INFORME DE ELECTRNICASemestre :Segundo Semestre

Grupo : C4-D

Laboratorio N: 4

Profesor : Baker Carpio C.

EL TRANSISTOR BIPOLAR

Nota :Apellidos y Nombres

Lpez LpezLuigui Lee

Mamani Arredondo Kevin Oscar

Marca Gamarra David

1. OBJETIVOS

Obtener las curvas caractersticas de amplificacin de corriente. Analizar el modo de operacin del circuito de emisor comn como interruptor.

2. MATERIAL A EMPLEAR

Un multmetro digital. Conectores. Transistor. Resistencias. Fuente DC

3. SEGURIDAD EN LA EJECUCIN DEL LABORATORIOTener cuidado con el tipo y niveles de voltaje que suministran a las tarjetas.

Antes de utilizar el multmetro, debe asegurarse que ste est en el rango y magnitud elctrica adecuada.

Tener cuidado en la conexin y en la desconexin de los equipos utilizados.

4. FUNDAMENTO TERICO

Los transistores bipolares son componentes semiconductores activos. Estos tienen dos juntas PN y por lo tanto tres capas consecutivas de materiales semiconductores dopados diferentemente.Las tres capas se denominan emisor, base y colector. El emisor (latn emitere) suministra los portadores de carga. El colector (latn colector) los recolecta nuevamente. La base (latn basis) es el elemento de control.Para alcanzar un efecto amplificador la juntura emisor-base debe ser operada en direccin directa y la juntura base-colector en direccin inversa. Con una pequea corriente de control fluyendo en la base, se puede influenciar una corriente principal considerablemente mayor fluyendo del colector. La relacin entre variacin de corriente (IC) y la variacin de corriente de base (IB) se denomina Amplificacin de Corriente ()

5. PROCEDIMIENTO5.1 Verificacion del dispositivoCompruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando las terminales (base, emisor y colector) usando el ohmmetro, responde las mediciones entre terminales (polarizando directa e inversamente).TerminalesZ pol.directa ()Zpol. Inversa ()

Base Emisor3.63 M OL

Base-Colector3.530 M OL

Colector-EmisorOLOL

5.2 Obtencionestatica de la curva caracterstica base emisorArme el circuito; coloque Vbb a cero y ajuste Vcc hasta tener un voltaje Vce=1V, mida Vbe e Ib (aplique ey de phm midiendo el voltaje en la resistencia de la base); para cada nuevo valor de Vbb reajuste Vcc para mantener Vce= 1 V y complete la tabla.

Vbb (Volts)Vbe(Volts)Ib(A)

0-0.005 V0 A

0.50.472 V1A

10.542 V3A

1.50.565 V5A

20.576 V8 A

2.5 0.585 V10 A

30.591 V12.6 A

3.50.596 V15 A

40.6 V18 A

4.5 0.604 V20 A

50.607 V22 A

Vce= 1 V5.3 Curva caracterstica Colector- EmisorArme el circuito; coloque Vcc a +12 Volts y ajuste Vbb hasta tener una corriente de base Ib=12 A (Aplique la ley de Ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); ajuste Vcc a cero y complete la tabla.

(Volts)( Volts)(mA)

0000

10.088 V0.4 mA33.33

20.142 V0.9 mA75

30.821 V1 mA83.33

41.870 V1.1 mA91.667

52.828 V1.1 mA91.667

63.856 V1.1 mA91.667

74.797 V1.1 mA91.667

85.802 V1.1 mA91.667

96.79 V1.1 mA91.667

107.83 V1.1 mA91.667

118.81 V1.1 mA91.667

129.77 V1.1 mA91.667

Grafique Vce vs Ic

5.4 Polarizacion del transistorLa polarizacin de un transistor determina el punto e trabajo en el que se encuentra. Arme el circuito; determine tericamente el punto de trabajo del transistor. Si R1=10K, R2=2.2K, Rc=4.7K, Re=1K, Vcc=9VComplete la tabla:

MEDIDASVBVEVCVBEVCEVR2VR1VRCIBIC

TERICA1.62V0.89V2.39V0.7V1.5V7.37V1.62V4.2V8.94A895A

PRACTICA1.62V0.978V4.42V0.63V3.4V7.38V1.62V4.8V3.56A975A

REALICE AQU TODOS LOS CLCULOS NECESARIOS:Grafique recta de carga y ubique el punto de operacin.

5.5 Aplicaciones de Transistor 5.6 El Transistor como InterruptorImplemente el circuito de medicin segn este esquema y aplique la tensin de operacin UB=+6V

Realizar las mediciones y anotarla en la tabla Adjunta

Posicin S1Posicion S2

PARMETROTERICOPRCTICOPARMETROTERICOPRCTICO

56.79m A52.29m A00

5.17mA5.2 mA00

821.52mV0.759V00

72.87mV1.22m V6.00 V6.003 V

5.1 V5.223 V6.00 V6.001 V

Para cada caso graficar la recta de carga

Explique el funcionamiento de ste circuito, indicando qu ocurre con las corrientes en la base y en el colector para cada posicin de la llave (S1 y S2)Cuando es S1 en el circuito circula corriente y por ello se enciende la lmpara, mientras que si se conecta el switch a S2 la toma a tierra se lleva toda la corriente indicando claramente que no hay circulacin en el circuito.En la posicin S2 que representa la corriente Ic.Solo un terminal o una lnea donde se pierde la corriente por no tener otro terminal para recin presentar corriente en el circuito.6. OBSERVACIONES La seguridad es lo primero que se ha de tener en cuenta antes de empezar el trabajo. Comprobamos que el transistor estaba en mal estado y se tuvo que cambiar. Al recibir otro transistor nos dimos cuenta que era un PNP y no un NPN para las experiencias a seguir. Se observ las grficasla curva caracterstica de que presentan los transistores. Llegamos a observar que los datos del polo directo son distintos del polo inverso. Observamos que la corriente IC del circuito del colector emisor era constante o sea no variaba su valor dado. Logramos observar que la variacin de valores que ocurra en el polo directo eran mayores a comparacin del polo Inverso. Logramos observar que la corriente que fluye a travs del circuito Colector Emisor es la misma ya que la corriente Ic fluye por una conexin serie del circuito.

7. CONCLUSIONES

Se identific varios tipos de transistores como NPN y el PNP. Identificamos las curvas caractersticas, adems de saber la zona de saturacin, de corte y activa en los transistores. Con la participacin de todos los integrantes del grupo se obtuvo un buen trabajo en el laboratorio. Medimos los diferentes momentos que se obtiene al regular la tensin para saber que caracterstica se obtiene en el transistor. Se generaron preguntas e ideas entre los miembros del grupo, concluyendo se pudo aclarar dudas y confirmar aclaraciones con respecto al tema. Se trabaj eficazmente en equipo. Se aplic las normas de seguridad en el laboratorio. Se pudo comprobar el correcto funcionamiento de los transistores. Logramos obtener los datos que nos pedan en cada una de las experiencias. Se logr utilizar el transistor como interruptor que profundiza la obtencin de la curva caracterstica Base Emisor. Logramos deducir que si nosotros queremos obtener seales con mayor eficacia y menos degeneracin, debemos de ayudarnos con la corriente que fluye a travs del Emisor.

ANEXO

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIONBJT

VENTAJAS

Ms pequeo y ligero. No requerimiento de calentamiento. No disipacin de calor. Resistente. Consume menos potencia. Voltajes de operacin ms bajos. Dispositivos de tres o ms terminales.

CONSTRUCCION BJT

NPN PNP

PARAMETROS

CONSTRUCCIN

Transistor de Unin Bipolar- Bipolar Junction Transistor.

El Transistor es un dispositivo de 3 patillas: base (B), colector (C) y emisor (E).

Base (B):ligeramente dopada

Colector (C): muy poco dopada.

Emisor (E): fuertemente dopada.

Diferentes espesores

IDEAS PREVIAS

CONFIGURACIONES

ZONA ACTIVA

Activa:

Esta regin de operacin se considera de corriente constante, se cumple aproximadamente la relacin: Ic = hFE .Ib .

(En la cual hFEes la ganancia de corriente continua y depende de la construccin del transistor.)

Aunque en la prctica Icvara levemente para diferentes valores de Vce, para esta regin se puede pensar que: la corriente Ices una versin amplificada de la corriente Ib.

ZONA DE CORTE

Corte:

Cuando Ibes muy pequea o nula, implicar adems Ic = 0.Lo que equivale a decir que no hay conduccin entre colector y emisor.

En esta regin se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja como una llave abierta.

ZONA DE SATURACIN

Saturacin:

Si Vce es demasiado pequeo, Icya no es proporcional a Ib, es decir, aunque Ibaumente, Icno sigue ese crecimiento Ic