Transistor Bipolar Preinforme

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  • 7/24/2019 Transistor Bipolar Preinforme

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    TRANSISTOR BIPOLAR

    OBJETIVOS

    1. Conocer en este laboratorio la teoria, como se usa y sus apicaciones del

    transistores bipolares.2. Comprobar mediante el aboratorio el reconocimiento de losmtransistores.

    Marco Terico

    Qu es un transistor?

    Un transistor es un dispositivo electrnico que funciona a base de un dispositivo semiconductor que

    cuenta con tres terminales, los que son utilizados como amplificador e interruptor, oscilador,

    conmutador o rectificador. Una pequea corriente elctrica, que es aplicada a uno de los terminales,

    logra controlar la corriente entre los dos terminales.

    Los transistores se comportan como parte fundamental de los aparatos electrnicos, anlogos y

    digitales. Especficamente, en los aparatos electrnicos digitales, un transistor se utiliza como

    interruptor, pero tambin se les da otros usos que guardan relacin con memorias RAM y puerta

    lgicas. Por otra parte, en cuanto a los aparatos anlogos, se utilizan, por lo general, como

    amplificadores.

    Como ya se mencion, un transistor est conformado por tres partes. Una de ellas es la que se encarga

    de emitir electrones, por lo tanto, es el emisor.Una segunda parte es la que los recibe, el denominado

    colector, y por ltimo, una tercera parte que opera como un modulador del paso de los electrones.

    Existen varios tipos de transistores, entre los que encontramos los transistores bipolares y los

    transistores de efecto de campo.

    TRANSISTOR BIPOLAR.-

    Simbologa. Convenio de tensiones y corrientes

    El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor,

    colector y base-, que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de

    dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1 se encuentran los smbolos

    de circuito y nomenclatura de sus terminales.

    La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es

    observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta

    flecha apunta

    Base

    ColectorC

    B

    EmisorE

    hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia

    dentro. Adems, en funcionamiento normal, dicha flecha indicaTransistor tipo NPN Transistor tipo PNP

    el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor.

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    Estructura fsica

    El transistor bipolar es un dispositivo formado por

    tres regiones semiconductoras, entre las cuales se

    forman unas uniones (uniones PN). En la figura 4

    observamos el aspecto til para anlisis de un

    transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que el

    dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el

    emisor es tipo P, entonces la base ser tipo N y el

    Emisor (tipo N)

    Base (tipo P)

    Colector (tipo N)

    colector tipo P.

    Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo

    PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base ser P y

    el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo

    NPN.

    Substrato de Silicio

    Figura 4. Estructura de un TRT bipolar

    El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el

    cual se difunden impurezas1, de forma que se obtengan las

    tres regiones antes mencionadas. En la figura 5 vemos el

    aspecto tpico de un transistor bipolar real, de los que se

    encuentran en cualquier circuito integrado. Sobre una base n

    (substrato que acta como colector), se difunden regionesp y

    n+, en las que se ponen los contactos de emisor y base.

    Colector Emisor

    n+

    p

    n

    Base

    Es de sealar que las dimensiones reales del dispositivo son

    muy importantes para el correcto funcionamiento del mismo.

    Figura 5. Estructura real de un TRT

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    FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

    El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible controlar

    un gran potencia a partir de una pequea. En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo delfuncionamiento del mismo. Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a

    regular, y en el terminal de base (B) se

    aplica la seal de control gracias a la que

    controlamos la potencia. Con pequeas

    variaciones de corriente a travs del

    terminal de base, se consiguen grandes

    variaciones a travs de los terminales de

    colector y emisor. Si se coloca una

    resistencia se puede convertir esta

    variacin de corriente en variaciones de

    tensin segn sea necesario.

    Pequea seal

    de entrada

    Alimentacin

    Alimentacin

    Gran seal de salida

    Figura 8. Ejemplo de funcionamiento

    Fundamentos fsicos del efecto transistor

    El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre elemisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede

    considerar como un diodo en directa (unin emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y

    un diodo en inversa (unin base-colector), por el que, en principio, no debera circular corriente,

    pero que acta como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor-

    base.

    En la figura 9 se puede ver lo que sucede. Se dispone de

    dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en IA

    inversa (diodo B). Mientras que la corriente por A es

    elevada (IA), la corriente por B es muy pequea (IB). Si se

    A Ibase

    I

    unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unin (lo IB Bque llamaremos base del transistor) sea muy estrecha,entonces toda esa corriente que circulaba por A (IA), va aquedar absorbida por el campo existente en el diodo B. De

    Figura 9. Efecto transistor

    esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la base una

    corriente muy pequea. El control se produce mediante este terminal de base porque, si se corta la

    corriente por la base ya no existe polarizacin de un diodo en inversa y otro en directa, y por tanto

    no circula corriente.

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    IEp

    IEnIBr

    ICp

    ICn

    Corrientes y tensiones

    Para el anlisis de las distintas corrientes que aparecen en

    un transistor vamos a considerar un transistor de tipo

    PNP, que polarizamos tal y como aparece en la figura 10.

    Este tipo de polarizacin ser el usado cuando el

    transistor trabaje en regin activa, como se ver en los

    siguientes apartados. La unin emisor-base queda

    polarizada como una unin en directa, y la unin

    colector-base como una unin en inversa.

    En la figura 11 se muestran las principales corrientes (de

    electrones y huecos) que aparecen en el transistor tras

    Base

    Emisor

    (tipo P) N

    Emisor

    Colector

    Colector

    (tipo P)

    aplicar la polarizacin indicada en la figura 10. Se puede

    observar lo siguiente:

    Figura 10. Polarizacin

    Emisor

    (tipo P)Base

    (tipo N)Colector

    (tipo P)

    IE IC

    IB

    Figura 11. Corrientes en un TRT

    Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn) debido a que la unin est en directa

    El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule por la base,sino que siga hacia el emisor (ICp)

    Entre el colector y la base circula una corriente mnima por estar polarizada en inversa (ICn msuna parte nfima de ICp)

    Por la base realmente circula una pequea corriente del emisor, ms otra de colector, ms lacorriente de recombinacin de base (IEn+ICn+IBr)

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    EE E

    A partir de lo anterior podemos obtener algunas ecuaciones bsicas como son las siguientes:

    IE + IB + IC = 0 (I )

    Esta ecuacin viene impuesta por la propia estructura del circuito, es decir, el transistor es un nodocon tres entradas o salidas, por tanto la suma de las corrientes que entran o salen al mismo ha de ser

    cero.

    Cada una de las corrientes del transistor se puede poner en funcin de sus componentes de la

    siguiente forma:

    I =I +In p

    IC = IC + ICn p

    IB = IE + IC + IBn n r

    Relaciones ms importantes. Parmetros y

    En un transistor bipolar uno de los aspectos ms interesantes para su anlisis y uso es el conocer las

    relaciones existentes entre sus tres corrientes (IE, IB e IC). En la ecuacin I tenemos una primera

    relacin. Otras relaciones se pueden obtener definiendo una serie de parmetros dependientes de la

    estructura del propio transistor.

    Definimos los parmetros y (de continua) como la relacin existente entre la corriente de

    colector y la de emisor, o la de emisor y la de base, es decir:

    I=

    C

    IE

    I=

    C

    IB(II )

    Operando podemos relacionar ambos parmetros de la siguiente forma:

    I c I C IC = =

    IB IE IC=

    IE (1IC IE=

    ) 1

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    En general el parmetro ser muy prximo a la unidad1 (la corriente de emisor ser similar a la

    de colector) y el parmetro

    tendr un valor elevado (normalmente > 100).

    A partir de las ecuaciones anteriores se puede obtener una ms que es til cuando se trabaja con

    pequeas corrientes de polarizacin, en las que el efecto de la corriente inversa que circula entre

    colector y base puede no ser despreciable:

    IC = IB + (+1)I C0 (III )

    En esta ecuacin se ha denominado IC0 a la corriente inversa de saturacin de la unin colector-

    base, la cual, en general se puede aproximar por ICn, y corresponde a la corriente que circulara por

    dicha unin polarizada en inversa si se deja al aire el terminal de emisor.

    Funcionamiento cualitativo del transistor

    En funcin de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del transistor bipolar

    podemos conseguir que ste entre en una regin u otra de funcionamiento. Por regiones defuncionamiento entendemos valores de corrientes y tensiones en el transistor, que cumplen unas

    relaciones determinadas dependiendo de la regin en la que se encuentre.

    Regiones de funcionamiento

    Corte

    Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales . Concretamente,

    y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se cumple la

    condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la corriente por el emisor lleva sentido

    contrario al que llevara en funcionamiento normal).

    Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-emisor del

    mismo, es decir, basta con que VBE=0.

    Activa

    La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus

    terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-

    base en inversa.

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    En general, y a efectos de clculo, se considera que se verifica lo siguiente:

    VBE =V

    I C = IB

    donde V

    es la tensin de conduccin de la unin base-emisor (en general 0,6 voltios).

    Saturacin

    En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la base-colector se

    encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica slo lo siguiente:

    VBE =VBEsat

    VCE =VCEsat

    donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener valores determinados(0,8 y 0,2 voltios habitualmente).

    Es de sealar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturacin circula tambincorriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relacin: IC = IB

    Otros aspectos del funcionamiento del BJT

    Efecto Early

    Una vez polarizado el transistor en su zona de funcionamiento se pueden producir variaciones no

    deseadas de las corrientes en el mismo debidas a variaciones en la tensin colector-base. Estas

    variaciones de corriente son consecuencia de la modulacin de la anchura de la base, tambin

    conocida comoEfecto Early.

    En un transistor bipolar, un incremento en la tensin colector-base lleva asociado un incremento en

    la anchura de la zona de carga espacial de dicha unin. Este aumento provoca una disminucin de la

    anchura efectiva de la base, tal y como se observa en la figura 12 (la anchura efectiva de la base

    pasa de WB a WB). Debido a esto, la corriente de colector aumenta, pues existe menos camino para

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    la recombinacin en base. La pendiente positiva de las curvas caractersticas del transistor en zona

    activa es debida a este efecto.

    Base

    VCB

    Emisor Colector

    WB WB

    Figura 12 . Descripcin de la modulacin de la anchura de base con la tensin

    Fenmenos de avalancha y perforacin

    El transistor bipolar, como cualquier dispositivo en cuya estructura existan uniones PN polarizadas,

    tiene unas limitaciones fsicas de funcionamiento debidas a los fenmenos de avalancha que se

    pueden producir al aplicar tensiones elevadas a las uniones. Concretamente en un transistor bipolar

    se puede producir la destruccin del dispositivo mediante dos mecanismos de ruptura diferentes:

    Ruptura por entrar en avalancha alguna de las uniones. Si se aplica tensin inversa elevada alas uniones PN del transistor puede ocurrir que alguna entre en avalancha. La unin base-emisor

    es especialmente sensible a la aplicacin de tensiones elevadas debido a su alto dopaje.

    Ruptura por perforacin de base. En el apartado anterior se ha hablado de la disminucin de la

    anchura de la base debido a la tensin inversa aplicada a la unin colector-base. Puede ocurrir

    que las tensiones aplicadas sean tan grandes que

    desaparezca completamente la anchura de la base del

    transistor (es decir, que WB = 0). Este caso se

    denomina perforacin de la base, y se produce la

    destruccin del transistor al circular una corriente muy

    elevada entre emisor y colector. En la figura 13observamos el fenmeno de perforacin de base.

    Base

    WB

    Figura 13. Perforacin de base

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    Consideraciones sobre potencia

    Otro motivo por el que se puede destruir un transistor bipolar es la potencia mxima que es capaz

    de disipar. En general se puede hablar de potencia en rgimen continuo y potencia en rgimen

    alterno. En este cuaderno slo se considerar el rgimen continuo, o de polarizacin del transistorbipolar.

    La potencia disipada por cualquier componente viene dada por la ecuacin:

    P = V

    I

    en el caso particular de un transistor bipolar, consideramos que la potencia que disipa viene dada

    por la corriente de colector multiplicada por la tensin que colector-emisor, es decir:

    P = VCE

    IC

    El producto de la corriente de colector por la tensin colector-emisor indica la potencia disipada por

    el dispositivo.

    En funcin del tipo de transistor (de su fabricacin, caractersticas y encapsulado), de las

    condiciones ambientales y del uso de disipadores, la potencia que puede soportar un transistor

    vara.

    La potencia mxima que puede disipar un transistor se puede representar en unos ejes de

    coordenadas, obteniendo la hiprbola de mxima disipacin del dispositivo. En el apartado de

    curvas caractersticas se muestra un ejemplo.

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    MATERIALES:

    - Fuente de voltaje. - Resistencias

    - Voltmetro. - Transistores

    - Cables.

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    TABLAS Y SIMULACIN

    A) Implemente el siguiente circuito y encuentre el punto de operacin:

    VBB(V) VCE(V) IC(mA) IB(uA) VRB(V) VRC(V) VBE(V) B

    0.7 9.94 0.06 0.22 0.10 0.06 0.60 272

    0.8 9.88 0.12 0.39 0.19 0.12 0.61 307

    0.9 9.83 0.17 0.59 0.28 0.17 0.62 288

    1 9.77 0.23 0.78 0.37 0.23 0.63 294

    1.2 9.65 0.35 1.19 0.56 0.35 0.64 294

    1.4 9.53 0.47 1.60 0.75 0.47 0.65 293

    1.6 9.41 0.59 2.01 0.94 0.59 0.66 293

    1.8 9.30 0.70 2.43 1.14 0.70 0.66 288

    2 9.18 0.82 2.85 1.34 0.82 0.66 2872.2 9.06 0.94 3.27 1.53 0.94 0.67 287

    2.3 9.00 1.00 3.48 1.63 1.00 0.67 287

    2.4 8.94 1.06 3.69 1.73 1.06 0.67 287

    2.5 8.89 1.11 3.90 1.83 1.11 0.67 284

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    B) Implemente el siguiente circuito y encuentre el punto de operacin:

    VBB(V) VCE(V) IC(mA) IE(mA) IB(uA) VR1(v) VR2(v) VRC(v) VRE(v) VX(v) B

    S/F 10.9 0.36 0.36 1.21 10.9 1.08 0.65 0.44 11.34 2970.7 11.8 0.08 0.08 0.26 11.3 0.70 0.15 0.09 11.85 307

    0.8 11.5 0.15 0.15 0.49 11.2 0.80 0.27 0.18 11.72 306

    0.9 11.3 0.22 0.23 0.74 11.1 0.90 0.40 0.27 11.59 297

    1 11.1 0.30 0.30 1.00 11.0 1.00 0.54 0.36 11.45 300

    1.2 10.6 0.46 0.46 1.54 10.8 1.20 0.82 0.55 11.17 298

    1.4 10.1 0.62 0.62 2.10 10.6 1.40 1.11 0.74 10.88 295

    1.6 9.66 0.78 0.78 2.67 10.4 1.60 1.40 0.94 10.59 292

    1.8 9.18 0.94 0.94 3.27 10.2 1.80 1.69 1.13 10.30 287

    2 8.69 1.10 1.11 3.87 10.0 2.00 1.98 1.33 10.01 284

    2.2 8.20 1.27 1.27 4.50 9.80 2.20 2.28 1.52 9.72 2822.3 7.95 1.35 1.35 4.82 9.70 2.30 2.42 1.62 9.57 280

    2.4 7.71 1.43 1.43 5.14 9.60 2.40 2.57 1.72 9.42 278

    2.5 7.46 1.51 1.52 5.46 9.50 2.50 2.72 1.82 9.28 276

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    Preguntas

    Qu es un transistor bipolar, y cul es la funcin bsica del transistor?

    Un transistor bipolar es un dispositivo formado por tres capas de material semiconductor organizadas

    en forma de sndwich. Puede ser material tipo N entre dos materiales tipo P o viceversa. De acuerdo a

    la forma como se alternen estas tres capas, se pueden obtener dos tipos: el NPN y el PNP. La FUNCION

    BASICA y ms importante de un transistor es la amplificacin de corriente.

    Cules son las fallas ms comunes de los transistores?

    Que entre a corte y saturacin sin que el diseo as lo provee, que nunca se polarice, que la ganancia en

    dc se modifique por sobre calentamiento, que este en corto, que este abierto, en general un transistor

    es muy sensible y si no tienes una buena precisin a la hora de hacer el diseo junto con escoger las

    resistencias de polarizacin al polarizar puede que falle y no funcione como esperbamos.

    Cules son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?

    Es bsicamente en su estructura interna, sea de mayor regin n o p ademsen el transistor NPN sale la

    corriente por el emisor, y en el PNP ingresa lacorriente por esta misma

    Algunas aplicaciones de los transistores

    Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

    1. Amplificacin de todo tipo (radio,televisin,instrumentacin)

    2. Generacin de seal (osciladores, generadores deondas,emisin de radiofrecuencia)

    3. Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels,fuentes de alimentacin

    conmutadas, control de lmparas,modulacin por anchura de impulsos PWM)4. Deteccin deradiacin luminosa (fototransistores)

    Cuales son los tipos de transistores que hay?

    Transistor de contacto puntual

    Consta de una base degermanio,semiconductor para entonces mejor conocido que la

    combinacincobre-xido de cobre,sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que

    constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve

    en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en

    su da.

    Transistor de unin bipolar

    El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction transistor) tienen

    cualidades de semiconductores, estado intermedio entreconductores como losmetalesy

    losaislantes como eldiamante.La zona N con elementos donantes deelectrones (cargas negativas) y la

    zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos

    aceptadores P alIndio (In),Aluminio (Al) oGalio (Ga) y donantes N alArsnico (As) oFsforo(P).

    La configuracin deuniones PN,dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia

    siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son

    del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general,el emisor est mucho ms contaminado que el colector).

    http://www.monografias.com/trabajos13/radio/radio.shtmlhttp://www.monografias.com/trabajos37/historia-television/historia-television.shtmlhttp://www.monografias.com/trabajos7/inba/inba.shtmlhttp://www.monografias.com/trabajos5/elso/elso.shtml#ondashttp://www.monografias.com/trabajos10/formulac/formulac.shtml#FUNChttp://www.monografias.com/trabajos10/modul/modul.shtmlhttp://www.monografias.com/trabajos/enuclear/enuclear.shtmlhttp://es.wikipedia.org/wiki/Germaniohttp://es.wikipedia.org/wiki/Cobrehttp://es.wikipedia.org/wiki/%C3%93xido_de_cobre_(I)http://es.wikipedia.org/wiki/Conductor_el%C3%A9ctricohttp://es.wikipedia.org/wiki/Metalhttp://es.wikipedia.org/wiki/Aislamiento_el%C3%A9ctricohttp://es.wikipedia.org/wiki/Diamantehttp://es.wikipedia.org/wiki/Electr%C3%B3nhttp://es.wikipedia.org/wiki/Indio_(elemento)http://es.wikipedia.org/wiki/Aluminiohttp://es.wikipedia.org/wiki/Galiohttp://es.wikipedia.org/wiki/Ars%C3%A9nicohttp://es.wikipedia.org/wiki/F%C3%B3sforohttp://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PNhttp://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PNhttp://es.wikipedia.org/wiki/F%C3%B3sforohttp://es.wikipedia.org/wiki/Ars%C3%A9nicohttp://es.wikipedia.org/wiki/Galiohttp://es.wikipedia.org/wiki/Aluminiohttp://es.wikipedia.org/wiki/Indio_(elemento)http://es.wikipedia.org/wiki/Electr%C3%B3nhttp://es.wikipedia.org/wiki/Diamantehttp://es.wikipedia.org/wiki/Aislamiento_el%C3%A9ctricohttp://es.wikipedia.org/wiki/Metalhttp://es.wikipedia.org/wiki/Conductor_el%C3%A9ctricohttp://es.wikipedia.org/wiki/%C3%93xido_de_cobre_(I)http://es.wikipedia.org/wiki/Cobrehttp://es.wikipedia.org/wiki/Germaniohttp://www.monografias.com/trabajos/enuclear/enuclear.shtmlhttp://www.monografias.com/trabajos10/modul/modul.shtmlhttp://www.monografias.com/trabajos10/formulac/formulac.shtml#FUNChttp://www.monografias.com/trabajos5/elso/elso.shtml#ondashttp://www.monografias.com/trabajos7/inba/inba.shtmlhttp://www.monografias.com/trabajos37/historia-television/historia-television.shtmlhttp://www.monografias.com/trabajos13/radio/radio.shtml
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    Transistor de efecto de campo

    En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de

    campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se

    conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos

    surtidor y al otro drenador. Aplicandotensinpositiva entre el drenador y el surtidor y conectando la

    puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con

    polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento,

    cesa la conduccin en el canal.

    Fototransistor

    Los fototransistores son sensibles a laradiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de

    laluz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un

    fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras

    diferentes:1. Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

    2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de

    base. (IP) (modo de iluminacin).

    http://es.wikipedia.org/wiki/Tensi%C3%B3n_(electricidad)http://es.wikipedia.org/wiki/Radiaci%C3%B3n_electromagn%C3%A9ticahttp://es.wikipedia.org/wiki/Luzhttp://es.wikipedia.org/wiki/Luzhttp://es.wikipedia.org/wiki/Radiaci%C3%B3n_electromagn%C3%A9ticahttp://es.wikipedia.org/wiki/Tensi%C3%B3n_(electricidad)