Technical Info FS15R06VE3

8/13/2019 Technical Info FS15R06VE3

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Technische Information / Technical Information

FS15R06VE3_B2IGBT-ModuleIGBT-modules

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date of publication: 2013-10-03

revision: 2.0

Vorlufige DatenPreliminary DataIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter

Hchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emitter voltage

Tvj= 25C VCES 600 V

Kollektor-DauergleichstromContinuous DC collector current

TC= 80C, Tvj max= 175CTC= 25C, Tvj max= 175C

IC nomIC

1522

AA

Periodischer Kollektor-SpitzenstromRepetitive peak collector current tP= 1 ms ICRM 30 A

Gesamt-VerlustleistungTotal power dissipation

TC= 25C, Tvj max= 175 Ptot 65,0 W

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitter peak voltage

VGES +/-20 V

Charakteristische Werte / Characteristic Values min. typ. max.

Kollektor-Emitter-SttigungsspannungCollector-emitter saturation voltage

IC= 15 A, VGE= 15 VIC= 15 A, VGE= 15 VIC= 15 A, VGE= 15 V

VCE sat 1,55

1,701,80

2,00

VVV

Tvj= 25CTvj= 125CTvj= 150C

Gate-SchwellenspannungGate threshold voltage IC= 0,20 mA, VCE= VGE, Tvj= 25C VGEth 4,9 5,8 6,5 V

GateladungGate charge VGE= -15 V ... +15 V QG 0,15 C

Interner GatewiderstandInternal gate resistor

Tvj= 25C RGint 0,0

EingangskapazittInput capacitance

f = 1 MHz, Tvj= 25C, VCE= 25 V, VGE= 0 V Cies 0,83 nF

RckwirkungskapazittReverse transfer capacitance f = 1 MHz, Tvj= 25C, VCE= 25 V, VGE= 0 V Cres 0,026 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emitter cut-off current VCE= 600 V, VGE= 0 V, Tvj= 25C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitter leakage current

VCE= 0 V, VGE= 20 V, Tvj= 25C IGES 400 nA

Einschaltverzgerungszeit, induktive LastTurn-on delay time, inductive load

IC= 15 A, VCE= 300 VVGE= 15 VRGon= 22

td on

0,0140,0140,014

sss


Anstiegszeit, induktive LastRise time, inductive load

IC= 15 A, VCE= 300 VVGE= 15 VRGon= 22

tr

0,0110,0150,015

sss


Abschaltverzgerungszeit, induktive LastTurn-off delay time, inductive load

IC= 15 A, VCE= 300 VVGE= 15 VRGoff= 22

td off

0,110,130,14

sss


Fallzeit, induktive LastFall time, inductive load

IC= 15 A, VCE= 300 VVGE= 15 V

RGoff= 22

tf

0,0850,11

0,12

ss

s

Tvj= 25CTvj= 125C

Tvj= 150C

Einschaltverlustenergie pro PulsTurn-on energy loss per pulse

IC= 15 A, VCE= 300 V, LS= 50 nHVGE= 15 VRGon= 22

Eon 0,250,320,36

mJmJmJ


Abschaltverlustenergie pro PulsTurn-off energy loss per pulse

IC= 15 A, VCE= 300 V, LS= 50 nHVGE= 15 VRGoff= 22

Eoff 0,340,440,46

mJmJmJ


KurzschluverhaltenSC data

VGE15 V, VCC= 360 VVCEmax= VCES-LsCEdi/dt

ISC 10075

AA

Tvj= 25CTvj= 150C

tP8 s,tP6 s,

Wrmewiderstand, Chip bis GehuseThermal resistance, junction to case

pro IGBT / per IGBT RthJC 2,10 2,30 K/W

Wrmewiderstand, Gehuse bis KhlkrperThermal resistance, case to heatsink

pro IGBT / per IGBTPaste= 1 W/(mK) / grease= 1 W/(mK)

RthCH 0,90 K/W

Temperatur im SchaltbetriebTemperature under switching conditions Tvj op -40 150 C


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Vorlufige DatenPreliminary Data

Diode, Wechselrichter / Diode, InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesPeriodische SpitzensperrspannungRepetitive peak reverse voltage

Tvj= 25C VRRM 600 V

DauergleichstromContinuous DC forward current IF 15 A

Periodischer SpitzenstromRepetitive peak forward current tP= 1 ms IFRM 30 A

GrenzlastintegralIt - value

VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 125CVR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 150C

It 22,520,5

AsAs

Charakteristische Werte / Characteristic Values min. typ. max.DurchlassspannungForward voltage

IF= 15 A, VGE= 0 VIF= 15 A, VGE= 0 VIF= 15 A, VGE= 0 V

VF 1,60

1,551,50

2,05

VVV


RckstromspitzePeak reverse recovery current

IF= 15 A, - diF/dt = 1600 A/s (Tvj=150C)VR= 300 VVGE= -15 V

IRM 23,025,026,0

AAA


SperrverzgerungsladungRecovered charge


Qr 0,801,401,70

CCC


Abschaltenergie pro PulsReverse recovery energy


Erec 0,160,280,37

mJmJmJ


Wrmewiderstand, Chip bis GehuseThermal resistance, junction to case

pro Diode / per diode RthJC 3,10 3,40 K/W

Wrmewiderstand, Gehuse bis KhlkrperThermal resistance, case to heatsink

pro Diode / per diodePaste= 1 W/(mK) / grease= 1 W/(mK)

RthCH 1,20 K/W

Temperatur im SchaltbetriebTemperature under switching conditions Tvj op -40 150 C

NTC-Widerstand / NTC-ThermistorCharakteristische Werte / Characteristic Values min. typ. max.NennwiderstandRated resistance

TC= 25C R25 5,00 k

Abweichung von R100Deviation of R100 TC= 100C, R100= 493 R/R -5 5 %

VerlustleistungPower dissipation TC= 25C P25 20,0 mW

B-WertB-value

R2= R25exp [B25/50(1/T2- 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K

B-WertB-value

R2= R25exp [B25/80(1/T2- 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K

B-WertB-value R2= R25exp [B25/100(1/T2- 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K

Angaben gem gltiger Application Note.Specification according to the valid application note.


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Modul / ModuleIsolations-PrfspannungIsolation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV

Innere IsolationInternal isolation

Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)basic insulation (class 1, IEC 61140)

Al2O3

KriechstreckeCreepage distance

Kontakt - Khlkrper / terminal to heatsinkKontakt - Kontakt / terminal to terminal

5,05,0

mm

LuftstreckeClearance

Kontakt - Khlkrper / terminal to heatsinkKontakt - Kontakt / terminal to terminal

3,23,2

mm

Vergleichszahl der KriechwegbildungComperative tracking index CTI > 225

min. typ. max.

ModulstreuinduktivittStray inductance module LsCE 25 nH

Modulleitungswiderstand, Anschlsse -ChipModule lead resistance, terminals - chip

TC= 25C, pro Schalter / per switch RCC'+EE' 9,50 m

LagertemperaturStorage temperature Tstg -40 125 C

Anpresskraft fr mech. Bef. pro Federmountig force per clamp

F 30 - 50 N

GewichtWeight G 10 g


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Ausgangskennlinie IGBT,Wechselrichter (typisch)output characteristic IGBT,Inverter (typical)IC= f (VCE)VGE= 15 V

VCE[V]

IC[A]

0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,00

5

10

15

20

25

30


Ausgangskennlinienfeld IGBT,Wechselrichter (typisch)output characteristic IGBT,Inverter (typical)IC= f (VCE)Tvj= 150C

VCE[V]

IC[A]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00

5

10

15

20

25

30

VGE= 19 VVGE= 17 VVGE= 15 VVGE= 13 VVGE= 11 VVGE= 9 V

bertragungscharakteristik IGBT,Wechselrichter (typisch)transfer characteristic IGBT,Inverter(typical)IC= f (VGE)VCE= 20 V

VGE[V]

IC[A]

5 6 7 8 9 10 11 12

0

5

10

15

20

25

30


SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter (typisch)switching losses IGBT,Inverter (typical)Eon= f (IC), Eoff= f (IC)VGE= 15 V, RGon= 22 , RGoff= 22 , VCE= 300 V

IC[A]

E[mJ]

0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30

0,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

1,0

Eon, Tvj= 125CEoff, Tvj= 125CEon, Tvj= 150CEoff, Tvj= 150C


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SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter (typisch)switching losses IGBT,Inverter (typical)Eon= f (RG), Eoff= f (RG)VGE= 15 V, IC= 15 A, VCE= 300 V

RG[]

E[mJ

]

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 2200,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

Eon, Tvj= 125CEoff, Tvj= 125CEon, Tvj= 150CEoff, Tvj= 150C

Transienter Wrmewiderstand IGBT,Wechselrichtertransient thermal impedance IGBT,InverterZthJH= f (t)

t [s]

ZthJH[K/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,1

1

10

ZthJH: IGBT

i:ri[K/W]:i[s]:

10,27009910,0005

20,61235790,005

31,0345320,05

41,0830110,2

Sicherer Rckwrts-Arbeitsbereich IGBT,Wechselrichter(RBSOA)reverse bias safe operating area IGBT,Inverter (RBSOA)IC= f (VCE)VGE= 15 V, RGoff= 22 , Tvj= 150C

VCE [V]

IC[A]

0 100 200 300 400 500 600 700

0

5

10

15

20

25

30

35

IC, ModulIC, Chip

Durchlasskennlinie der Diode, Wechselrichter (typisch)forward characteristic of Diode, Inverter (typical)IF= f (VF)

VF[V]

IF[A]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2

0

5

10

15

20

25

30



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Schaltverluste Diode, Wechselrichter (typisch)switching losses Diode, Inverter (typical)Erec= f (IF)RGon= 22 , VCE= 300 V

IF[A]

E[mJ

]

0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 300,0

0,2

0,4

0,6

0,8

Erec, Tvj= 125CErec, Tvj= 150C

Schaltverluste Diode, Wechselrichter (typisch)switching losses Diode, Inverter (typical)Erec= f (RG)IF= 15 A, VCE= 300 V

RG[]

E[mJ

]

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 2200,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

Erec, Tvj= 125CErec, Tvj= 150C

Transienter Wrmewiderstand Diode, Wechselrichtertransient thermal impedance Diode, InverterZthJH= f (t)

t [s]

ZthJH[K/W]

0,001 0,01 0,1 1 10

0,1

1

10

ZthJH: Diode

i:ri[K/W]:i[s]:

10,3870,0005

20,87720,005

31,48350,05

41,55230,2

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie (typisch)NTC-Thermistor-temperature characteristic (typical)R = f (T)

TC[C]

R[]

0 20 40 60 80 100 120 140 160

100

1000

10000

100000

Rtyp


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Schaltplan / circuit_diagram_headline

J

Gehuseabmessungen / package outlines


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NutzungsbedingungenDie in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fr technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilungder Eignung dieses Produktes fr Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstndigkeit der bereitgestellten Produktdaten fr diese

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Sollten Sie von uns Produktinformationen bentigen, die ber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere einespezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fr Sie zustndigen Vertriebsbro inVerbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Fr Interessenten halten wir Application Notes bereit.

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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefhrdenden oder lebenserhaltendenAnwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fr diese Flle- die gemeinsame Durchfhrung eines Risiko- und Qualittsassessments;- den Abschluss von speziellen Qualittssicherungsvereinbarungen;- die gemeinsame Einfhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhngig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

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