION
Metode deposisi uap kimia/chemical vapor deposition (CVD) merupakan proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan mikrosistem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis. Dalam metode CVD atau deposisi uap kimia ini, kristal terbentuk dari reaktan dalam fasa uap atau gas. Garis besar metode: Starting material yang volatil dicampur dalam temperatur yang sesuai sehingga diperoleh produk kristal padat. Penggunaan metode ini untuk mensintesis WOx (Tungsten Oksida) dalam Film Tipis.Tungsten oksida adalah bahan utama dalam berbagai macam perangkat elektrokromik, termasuk ‘smart’ windows, tampilan dan penanda. Dengan membiarkan kontrol listrik transmisi cahaya dan refleksi, jendela elektrokromik dapat meningkatkan kenyamanan, mengoptimalkan pencahayaan dan mengurangi konsumsi energi di gedung-gedung. Menampilkan elektrokromik memiliki visibilitas yang baik dalam berbagai kondisi dan sudut pandang, tanpa terus-menerus kekuatan gambar. Film tipis tungsten oksida telah dibuat oleh berbagai metode. Termasuk metode fisika, seperti penguapan, deposisi laser sputtering dan berdenyut, dan metode kimia, seperti deposisi uap kimia (CVD), sol-gel dan metode elektrokimia. CVD pada tekanan atmosfer (APCVD ) memiliki keuntungan dari skalabilitas untuk area yang luas dengan ketebalan yang seragam dan biaya yang berpotensi rendah. Misalnya, wilayah yang sangat besar konservasi energi yang diolah dari timah oksida fluor doped dibuat oleh APCVD pada jendela kaca lebih lebar 3 m.
Citation preview
ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF ELECTROCHROMIC TUNGSTEN OXIDE FILMS
(Deposisi Uap Kimia Tekanan Atmosfer Film Elektrokromik Tungsten Oksida)
Disusun Oleh:Shinta Yuniar J1B110010Yusy Muridha SariJ1B110017Rara Iuda V. T J1B111025Miftahul Aulya I. J1B111027Ari WahyudiJ1B110033Deby Dwi Diliaty J1B111046Hapsari Tyas P.PROGRAM STUDI S-1 KIMIA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS LAMBUNG MANGKURATBANJARBARU
2013
EDI MIKRIANTO.,S.Si.,M.Si Pembimbing Mata Kuliah SSA (Sintesis Senyawa Anorganik)
EDI MIKRIANTO.,S.Si.,M.Si Pembimbing Mata Kuliah SSA (Sintesis Senyawa Anorganik)
Latar Belakang…
• Banyaknya jenis metode sintesis material
• Tungsten Oksida
• Metode Chemical Vapor Deposition/Deposisi Uap Kimia
ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF ELECTROCHROMIC TUNGSTEN OXIDE FILMS
(Deposisi Uap Kimia Tekanan Atmosfer Film Elektrokromik Tungsten Oksida)
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION/
DEPOSISI UAP KIMIA
METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION
HOT FILAMENT CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION(HFCVD)
LASER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(LCVD)
THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION
PHOTO-ASSISTED CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION
ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(APCVD)
Chemical vapour deposition is essentially the formation of a thin film on a substrate, of varying description, by a chemical reaction of vapour phase precursors.
The reaction in these instances occurs in the gas-phase, which is what distinguishes CVD from other physical vapour deposition processes, such as evaporation and reactive sputtering.
ADVANTAGES : the production of highly dense and pure phase materials, films have excellent adhesion, are uniform and easily reproducible, crystal structure, surface morphology and orientation of products can be controlled with ease, deposition rates can be adjusted.
Chemical Vapor Deposition
An overview of the process is shown below in Fig. 1
TUNGSTEN OKSIDA
Bahan utama dalam berbagai macam perangkat elektrokromik.
Tungsten oxides (WOx) are of great interest, being promising in applications such as flat panel displays, ‘smart windows’, semiconductor gas sensors, and photocatalysts.
Have been synthesized including monoclinic W18O49 nanowires, orthorhombic W3O8 nanowires, quasi-1D W5O14 crystals, two-dimensional tetragonal WO2.9 nanowire networks, monoclinic WO3 nanowires, and cubic- structured WO3 nanowires
Sintesis Komponen Volatil Cairan Tungsten
Prosedur Deposisi Uap Kimia
• Campuran gas reaktan dipersiapkan dengan menempatkan salah satu prekursor tungsten cair, tungsten(0) pentakarbonil 1-metilbutilisonitril atau tungsten(0) pentakarbonil n-pentilisonitril, dalam pompa jarum suntik dari yang disampaikan pada tingkat yang stabil antara 1,5 dan 14 ml/h dalam Nozzle Ultrasonik Sonotek dioperasikan dengan kekuatan 2,0-2,3 W pada frekuensi 125 kHz.
• Kabut yang dihasilkan tertahan kedalam 8,0-9,0 l/min aliran gas nitrogen dipanaskan sampai 180°C untuk menguapkan tetesan cairan. Campuran gas ini kemudian dicampur dalam T bersama dengan aliran 1,0-1,5 l/min gas oksigen sebelum mencapai masuk ke reaktor. Kedua prekursor menunjukkan reaktivitas hampir identik, dengan perbandingan sampel 1-6.
Pengukuran Elektrokromis
Rincian Percobaan dan Sintesis Kimia
• Sintesis 1-metilbutilformamida, CH3CH2CH2CH(CH3)NHC(=O)H
• Sintesis 1-metilbutilisonitril, CH3CH2CH2CH(CH3)NC
• Sintesis tungsten(0) pentakarbonil 1-metilbutilisonitril,
(CH3CH2CH2CH(CH3)NC)W(CO)5
Kesimpulan Film tungsten oksida diendapkan pada tekanan atmosfer dari uap
yang sesuai, prekursor stabil diudara, tungsten pentilisonitril pentakarbonil.
Metode ini cepat dan mudah ditingkatkan sampai area yang luas. Film-film menunjukkan perilaku elektrokromik dengan baik proton atau counter-ion lithium.
Kondisi deposisi mempengaruhi kepadatan film, dengan film-film kurang padat menunjukkan warna yang lebih cepat dan lebih luas dan pemutihan. Optimasi lebih lanjut dari kondisi ketebalan film dan deposisi diperlukan untuk menghasilkan efek elektrokromik dengan rasio kontras yang lebih tinggi.
Recommended