Elettronica Applicata II...Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 1 Corso di Elettronica Applicata...

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Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 1

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) Prof. Ing. L. Masotti

Libri di testo

Jacob Millman, Arvin Grabel: Microelectronics Mc Graw Hill, 1981

Ulrich Tietze, Christoph Schenk: Electronic circuits - Design and applications Springer Verlag Heidelberg, 1991

John G. Kassakian, Martin F. Schlecht, George C. Verghese: Principles of power electronics Addison-Wesley Publishing Company, Inc., 1992

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 2

Reti amplificatrici elementari

Vout RL

Rout

VinAvVinVS

+ +

RS

Rin

(Convertitore tensione/tensione)Amplificatore di tensione

⇒≅⇒<<

≅⇒>>

inoutLout

SinSin

VAVRRseVVRRse

vSvout VAV ≅

in

outRv V

VAL ∞→

= lim

_________________________________________________________________________________________________________

RLRoutIinA i

Iin

IS RS Rin

(Convertitore corrente/corrente)

Iout

Amplificatore di corrente

⇒≅⇒>>

≅⇒<<

inoutLout

SinSin

IAIRRseIIRRse

iSout IAI i≅

in

outRi I

IAL 0

lim→

=

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 3

RLRoutVinGmVinVS

RS

Rin

(Convertitore tensione-corrente)

Iout+

Amplificatore di transconduttanza

⇒≅⇒>>

≅⇒>>

inoutLout

SinSin

VGIRRseVVRRse

mSmout VGI ≅

in

outRm V

IGL 0

lim→

=

________________________________________________________________________________________________________

Iin

IS RS Rin

(Convertitore corrente-tensione)

Vout RL

Rout

IinRm

+

Amplificatore di transresistenza

⇒≅⇒<<

≅⇒<<

inoutLout

SinSin

IRVRRseIIRRse

mSout IRV m≅

in

outRm I

VRL ∞→

= lim

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 4

Schema di un amplificatore retroazionato

Ampl

ifica

tore

retro

azio

nato

I in V in I f V f

I out

V out

Rete di

reaz

ione

Ampl

ificat

ore

basedi

Rete di

prel

ievo

Caric

oRe

te

misc

elaz

ione

diG

ener

ator

e

segn

ale

di

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 5

Reti di prelievo

Prelievo di tensione (parallelo)

Amplificatore

basedi

Retedi

reazione

CaricoVout

_________________________________________________________________________________________________________

Prelievo di corrente (serie)

Amplificatore

basedi

Retedi

reazione

CaricoIout

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 6

Reti di miscelazione

Miscelazione (somma) di tensioni (o confronto serie)

Amplificatore

basedi

Retedi

reazione

Vin

Vf

VS

RS+ +

+

V =in VS Vf

_________________________________________________________________________________________________________

Miscelazione (somma) di correnti (o confronto parallelo)

Amplificatore

basedi

Retedi

reazione

Iin

If

IS RS

I =in IS If

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 7

Grandezze tipiche di un amplificatore retroazionato

XSXin A

β

Xout

Xf RL

+−

X X Xin S f= − A XX

outin

= A XXf

outS

=

out

f

XX

)1( AXXAXXXXX inSinSoutSin βββ +=⇒−=−=

=+

== )1( AXX

XXA

in

out

S

outf β A

Aβ+1 ββ

β 1=>>

≅ AA1A

⇒<⇒>+ AAA f11 β reazione negativa

⇒>⇒<+ AAA f11 β reazione positiva

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 8

Sensibilità e desensibilità

S

dAAdAA

f

f= ovvero

f

f

AA

dAdA

S ⋅= D S= 1

dAdA A

AA

A AA

AA A A

AA A

f f= + −+

= + −+

= ⋅ + + = +1

1 11

11

1 1 12 2βββ

β ββ β β β( ) ( ) ( )( ) ( )

SA

A AA

Af

f= + ⋅ =( )1 β

11+ βA D = 1+ βA

_________________________________________________________________________________________________________

Esempio: β βA A dAA

dAA

ff

= ⇒ + = = ⇒ =9 1 10 20 2; % %

ovviamente se A Af= ⇒ =1000 100

_________________________________________________________________________________________________________

Ipotesi

1) Il segnale tra ingresso ed uscita è trasmesso soltanto attraverso A Quindi A Xout= ⇒ =0 0. [la rete β è unilaterale]

2) Il segnale tra uscita ed ingresso è trasmesso soltanto attraverso β Sono assenti sia l'effetto Early che l'effetto Miller. [la rete A è unilaterale]

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 9

Distorsione lineare

A( )f = A0

A( )f = =ϕ ( )f k f s t( )in s t( )out

S S

S S

tt t

out in

out in

( ) ( )

( ) ( )

ω ω

ω ω

ϕ ωϕ ω ω

1 0 1

3 0 3

1 1 0

3 3 0 1 03

=

=

== =

A

ALLLLLLLLL

LLLLLLLLL

LLLLLLL

LLLLLLL

Principiodi causalità

τ ϕω= = − >t d

d0 0 se ϕ ωϕ ω

1 1 0

3 3 00 0

= ′= ′′

′ ≠ ′′ ⇒tt

con t tquadripolodispersivo

s t( )out

t

s t( )out

t0

t

t

s t( )i

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 10

Risposta in frequenza di un amplificatore retroazionato

C

R

R'

C'

A0

Vin Vout

X

VX

1

V1

Passa-bassoPassa-alto

Circuito passa-alto

V A VX = 0 1

V RR j C

V V

j RC

V

jin

in inL

1 1 1 1 1=

+⋅ =

+=

−ω ωωω

con ω L RC= 1

V V A V

j ff

outin

L≅ =

−X

0

1 per frequenze basse

A f VV j f

f

outin L

( ) = ≅−

A0

1

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 11

Circuito passa-basso

H

outj

VCRj

V

CjR

VCjVωωω

ω

ω+

=′′+=

′+′

⋅′=

111

1XX

X

con ωH R C= ′ ′1

V A VinX ≅ 0 per frequenze alte

A f VV j f

f

outin

H

( ) = ≅+

A0

1

_________________________________________________________________________________________________________

In bassa frequenza

A f A fA f

j ff

j ff

j ff j f

ff

L

LL L

( ) ( )( )

( )

= + =−

+−

=− +

= +++ − +

1

1

11

111 1

0

00

0

00

00 0

ββ β

βββ β

A

1 AA

A

AA

AA A

A AA

f f

f

fLL

00

0

0

1

1

= +

= +

⇒β

βA

A fj

ff

ff

L f( ) =

A

1

0

( )( ) f

ffAfA

f fL

f

f == )Re()Im(

arctg)(ϕ − >dd

ϕω 0

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 12

_________________________________________________________________________________________________________

In alta frequenza

A f A fA f

j ff

j ff

j ff j f

ff

H

HH H

( ) ( )( )

( )

= + =+

++

=+ +

= +++ + +

1

1

11

111 1

0

00

0

00

00 0

β β β

βββ β

A

1 AA

A

AA

AA A

A AA

f f

f

fH H

00

0

0

1

1

= +

= +

⇒β

β( )A

A fj f

ff

f

H f

( ) =+

A

10

( )( )

fHf

f

ff

fAfA

f =−= )Re()Im(

arctg)(ϕ − >dd

ϕω 0

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 13

Distorsione non lineare

vout RLvinAvvinvS

+ +

RS

−1

23456

−2−3−4−5−6

20 40 60−20−40−60 vin[mV]

out[V]v

Punto di lavoro

( )V5costante0AmV60

04,02500100100AmV6040

100100AmV4002

==⇒=⇒>•

−−=⇒<⇒≤≤•

=⇒=⇒≤≤•

outvin

ininoutvin

inoutvin

vvvvvv

vvv

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 14

vout RLv inAvv invS

+ +

RS

vfβ

vf =0,09 vout

+

v vf out= 0 09,

1 1 100 0 09 10+ = + ⋅ =βAv ,

Tensione di ingresso:

v v v v A v v vAin S f S v in in

Sv

= − = − ⇒ = +β β1

Tensione di uscita:

v A v A v A v A v A v v A vAout v in v S v f v S v out out

v Sv

= = − = − ⇒ = +β β1

A vv

AA

Af

outS

vv

v= = + =1 10β

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 15

Risultati analitici

Rete senza reazione Rete con reazione

vin [mV]

vout [V]

A dAA

vS [mV]

vin [mV]

vout [V]

Af dAA

f

f10 1.0 100 0 100 10 1.0 10 0 20 2.0 100 0 200 20 2.0 10 0 30 3.0 100 0 300 30 3.0 10 0 40 4.0 100 0 400 40 4.0 10 0 45 4.44 98,6 1,4% 444 45 4.44 10 0 50 4.75 95 5% zona 478 50 4.75 9,93 0,7%55 4.94 89,8 10,2% di non 500 55 4.94 9,88 1,2%60 5.0 83,3 16,7% linearità 510 60 5.0 9,8 2%

dAA

dAA

f

f<

−1

23456

−2−3−4−5−6

200 400 600−200−400−600 vS[mV]

out[V]

v

Punto di lavoro

vin

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 16

Effetti della retroazione nei confronti dei disturbi e del rumore

Per un segnale sinusoidale ⇒ termine quadratico (II armonica)

v t V t t tin iM

V mViM( ) sen sen cos= ⇒ = −

>ω ω ω

402 1

212 2

In generale ⇒ intermodulazioni

Per la sola vd si ha:

v v v Ad d df f= − β

v vAd

df

= +1 β

v Av vout S d= + (senza reazione)

fdSfout vvAv += (con reazione)

Utilizzo di un preamplificatore ⇒ ′ = = +v A v A vS P S S( )1 β

v A v v A A v vout f S d f S df P f f,( )= ′ + = + +1 β (con reazione)

________________________________________________________________________________________________________

In presenza di rumore si ha: v vAN

Nf

= +1 β

Ma deve risultare v vN NP << poichè:

v v v A A v A vN N f N f N Ntotale P P= + ⋅ = + + ⋅1

1 β ( )

vSvin A

β

vout

vf

+− ++

vd

vdf

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 17

Effetti sulla resistenza di ingresso Reazione serie

V V V V AVV A

S in f in in

in

= + = + =

= +

β

β( )1

V Xf out= β

X I

X V

out out

out out

=

=

X AVout in=

R VI

VVR

V AV Ri

S

in

S

in

in

in

ininf = = = + =( )1 β ( )1+ βA Rin

________________________________________________________________________________________________________

Reazione parallelo I I I I AI

I AS in f in in

in

= + = + =

= +

β

β( )1

I Xf out= β

X I

X V

out out

out out

=

=

X AIout in=

R VI

R II

R II Ai

in

S

in in

S

in in

inf= = = + =( )1 β

RA

in1+ β

Vin

Vf

VS Rin

+ +

+

−β

I

Rif

Af

A

in

Iin

If

IS Rin

β

A

Rif

Af

Vin

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 18

Effetti sulla resistenza di uscita Reazione di tensione (serie-parallelo, parallelo-parallelo)

Ipotesi: - A unidirezionale - β unidirezionale - A non risente degli effetti di carico

R VIo

oc

scf=

oc = open circuit sc = short circuit

Poichè AXXAXXXXX S

inininfinS ββ+

=⇒+=+= 1

V AX AXAoc inS= = +1 β

Se l'uscita è s.c.:

out

SscinSfout R

AXIXXXV =⇒=⇒=⇒= 00

R AXA

RAXo

S out

Sf= + =1 β

RA

out1+ β

AXin

Rof

A

Af

Rout+

β

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 19

Reazione di corrente (serie-serie, parallelo-serie)

Ipotesi: - A unidirezionale - β unidirezionale - A non risente degli effetti di carico

R VIo

oc

scf=

oc = open circuit sc = short circuit

Poichè quando l'uscita è o.c. non scorre corrente si ha:

X X Xf in S= ⇒ =0

V AX R AX Roc in out S out= − ⋅ = − ⋅

Essendo I AX AXAsc inS= − = − +1 β

R AX RAX Ao

S out

Sf = −− ⋅ + =( )1 β R Aout ( )1+ β

AXin

Rof

β

A

Af

Rout

+

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 20

In realtà: - la rete A non è unidirezionale e risente degli effetti di carico della rete β,

del carico RL e della resistenza interna RS del generatore di segnale.

- la rete β non è unidirezionale, carica l'amplificatore di base A e risente del carico RL e della resistenza interna RS del generatore di segnale.

A = guadagno unidirezionale reale che tiene conto della resistenza di carico ( AV , AI , RM , GM )

A = guadagno unidirezionale ideale ( Av, Ai, Rm, Gm) dove A Av

RLV=

→∞lim A Ai

RLI=

→lim

0 R Rm

RLM=

→∞lim

G GmRL

M=→

lim0

________________________________________________________________________________________________________

Tabella riassuntiva

Tipo di reazione

Grandezza serie di tensione (serie-parallelo)

serie di corrente (serie-serie)

parallelo di corrente (parallelo-serie)

parallelo di tensione(parallelo-parallelo)

Ro f RA

outv1+ β R Gout m( )1+ β R Aout i( )1+ β R

Rout

m1+ β

′Ro f ′+R

Aout

V1 β ′ +

+R G

Gout m

M

( )11

ββ

′ ++

R AA

out iI

( )11

ββ

′+R

Rout

M1 β

Ri f R Ain V( )1+ β R Gin M( )1+ β RA

inI1+ β

RR

inM1+ β

avendo posto ′ =R R Ro f o f L e ′ =R R Rout out L

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 21

Analisi di circuiti in retroazione

(1) Classificazione del tipo di reazione Anello (VS , E-B, S-G, +/− operazionale colleg. con out)

X Vf f= ⇔ reazione di tipo serie in ingresso

Nodo (IS , B, G, − operazionale colleg.con out) X If f= ⇔ reazione di tipo parallelo

di tensione (Vout = ⇒ ⇒0 ? ); RL = 0

in uscita

di corrente (Iout = ⇒ ⇒0 ? ); RL = ∞

(2) Rappresentazione dell'amplificatore di base reazione di tensione ⇒ =Vout 0 effetti di carico di β su A sul circuito di ingresso reazione di corrente ⇒ =Iout 0

reazione di parallelo 0=⇒ iV effetti di carico di β su A sul circuito di uscita reazione di serie 0=⇒ iI (3) Sostituzione dei circuiti equivalenti al posto dei dispositivi attivi

(4) Calcolo di X f e Xout

(5) Determinazione di β =XX

f

out

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 22

(6) Calcolo di A in base alle leggi di Kirchhoff alle maglie e ai nodi (7) Calcolo di S, D, Af , Ri f , Ro f , ′Ro f con le formule note

_________________________________________________________________________________________________________

Esempio 1

(1) reazione serie di tensione

(2)

G

D

SR Vout+

VS

(3)

G D

S

R vout

+vS

+vinvin −µ

rd

(4) V Vf out= (5) β = =VV

f

out1 (6) A V

VV

VR

R rVoutin

inin d

= = ⋅ +µ

GD

S

+VDD

R G

R Vout

+

VS

sin VV ≡

( )d

d

rRRrAD+

++=+=

µβ 11 ( )µµ

++==

1RrR

DAA

d

vv f

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 23

Esempio 2

R Vout

+VS 2R1

RS B C

E

BC

E

I

I'

(1) reazione serie di tensione

(2) ( ′ <<I I )

RVout

+VS

2R1

RS B C

E

BC

E

R2

R1 Vf

(4) VR

R R Vf out= +1

1 2

(5) β = +R

R R1

1 2

Oss.: A AVf>> ⇒ ≅1 1β

Vf

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 24

Esempio 3

(1) reazione serie di corrente

(2)

VS

RC Vout 1

R1

1+

RS

R2

R1

R2

Vf

c

e

b Iout

(4) V I Rf out eq= − .

(5) β = −Req. con R R Req. = 1 2

RS

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 25

Esempio 4

VS

RC

+VCC

Vout

RS+

R'

Vin

(1) reazione parallelo di tensione

(2)

(4) I VRfout= − ′

(5) β = −′

1R

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 26

Stabilità dei sistemi retroazionati

La reazione è positiva (rigenerativa) quando A Af >

1 1+ < ⇒βA βA < 0

1>+

==

AA

dAA

dA

S f

f

β11

_____________________________________________________________________________________________________

Con XS = 0 si ha:

X X X Xin S f f= − = −

outinout

outf

AXAXX

XX

β

β

−==⇓

=

Condizioni di Barkhausen: βA = − ⇔1

Nascita di una oscillazione che si autosostiene ⇒ vantaggioso per realizzare un oscillatore Non linearità dei dispositivi attivi ⇒ Nascita di intermodulazioni Interessamento delle porzioni di interdizione e saturazione ⇒ Spostamento del punto di lavoro

− ≤ <

< −

1 0

1

β

β

A

A

XSXin A

β

Xout

Xf

+−

Amplificatore retroazionato

−=∠

=o180

1

A

A

β

β

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 27

Studio della stabilità

• Un amplificatore deve essere stabile sia in banda che fuori banda; • Un sistema fisico stabile eccitato con un segnale limitato nel tempo non può rispondere

con un segnale non limitato nel tempo, o che tende a crescere indipendentemente, e la funzione di trasferimento del sistema non presenta poli né nel semipiano destro né sull'asse immaginario. Se A è stabile lo sarà anche Af purché 1 A+ β abbia zeri solamente nel semipiano sinistro aperto.

Metodi per lo studio della stabilità di un sistema: - Determinazione delle radici dell'equazione algebrica che si ottiene eguagliando a 0 il

deno-minatore della funzione di trasferimento; - Criterio di Nyquist (1931); - Diagramma di Bode. ______________________________________________________________________________________________________

Criterio di Nyquist

Re[ ]Aβ

Im[ ]Aβ

−1

Re[ ]Aβ

Im[ ]Aβ

−1

ω=0ω=0

Proprietà delle funzioni di trasferimento delle reti elettriche:

[ ]*)()( ωβωβ jAjA −=

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 28

Margini di guadagno e di fase

[ ]dB

)()log(201log20 ϕωω ωββϕ

jAAmG −=−= =

(mG ≥ 10dB)

m A j Gϕ β ω= ± °Φ ( ) 180 ( / ≥ °mϕ 45 )

Stabilità Instabilità

ω ωϕ > G ω ωϕ < G

mm

G >>

00ϕ

mm

G <<

00ϕ

Re[ ]Aβ

Im[ ]Aβ

ω=01−1

ωωϕ2

2G

mϕ2

m 2G

(<0)

(<0)

Sistema instabile

Im[ ]Aβ

ω=01−1

ω

ωϕ1

1G

mϕ1

m 1G

(>0)

(>0)

Re[ ]Aβ

Sistema stabile

( )[ ] o180−=Φ ϕωβ jA

andrea
Casella di testo
mφ= F [βA(jωG )]+180° (mφ ≥45°) F [βA(jωφ)]= -180°

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 29

Generazione di segnali

Segnali

Periodici Non periodici- sinusoidali- ad onda quadra- a rampa(lineare e non)

- impulsivi- a gradino

________________________________________________________________________________________________________

Generazione di segnali sinusoidali - Oscillatori

Condizioni di Barkhausen: βA = − ⇔1

0

1

1

⋅∞→⋅=⇓

∞→+

==

⇓−=

Sfout

S

outf

VAV

AA

VVA

A

β

β

Questa condizione viene soddisfatta per un determinato valore della pulsa-zione (ω ω ωϕ= =G , vedi diagramma di Nyquist).

Teoricamente lo spettro del segnale generato è costituito da una sola riga. In realtà, per effetto della non costanza dei parametri nel tempo, si ha un allargamento delle righe per cui lo spettro degenera in una banda.

⇔≡

= = °ω ωϕ

ϕ

G

Gm m0 0;

−=∠

=o180

1

A

A

β

β

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 30

Oscillatore a sfasamento (100's kHz)

(a FET, config. CS)

VoutVin

RS

G

D

S

CS

VDD

C

R

C

R

C

R

RD Rete di reazione

Reazione serie di tensione

Ipotesi: 1) AV costante al variare di f ∀ ∈f B

2) R Rin >>

3) Z Req out. >>

___________________________________________________________________________________________________________________________________

++−=

++−=

+=

RCjIRI

RIRCjIRI

RIRCjIVout

210

210

1

32

321

21

ω

ω

ω

Vout Vin

C

R

C

R

C

RI3I2I1

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 31

Posto α ω= 1RC si trova

[ ])6(51)2(0)2(0

)1(

323

32

321

21

ααααα

α

−+−=⇒

−+−=−−+−=

−−=

jRV

IjII

IjII

IjIR

V

out

out

VV

I RV

VV j

in

out out

in

out= ⇒ =

− + −3

2 31

1 5 6α α α( )

α α α α ω3 6 0 6 1 6− = ⇒ = ± ⇒ = = ⇒RC

ωosc RC= 1

6

Sostituendo si ottiene 291−=

= oscout

inVV

ωω

⇓ β

βA AV= ⇒ = =1 1 29 (meglio AV = ⋅ +29 1 05 5, ( %))

_________________________________________________________________________________________________________

(con a.o.)

+

R =1

R2

Vout Vin

C

R

C

R

C

A'Vf

R

Reazione positiva serie di tensione

Reazione negativa parallelo di tensione

fSin VVV −= fin VV −=

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 32

In questo caso risulta AA

AVV

Vf

f

f

=′

+ ′1 β dove 291

2 −=−=′RR

AfV

___________________________________________________________________________ (con FET in config. CD)

AV = + <µµ 1 1

Procedendo come nel caso precedente:

)6(51

)6(511

32

32

ααα

ααα

−+−=′

⇓−+−

=′

jVV

jVV

out

out

Quindi ωosc RC

= 16

. Essendo però V V Vout in= + ′ , dividendo per Vout si ha:

034,12930

291129

111 ≅=+=

−−=′−==

outout

inVV

VVβ

Pur essendo AV < 1 si riesce ad avere βAV > 1 per un valore di µ sufficientemente elevato.

Ad esempio, per µ β= ⇒ = ⋅ + ≅50 1 034 5050 1 1 014AV , , .

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 33

Oscillatore a ponte di Wien

Z 1

Z 2

V 2

−+

R 2 R 1V

=V

1in

V out

− +

R 1

R2

RC

R C

V 2

V = 1

V in

V out

Z 1

Z 2

Reazione positiva (sfasamento e ampiezza)

Rea

zion

e ne

gativ

a(r

egol

azio

ne d

el g

uada

gno)

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 34

inoutoutin VRR

VVRRR

VVV

+=⇒

+===

1

2

21

121 1

Ma: outoutoutin VR

RZZ

ZVVZZ

ZV

+⋅

+

=⇒

+

=1

2

21

2

21

2 1

111

2

21

2 =

+⋅

+ R

RZZ

Z

Posto ′ =α ωRC si trova:

ZZ Z

Rj

jj C

Rj

Rj

j jj C j

jj j

jj

jj j j j

2

1 22 2

2 2 2

11

1

11

11 2

1 3 3 3 1

+ = + ′+ ′ + + ′

= + ′+ ′ + ′

+ ′

= ′− ′ + ′ + ′

=

= ′− ′ + ′

⋅ = − ′− ′ − ′

= ′′ + ′ −

αα

ω α

αα α

ω α

αα α α

αα α

αα α

αα α

( )( )

( )

′ − = ⇒ ′ = = ⇒α α ω2 1 0 1RC ωosc RC= 1

ZZ Z

RR

2

1 2

2

1

13 1 3+ = ⇒ + = ⇒ R R2 12=

Problema della stabilizzazione dell'ampiezza della tensione di uscita. Soluzioni: Al posto di R1 si può inserire un sensistor (coefficiente termico positivo) Al posto di R2 si può inserire un termistor (coefficiente termico negativo)

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 35

Oscillatori a tre punti

V ZZ Z Vout13

1

1 3= +

Schematizzazione adottata per l'analisi del circuito

Z3

Z2

Vout

Z1

1

3

2

Rout1

V13V13Av

+

ZL

Vout

Rout

V13Av

+

dove Z Z Z Z Z Z ZZ Z ZL = + = +

+ +2 1 31 3 2

1 2 3( ) ( )

+

Z3

Z2

V13

Vout

Z1

1

3

2

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 36

Vout = ?

V A V ZR Z V A Z

R Z V ZZ Zout v

L

out Lout v

L

out Lout= − ⋅ + ⇒ = − ⋅ + ⋅ +13

1

1 3

− ⋅ + ⋅ + =A ZR Z

ZZ Zv

L

out L

1

1 31

− ⋅+ ⋅ + +

+ + ⋅+ +

⋅ + = −+ + + + =A

Z Z ZZ Z Z

R Z Z ZZ Z Z

ZZ Z

A Z ZR Z Z Z Z Z Zv

out

v

out

( )

( ) ( ) ( )1 3

2

1 2 3

1 32

1 2 3

1

1 3

1 2

1 2 3 2 1 31

− ⋅+ + + + =

= + + − + =

A jX jXjR X X X jX jX jX

A X XjR X X X X X X

v

out

v

out

1 2

1 2 3 2 1 3

1 2

1 2 3 2 1 31

( ) ( )

( ) ( )

X X X1 2 3 0+ + = ⇒ + = −X X X1 3 2

A X XX X

A XX

v v1 2

2 2

1

21− − = = ⇒( )

A XXv = 2

1 Þ X1 e X2 dello stesso segno

j Lω

Z jXi i= 1j Cω

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 37

Oscillatore Hartley Oscillatore Colpitts

X L1 1= ω X C11

1= − ω

X L2 2= ω X C22

1= − ω

X C33

1= − ω X L3 3= ω

oscC

LLωωω

ωω=

=−+ 013

21

osc

LCC ωω

ωωω =

=+−− 0113

21

+=

213

11LLCoscω

+=

213

111CCLoscω

A LLV = 2

1 A C

CV = 1

2

Oscillatore Hartley

L

1Ca,

2

CS+

RS

RG

L1 2

C3 Ca,

Ca,

Vout

VDD

RD

3

1

1

2

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 38

Oscillatore Colpitts

1Ca

2

CS+

RS

RGL3

C1

Ca

Vout

VDD

RD

3

C2

________________________________________________________________________________________________________________________________

Utilizzo di stub alle alte frequenze

Parametri parassiti: tempo, temperatura, pressione, dispersione dei parametri, ecc.

l

X

λ4

λ2 λ4

cc

l

Xca

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 39

Oscillatori a quarzo

Piezoelettricità (Curie, 1880)

X X X

X X X

X S XSf

f

2 3 1

2 3 1

1 1

+ = −

+ = −

= ⇒ =

∆ ∆ ∆

∆∆ ∆ ∆

ω ω

Simboli circuitali e modello di un quarzo (Mason)

( )

( )( ) ( )[ ]RCCLCCCj

RjLCCCLCsCsRCCCsC

LCssRCCCs

sCsLRCs

sCsLRCsZ

js

eq

−′−′++−

=′+′+′+′

++′=

=+++′

++′=

=

2

2

2

22

.

11

11

11

11

ωωωωω

Per R ≅ 0 si ha:

λ2

SiO2monocristallino

LC'

1

C

R

2

1

2

1

2

1

2

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 40

( )[ ]( )[ ] [ ]CC

CCLCjLC

CLCCCCLCj

LCLC

CLCCCjLCZeq

′′+−′

−=

−′′+′

−=

′−′+−

= 1

111

2

2

2

2

2

2

.ωω

ω

ωω

ω

ωωω

Posto ω S LC= 1 e

′′+= CC

CCLP1ω si ottiene:

Z j CeqS

P. =

′−−

12 2

2 2ωω ωω ω

′ >> ⇒ ≅C C S Pω ω

QP S

=−

= ÷ω

ω ω0 1000 10000

con ωω ω

0 2=+P S

""....

mm......2

MHz......

overtoneinQuarzi

didecimid

didecinef

==⇓

=

λ

ωS ω

X

1ωC'

ωP

C L C

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 41

Oscillatore Hartley a quarzo

CGD

CS+

RS

RG

L

Vout

+VDD

CDD

X1

X3( )

X2

(choke)

C L

ωosc dipende dal cristallo

X3 dipende dal JFET

X1( )

Per soddisfare X + 1 X + 2 X = 3 0

Si agisce su ovvero su X 2 L D

ω DD DL C

= 1

ωDoscω ω

X2

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 42

Tipi di disturbi e metodi per la loro riduzione

DISTURBIINTERNI

Interni ai dispositivi attivi

Interni ai dispositivi passivi

Accoppiamenti all'interno del circuito

Rumore termicoRumore flickerRumore di ricombinazioneRumore rosa

- galvanico- capacitivo- induttivo

Piezoelettrici

Potenziali di contatto tra metalli diversi e/o con temperature diverse delle giunzioni bimetallo

Sporco (genera correnti di dispersione confrontabili con le correnti in ingresso di dispositivi ad effetto di campo)

DISTURBIESTERNI

Naturali- Scariche atmosferiche- Rumore cosmico- Raggi γ

Man-made

- Motori a scoppio con candele- Alimentatori a commutazione- Emissioni radio, TV, telefoniche - Processi industriali - Macchine elettriche- Strumentazione biomedicale per terapia e diagnosi

Problema della Compatibilità Elettromagnetica (e.m.c.=electromagnetic compatibility)

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 43

Accoppiamento galvanico

+X Y ZA

+X Y ZA

+X Y ZA

R' R'' R'''

x y z

+X Y ZA

+X Y ZA1 + A2

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 44

Schermo elettrostatico (E.S.) Sistemi per la riduzione della potenza irradiata

R+

VS LNO!

R+VS

L

NO!

I2

I1

R+VS

L

NO!

I1

I2

Suggerimenti per la realizzazione di un circuito stampato

- Tutte le masse locali sono da connettersi ad un unico grande piano di massa;

- Le capacità di by-pass (10÷100nF) sono da collegarsi il più vicino

possibile ai circuiti integrati; - Le aree libere da componenti e piste vanno collegate al piano di massa; - Si deve cercare di realizzare circuiti con minime dimensioni.

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 45

Esempi

+VS

+

+

+

E.S.

E.S.

E.S.

+VCC

Massa digitale

+ 15 V− 15 V

Ingresso analogico

Massa analogica

M

+ 15 V− 15 V

+ 15 V− 15 V

VS

Trasduttore

VCC

Massa analogica

Massa digitale

+ 5 V

Convertitore A/D

NO!

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 46

Amplificatore differenziale

+VCC

V1

Vout

VEE

E+V2

+

RC RC

RE

IC1 IC2

IEE

VBE2VBE1

VE

T1 T2

+

Vout

V2

V1

V V V V V V V V V V VBE E BE E BE BE d1 2 1 21 2 1 2= + = + ⇒ − = + =;

I I e I eC F E CS

VV

S

VV

BET

CBT= − − −

− −α η η( ) ( )1 1

⇓ (regione attiva)

TVBEV

SeII EFC

1

1

−= α I I eC F ES

VVBE

T2

2

=−

α

2

12

2

1

2

1

21

1

2

1

21

11

11

C

C

EEFCEEF

C

CC

C

C

EEFCEEF

C

CC

EEEE

IIIIII

II

IIIIII

II

III

+=⇒=

+

+=⇒=

+

⇒=+αα

αα

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 47 Supposti uguali i guadagni di corrente si ha:

II e e

II eC

C

C

C

V VV

VV

VV

BE BET

dT

dT1

2

2

1

1 2

= = ⇒ =− −

I I

e

I I

eC

F EEC

F EEVV

VV

dT

dT

1 2

1 1

=

+

=

+−

α α

Graficamente

IEEαF

0 VdVT2 VT4 VT6 VT8VT2−VT4−VT6−VT8−

I ,C1 IC2

IC1IC2

V =200mVT8

V V R Iout CC C C1 1= −

V V R Iout CC C C2 2= −

0 VdVT4VT4−

V ,out1 Vout2

Vout1Vout2

VCC

VCC − αF IEE RC

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 48

Comparatori

Caratteristiche a confronto

Vd2

V out

42−4−

[V]

[mV]

10

− 10

Vd2

V out

42−4−

[V]

[mV]

10

− 10

0

V(1)

V(0)

A = V 100

Modelli di comparatori (∆Vi fino a 15µV e ritardi di 20 200÷ ns):

Fairchild µA710 National LM111 Analog Devices AD604 Harris HA2111

Funzionamento non invertente

Vin4

V out

21−2−

[V]

[mV]

10

−10

33−

V +V Z1 2γ

V +V Z2 1γ( )−

V =V +

1

V =V2

V'out

Vout

DZ1

DZ2

R

in R

Funzionamento invertente

Vin4

V out

21−2−

[V]

[mV]

10

−10

33−

V +V Z1 2γ

V +V Z2 1γ( )−

V =V +

1

V =V2

V'out

Vout

DZ1

DZ2

in

R R

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 49

Zero crossing detector

V =V1

V =V =2

V'outVout

D

R

in

0

C

R RLVL

+

Clipper

Vin

t

t

t

Vout

VL

t

V(1)

V(0)

V'out

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 50 Altri circuiti con comparatori

________________________________________________________________________________________________________

+

VoutC

Rfiltro passa-basso

V'out+

Vin

VR,2 INV

non INV

AND

VR,1 VR,1V >R,2

Vout1

Vout2

V RR R V VR

VV

AA Z, ( )1 =+

V RR R V V R

R R VRV

VAA Z Z, ( )2

21 2

=+

− ++

W V V RR R VR R Z= − =

+⋅, ,2 1

21 2

22

)(2

1,21

2

WVV

RRRVV

RRR

V R

ZZAAV

V

R +=+

+

+=

VZ

R

VR,2

R

VR,1

+VAA

V

R1

R2

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 51 Vin

t

t

Vout

V(1)

V(0)

t

Vout

V(1)

V(0)

V'out

t

Vout

V(1)

V(0)

1

2

VR,2

VR,1W

_________________________________________________________________________________________________________________________________

Vin

t

t

Vout

V(1)

V(0)

t

Vout

V(1)

V(0)

V'out

t

Vout

V(1)

V(0)

1

2

1Vin2

Vin

+

VoutC

Rfiltro passa-basso

V'out

+

Vin1

AND

Vout2

Vout1

Vin2

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 52

Trigger di Schmitt

Fenomeno del chattering

Vout

t

t

Vin

V ( )1 5= V

V ( )0 5= − V

A = 10 000.

βA > 1

+

RVin

VoutR1

R2

+VAA

C

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 53

V RR R V R

R R Vout AA12

1 21

1 2

+ =+

++

V RR R V R

R R Vout AA12

1 21

1 2

− = −+

++

⇓ V V1 1

− +<

V V RR R V se R V Vout1 1

21 2

2 1 12 0 0+ − + −− =

+⇒ → ⇒ − →

V V RR R V seV la curva di isteresi si pone a cavallo delloAA AA

1 1 1

1 22 0 0+ −−

=+

⇒ =

t

t

Vout

V(1)

V(0)

Vin

V1+

V1−

T

T t

Vout

V(1)

V(0)

Vin

V1−

V1+

Vin

Vout

V(1)

V(0)

Vin

V1−

V1+

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 54

Trigger di Schmitt realizzato a BJT

T1 interdetto, T2 saturo

≥=

2

,2

21fe

CBC h

III sat

⇓ V V R Iout CC C C sat= − 2 2, (bassa)

____________________________________________________________

Quando

V V V R I Vin E BE E C BEON sat ON+ = + = +

1 2 1, , ,

V Vout CC≅ (alta)

⇓ ________________________________________________

Quando

V V V R I Vin E BE E C BEON sat ON− = ′ + = +

2 1 2, , ,

V V R Iout CC C C sat= − 2 2, (bassa) __________________________________________________________________________________________________________________________________

V V V R I IH in in E C Csat sat= − = −+ − ( )

, ,2 1

Vout

VinVin

− Vin+

V(1)=VCC

V(0)=VCC R IC C2 2,sat

+VCC

V

Vout

RE

IC1 IC2

V E

VBE2VBE1

in

T 1 T 2

RC 1

RC 2R >C 1

RC 2

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 55

Generatori di onda quadra e triangolare (10÷104 Hz)

ZVVV += γ)1(

ZVVV −−= γ)0(

β = +R

R R2

1 2

V V Vd C out= − β

V t e R CCt

( ) = + =−A B τ τ 3

_________________________________________________

V VC out( )0 = − = +β A B

V VC out( )+∞ = = A

_________________________________________________

V t V V eC out outt

( ) ( )= − + −1 β τ

Poichè [ ]τββ 2

T

)1(12T −+−==

eVVV outoutC

dividendo per Vout si trova:

( )1 12+ = − ⇒−β βτeT

+=

−+=

2

121ln2

11ln2T

RR

τββτ

+

RA

VoutR1

R2

R3

CVC βVout

B

t

t

VC

V(1)

V(0)

Vout

TV(0)

V(1)

T

Voutβ

Voutβ

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 56

In generale T T T= +1 2 dove:

−+=

V(1)V(1)V(0)V(1)CR

ββlnT 31

−+=

V(0)V(0)V(1)V(0)CR

ββlnT 42

∫= dtiCv CC1

iC costante

⇓ v t I

C tCC( ) =

ID

V DS0

[mA]

[V]

V GS [V]

V -Vout C

RS1

V -Vout C

↓↑⇒↑⇒↑⇒ DSGRD IVVIS 11

B

RS1

A

T2

T1

V >B VA

R3

R4

BA

RS2RS1 T1 T2S D D S

BA

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 57 Utilizzo di un integratore di Miller

RCjZZ

VVA out

V ω1

1

2

1−=−==

CiIRV

== 11

RV

dtdVCdt

dVCi outCC

1=−==

)0(10 1 outt

out VdtVRCV +−= ∫

____________________________________________________________________________________________________________________________________

+

R Vout

R1

R2

V1

+

R

C

VR

Vt

VS

integratore di Millertrigger di Schmitt

ZVVV(1) += γ ZVVV(0) −−= γ

ic

Z1

Z2

1

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 58

Hp: 2

0 21TTTVS ==⇒=

I VRCout= V

RR R V

RR R Vt out1

1

1 2

2

1 2= + + +

V IC t K V

R t KCC out

C= + = +

t

t

V1

V(1)

V(0)

Vout

T

t

Vt

Vtmin

Vtmax

T2 T1

t2 t1

2VoutR2

R +1 R2

VR

2VoutR2

R +1 R2

V =S 0

2Vout

R2R1

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 59

outRtRoutt VRR

VR

RRVVV

RRR

VRR

RtV

1

2

1

21

21

2

21

121 minmin)( −

+=⇒=

++

+=

V tR

R R VR

R R V V VR R

R VRR Vt out R t R out1 1

1

1 2

2

1 2

1 2

1

2

1( ) max max= + − + = ⇒ =

++

∆V V V V RR

V V R RR Vt t t out

t tR= − =

+=

+max min

max min2 22

1

1 2

1

V VT

dVdt

VRC V R

RVRC

Tt t C outout

outmax min−= = ⇒ = ⇒

22 2

2

1

T RC RR= 4 2

1

_____________________________________________________________________________________________________________________________________

V T TS ≠ ⇒ ≠0 1 2

2TVRVVII t

SoutCR ⇒↓⇒

−==

1TVRVVII t

SoutCR ⇒↑⇒

−−== ∗

T V RCV V

RR T V RC

V VRRout

out Sout

out S1

2

12

2

12 2= + = −

21

2

1

221

1

14112

=

−+

+=+=

out

SSoutSoutout

VVR

RRCVVVVRRRCVTTT

−=

2

2

1 14 out

SVV

RCRR

f

−===

+ out

SVV

TTT 12

121

1 Kδ

V V V V VS S out S out= ⇒ = = ⇒ = = − ⇒ =0 0 5 0 1δ δ δ,

+

R

C

Vt

Vout

V =S 0

IC

VC

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 60

V.C.O. (Voltage Controlled Oscillator)

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 61

Ipotesi: V Vout m>

Vm lentamente variabile ⇒P.F.M. (Pulse Frequency Modulation)

V V V V V saleout out m t= ⇒ ′ = − ⇒( )1

V V V V V scendeout out m t= ⇒ ′ = ⇒( )0

2

2

βVT

VRC

out m=

f V RC Voscout

m= 14β

Amplificatore bifase

mout

moutout

VVRR

RRVVV

−=′⇓=⇓

−=′⇒>

65

5

60

_______________________________________________________________

mout

mmoutout

VVRR

RRVR

RVVV

=′⇓=⇓

++−=′⇒<

65

5

6

5

6 10

t

t

V(1)

V(0)

Vout

T

t

Vt

Vm

V'out

Vm

T2

T2

V =tminVout−β

V =tmaxVoutβ

lentamentevariabile

V'out

+

R

Vm

NMOS

6

R4R3

R5

R7R8Vout

A

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 62

Multivibratori monostabili Funzionamento ___________________________________________________________________________________________________________

Monostabile non risincronizzabile Ipotesi:

V RR R V ( 1)γ <<

+2

1 2

V V VT out> −β γ

t

V(1)

V(0)

Vout

t

VT

T

t

+

Vout

R1

R2

VT

R

R

C

CVC D

D

V −

V +

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 63

t

t

V(1)

V(0)

Vout

T

t

Vt

V'out

V(0)

V(1)

R 2R + 1 R 2

V(0)

T'

TR

tempo di recupero_________________________________________________________________________________________________________

R, C = ?

T RC

VVout=

+

−ln1

1

γ

β con β = +R

R R2

1 2

R R V Vout1 212= ⇒ = << ⇒β γ; T RC RC= =ln ,2 0 69

( ) ( ) RCt

ooc eVVVtV−

++−= γ( ) oc VtV β−=

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 64 Monostabile risincronizzabile

_________________________________

Carica di C:

τ = CR

_________________________________

Scarica di C:

τ = ⋅C rdON

__________________________________

+=

=

−=

1

21ln

11ln

RRRC

RCT β

⇓= 21 RR

T RC= 0 69,

+

Vout

R1

R2

Vt

R

CC

+VDD

R3

R

VC

VGG

−=

−RCt

DDC eVV'

1

T

t’

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 65

Monostabile con NE555

V VCC123=

V VCC213=

V t V eC CCt

RC( ) ( )= −−

1

V T V V eC CC CCT

RC( ) ( )= = −−2

3 1

T RC RC= =ln ,3 1 1

Vout

C

+VCC

R

VC

+

+

−VT

R

S

totemQ

Q

pole

NE 555

bistabile

1

2

V2

V1

5kΩ

5kΩ

5kΩ

GND

t

t

V(1)

V(0)

Vout

t

t

VT

VC

V2

V1

VCC

T

*

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 66

Astabile con NE555

Vout

C

+VCC

R

VC

+

+

R

S

totemQ

Q

pole

NE 555

bistabile

1

2

V2

V1

5kΩ

5kΩ

5kΩ

GND

A

RB

t

t

V(1)

V(0)

Vout

VC

V2

VCC

T

V1

1 T2T =1 T2

t1 t2

( ) ( )

+−−−=

+−−−= CRR

tVVVCRRtVVVtV CCCCCCCCC )(exp)(exp)(

BA2

BA2

V t V T V T R R C T R CC C( ) ( ) . . . . . . . . . ( ) ln ; ln1 1 1 1 22 2= = ⇒ ⇒ = + =A B B

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 67

Tecniche di modulazione con portante armonica

Con portante sinusoidale - Modulazione di ampiezza o AM (Amplitude Modulation) - Modulazione di frequenza o FM (Frequency Modulation) - Modulazione di fase o PM (Phase Modulation) Con portante ad impulsi - Modulazione di ampiezza di impulsi o PAM (Pulse Amplitude Modulation) - Modulazione di larghezza di impulsi o PWM (Pulse Width Modulation) - Modulazione di posizione di impulsi o PPM (Pulse Position Modulation) - Modulazione di frequenza di impulsi o PFM (Pulse Frequency Modulation) _______________________________________________________________

Amplificatore stabilizzato a chopper

Modulatore DemodulatoreFiltrop.a. Amplificatore VmAVm V' V''

AMPLIFICATORE STABILIZZATO A CHOPPER

Generatoredi

onda quadra

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 68

Modulazione PAM

f

V'( )f

f0 f03 f05

VmAVm

Amplificatore

+

stabilizzato a chopper

Filtrop.b.

Filtrop.a.

Amplificatorein

alternata

_____________________________________________________________________________________________________________________________________

Modulatori e demodulatori

V V V V

V V V V

out out m

out out m

= ⇒ ′ =

= ⇒ ′ = −

( )

( )

1

0

V'out

+

R

Vm

NMOS

6

R4R3

R5

R7R8Vout

A

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 69

t

Vm

t

Vout

t

V(1)

V(0)

V'out

t

V''out

T

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 70

Filtrop.a. Amplificatore VmAVm

V' V''

AMPLIFICATORE STABILIZZATO A CHOPPER

Generatoredi

onda quadra

out out

Vout

ModulatoreDemodulatore

Filtrop.b.

V'''out

_____________________________________________________________________________________________________________________________________

Ricostruzione del segnale modulato:

Ipotesi: Interruttore = JFET a canale n ⇒ V V JFET ON V

V V JFET OFF V V

out out

out out m

= ⇒ = ⇒ ′ ≈

= ⇒ = ⇒ ′ ≈

( )

( )

1 0

0

t

V''out

T1

T2

V-

VI

VII

durante CIout VVVONJFETT =⇒′′′⇒=⇒1

durante CIIout VVVOFFJFETT =⇒′′′⇒=⇒2

VmAV''out

Demodulatore

Filtrop.b.

V'''out

Vout

VC

AV' =out

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 71

t

Vm

t

Vout

t

V(1)

V(0)

V'out

t

V''out

T

t

V'''out

VmA

Corso di Elettronica Applicata II (N.O.) 72

Modulatore PWM

Ipotesi: Vm varia lentamente rispetto a Vt ;

V Vm>

−==

−=⇒==

max

maxmin

121

22

2

t

m

mtt

VV

T

VVTVVVV

τδ

τ

t

V(1)

V(0)

Vout

t

Vt Vm,

τ

V

V

V V V V Vm m out m out= ⇒ = = ⇒ = = − ⇒ =0 0 5 0 1δ δ δ, ; ;

+

VoutVt

VCO

Vm

Comparatore

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