Embed Size (px)
Transistor Bipolar• Terdiri dari 3 lapisan bahan semikonduktor yang
masing-masing disebut :
- Emiter
- Basis
- Kolektor
BASISEMITER KOLEKTOR
Transistor NPN
Pada transistor NPN, Basis terbuat dari bahan yang bersifat positip (kekurangan elektron) sementara Emiter dan Kolektor terbuat dari bahan yang bersifat negatip (kelebihan elektron).
TRANISISTOR NPN
n p n
BASISEMITER KOLEKTOR
Transistor PNP
Pada transistor PNP, Basis terbuat dari bahan yang bersifat negatip (kelebihan elektron), sementara Emiter dan Kolektor terbuat dari bahan yang bersifat positip (kekurangan elektron).
p n p
BASISEMITER KOLEKTOR
TRANISISTOR PNP
Jika ditinjau dari hubungan Emiter, Basis dan Kolektor, maka hubungan Basis dengan Emiter dan Basis dengan Kolektor masing-masing membentuk sebuah Dioda.
BASIS
EMITER KOLEKTOR
TRANISISTOR NPN
TRANISISTOR PNP
EMITER KOLEKTOR
BASIS
Membias TransistorAgar dapat menghantar, maka transistor harus di-bias maju (diberi arus panjar).
ELEKTRONBASIS
ELEKTRONKOLEKTORELEKTRON
EMITER
n p n
BASISEMITER KOLEKTOR
-
+ -
+ELEKTRON
EMITERELEKTRONKOLEKTOR
ELEKTRONBASIS
Aliran ArusAliran arus adalah berlawanan dengan arah aliran elektron.
ARUSBASIS
ARUSKOLEKTORARUS
EMITER
n p n
BASISEMITER KOLEKTOR
-
+ -
+ARUS
EMITERARUS
KOLEKTOR
ARUSBASIS
Dari gambar sebelumnya terlihat bahwa pada transistor jenis NPN, arus Emiter adalah sama dengan jumlah dari arus Kolektor dengan arus Basis, atau :
IE = IC + IB
DC adalah perbandingan arus Kolektor dengan arus Emiter, atau :
DC = IC / IE
DC adalah perbandingan arus Kolektor dengan arus Basis, atau :
DC = IC / IB
DC = DC / (1 – DC) dan DC = DC / (DC + 1)
Rangkaian Common Emitter
n
p
n
BASIS
EMITER
KOLEKTOR
-
+
-
+
RB
RC
VCB
VBE
VBB VCC
n
p
n
VCE
VBE
r’B
VBE V’BEIE
DC.IE
VCE
IC = DC.IE
Simbol Transistor NPN
IE = IC + IB
IC = DC.IB
Maka IE = IB(DC +1)
Jika DC >>1,
maka : IC ≈ IE
IB
IC
IE
C
B
E
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR
BREAKDOWN
VCE
IC
TEG. KNEE
IB = 10uA
VCE
IC
IB = 10uA
IB = 20uA
IB = 30uA
KURVA BASIS
VBE
IB
0,7VBE
IB
0,7
VCE=1VCE=20
KURVA PENGUATAN ARUS
IC
t = -50oC
t = 150oC
CUTOFF DAN BREAKDOWN
+
-
TERBUKA
ICEO
IB = 0
VCE
IC
ICEO
IB = 0
TEGANGAN SATURASI
VCE
IC
AKTIP
SATURASI
BREAKDOWN
TITIK KERJA (OPERATING POINT)
VCE
IC
IB = 0 uA
IB = IB(SAT)
IB > IB(SAT)
IB
VCC
VCC / RC
TITIKSUMBAT
TITIKSATURASI
TITIK KERJA
Titik Sumbat dan Saturasi
Titik Sumbat : Titik dimana tranistor berhenti menghantar atau titik dimana IC = 0.
Titik Saturasi : Titik dimana arus kolektor mencapai nilai maksimum, yaitu :
IC = VCC / RC
Daerah aktip (Compliance) adalah daerah yang terletak diantara titik sumbat dengan titik saturasi.
Transistor sebagai Switch
• Transistor dapat digunakan sebagai pengganti switch.
• Pada penggunaannya sebagai switch, transistor dioperasikan hanya pada titik sumbat (switch terbuka), atau pada titik saturasi (switch tertutup).
• Dengan kata lain, transistor tidak pernah dioperasikan pada daerah aktipnya.
Transistor difungsikan sebagai switch :• Jika menyumbat = switch terbuka• Jika saturasi = switch tertutup
IB = 0
IC = 0
VCC
+
-
VCC
+
-
IB
IC
VCC
+
-
IC
VCC
+
-SW SW
IC = 0
Menyumbat Saturasi
IB = (VBB – VBE) / RB
IC(SAT) = VCC / RC
Agar bisa saturasi, arus basis harus cukup besar, yaitu :IB(MIN) ≥ IC(SAT) /
RB
RC
VCCVBB
+
--
+
VBE
VCE
IC
VCC / RC
VCC
IB
IC
LED
RC 1K
RB 3K
+15V
+5V
0V
IB = (5V – VBE) / RB = (5V – 0,7V) / 3K = 1,43 mA
IC = (VCC – VF(LED) ) / RC
= (15V – 2V) / 1K = 13 mA
(MIN) = IC / IB
= 13 / 1,43 = 9,09
Transistor sebagai sumber arus
IC = (VCC – VCE) / (RC + RE)
IE = (VBB – VBE) / RE
Jika >> 1 maka IC ≈ IE = (VBB – VBE) / RE
Kolektor merupakan sumber arus konstan, dimana besarnya arus kolektor ditentukan oleh RE.
RC
VBE
VCE
IC
VCC / (RC + RE)
VCC
IBIC
RE
VCC
+
-
QVBB
-
+
100
+5V
+2V
IE = (VBB – VBE) / RE
= (2V – 0,7V) / 100 = 13 mA
IC = DC.IE
= 0,9 x 13 mA =11,7 mA
Pada rangkaian ini, VF dari LED tidak menentukan besarnya arus kolektor atau arus LED.
Jika b >> 1 maka :IC ≈ IE = 13 mA
