La Plate-forme Caractérisation

du LAAS-CNRS

• Electrique

• Hyperfréquences

• Optique

• Microsystèmes

La caractérisation aujourd’hui

Electrique Hyper-fréquences OptiqueMicro-

systèmes

Surface 160 m² 210 m² 230 m² 210 m²

Types de mesures

- Tests paramétriques

- Mesure d’impédance

- Caractérisation de substrats et composants discrets

- Mesure de bruit - Mesure param. S- Test de fiabilité de commutateurs MEMS- Mesures DC : impulsion, continu et analyse impédance basse fréquence)- Mesures hyper-opto- Une zone d’assemblage

-Tests paramétriques (puissance, V(I))

- Caractérisation composants

- Spectroscopie

- Réflectivité

- Photoluminescence

- Diffraction

- Caractérisation mécanique

- Microsystèmes pour la chimie et la biologie

- Systèmes de dépôts

- Caractérisations spécifiques

BudgetFonction. (06-

07)220 k€ hors achat d’équipement

BudgetÉquipement

Plusieurs millions d’euros

Personnel 6 ingénieurs et techniciens en support ‘IG’

150 utilisateurs (chercheurs, doctorants, extérieurs)

Mesures I(V) sous pointes: Max 10A ou 1kV Mesures sous pointes I(V) de composants en boitier :-75°C < T < +225°C

Microscope à force atomique Thermographie Infra-Rouge : Tmax:1400°CRésolution: 10µm, Sens: 12mK, Fmax: 22kHz

Caractérisation électrique

Caractérisation physique

Profilomètre optique : résolution : 1µmen X,Y et 1nm en Z

Quelques exemples… électriques

1 mm

Fiabilité de commutateurs micro-usinésFiabilité de commutateurs micro-usinés

0

lw

Caméra IR

Quelques exemples…hyperfréquences

Quelques exemples…optiques

Photoluminescence UV et gain Diodes Laser Guidage

Photoluminescence Basse température Test de microsystème optique pour application médicale

Quelques exemples…microsystèmes

Matrice de micro-éjecteurs (MIS) Micro-leviers (Nano) Ion Sensitive Field Effect Transistor (M2D)

Micro-miroirs (MIS)

Matrice de membranes (Nano)Capteur de gaz (M2D)