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NJW4110-T1
- 1 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
ローカル電源向け 同期整流方式
2.4MHz, 3A x 2ch 降圧用 スイッチングレギュレータ IC ■特長 ■概要 ■アプリケーション ■アプリケーション回路例
VIN
SW1
FB1
CFB1
R2COUT1
L1
NJW4110
R1
VOUT1
RFB1
COMP1
CIN
SW2
FB2
CFB2
R4COUT2
L2
R3
VOUT2
RFB2
COMP2
High: ONLow: OFF(Standby)
SS2
RT
GND
RT
CSS2
SS1CSS1
MODE/SYNC
PG2
PG1Power Good1
Power Good2
EN2
EN1CH1 ON/OFF
CH2 ON/OFF PGND1
PGND2
PVDD1 PVDD2
CC2
RC2
CC1
RC1
CPVDD1 CPVDD2
V+
・同期整流方式の 2ch 降圧回路 ・カレントモード制御 ・動作電圧範囲 2.7V to 5.5V ・スイッチング電流 3.3A min. ・設定可能な発振周波数 100kHz to 2.4MHz ・外部クロックに同期可能 ・PWM 制御方式 ・最大デューティーサイクル 100% ・軽負荷時の高効率対応(動作選択可能) ・スリープ状態での低消費電流 500 A typ. ・CH1 と CH2 は逆位相動作 ・外部調整可能な位相補償回路 ・セラミックコンデンサ対応 ・可変型ソフトスタート機能 ・低電圧誤動作防止回路内蔵 ・過電流保護機能(ヒカップ方式) ・サーマルシャットダウン機能 ・Power Good 機能 ・スタンバイ機能 ・外形 EQFN24-LE
NJW4110 は、3A のパワー MOSFET を内蔵した同
期整流方式のローカル電源向け 2ch 降圧用スイッチン
グレギュレータ IC です。発振周波数は 100kHz~
2.4MHz と広範囲をカバーしており、外部同期機能も備え
ています。また広い負荷電流範囲にわたって最大効率を
実現するため、軽負荷時にPFM動作を選択することがで
きます。 NJW4110 の CH1 と CH2 は逆位相でスイッチング動
作を行うため入力のリップル電流を抑えることができま
す。それぞれの制御回路にはスタンバイ機能、ソフトスタ
ート機能、過電流保護機能、パワーグッド機能が独立して
搭載されています。また共通の保護機能として、UVLO、
サーマルシャットダウンを内蔵しており、異常時の回路保
護を行います。 SoC、DSP、DDR メモリなど、過渡応答の優れた電源
回路に最適です。
・SoC、ASIC、DDR などの電源供給
NJW4110-T1
- 2 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■ブロック図
GND
LogicEnable
Control 2
SYNC
OSC
UVLO
MODE/SYNC
EN2
Anti Phase
PG2
COMP2
FB2
SS2SW2
500kW
TSD
Enable/Auto Discharge1
V+
Error AMP1
Soft Start1
Power GoodControl Logic1
PG1
COMP1
FB1
SS1
Control1
HS OCP1
CurrentSense1
SlopeCOMP.
S QR
SW1
PWM1
EnableSignal1
OVP1
HSDriver1Dead time
Control1
LS OCP1
ModeSignal
LSDriver1
VREFVB=0.6V
500kW
EnableControl 2
500kW
Enable/Auto Discharge2
Mode
Auto Discharge Contol1
RT
EN1
PVDD2
PVDD1
PGND1
PGND2
Ligit Load Mode1
Error AMP2
Soft Start2
Power GoodControl Logic2
Control2
HS OCP2
CurrentSense2
SlopeCOMP.
S QR
PWM2
EnableSignal2
OVP2
HSDriver2Dead time
Control2
LS OCP2
ModeSignal
LSDriver2
Auto Discharge Contol2
Ligit Load Mode2
NJW4110-T1
- 3 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■端子配置図 EQFN24-LE
端子番号 端子名 機能 1 SS1 Ch.1 ソフトスタート設定端子 2 RT 発振周波数設定端子
3 MODE/SYNC 動作モード選択、 外部同期入力端子
4 GND グラウンド端子 5 SS2 Ch.2 ソフトスタート設定端子 6 PG2 Ch.2 パワーグッド出力 7 COMP2 Ch.2 エラーアンプ出力 8 FB2 Ch.2 フィードバック入力 9 EN2 Ch.2 イネーブルコントロール端子 10 V+ IC の電源端子 11 PVDD2
Ch.2 電源端子 12 PVDD2 13 SW2 Ch.2 スイッチ出力端子 14 PGND2
Ch.2 パワーグラウンド端子 15 PGND2 16 PGND1
Ch.1 パワーグラウンド端子 17 PGND1 18 SW1 Ch.1 スイッチ出力端子 19 PVDD1
Ch.1 電源端子 20 PVDD1 21 EN1 Ch.1 イネーブルコントロール端子 22 FB1 Ch.1 フィードバック入力 23 COMP1 Ch.1 エラーアンプ出力 24 PG1 Ch.1 パワーグッド出力
Exposed PAD onbackside connect to GND
1
COMP2
SS1
2 3 4 5 6
RT
MO
DE/SYN
C
GN
D
SS2
PG2
FB2
EN2
V+
PVDD2
PVDD2
7
8
9
10
11
12
131415161718
19
20
21
22
23
24PG1
COMP1
FB1
EN1
PVDD1
PVDD1
SW1
PGN
D1
PGN
D1
PGN
D2
PGN
D2
SW2
Note) Exposed Pad on backside should be connected to ground and soldered to PCB.
NJW4110-T1
- 4 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■製品名構成
■オーダーインフォメーション
製品名 パッケージ 車載 仕様
RoHS Halogen- Free
めっき 組成
マーキング 製品 重量 (mg)
最低 発注数量
(pcs) NJW4110MLE (TE1) EQFN24-LE ○ ○ Sn2Bi 4110 31 1,000 NJW4110MLE-T1 (TE1) EQFN24-LE ○ ○ ○ Sn2Bi 4110T1 31 1,000
本データシートは、「NJW4110MLE-T1」に適用されます。 他のバージョンについては、それぞれのデータシートを参照してください。
NJW4110 MLE - T1 (TE1)
品番 パッケージMLE:EQFN24-LE
仕様None: 一般仕様T1: 車載仕様
テーピング仕様
NJW4110-T1
- 5 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■絶対最大定格 項目 記号 定格 単位
入力電圧 V+ -0.3 to +7 V PVDD1,2 端子電圧 PVDD1,2 -0.3 to +7 V SW1,2 端子電圧 VSW1,2 -0.3 to +7 V EN1,2 端子電圧 VEN1,2 -0.3 to +7 V FB1,2 端子電圧 VFB1,2 -0.3 to +7 V PG1,2 端子電圧 VPG1,2 -0.3 to +7 V MODE/SYNC 端子電圧 VMODE/SYNC -0.3 to +7 V 消費電力(Ta=25°C)
EQFN24-LE PD
(2-layer / 4-layer) mW
1,000(1)/ 2,800(2) 接合部温度 Tj -40 to +150 C 動作温度 Topr -40 to +125 C 保存温度 Tstg -50 to +150 C
(1): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2層 FR-4)でEIA/JEDEC 規格サイズ、且つExposed Pad使用 (2): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4層 FR-4)でEIA/JEDEC規格サイズ、且つExposed Pad使用 (4層基板内箔:99.5×99.5mm、JEDEC 規格JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用)
■推奨動作条件
項目 記号 値 単位 電源電圧 V+ 2.7 to 5.5 V PVDD1,2 端子電圧 PVDD1,2 Up to 5.5 V PG1,2 端子電圧 VPG1,2 0 to 5.5 V タイミング抵抗 RT 2.26 to 84.5 k 発振周波数 fOSC 100 to 2,400 kHz
外部クロック入力 fSYNC fOSC 0.9 to fOSC 1.9
200kHz 下限、2,800kHz 上限 kHz
NJW4110-T1
- 6 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■電気的特性 指定なき場合には PVDD=V+=VEN =3.3V, PGND=GND, RT=6.8k , CH1 と CH2 共通, Ta=25 C
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 低電圧誤動作防止回路部
ON スレッショルド電圧 VT_ON V+= L → H 2.5 2.6 2.7
V V+= L → H, Ta=-40 C to +125 C 2.48 – 2.7
OFF スレッショルド電圧 VT_OFF V+= H → L 2.4 2.5 2.6
V V+= H → L, Ta=-40 C to +125 C 2.38 – 2.6
ヒステリシス幅 VHYS 80 100 –
mV Ta=-40 C to +125 C 80 – –
ソフトスタート部
充電電流 ICHG 6 8 10
A Ta=-40 C to +125 C 6 – 10
発振器部
発振周波数1 fOSC1 RT=26.1k 255 300 345
kHz RT=26.1k , Ta=-40 C to +125 C 245 – 355
発振周波数2 fOSC2 RT=6.8k 850 1,000 1,150
kHz RT=6.8k , Ta=-40 C to +125 C 825 – 1,160
発振周波数3 fOSC3 RT=2.26k 2,160 2,400 2,640
kHz RT=2.26k , Ta=-40 C to +125 C 2,112 – 2,688
誤差増幅器部
基準電圧 VB -1.0% 0.6 +1.0%
V Ta=-40 C to +125 C -2.0% – +2.0%
入力バイアス電流 IB -0.1 – 0.1
A Ta=-40 C to +125 C -0.1 – 0.1
エラーアンプ トランスコンダクタンス
gm – 450 – A/V
エラーアンプ ゲイン AV – 1,400 – –
出力ソース電流 IOM+ 33 45 60
A Ta=-40 C to +125 C 25 – 70
出力シンク電流 IOM- 33 45 60
A Ta=-40 C to +125 C 25 – 70
PWM 比較器部
最大デューティーサイクル MAXDUTY VFB=0.5V 100 – –
% VFB=0.5V, Ta=-40 C to +125 C 100 – –
最小OFF 時間 tOFF-min – 80 – ns 最小ON 時間 tON-min – 80 – ns
NJW4110-T1
- 7 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■電気的特性 指定なき場合には PVDD=V+=VEN =3.3V, PGND=GND, RT=6.8k , CH1 と CH2 共通, Ta=25 C
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 過電流保護回路部
COOL DOWN 時間 tCOOL – 120 – ms
出力部
ハイサイド SW ON 抵抗 RONH ISW=-3A – 80 120 m ローサイド SW ON 抵抗 RONL ISW= 3A – 60 100 m ハイサイド スイッチング電流制限
ILIMH 3.3 4.5 6 A
ローサイド スイッチング電流制限
ILIML SW to PGND 2.3 3.5 5.5 A
オートディスチャージ機能 抵抗値
RAUTODIS ISW=10mA – 60 100
ISW=10mA, Ta=-40 C to +125 C – – 110
ハイサイド SW リーク電流 ILEAKH PVDD - VSW=5.5V – – 5
A PVDD - VSW=5.5V, Ta=-40 C to +125 C
– – 25
ローサイド SW リーク電流 ILEAKL VSW - PGND=5.5V – – 1
A VSW - PGND=5.5V, Ta=-40 C to +125 C
– – 5
イネーブル制御部
EN 端子 High スレッショルド電圧
VTHH_EN VEN= L → H 1.0 – 5.5
V VEN= L → H, Ta=-40 C to +125 C 1.0 – 5.5
EN 端子 Low スレッショルド電圧
VTHL_EN VEN= H → L 0 – 0.4
V VEN= H → L, Ta=-40 C to +125 C 0 – 0.4
EN 端子 入力バイアス電流
IEN VEN=5.5V – 10 15
A VEN=5.5V, Ta=-40 C to +125 C – – 17
動作モード制御/同期入力部
MODE/SYNC 端子 High スレッショルド電圧
VTHH_MODE/SYNC VMODE/SYNC= L → H 1.2 – 5.5
V VMODE/SYNC= L → H, Ta=-40 C to +125 C 1.2 – 5.5
MODE/SYNC 端子 Low スレッショルド電圧
VTHL_MODE/SYNC VMODE/SYNC= H → L 0 – 0.4
V VMODE/SYNC= H → L, Ta=-40 C to +125 C 0 – 0.4
MODE/SYNC 端子 入力バイアス電流
IMODE/SYNC VMODE/SYNC=5.5V – 10 15
A VMODE/SYNC=5.5V, Ta=-40 C to +125 C – – 17
NJW4110-T1
- 8 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■電気的特性 指定なき場合には PVDD=V+=VEN =3.3V, PGND=GND, RT=6.8k , CH1 と CH2 共通, Ta=25 C
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 Power Good 部
High レベル検出電圧 VTHH_PG Measured at FB pin, Rising 0.63 0.642 0.654
V Measured at FB pin, Rising, Ta=-40 C to +125 C
0.623 – 0.661
Low レベル検出電圧 VTHL_PG Measured at FB pin, Falling 0.558 0.57 0.582
V Measured at FB pin, Falling Ta=-40 C to +125 C
0.553 – 0.587
ヒステリシス幅 VHYS_PG – 12 – mV Power Good ON 抵抗 RON_PG IPG=10mA – 100 –
OFF 時リーク電流 ILEAK_PG VPG=5.5V – – 0.1
A VPG=5.5V, Ta=-40 C to +125 C – – 0.1
総合特性
消費電流1 (PWM Mode)
IDD1
RL=無負荷, Not Switching, VMODE/SYNC=H, 両ch 動作
– 3.8 5.0
mA RL=無負荷, Not Switching, VMODE/SYNC=H, 両ch 動作, Ta=-40 C to +125 C
– – 6.0
消費電流2 (Light Load Mode)
IDD2
RL=無負荷, Not Switching, VMODE/SYNC=L, 両ch 動作,
– 500 750
A RL=無負荷, Not Switching, VMODE/SYNC=L, 両ch 動作, Ta=-40 C to +125 C
– – 800
スタンバイ時消費電流 IDD_STB VEN1, 2=0V, PVDD=open – – 1
A VEN1, 2=0V, PVDD=open
Ta=-40 C to +125 C – – 10
NJW4110-T1
- 9 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■熱特性 項目 記号 値 単位
接合部-周囲雰囲気間 θja EQFN24-LE 126(3) 45(4)
°C/W
接合部-ケース表面間 ψjt EQFN24-LE 8(3)
2.8(4) °C/W
(3): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (2層 FR-4)でEIA/JEDEC 規格サイズ、且つExposed Pad使用 (4): 基板実装時 101.5×114.5×1.6mm (4層 FR-4)でEIA/JEDEC規格サイズ、且つExposed Pad使用 (4層基板内箔:99.5×99.5mm、JEDEC 規格JESD51-5 に基づき、基板にサーマルビアホールを適用)
■消費電力-周囲温度特性例
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Pow
er D
issi
patio
n P
D(m
W)
Ambient Temperature Ta (°C)
NJW4110MLE (EQFN24-LE Package)Power Dissipation vs. Ambient Temperature
(Topr=-40°C to +125°C, Tjmax=150°C)
At on 4 layer PC Board (4)At on 2 layer PC Board (3)
NJW4110-T1
- 10 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■アプリケーション回路例
MODE/SYNC端子による動作モード選択
MODE/SYNC端子電圧 動作モード 発振周波数 1.2V to 5.5V 強制PWMモード動作 内蔵周波数 0V to 0.4V 軽負荷時にPWM/PFM切り替え動作 内蔵周波数
外部クロック信号 強制PWMモード動作 外部クロック周波数
VIN
SW1
FB1
CFB1
R2COUT1
L1
NJW4110
R1
VOUT1
RFB1
COMP1
CIN
SW2
FB2
CFB2
R4COUT2
L2
R3
VOUT2
RFB2
COMP2
High: ONLow: OFF(Standby)
SS2
RT
GND
RT
CSS2
SS1CSS1
MODE/SYNC
PG2
PG1Power Good1
Power Good2
EN2
EN1CH1 ON/OFF
CH2 ON/OFF PGND1
PGND2
PVDD1 PVDD2
CC2
RC2
CC1
RC1
CPVDD1 CPVDD2
V+
NJW4110-T1
- 11 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■特性例
0.59
0.595
0.6
0.605
0.61
2 3 4 5 6
Ref
eren
ceVo
ltage
: VB
(V)
Supply Voltage: V+ (V)
Reference Voltage vs. Supply Voltage(Ta=25ºC)
0
500
1000
1500
2000
2500
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Osc
illat
ing
Freq
uenc
y:f O
SC(k
Hz)
Timing Resistor: RT (k )
Timing Resistor vs. Oscillating Frequency(V+=3.3V, Ta=25ºC)
0
1
2
3
4
5
6
0 1 2 3 4 5 6
Qui
esce
ntC
urre
nt 1
: ID
D1
(mA)
Supply Voltage: V+ (V)
Quiescent Current 1 vs. Supply Voltage(RL=No Load, Not Switching, VMODE/SYNC=H,
Both channel operation, Ta=25ºC)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 1 2 3 4 5 6
Qui
esce
ntC
urre
nt 2
: ID
D2
(A)
Supply Voltage: V+ (V)
Quiescent Current 2 vs. Supply Voltage(RL=No Load, Not Switching, VMODE/SYNC=L,
Both channel operation, Ta=25ºC)
NJW4110-T1
- 12 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■特性例
240
260
280
300
320
340
360
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Osc
illat
ing
Freq
uenc
y1:
f OSC
1(k
Hz)
Temperature: (ºC)
Oscillating Frequency 1 vs Temperature(V+=3.3V, RT=26.1k )
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Osc
illat
ing
Freq
uenc
y2:
f OSC
2(k
Hz)
Temperature: (ºC)
Oscillating Frequency 2 vs Temperature(V+=3.3V, RT=6.8k )
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Osc
illat
ing
Freq
uenc
y3:
f OSC
3(k
Hz)
Temperature: (ºC)
Oscillating Frequency 3 vs Temperature(V+=3.3V, RT=2.26k )
0.59
0.595
0.6
0.605
0.61
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Refe
renc
eVo
ltage
: VB
(V)
Temperature: (ºC)
Reference Voltage vs. Temperature(V+=3.3V)
0
20
40
60
80
100
120
140
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Min
imum
ON
Tim
e: t O
N-m
in(n
s)
Temperature: (ºC)
Minimum ON Time vs. Temperature(V+=3.3V, RT=6.8k )
0
20
40
60
80
100
120
140
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Min
imum
OFF
Tim
e: t O
FF-m
in(n
s)
Temperature: (ºC)
Minimum OFF Time vs. Temperature(V+=3.3V, RT=6.8k )
NJW4110-T1
- 13 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■特性例
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Hig
h Si
de S
witc
hing
Cur
rent
Lim
it: I L
IMH
(A)
Temperature: (ºC)
High Side Switching Current Limitvs. Temperature
V+=3.3V
V+=5.5V
V+=2.7V
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Hig
h Si
de S
WO
NR
esis
tanc
e: R
ON
H(Ω
)
Temperature: (ºC)
High Side SW ON Resistancevs. Temperature (ISW=-3A)
V+=5.5V
V+=2.7V
V+=3.3V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Low
Sid
e SW
ON
Res
ista
nce:
RO
NL
(Ω)
Temperature: (ºC)
Low Side SW ON Resistancevs. Temperature (ISW=3A)
V+=5.5V
V+=2.7V
V+=3.3V
2.4
2.45
2.5
2.55
2.6
2.65
2.7
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Thre
shol
dVo
ltage
:(V)
Temperature: (ºC)
Under Voltage Lockout Voltage vs. Temperature
VT_ON
VT_OFF
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Cha
rge
Cur
rent
: IC
HG
(A)
Temperature: (ºC)
Charge Current vs. Temperature(V+=3.3V)
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Low
Sid
e Sw
itchi
ngC
urre
ntLi
mit:
I LIM
L(A
)
Temperature: (ºC)
Low Side Switching Current Limitvs. Temperature (SW to PGND)
V+=3.3V
V+=2.7V
V+=5.5V
NJW4110-T1
- 14 - Ver.1.0 http://www.njr.co.jp/
■特性例
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Stan
dby
Cur
rent
: ID
D_S
TB(μ
A)
Temperature: (ºC)
Standby Current vs. Temperature(VEN1,2=0V, PVDD=open)
V+=2.7V, 3.3V, 5.5V
0
1
2
3
4
5
6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Qui
esce
ntC
urre
nt 1
: ID
D1
(mA)
Temperature: (ºC)
Quiescent Current 1 vs. Temperature(RL=No Load, Not Switching, VMODE/SYNC=H,
Both channel operation, RT=6.8k )
V+=5.5VV+=3.3VV+=2.7V
0
100
200
300
400
500
600
700
800
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Qui
esce
ntC
urre
nt 2
: ID
D2
(A)
Temperature: (ºC)
Quiescent Current 2 vs. Temperature(RL=No Load, Not Switching, VMODE/SYNC=L,
Both channel operation, RT=6.8k )
V+=3.3V V+=5.5V
V+=2.7V
0
5
10
15
20
25
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Hig
h Si
de S
WLe
akC
urre
nt: I
LEAK
H(μ
A)
Temperature: (ºC)
High Side SW Leak Current vs. Temperature(PVDD-VSW=5.5V)
0
1
2
3
4
5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Low
Sid
e SW
Leak
Cur
rent
: ILE
AKL
(μA)
Temperature: (ºC)
Low Side SW Leak Current vs. Temperature(VSW-PGND=5.5V)
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■端子説明 端子名称 端子番号 機能
SS1 1 Ch.1 のソフトスタート時間を設定する端子です。 コンデンサの容量によってソフトスタート時間が決まります。
RT 2 タイミング抵抗を接続して、発振周波数を決める端子です。 発振周波数は、100kHz~2.4MHz の間で設定してください。
MODE/SYNC 3
動作モードを選択する端子です。 内部は抵抗によってプルダウンされています。High レベルで強制PWM モード、Low レベルまた
はオープンで軽負荷モード動作となります。 またクロック信号を入力することで、信号に同期した発振周波数で動作します。
GND 4 接地 SS2 5 Ch.2 のソフトスタート時間を設定する端子です。SS1 端子と同機能です。
PG2 6 Power Good 出力端子です。オープン・ドレインで構成され、FB 端子電圧が+7%, -5%で安定した
とき、出力はハイインピーダンスになります。
COMP2 7 Ch.2 のエラーアンプの出力端子です。 COMP 端子-GND 間に補償用の抵抗・コンデンサを接続します。
FB2 8 Ch.1 の出力電圧を検出する端子です。FB 端子電圧が基準電圧 0.6V typ.となるように出力電圧
を抵抗分割して入力します。
EN2 9 Ch.2 の動作・停止を制御する端子です。 内部は抵抗によってプルダウンされています。Highレベルで動作、Lowレベルまたはオープンで
スタンバイモードとなります。
V+ 10 IC への電源供給端子です。電源供給のインピーダンスを下げるため、IC の近傍に入力コンデン
サを接続してください。 PVDD2 11
Ch.2 電源供給端子です。 PVDD2 12 SW2 13 Ch.2 パワーMOSFET のスイッチ出力端子です。
PGND2 14 Ch.2 パワーグラウンド端子です。
PGND2 15 PGND1 16
Ch.1 パワーグラウンド端子です。 PGND1 17
SW1 18 Ch.1 パワーMOSFET のスイッチ出力端子です。 PVDD1 19
Ch.1 電源供給端子です。 PVDD1 20
EN1 21 Ch.1 の動作・停止を制御する端子です。EN2 端子と同機能です。 FB1 22 Ch.1 の出力電圧を検出する端子です。FB2 端子と同機能です。
COMP1 23 Ch.1 のエラーアンプの出力端子です。COMP2 端子と同期能です。 PG1 24 Ch.1 の Power Good 出力端子です。PG2 端子と同機能です。
Exposed PAD
– 裏面 PAD はグラウンドに接続し、PCB にはんだ付けする必要があります。
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■外形寸法図 ■フットパターン
0.10 M S A
0.075 S
+0.010
-0.008
0.7±
0.05
0.4±
0.05
2.5+0.06
-0.04
2.5 +0.06-0.04
0.23+0.06-0.04
C0.83-R0.8
1pin
4.0±0.05
4.0±
0.05
0.10
MS
B
0.01
S
0.05 S
B
0.50.05 M S AB
A
2.5
2.5
4.3
4.3
0.25
0.5
0.5
0.6
EQFN24-LE Unit: mm
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■包装仕様 テーピング寸法
Feed direction
A
BW1
P2 P0 φD0
P1
EF
W
T
φD1 T2
SYMBOL
A
B
D0
D1
E
F
P0
P1
P2
T
T2
W
W1
DIMENSION
4.35±0.05
4.35±0.05
1.5
1.0
1.75±0.1
5.5±0.05
4.0±0.1
8.0±0.1
2.0±0.05
0.3±0.05
1.3±0.05
12.0
9.5
REMARKS
BOTTOM DIMENSION
BOTTOM DIMENSION
THICKNESS 0.1max
+0.10
+0.10
+0.3-0.1
リール寸法
A
E
C D
B
W1
W
SYMBOL
ABCDEWW1
DIMENSIONφ180φ 60φ 13±0.2φ 21±0.8
2±0.5131.2
0-1.5+10
+1.00
テーピング状態
Feed direction
Sealing with covering tape
Empty tape Devices Empty tape Covering tape
more than 40pitch 1000pcs/reel more than 25pitch reel more than 1round
梱包状態
Put a reel into a box
LabelLabel
EQFN24-LE Unit: mm
Insert direction
(TE1)
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■推奨実装方法 ・リフローはんだ法
*リフロー温度プロファイル
a:温度上昇勾配 : 1~4℃/s b:予備加熱温度 時間
: 150~180℃ : 60~120s
c:温度上昇勾配 : 1~4℃/s d:実装領域 A 温度 時間 e:実装領域 B 温度 時間
: 220℃ : 60s 以内 : 230℃ : 40s 以内
f:ピーク温度 : 260℃以下 g:冷却温度勾配 : 1~6℃/s 温度測定点 : パッケージ表面 a b c
e
g
150℃
260℃
常 温
f
180℃
230℃ 220℃ d
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■改定履歴 日付 改訂 変更内容
2017.08.21 Ver.1.0 新規リリース
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■注意事項 1. 当社は、製品の品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生することがありますので、当
社半導体製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせることのないように、お客様の責任
においてフェールセーフ設計、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計を行い、機器の安全性の確保に十
分留意されますようお願いします。 2. このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うものでは
ありません。とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、工業所有権その他の権
利の実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。 このデータシートに記載されている商標は、各社に帰属します。
3. このデータシートに掲載されている製品を、特に高度の信頼性が要求される下記の機器にご使用になる場合は、必ず事前に
当社営業窓口までご相談願います。 · 航空宇宙機器 · 海底機器 · 発電制御機器 (原子力、火力、水力等) · 生命維持に関する医療装置 · 防災/ 防犯装置 · 輸送機器 (飛行機、鉄道、船舶等) · 各種安全装置
4. このデータシートに掲載されている製品の仕様を逸脱した条件でご使用になりますと、製品の劣化、破壊等を招くことがあり
ますので、なさらないように願います。仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果、人身事故、火災事故、社会的な損害等
を生じた場合、当社は一切その責任を負いません。
5. ガリウムヒ素(GaAs)の安全性について 対象製品:GaAs MMIC、フォトリフレクタ
ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、砕い
たり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混
ぜないでください。 6. このデータシートに掲載されている製品の仕様等は、予告なく変更することがあります。ご使用にあたっては、納入仕様書の
取り交わしが必要です。