Aparecido Nicolett
PUC - SP
Aula 14
Transistor Bipolar de Junção
(pág. 95 a 101)
Slide 1 Construção do Transistor
Existem dois tipos de transistores: pnp e npn.
Nomenclatura:
E - Emissor
B - Base
C - Coletor
0.15pol.
0.001pol.
Fig. 3.2
Slide 2 Operação do Transistor
Junção diretamente polarizada.
Fig. 3.3
Slide 3
Junção reversamente polarizada.
Fig. 3.4
Slide 4
VEE e VCC são fontes externas:
A junção B-E está diretamente polarizada e a junção B-C está reversamente polarizada.
Fig. 3.5
Slide 5 Primeiro Transistor Bipolar (1947)
Fig. 3.1
Slide 6 Correntes no Transistor
IC é composta por duas correntes:
(3.1)
(3.2)
BCE III +=
COminorityCmajorityC III +=
Fig. 3.9
Slide 7 Configuração Base Comum
A base é comum para a entrada (emissor – base) e saída (coletor – base) do transistor.
Fig. 3.6
Slide 8 Características de um amplificador em Base-Comum
Fig. 3.7
Slide 9 Características de saída para um amplificador em
Base-Comum
Fig. 3.8
Slide 10 3 Regiões de Operação
• Ativa (BE diretamente e BC reversamente polarizadas)
Operação como amplificador.
• Corte (BE e BC reversamente plarizadas)
O transistor está desligado. Existe tensão mas a corrente é
quase zero.
• Saturação (BE e BC diretamente polarizadas)
O transistor está ligado. Existe pouca tensão mas grande
corrente.
Slide 11 Aproximações
(3.3)
(3.4)
EC II ≅
0.7VBE =
Fig. 3.10
Slide 12 Alfa (αααα)
Idealmente α = 1, mas tipicamente está entre 0.9 e 0.998.
Alfa (α), no modo CC, relaciona as correntes IC com IE :
(3.5)
(3.6)
E
Ccc
I
Iα =
constante VE
Cca
CBI
I
∆
∆=α
Alfa (α) no modo CA:
Slide 13 Ação Amplificadora do TBJ
IC ≅ IE então IL ≅ Ii = 10mA
VL = IL * R = (10mA)(5kΩ) = 50V
Ganho de tensão(AV):10mA20
200mV
Ri
ViIiIE ====
250200mV
50V
Vi
VAv
L===