103
Microelectronics 1 • Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg… CODEC – telefónia EPROM – floating gate Mikroprocesszor, memóriák Gordon Moore Scale-down Áramkör-elmélet (kódolás, szűrés, etc.) Analogic „electronic grade” Team – tudományágak „Intellectual property”, IP

Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

  • Upload
    hien

  • View
    22

  • Download
    0

Embed Size (px)

DESCRIPTION

Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg… CODEC – telefónia EPROM – floating gate Mikroprocesszor, memóriák Gordon Moore Scale-down Áramkör-elmélet (kódolás, szűrés, etc.) Analogic „electronic grade” Team – tudományágak - PowerPoint PPT Presentation

Citation preview

Page 1: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 1

• Történelem• Planar techn.• Dinamikus – kapacitív tárolás• Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…• CODEC – telefónia• EPROM – floating gate• Mikroprocesszor, memóriák• Gordon Moore• Scale-down• Áramkör-elmélet (kódolás, szűrés, etc.)• Analogic• „electronic grade”• Team – tudományágak• „Intellectual property”, IP

Page 2: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 2

TGSDS VUU

TGSDS VUU

:ha

:ha

2

UUVUKI

2DS

DSTGSD

2TGSD VU

2

KI

DSDSTGSD UUVUKI

)( ///0

TUdbUTUsbUTUgbUd eeeII

csatorna

Drain

polysilicon gate

gate-oxid Gate

p-szubsztrát

Source

n+ n+

Rövidcsatornás „telítéses” üzem:

Küszöbfeszültség alatti működés:

Page 3: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 3

• Szubsztrát visszahatás

B

A CpT1

T2

ΔVth=0,5 Usb 1/2

Usb

Page 4: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 4

Drain

Gate Szubsztrát

Source

Cdb

Cgb

CsbCgs

Cgd

Parazita elemek

Page 5: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 5

• Latch-up

n-zseb

D

nMOS-tranzisztor

p+

G

p-szubsztrát

S

n+

pMOS-tranzisztor

G

S D

Latch-up

Page 6: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 6

Ugs’

Csb

Gate

Source Drain

Idb

Bulk (szubsztrát)

Cgb Cdb

Cgd

Cgs

rs rdgmUgs’

ri

rg

D1 D2

Page 7: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 7

• Vertikális tranzisztor

Gate

SourceDrain

Szubsztrát

Hordozó

n+

pn+

p

L

Page 8: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 8

• Silicon-on-Sapphire, SOS

n-adalékolt drain réteg

Csatorna a p-szubsztrátban

Nincsparazita

n-adalékolt source réteg

poliszilicium gate réteg

Gate oxidréteg

UG

US UD

Szigetelt hordozópl. zafír

Page 9: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 9

• Integrált bipoláris tranzisztor

KollektorEmitter Bázis

p-bázis

p-szubsztrát

n+-emitter

n-kollektor n+-kollektor eltemetett réteg

n+-kollektor hozzávezetés

Page 10: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 10

Tokozások MCM, szendvics-szerkezet (mikrohullámú összeköttetések)

1. VLSI chip

2. VLSI chip

3. VLSI chip

Kerámia hordozó

Tokozás

Page 11: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 11

• Kaszkád feszültségkapcsolt logika

(Cascade Voltage Switch Logic, CVSL)

VDD

T2 T1

T4 T3

Q Q

A A

Ellentétes (differenciális)vezérlés

Ha bemenetek=lebeg, akkor kapacitív tárolás)

VDD

T2 T1

T4 T3

Q Q

D D

CLK

Page 12: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 12

• Logikai családok

statikus CMOS

dinamikus CMOS (Domino)

transzfer gates

áramkapcsolt (CML)

kaszkád feszültség-kapcsolt (CVSL)

emittercsatolt (ECL)

BiCMOS

adiabatikus, retractile

Page 13: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 13

n n

p

p

Vcc

Y=A +B

C t

B

A

1. Statikus CMOS logika.

Vcc

Y=A.B

n

n

n

pELŐTÖLTÉS

B

A C ki

KIÉRTÉKELÉS

2. Dinamikus CMOS logika.

Logikai családok

M

T2

T1

A C2

VCC

C1D

E

F B

Y1

Y2

3. Több-kimenetű Dinamikus CMOS logika.

Page 14: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 14

p

p

n

n

Y=A B

A

A

B

R1

A UrefB Y=A . B

Vcc

R2

4. Transzfer-gates logika.

5. Emittercsatolt logika.

Page 15: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 15

n

pT1

Q1

n

nQ2

Ct

Vcc

T2

T3

T4

A

A

6. BiCMOS logika

Page 16: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 16

Vcc

p

A

Ct

A

n

CMOS alapinverter

A·B+C·D

D

A C

VDD

B URefURef

R1

7. Current Mode Logic, CML

Page 17: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 17

Statikus RS-tároló.

T1

n n

Q

C2

Q

n

pp

nC1

SETRESET

VCC

Brute force!!!

Page 18: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 18

CparazitaVcc

Y=A. B

n

n

n

p

B

A

C ki

Statikusinverter

A.B A.B

B

AC1

C2

D

C3

Y=A.B.D

DOMINO CMOS dinamikus, egyfázisú logika

VccVcc

Vcc

nMOS logika

DOMINO CMOS fokozatokösszekapcsolása statikus inverterrel

Page 19: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 19

• GHz-es CMOS logikák

időzítés – fázisjelek

deskew áramkörök

jel-regenerálás, átmeneti tárolók

(transzparens latch-ek)

differenciális jel-vezetés

Page 20: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 20

• Gyors beírású, a kimeneten megfogott D-tároló

Q

C1C2

VDD

D

T4

T2

VDD

T7

T5

T1

CLKM

CLK

CLK

CLK

T3 T6

QI1 I2 I3

Page 21: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 21

Memóriák

Page 22: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 22

VCC

p p

n n

n

word line

read writeread write

n

bit line bit line

6-tranzisztoros statikus tároló cella

Page 23: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 23

p p

n n

n nQ

Q

1

2V ref

senseamplifier

out

EEV-

V- EE

Read Word Line

Write Word Line

Read Bit LIne

ECL kiolvasású 6-tranzisztoros tároló cella

Page 24: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 24

• Duál-port RAM

VCC BL

1

BL

2

BL1BL

2

WL

1WL

2

Page 25: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 25

• Áramtükrös SRAM kiolvasó erősítő

T4

Bit Bit Oszlop szelektálás

T1 T2

T5

Adat ki

VDD

Φ

T3

T6

UG VDD, nincs áramΦ fázisjel nyitja T7-et, kiválasztjuk az oszlopot,ΔU feszültségek lépnek fel,T1, T2 az „erősítőre” kapcsol,T5 nyit, T6 zárva marad,UG →0, Adat ki = VDD,ui. T4 árama=0 kell legyen.

Ha fordítva, akkor T6 nyit,T4 zárva, ezért Adat ki =0, nincsmunkaellenállás!T5 zár, ezért UG=VDD.

végül Φ→0, T7 lezár,

T7

UG

+ΔU ΔU=0

T7

Page 26: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 26

Billenőkörös kiolvasó erősítők

T6

VDD

Memóriacellák

T10

Bit Bit

Φ

Oszlop szelektálás

T1 T2

T3 T4

VDD

Φ

T5

T7 T8

T9

X Y

Bit Bit

Oszlop

Φ

WL

T5 T6

T7 T8

T9

X Y

T3 T4

T1 T2

T11

Φ Φ

Adat kiAdat ki

a) b)

metastabil

Kis felhúzó áram

Földelés

Ittvezérel,nyitva, de I=0

VDD-10mV

Page 27: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 27

• ECL sordekóder

A0

URef

Q1

Q2

CL

VDD

ECL –MOS Translator

VDD

Page 28: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 28

• 3-tranzisztoros dinamikus (analóg) cella

CS

T3

Kimeneti vonal (invertált)

Read

T2

T1

Write

Bemeneti vonal

Analóg áramkörök: aritmetikához

Page 29: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 29

1-tranzisztoros dinamikus RAM cella

word line

bit line

read amplifier

CS CBL

SBL

SrefSBL CC

CUUU

)(

Page 30: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 30

p p

n n

Prech Prech

Vref V

ref

Vref

Prech

Strobe1

Strobe2Word line

Dummy

Word line

bitlinebitline

Cs

Dummy cell

C 1C 2

Dinamikus RAM cella kiolvasó erősítő

Page 31: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 31

C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8

Sor-cím Oszlop-cím

Burst kezdete

RAS

CAS

Clock

Cím

Adat

Latency

Szinkron DRAM ütemezése

Régi DRAM: aszinkron. Itt processzor tudja latency-t, és akkor olvas ki.

Page 32: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 32

BANK0

* *2K 256 16

sense amplifiers

I/O gating

DQM mask logic

columnaddress

latch

columnaddressbuffer

burstcounter

controllogic

CDrow

decoder

columndecoder

addressregister

rowaddressmultiplexer

refreshcounter

refreshcontroller

mode reg.commanddecoder

CKL

CKE

CS

WE

CAS

RAS

A0-A10

BA sense amplifiersI/O gating

DQM mask logic

datainput

register

data

registeroutput

D0-D15

DML, DMH

memory array

memory arrayBANK1

* *2K 256 16

rowaddress

latch

rowaddresslatch

rowdecoder

2

2048

2048

256x16

256x16

256

256

MUX

B

D

DL

L

CL

R

11

16 Mbit (1Mx16)

SDRAM

Page 33: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 33

• DDR (Double Data Rate)-RAM• EDO-RAM (kimeneti tároló, közben címek)• Beágyazott RAM-ok: dual oxide technique• RAMBUS• SAM• Video RAM

Page 34: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 34

Vezérlő gate

Source

Lebegő (floating) gate

Drain

Csatorna

UV-EPROM cella

Kapacitív osztó,Lavina-hatás(hot elektron)

Page 35: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 35

Klasszikus EEPROM cella

n+ n+

Control gate

S D

tunnel oxid

+12V

0 V +12V

+12V

WRITE ERASE READ

0 VURead

+5V

+5V

+

from gate

(Tunnelezés a drain-ről)

to gate

Kapcsolótranzisztor

Page 36: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 36

0 V

+12V

Törlés: minden source → +12V, electronok: vissza source-ba

Bit line

Word line

Közös föld

D

Sn+

S D

tunnel oxid

Word line

n+

Flash memória cella

Page 37: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 37

Drain Source

Control gate

n n

Forró elektronok

Alagút-hatás

S

D

+5V

GND

+12V

S

D

+12V

GND

GND

a/ b/ c/

Split-gate EEPROM cella

Page 38: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 38

• NOR-rendszerű Flash memória

2. Bit-vonal1. Bit-vonal

WL0

WL1

WL14

WL15

Közös source

Helyfoglalás

Write: source=0, BL=high,WL=+U

Erase: közös source =+U,WL= -U, BL=lebegegyszerre a blokk

Read: source=0, drain=R,WL=cím

Page 39: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 39

NAND-rendszerű Flash memória struktúraJó helykihasználás, lassú (soros)

Write (Tx): BLx szelektálás Source szelektálás, KS=0 BLx=0 WLx= ++U, a többi +U csatorna mindenütt, tunnel Tx

Erase: zseb=++U, összes WL=0 minden cella törlődik

Read (read-through, „cellákon át”): BL, KS szelektálás Source=0, BL= pull-up WL (nem Tx)=normál csatorna WLx=0, kiolvasás függ lebegő gate-től

Sor- dekóder

2. Bit-vonal

Bit-vonal szelektálás

Közös source szelektálás (KS)

1. Bit-vonal

WL0

WL1

WL14 (WLX)

WL15

Közös source

TX

(BLX)

Page 40: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 40

• Programozott kapcsolóFPGA, redundáns memória, A/D kalibrálás

T2

T1

S

D

A

B

UVez

Programozás

Közös lebegő gate

Kapcsoló

B

A

rds

Page 41: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 41

F

VSS

F2

1

F 1

VDD

A

A

A

F 1

VSS

fém

poly

poly

poly

polyfém

fém

fém

szóvonal

0

1A1

2

A2

A 0

A 0 A1A2

VSS

F 1

F 1

F2

F 1

VDD

VDD

szóvonal

Dinamikus sordekóder elrendezése

Page 42: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 42

8K x 9bitSRAM

TAG-RAM DATA-RAM

BANK

decoder

comparator

MISS

HIT

CPUdatabus

Main

Memory

9 bit

program counter

13

9

HIT / MISS

Cache-Tag memória struktúra

Page 43: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 43

Cache memóriákHierarchikus memória-felépítés:

L1I, L1D utasítás és adat-memória

L2

L3

Main memory

Disc

L1 utasítás cache és fetch

utasítás queue Ugrás jóslás

Regiszter- és stack-kezelés

Elágazás regiszterek

Busz vezérlő és ECC

Egészszám regiszterek

Lebegőpontos regiszterek

Lebegő- pontos egység

Integer és multimédia egység

L1- adat cache

L3

cach

e

L2

cac

he

Elágazás egység

Page 44: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 44

Mikroprocesszorok

Page 45: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 45

Harvard-struktúrájú mikroprocesszor

8

Program memória

RAM ALU

PC

Dekóder

Továbbiegységek

ff f f f f ff

256 byte RAM címe

d

Utasítás kódja

Page 46: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 46

Itanium-2 tip. 64-bites processzor

L1 utasítás cache és fetch

utasítás queue Ugrás jóslás

Regiszter- és stack-kezelés

Elágazás regiszterek

Busz vezérlő és ECC

Egészszám regiszterek

Lebegőpontos regiszterek

Lebegő- pontos egység

Integer és multimédia egység

L1- adat cache

L3

cach

e

L2

cac

he

Elágazás egység

L1: write through, L2/L3: valid bit

Pipeline, 6 utasítás/ciklus, párhuzamos működés, FIFOban queue, Domino CMOS, anti-race

Page 47: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 47

Média-processzor (MAJC, Microprocessor Architecture for Java Computing)(VLIW, Very Large Instruction Word) 128-bit=4x32-bit

Duál processzor, FFT, DCT, inverz DCT, MPEG-2, Domino CMOS

Memória-vezérlőI/O portok PCI-busz csatl.

I/O portok

Utasítás cache Utasítás cache

Megosztottadat cache

Graf. processzor

Kapcsoló mátrix

FU3 FU3FU1 FU2FU2 FU1FU0FU0

FU0: kapcsoló mátrix, adat-cacheKülön utasítás dekóder

Másik adatára vár

Page 48: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 48

Neumann-struktúrájú mikrocontroller

3

Interruptok System controlÓrajel A/D konverter

Timer1

Timer 2

Watchdog

Perifériás int.

Soros interfész CPU RAM

Data EEPROM EPROM

Port A Port A Port APort A

Vcc,a

Vss,a

Interrupts XTAL ResetMód

Data ControlAddress high

Address low

RxTx

PWMEvent

PWMEvent

I/O

88 88

Analóg bemenetek

Vcc

Vss

Page 49: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 49

Timer/Counter egység

SW Reset

Capture

PWM

16-bit capture/ compare reg.

compare

compare

16-bit capture/ compare reg.

16-bitszámláló

8-bit előszámláló

Eseménybemenet

Flag+Int.

Flag+Int.

Flag+Int.

Flag+Int.

OverflowExt. reset

Page 50: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 50

I2C-busz

Adat

Órajel

StopStart

START 1010 A2A1A0 R/W Ack AH byte Ack AL byte Ack D1byte STOP

Page 51: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 51

Harvard-struktúrájú

0 1 2 3 4 5 6 7

START BIT

STOP BIT

LSB

Serial Data Reg.

Flag+Int.

8

Master/Slaveátváltás

Clock outSystem Clock

SPI buffer

Flag+Int.Flag+Int.

Clock rate

Slave-In, Master-Out

Slave-Out, Master-In

Page 52: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 52

Digitális szűrők

x(n) x(n-1) x(n-2)

z-1 Latchz-1

y(n)

h0 h1 h2

Latch

x(n) x(n-1) x(n-2)

z-1 z-1z-1

x(n-3)

y(n)

h0 h11 h22 h3

1

0

)()()(K

k

knxkhny

Multiply-Accumulate (MAC)

Pipeline üzem

Latch nélkül:t=TMPY+2TADD

Latch beiktatásával:t=TMPY+TADD

2TADD

TMPY

Page 53: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 53

Diszkrét koszinusz-transzformáció (DCT)

1,,1,0,2

)12(cos)()()(

1

0

Nk

N

knnxkekX

N

n

x(n)=bejövő mintavett, digitalizált jel, n=0,1,…..(N-1) a minta sorszáma, X(k)=transzformált érték, sorszáma k=0,1, ….(N-1). e(k)= 1/2, ha k =0, egyébként pedig e(k)=1. N(N-1) szorzás. Azonos trigonometrikus szorzótényezőjű szorzatok összevonva, szorzás helyett összeadás. X(0)….X(7) transzformált értékek, összevonva az azonos koszinuszos tagokkal rendelkezőket:

13721170

232610

73123150

43210

13725130

632210

53327110

43210

)7(

)()()6(

)5(

)()4(

)3(

)()()2(

)1(

)()0(

cQcQcQcQX

cPPcPPX

cQcQcQcQX

cPPPPX

cQcQcQcQX

cPPcPPX

cQcQcQcQX

cPPPPX

az összevont minták

523612431700

523612431700

xxQxxQxxQxxQ

xxPxxPxxPxxP

trigonometrikus szorzótényező ci=cos(iπ/16). A

8x7=56 szorzás helyett a fenti számítás csak 22 szorzási művelet. további egyszerűsítésekkel a szorzások száma 13-ra csökkenthető (több mint négyszeres sebesség-növekedést eredményez).

Page 54: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 54

x (m,n) = NxN méretű mező képpontjai,

y(k,l) a transzformált érték,

α(k) = α(l) =1/2, ha k=0, ill. l =0, egyébként egységnyi.

adatok: adatfolyam

N

nl

N

mknmxlk

Nlky

N

m

N

n 2

)12(cos

2

)12(cos),()()(

2),(

1

0

1

0

Kétdimenziós diszkrét koszinusz-transzformáció áramkörei.

Page 55: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 55

Kétdimenziós diszkrét koszinusz-transzformáció áramkörei.

x(m,n) vektorok folyamatosan, T ciklusidővel, bit-párhuzamosan 8 elemes shift D regiszter sorba. 8 új vektor van a sorban: átírás az R regiszter-sorba, táblázatos szorzásA részletszorzatok összegzése: szummázás és visszacsatolt léptetés. Szorzás 8 vektorra párhuzamosan 8T idő alatt, D regiszter-sorba új adatok. A kimeneten az y(k,l) vektorok T ciklusidővel, sorosan lépnek ki.

D ROM

Shift

Szummázó

D ROM

Shift

Szummázó

D ROM

Shift

Szummázó

D

D

D

Bemenet Kimenet

R

R

R

Regiszterek

Page 56: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 56

Aritmetikai áramkörök

Page 57: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 57

Feladat: mi ez?

XX

T2 T8T7T4T3T6T5T1

T9T10

Q

VDD

Q

CLK CLK

R1 R3R2 R4

I0

Induláskor:CLK=0, Q=0, X=1

Page 58: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 58

1. ütem: CLK= 1→0: T3 és T4 kijelöli FF1 állapotát, legyen X=1 CLK=0, Q=0, X=1. I0 FF1-en, Q (és neg.) értékét T7 és T8 állítja be.2. ütem: CLK=0→1: T7 és T8 jelöli ki FF2-öt, Q→1.

Minden második órajelre vált, 2-es osztó.

XX

T2 T8T7T4T3T6T5T1

T9T10

Q

VDD

Q

CLK CLK

R1 R3R2 R4

I0

GHz-es 2-es osztó

Page 59: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 59

A/D átalakítók

Page 60: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 60

R/2 +

8-bites flash A/D átalakító

0

0

1

1

Uref

R

R

R

R/2

ROM 256 8bit

D0 D7

higany

‘Thermometer’

Ube

XOR

+

+

+

Page 61: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 61

K1

Aláosztásos (subranging) A/D átalakító

Mintavétel éstartás

D/A

Ube

Flash konverter

Logika

Hibajelerősítő

Differencia-képző

Digitáliskimenet

Page 62: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 62

Telecom áramkörök

Page 63: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 63

1

16

1 16Ki

Be

Jel-utak kialakítása

Analóg átvitel:-Rotary-gépek- Crossbar- Mechanikus relék

- Elszigetelt tirisztorok

14. bemenet→2. kimenet

16x16-os kapcsoló-mátrix

Page 64: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 64

1

16

1

16

5

9

5

4

8

12

13

4

8

9

12

13

4x4

4x2 4x2

N1

1

16

1 16Kimenetek

Bemenetek

= 4

N2

=2

n=16

Kapcsoló-mátrix és felbontása2

1222

N

nNnNK

Egyidejűlegmax. nN2/N1

Page 65: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 65

Hibrid

Vett jel

Z0 lezáróellenállás

Adás

Csavart érpár

Áramirányok vételnél

Page 66: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 66

Control Data

S/H

REF DAC

Hold

Successive Approximation Register (SAR)

Control Register

MUX

InputRegister

GND VCC

Analóg ki

Analóg be

Keret szinkron

PCM Out Highway

CLK

Komp.

Kóder-dekóder (CODEC) áramkör

PCM In Highway

Page 67: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 67

8

21

6

54

3

7

Digitális bemenet

Analóg kimenet

Dinamika-expanzió exponenciális görbével

Page 68: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 68

ATM-hálózat kiépülése

Végpont Végpont

kérés

elfogadás

ATMkapcsoló

virtuális útvonal

A B

elfogadáselfogadás

elfogadás

kérés kérés

kérés

Használat előtt ki kell építeni a vonalat, minden csomag ezen, előzés nincs!VPI: azonos az úton, de sok VCI-t használ. Kis cella→ kis bufferek

Page 69: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 69

ATM packetGFC

VPI

VPI

VCIPT CLP

ADAT

FEJLÉC

bitek 8 7 6 5 4 3 2 1

1

2

3

4

5

6

53

byte-ok

.

.(48 Byte)

HEC

GFC (Generic Flow Control, Általános folyam vezérlő),VPI (Virtual Path identifier, Virtuális útvonal azonosító),VCI ( Virtual Channel Identifier, Virtuális csatorna azonosító), PT (Payload Type, Hasznos adat tipus), CLP (Cell Loss Priority, Cella elvesztés prioritás), HEC (Header Error Check, Fejléc hiba ellenőrzés).

Page 70: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 70

1. bemeneti memória

8. bemeneti memória

és

dual-port RAM

memóriakezelés

1. kimeneti memória

8. kimeneti memória

Kimeneti tárolók

és

bufferek

Bemenetitárolók

bufferek

8x4bemenet

Órajelek éskeretvezérlõk

8x4kimenet

12

32

12

32

Vezérlõ- jelek

vezérlőinterfész

8192 ATM cella

4

4

4

4

53byte SAM

prioritás

DRAM

frissítés

Ciklusidő = 26ns4-bites portra: 155 Mbit/s4 port összevonva.

622Mbit/s32 bites portra:1,25Gbit/s

Osztott memóriás (shared memory) ATM switch

Page 71: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 71

Scrambler áramkör

SR SR SRSR

+

+Ube

Uki

XOR kapu

Shift Regiszter

Page 72: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 72

Kódoló áramkör

1-bitkésleltetés

1-bitkésleltetés MUX

Kódoltbitfolyam

XOR kapu

Kódolatlan bitfolyam

n

n+1

++

+

Page 73: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 73

Trellis kódolás sémája

1/00

1/10

0/10

1/11

0/00

0/010/11

S00

S01

S10S10

S01

S00

S11 S111/00

n-edik állapot (n+1) -edik állapot

Page 74: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 74

Viterbi kódoló sémájaTSRSBM

)BMPM,BMPMmin(PM jn

jn

in

in1n

Page 75: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 75

ACS (Add-Compare-Sum) blokksémája

Komparálás

Szelektálás

+inBM

inPM

+jnBM

jnPM

1nPM

1nd összeadó

Page 76: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 76

Dekódolás a Trellis rács alapján

42

42

32

X

222

322

2

S00

S01

S10

S11

2

0

1

4

2

1

X

X

X

22

22

22

32

32

42

42

42

22

22

22

22 X

X

X X

X

X

1 1 0 0 1 00

11 10 10 11 11 1101

11 11 10 01 11 1100

Adat

Szimbólum

Vett szimbólum

32

32

Page 77: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 77

Analóg Trellis dekódoló

Ube+

C1

21a

C2

21b

C3

12a

C4

12b

Vdd

UG1

UG2

U1+ U2

+

1

2

1a

1b

2a

2b

Page 78: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 78

Analóg Viterbi dekódoló

T15

2

T10UR

UR

pMOSáramtükör

nMOS áramtükör

NMOS áramtükör

Analóg tároló

Analóg tároló

UDD

UDD

UDD

UDD

I2

T1

T3

T7

T4

T6

T9

T5T8

I1

A A

T2

T13

1

2

T11

T12

1

T14

B

Page 79: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 79

Jelút kapcsoló

MUX

1

2

n

vezérlõ

dekóder

1

2

n

MUX

DE

dual-port RAM

bemeneticellák

kimeneticellák

útvonal

Page 80: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 80

Batcher-Banyan kapcsoló.

1

2

3

4

5

6

7

0

bemenetek kimenetek

1

2

3

4

5

6

7

0

TG

TG

TG

TG

a)

b)

be ki

Ukapcs

Ukapcs

c)

Page 81: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 81

MLT-3

1 0001 1 11 1 1

0

+1

-1

Bitfolyam

c)

NRZIb)

a)Kettes alapú

1 0 0 01 1 1

NRZ

Manchester

Különbségi Manchester

a)

b)

c)

Bitfolyam

Page 82: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 82

010 0 11 0

0

+1

-1

0 0

Invertált AMI

1Bitfolyam

BER =Hibásan vett bitek száma

Összes adott bitek számaAmplitúdó

IdőNévleges logikai

"0'

Névleges logikai "1'

Page 83: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 83

TDx/Rx

GND

TX

RX

Ütközés

Vcc GND

Koaxiáliskábel

átvivő határfelület

(DTE)Adatvégződés

Közegélérési egység(MAU)

Gazdagép

DC/DC átalakító

62 bit 2 bit 6 bájt 6 bájt 2 bájt 4 bájt

Előhang SFDForrás

Hossz Adat FCSCélállomáscíme címe

46-1500 bájt

Page 84: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 84

.

.

.

.

.

Elválasztótranszformátor

Kétszer sodrott érpár+ 1 közös ér

illesztő-tag

közösmódusúszűrőtekercs

közös(föld)vezeték

vonalkiegyenlítő

Bináris/MLT-3

MLT-3/Binárisvisszakód

oló

vett jel

adás-jel

GND"K"

Transceiver chip

kódoló és meghajtó

Page 85: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 85

RF szűrő

Frekvenciaosztó

Oszcillátor

Demodulátor, processzor

1. keverő

Tükörelnyomás

Csatorna kiválasztásFrekvenciaosztó

2. keverő

Antenna LNATükörelnyomás

IF szűrő IF szűrő

)sin()sin( szcbe nk

Page 86: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 86

LS

Csub2

Cox1

Csub1

Cox2

Rsub1

RS

Rsub2

Cf

a) b)

Page 87: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 87

GS

Smbe C

LgR

GSSG CLL )[(

1

L1

T1

T2

Ube+

VCC

L3

L2

LG

T1Ube

LS

CGS

a) b)

Page 88: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 88

Uszab

VCC

L1

L8 C2

T1

T2

Uki+

Ube+ Ube

_

Uki_

VCC

VCCVCC

T3

T4

T7T6

T5T8

L7

L4

L6

L5

L3

L2

C1

UrefUref

Page 89: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 89

VDD

V1

UG1

L2

T2

L1

T1

UC V2

C1=2pF

UG

VCC=2.5V

L1

L2

L3

C2

Rn

T1

T2

Uki

Ube

C1=2pF

UG

VCC=2.5V

L1

L2

L3

C2

Rn

T1

T2

Uki

Ube

Page 90: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 90

osztóOszc.

Csatorna kiválasztásosztó

Csatorna kiválasztásosztó

LNA

PA

Alapsávi processzálástól

QAM mod/demod.

Mixer

Page 91: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 91

VDDL1

ULO2

T5 T6 T7 T8

URF

C1 Igen

UIF,IUIF,Q

T1

T2T3

T4

Page 92: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 92

9. Analóg áramkörök

Page 93: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 93

Analóg MOS kapcsoló helyettesítőképe

Cg s

S DKrsd

Ube

Cg d

Cd bCs b

G

Ct

Uki

0 5VVT,n VT,p

nMOS

pMOS

rON

Ube

Page 94: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 94

9. Neurális áramkörök

Page 95: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 95

Ucontrol

US UD Utunnel

Lebegő gate Elektron injekció

Tunnelezés vissza

n+

poly

Page 96: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 96

Utunnel

Synapse11 Synapse12 Synapse13

UD

Isum

Ucontrol1 Ucontrol2 Ucontrol3

IS1IS2 IS3

(12-24V)

(0-5V)

(regulated)

T1 T2 T3

Page 97: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 97

yeNye2

yi

ye1

Wg2

Wi2Wi1

Wg1

WiN

WgN

WeNWe2We1

xNx1 x2

globális tiltó egység

N

jejgji

iijjejej

ywfy

ywxwfy

1

)(

Page 98: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 98

UG4

Vdd

Uin (j)

T1

VSSIj

UCOM

Uki (j)

pT2 T3

T4

VSS

p

T5UG5

SS

SSTG

jki V

VVUk

mIU 1

)(

212

44

)1()(2

2DSTGSD UVU

kI

21 )(2 COMTbej UVjUk

I

WTA áramkör

Page 99: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 99

Ucom

Ud(j)

T1

Ibe(j)

T2

Iki(j)

Ud(j+1)

T3

Ibe(j+1)

T4

Iki(j+1)

T5UG5

Icom

Page 100: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 100

U1 U3

U2

T1

U4

I1

U2

I2I4 I3

Io1

T2T3T4

Io2

Gilbert 4-negyedes analóg szorzó

2121 )UU(KI

2342 )UU(KI

2323 )UU(KI

2144 )UU(KI

)UU)(UU(K2II)II(II 24312o1o4321

Page 101: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 101

Rendszerszintű specifikáció

Regiszter-Transzfer szintű terv

Szintézis

Követelmények

Gyártási előírások

Page 102: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 102

Elképzelés

Specifikáció

Szimuláció

Viselkedés-szintű leírás

Logikai optimalizálás

Regiszter-szintű leírás

Layout tervezés

Tervezési szabály ellenőrzés

Elhelyezés és huzalozás

Layout extrakció

Szeletgyártás

Szerelés, tokozás, mérés

Behaviour level

RTL levelCella-könyvtár

Reuse

Place and Route

Design Rule Check

Silicon foundry

Page 103: Történelem Planar techn. Dinamikus – kapacitív tárolás Küszöbfeszültség instabilitás – analóg…

Microelectronics 103

• Nagy gyártók, élenjárás, technológiai kapcsolat• Tervező laborok Magyarország….• Logikai tervezés…CAD?• Áramkörelmélet• SOC: codevelopment, HW/SW• Cellakönyvtár: standard, vagy saját cella+reuse• Szinkron-aszinkron• Órajel szétosztás• Mikrohullám: induktivitás+tápvonal