반도체산업 DRAM Tech Roadmap 최종 editing fimgstock.naver.com/upload/research/industry/1393374250518.pdf · DRAM 중장기 Tech Roadmap! Analyst 박유악 (6309-4523) 반도체

2014-004

반도체산업

Overweight DRAM 중장기 Tech Roadmap

반도체 2014. 2. 26

Analyst 박유악 02-6309-4523

[email protected]

IoT시대 진입: DRAM 공정 미세화 지속 필요

- IoT시대 진입으로 글로벌 반도체 산업 연평균 +4% 지속 성장 전망

- IoT시대 시스템 요구 충족 위해 DRAM 공정 미세화 지속 필요

- DRAM 미세화 20nm이하 기술적 한계 도달. Transistor의 미세화 한계와

Capacitor의 제조 한계 때문. 돌파구는 없는가?

QPT, STT-RAM, EUV 도입으로 20nm이하 미세화 지속 전망

1. Transistor 미세화 한계: DPT → QPT → EUV 도입

Transistor Channel Length 감소의 한계를 넘기 위해 ‘EUV 장비’ 도입

시도 중이나, 대량 양산은 2018년 하반기에나 가능할 전망. 따라서

DRAM 미세화 공백 발생하는 2016년 이후, QPT 도입으로 20nm 이하

제품 양산 지속될 전망.

2. Capacitor 제조 한계: DRAM → STT-RAM 구조 변경

STT-RAM이 DRAM 대체할 전망. STT-RAM은 DRAM과 동일한 공정을

사용하여 ‘DRAM → STT-RAM의 Fab 전환’ 용이하며, Capacitor 대신

MTJ를 사용하기 때문에 Capacitor의 Aspect Ratio 이슈에서 자유로움.

3. 시스템 성능 향상 위한 신규 Packaging 도입: HMC with TSV

2015년 TSV 이용한 신규 Packaging인 HMC 양산 본격화 전망. HMC는

기존 PoP 대비 사이즈와 전력소모가 각각 -35%와 -50% 감소하며, 동작

속도는 8배 증가함.

Top Pick: 삼성전자(Buy, TP 180만원)

- QPT 도입으로 20nm 이하 DRAM 미세화 경쟁 우위 지속

- STT-RAM 원천기술 업체 Grandis 인수 → 기술 우위 지속

- TSV 이용한 HMC 양산 → Server 시장 확대 수혜

관심종목: 덕산하이메탈, 솔브레인, 케이씨텍, 피에스케이, 디엔에프, 기가레인

삼성전자(005930) Buy, TP 1,800,000원

Analyst 박유악 (6309-4523) DRAM 중장기 Tech Roadmap! 반도체

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메리츠종금증권 리서치센터 2


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Contents

1 Investments Summary 4

1 DRAM 중장기 Tech Roadmap - 공정 미세화는 지속된다! 4

5 2 반도체 업종 Top Pick 및 관심종목 5

2 IoT 시대의 Memory Requirements 6

1 IoT 시대 진입 - 사람과 사람을 넘어 기계와 기계의 연결로! 6

5 2 IoT 시장, 연평균 +25% 이상 증가 전망 8

3 IoT 시장 확대 - 반도체 산업 성장 견인 9

3 4 IoT 시대의 Memory Requirements - 공정 미세화 지속 필요 11

3 DRAM 중장기 Tech Roadmap 13

5 1 DRAM 공정 미세화 한계 도달. 돌파구는 없는가? 13

2 Transistor 미세공정 한계 돌파: DPT→ QPT→ EUV→ EUV DPT 15

3 Capacitor A/R 한계 돌파(DRAM → STT-RAM 구조 변경) 18

4 3D Packaging with TSV 24

4 투자전략 및 Top Picks 28

1 IoT 시대 진입 - DRAM 미세화는 지속된다! 28

5 2 반도체 업종 Top Pick 및 관심종목 29

5 반도체 산업 Key Data 30

6 Company Briefs 38

1 삼성전자 39


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I. Investments Summary

1. DRAM 중장기 Tech Roadmap – 공정 미세화는 지속된다!

IoT(Internet of Things) 시대 본격 진입으로 글로벌 반도체 산업은 2017년 매출액

3,795억달러(CAGR +4%)를 기록하며 지속적으로 성장할 전망이다. IoT 시대의 시스템

요구사항을 충족시키기 위해서는 DRAM의 경우 공정 미세화가 지속되어야만 한다.

그러나, 현재 사용되고 있는 DRAM의 미세화 기술은 20nm 이하부터 기술적 한계에 부

딪히기 때문에, 20nm 공정 비중이 50%를 넘어설 것으로 예상되는 2016년 이후 미세화

지속을 위한 새로운 돌파구가 필요하다.

공정 미세화 한계를 넘기 위한 Solution인 ‘EUV 장비’의 대량 양산이 빨라야 2018년 하

반기에나 가능할 것으로 예상되나, 당사는 2016년 이후부터 해당 시기까지 QPT와

STT-RAM 신규 도입으로 DRAM의 미세화가 지속될 것으로 전망한다.

미세 공정과는 별도로, TSV를 이용한 새로운 Packaging기술이 DRAM에 본격적으로 적

용되며 시스템 성능 향상의 요구사항을 충족시킬 전망이다.

[그림 1] DRAM 중장기 Tech Roadmap by 메리츠종금증권

주: Mass Production 기준 자료: ITRS, IMEC, 메리츠종금증권 리서치센터

28

25 23

20 18

16 14

13 11

10 9

0

5

10

15

20

25

30

35

2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023

(nm)

1) QPT 도입

2) STT-RAM로 변경1) EUV Multi-pattering

2) Mask 소재 변경

Key Challenges

EUV 도입

3D Packaging with TSV


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2. 반도체 업종 Top Pick 및 관심종목

DRAM의 중장기 Tech Roadmap에 대한 업종 내 Top Pick으로 삼성전자를, 관심종목으

로 덕산하이메탈, 솔브레인, 케이씨텍, 피에스케이, 디엔에프, 기가레인을 제시한다.

삼성전자는 QPT, STT-RAM, TSV을 신규 도입함으로써 20nm이하에서도 DRAM의 기술

적 경쟁 우위를 지속할 전망이다. 덕산하이메탈은 TSV공정 내 Solder Ball을 공급함으로

써 기존 Wire Bonding 시장을 대체하고, 솔브레인과 케이씨텍은 TSV공정 내 Wafer

연마를 위한 CMP장비와 Slurry를 공급할 것으로 예상한다. 피에스케이와 디엔에프는 각

각 QPT용 Etch Back장비와 소재를 공급하며 중장기적 실적 성장세를 이어갈 전망이다.

기가레인은 향후 TSV용 DRIE 공급을 통한 반도체 업체로의 성장할 가능성에 주목한다.

[표 1] Peer Group Valuation Table

매출액 영업이익 PER PBR EV/EBITDA ROE

(단위: 십억원, 배) 시가총액 13F 14F 13F 14F 13F 14F 13F 14F 13F 14F 13F 14F

삼성전자 219,513 228,696 239,720 36,782 37,068 7.0 6.8 1.7 1.4 3.9 3.4 22.4 18.7

SK 하이닉스 27,449 14,165 15,743 3,380 4,029 9.5 8.7 2.3 1.8 4.2 3.5 25.2 21.6

덕산하이메탈 535 127 163 33 41 14.9 12.1 2.2 1.9 13.7 10.9 17.6 18.2

케이씨텍 214 202 215 23 29 11.7 8.3 1.0 0.9 5.1 4.2 9.1 10.1

솔브레인 740 645 716 105 123 9.5 7.8 1.8 1.5 6.3 5.0 20.8 21.0

피에스케이 233 120 195 21 46 12.9 6.8 1.5 1.2 7.9 3.3 12.5 20.3

디엔에프 90 21 56 -2 9 N/A 10.1 3.6 2.5 61.8 8.9 N/A 21.7

기가레인 122 92 140 12 21 18.7 7.3 2.2 2.1 8.2 5.4 26.4 41.5

자료: WiseFn, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 2] DRAM 중장기 Roadmap 수혜 예상 업체

자료: 메리츠종금증권 리서치센터

삼성전자

피에스케이

디엔에프

·QPT도입 → 20nm 이하 DRAM 경쟁 우위 지속·STT-RAM 원천기술 업체 Grandis 인수 → 기술 우위 지속·TSV이용한 HMC 양산 → Server 시장 확대 수혜·TSV: 시스템LSI와 DRAM One-chip화 진행

·Etch Back 장비 개발 → QPT 도입 수혜·QPT공정 내 Etch Back 사용량 DPT 대비 2배 증가

·삼성전자 DPT 소재 납품으로 2xnm 공정 비중 증가 수혜·향후 QPT도입에 따른 실적 증가세 지속 전망·QPT공정 내 희생 막 소재 사용량 → DPT 대비 2배 증가

덕산하이메탈

케이씨텍솔브레인

기가레인

·TSV용 Solder Ball 공급 예상·기존 Wire Bonding 시장 대체할 것으로 판단

·TSV용 CMP장비 및 CMP Slurry 공급 예상·CMP를 이용한 Wafer 두께 감소 목적

·DRIE장비 공급 예상. TSV 공정 내 Wafer Cu Hole 뚫는 공정·해외 경쟁사 대비 단가 경쟁력 우위. 고객사 진입 가능 예상

TSV

QPTSTT-RAM

QPT

TSV

SK하이닉스·STT-RAM Toshiba와 공동 개발 중·TSV이용한 HBM 개발 중


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II. IoT 시대의 Memory Requirements

1. IoT 시대 진입 – 사람과 사람을 넘어 기계와 기계의 연결로!

IoT(Internet of Things) 시대가 다가오고 있다. IoT, 사물인터넷이란 모든 사물이 인터

넷과 연결된다는 의미이며, 여기서 사물이란 인간, 전자기기, 자동차, 자전거, 시계, 안경,

동식물, 문화재 등의 모든 물리적 객체를 의미한다. 즉, IoT시대 진입으로 PC를 넘어 스

마트폰, 테블릿PC, 이후 더욱 더 많은 기기들이 인터넷을 통해 연결되어갈 것이다.

이렇게 되면, 사람의 개입이나 입력 없이도, 주변 사물이 자동으로 정보를 인지한 후 필

요한 것을 제공하거나 행동하게 된다. 물이 필요한 때를 화분 스스로가 인간에게 인지시

켜주고, TV를 보다 잠이 들면 자동으로 전원이 꺼지고, 베개가 나의 뇌파를 측정해 잠에

서 깨어나기 전 자동으로 온수를 준비시키는 등 상상 이상의 시대가 올 전망이다.

[그림 3] Mobile 시대의 Cloud & Internet Devices


[그림 4] IoT 시대의 Cloud & Internet Devices


Cloud & Services

INTELLIGENTCITY

INTELLIGENTHOSPITAL

INTELLIGENTHIGHWAY

INTELLIGENTFACTORY

Municipal Command& Control Center

SmartGrid

HospitalOptimization

CommsNetwork

Optimizaion

FactoryOptimization

LogisticsOptivization

TrafficCameras

AutomatedCar System

IntelligentDigital

Signage

ConnectedAmbulances

IntelligentMedicalDevices

ResponsiveStore

Traffic FowOptimization

HomeEnergyMgmnt


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[그림 5] IoT 시대: 자동 주행 [그림 6] IoT 시대: Health Care 서비스

자료: ARM, 메리츠종금증권 리서치센터 자료: Proteus, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 7] IoT 시대: Smart Home [그림 8] IoT 시대: Wearable Device 확대

자료: the Economist Research, 메리츠종금증권 리서치센터 자료: 삼성전자, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 9] IoT 시대: Smart Home Appliances [그림 10] IoT 시대: 하이패스를 통한 스마트 교통 정보

자료: 메리츠종금증권 리서치센터 자료: 메리츠종금증권 리서치센터


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2. IoT 시장, 연평균 +25% 이상 증가 전망

시장 조사기관인 Gartner는 PC/스마트폰/테블릿을 제외한 IoT Device의 개수가 2020년

260억개(CAGR 35.8%)로 증가하고, 시장규모는 총 3,090억달러에 이를 것으로 전망하고

있다. 또한 GSMA(세계이동통신사업자협회)는 2020년 240억대, Cisco(미국, 네트워크 장

비 업체)는 2020년 501억개의 Device가 Internet에 연결될 것으로 전망하고 있다.

[그림 11] IoT 시장 전망 by Gartner

자료: Gartner, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 12] IoT 시장 전망 by Cisco

자료: Cisco, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 13] IoT 시장 전망 by 삼성전자

자료: 삼성전자, 메리츠종금증권 리서치센터

0

5

10

15

20

25

30

Connected PC, Smartphone, Tablet IoT

2009 2020E(bn units)

8.711.2

14.418.2

22.9

28.4

38.442.1

50.1

0

10

20

30

40

50

60

'12 '13 '14E '15E '16E '17E '18E '19E '20E

(bn units)

Smart healthca re

25

20

15

10

5

02013 2015E 2017E

Smart O ffice

Smart home

Smart car

16

12

8

4

02013 2015E 2017E

mHealthmarket size ($B)

Smart homeUS mar ket size ($B)

POLICE

CE

IT

convenience wellness Safety


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3. IoT 시장 확대 - 반도체 산업 성장 견인

급증할 것으로 전망되는 Internet 연결 Device가 사람의 입력 없이 자동으로 정보를 인

지하기 위해서는 반도체의 탑재가 필수적이다. 따라서 IoT 시대의 급 성장은 향후 반도

체 산업의 지속적인 성장을 이끌 것으로 판단한다.

글로벌 반도체 산업은 2017년 매출액 3,795억달러를 기록하며 연평균 4% 성장할 전망

이다. 제품별로는 Cloud Server 증설의 수혜가 예상되는 Flash Memory가 연평균 7.5%,

주변 정보를 인식하기 위해 IoT Device에 탑재되는 Non-optical Sensor가 8.6%, 수집된

정보 분석을 위한 Logic IC가 5.8%로 높은 성장률을 기록하면서 반도체 시장의 성장을

견인할 전망이다.

[그림 14] 반도체 산업 – 연평균 +4%yoy 지속 성장 전망


[그림 15] 반도체 제품별 성장률 전망

주: 성장률 2013년 ~ 2017년의 CAGR 수치임 자료: Gartner, 메리츠종금증권 리서치센터

61 56 70 76 73 78 84

62 5958 60 61 64 66

81 8485 87 91 94 98

22 2121

23 2526

27

12 1212

13 1415

16

20 1919

20 2121

22

20 1918

19 1920

20

23 2526

28 3033

36

5 66

7 89

10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

2011 2012 2013 2014E 2015E 2016E 2017E

(십억달러)

Memory Microcomponent ASSPASIC Logic IC Analog ICDiscrete Optical Sensors Nonoptical Sensors

3.7%

2.4%

5.8%

3.1% 3.0%

7.1%

8.6%

5.6%

2.8%

0.0%

1.0%

2.0%

3.0%

4.0%

5.0%

6.0%

7.0%

8.0%

9.0%

Memory Micro

component

Logic IC Analog IC Discrete Optical

Sensors

Nonoptical

Sensors

ASIC ASSP


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` [표 2] 글로벌 반도체 시장 전망 (단위: 백만달러)

2012 2013 2014E 2015E 2016E 2017E CAGR

Total 299,912 315,390 332,429 341,683 359,959 379,583 3.8%

General Purpose 189,109 203,316 215,501 218,008 231,077 245,204 3.8%

Memory 55,681 70,079 75,601 72,776 78,077 84,197 3.7%

DRAM 26,200 35,578 37,920 32,460 33,050 35,670 0.1%

SRAM 683 610 585 561 549 541 -2.4%

Flash Memory(NAND, NOR) 26,798 32,097 35,381 38,013 42,648 45,998 7.5%

Other Memory 2,000 1,794 1,715 1,742 1,829 1,988 2.1%

Microcomponent 59,278 58,465 60,462 61,488 63,660 65,732 2.4%

Microprocessor, Embedded 3,922 3,965 4,208 4,416 4,652 4,866 4.2%

Microprocessor, Computer 39,946 38,492 39,219 40,150 41,455 42,295 1.9%

Microcontroller, 8/16/32-Bit 14,395 14,971 15,935 15,836 16,444 17,445 3.1%

Digital Signal Processor 1,015 1,037 1,100 1,086 1,109 1,126 1.7%

Logic IC 11,736 12,294 13,070 13,856 14,902 16,271 5.8%

FPGA/PLD 4,426 4,525 4,943 5,449 5,998 6,501 7.5%

Standard Logic 1,452 1,431 1,510 1,565 1,652 1,703 3.5%

Display Driver 5,598 6,108 6,384 6,621 7,033 7,848 5.1%

Analog IC 19,109 19,117 19,981 20,633 21,421 22,281 3.1%

Amplifier/Comparator 3,080 3,080 3,212 3,317 3,435 3,565 3.0%

Voltage Regulator/Reference 10,107 10,094 10,551 10,938 11,400 11,893 3.3%

Data Converter/Switch/Multiplexer 3,403 3,411 3,562 3,680 3,834 4,000 3.2%

Other Analog 2,519 2,531 2,656 2,698 2,752 2,823 2.2%

Discrete 18,517 17,680 18,541 19,087 19,749 20,500 3.0%

Diodes 5,194 5,116 5,394 5,577 5,809 6,065 3.5%

Transistors 12,478 11,715 12,252 12,596 13,000 13,465 2.8%

Other Discretes 845 850 895 914 940 970 2.7%

Optical Sensors 24,790 25,681 27,847 30,169 33,268 36,223 7.1%

Optoelectronics 15,517 16,326 18,206 20,091 22,655 25,079 9.0%

Image Sensors, CCD 1,933 1,598 1,473 1,492 1,559 1,595 0.0%

Image Sensors, CMOS 7,340 7,757 8,168 8,586 9,054 9,550 4.2%

Nonoptical Sensors 5,766 6,386 7,261 8,149 8,936 9,632 8.6%

Application Specific 105,037 105,688 109,666 115,526 119,946 124,748 3.4%

ASIC 21,320 20,598 22,603 24,607 25,935 27,099 5.6%

Data Processing 5,329 5,382 5,995 6,816 7,518 8,085 8.5%

Communications 7,115 6,700 7,443 8,099 8,676 9,208 6.6%

Consumer 5,520 5,225 5,642 5,932 5,817 5,703 1.8%

Automotive 1,454 1,519 1,605 1,674 1,758 1,853 4.1%

Industrial 1,310 1,198 1,307 1,446 1,512 1,587 5.8%

Military and Civil Aerospace 592 572 611 639 654 662 3.0%

ASSP 83,716 85,090 87,063 90,919 94,011 97,648 2.8%

Data Processing 23,518 23,645 24,372 25,443 26,472 27,381 3.0%

Communications 38,703 39,936 40,771 43,157 44,804 46,928 3.3%

Consumer 12,241 11,919 11,881 11,850 11,981 12,077 0.3%

Automotive 6,462 6,723 7,080 7,342 7,491 7,883 3.2%

Industrial 2,792 2,867 2,959 3,127 3,263 3,378 3.3%



(Overweight)


4. IoT 시대의 Memory Requirements – 공정 미세화 지속 필요

본격 성장이 예상되는 IoT 시대의 시스템 요구사항을 충족시키기 위해서는 DRAM의 공

정 미세화가 지속되어야만 한다. 특히 메모리 반도체의 경우 Mobility 증가를 위한 속도

향상, 더욱 얇고 가벼운 제품 양산을 위한 Density 증가, 그리고 Battery 수명 연장을

위한 저전력이 요구되고 있다.[그림 16참조] 따라서, 메모리 반도체 업체의 당면 과제는

경쟁력 향상을 위한 지속적인 공정 미세화이다.

[그림 16] IoT 시대의 System 및 Memory Requirements


공정 미세화가 필요한 이유는 반도체에 사용되는 Transistor의 전력소모 감소와 동작

속도(Transistor Performance) 증가가 가능해지기 때문이다. 공정 미세화가 진행되면 1)

동작전압이 낮아지고 2)Channel Length가 줄어들게 되는데, 1)낮아진 동작전압은 전력

소모를 감소시키며 2)줄어든 Channel Length는 속도 향상으로 직결된다.

[그림 17] DRAM 공정 미세화 → Memory Requirements 충족

자료: Intel, 메리츠종금증권 리서치센터

MobilityPerformance

Longer BatteryLife time

Thin & LightDevices

System Requirements Memory Requirements

High Speed

High Density

Low Power

1x

0.1x

0.01x

0.001x

65nm 45nm 32nm 22nm

Higher Transistor Performance (High Speed)

Server

Desktop

LaptopUltrabook

Tablet

Pocket Device


(Overweight)


[그림 18] DRAM 공정 미세화 → 동작 전압 감소 → 전력 소모 감소

자료: Intel, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 19] DRAM 동작 모드: 공정 미세화 → Channel Length(Source와 Drain 거리) 감소 → 동작 속도 증가


1

0.01

> 50%reduction

Constant Performance

65nmPlanar

45nmPlanar

32nmPlanar

22nmTri-Gate

Capacitor

Bit Line

Silicon Substrate

Source Drain

Gate

Capacitor

Bit Line

Silicon Substrate

Source Drain

Gate

공정 미세화

e e e e ee e e e e

eeeee


(Overweight)


III. DRAM 중장기 Tech Roadmap

1. DRAM 공정 미세화 한계 도달. 돌파구는 없는가?

그러나, 현재 사용되고 있는 DRAM의 미세화 기술은 20nm 이하부터는 기술적 한계에

부딪히게 된다. 이는 1)Transistor의 Channel Length 감소와 2)Capacitor의 A/R(Aspect

Ratio, Capacitor의 세로/가로 비율) 증가가 한계에 이를 것으로 판단되기 때문이다. 따

라서, 20nm 공정 비중이 50%를 넘어설 것으로 예상되는 2016년 이후 DRAM의 공정

미세화 지속을 위한 새로운 돌파구가 필요하게 된다.

사실 DRAM의 미세화 한계는 과거 30nm에서도 거론됐었지만, DPT(Double Patterning

Technology) 및 High-K 소재의 도입으로 극복됐다. 따라서, 지금부터는 DRAM의 미세

화 한계 돌파를 위한 대안과 당사가 판단하는 중장기 Roadmap에 대해 논하고자 한다.

[그림 20] DRAM Tech Node 추이 및 전망: 20nm 이후 돌파구는 없는가?

자료: ITRS, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 21] DRAM Sub-20nm 공정 이슈: 1)Transistor Limit & 2)Capacitor A/R Limit


3632

28

25 23

20

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023

(nm)

DPT & High-K

도입으로 한계 돌파

Capacitor

Bit Line

Silicon Substrate

Source Drain

Gate

Capacitor

Bit Line

Silicon Substrate

Source Drain

Gate

Capacitor

Bit Line

Silicon Substrate

Source Drain

Gate

Sub 20nm Process

CapacitorA/R Limit

Transistor Tech Limit


(Overweight)


20nm이하의 DRAM 공정은 1)QPT(Quadruple Patterning Technology) 또는

EUV(Extreme Ultra Violet)장비 도입, 2)STT-RAM 등의 New Memory 도입, 3)TSV를 이

용한 3D Packaging 도입 등의 방향으로 기술 개발이 지속되고 있은 것으로 파악된다.

참고로, Transistor의 구조를 바꾼 FinFET은 DRAM에 적용하기 어려울 것으로 판단한다.

FinFET은 삼성전자와 TSMC가 20nm 이하의 비메모리 반도체 양산을 위해 도입하였지

만, 공정단가가 높기 때문에 판가가 낮은 DRAM에 사용될 경우 원가 부담의 이슈가 발생

하기 때문이다.

[그림 22] DRAM: 20nm Tech Limit을 넘어…


[그림 23] Logic 반도체: 현재까지 Moore’s Law 적용 가능


3632

28

25 23

20

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023

(nm)1 ) QPT or EUV 도입

2) New Memory(STT-RAM) 도입

3) 3D Packaging with TSV

> 50%reduction

2008 2013 2017

65nm('07)

32nm('10)

2Xnm('12)

2Ynm('13)

1Xnm('13~'14)

1Ynm('15)

< 1Ynm('17)

Path Finding

GL HK/MG3D-TR

Alternative Channel

Tunnel FET

Graphene FET

3D-TRSiGe Fin

Buffer Layer

Si Substrate


(Overweight)


2. Transistor 미세공정 한계 돌파: DPT→ QPT→ EUV→ EUV DPT

DRAM 미세화 공정 내 1)Transistor의 Channel Length 감소의 한계를 넘기 위한

Solution으로 ‘EUV 장비’의 도입이 있다. EUV는 극 자외선을 이용한 노광 기술로, 미국

반도체 컨소시엄인 SEMATECH과 유럽 반도체 컨소시엄인 IMEC에서 공동개발 중이다.

현재 ‘EUV 장비’의 Hardware 성능은 기존 ‘ArF Immersion 장비’ 수준에 근접해있으며,

연구 개발 차원에서는 이미 14nm의 미세패턴 구현도 성공했다.[그림24 참조] 그러나,

‘EUV 장비 내 Source의 Power 부족’과 ‘노광 시 Mask 결함’ 이슈가 여전히 존재하여,

실질적인 대량양산은 빨라도 2018년 하반기에나 가능할 전망이다.[그림26 참조]

[그림 24] ASML: EUV장비(NXE3300) 이용한 14nm 미세패턴 구현 성공

자료: ASML, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 25] ASML ArF Immersion장비 Throughput 추이 및 EUV장비 개발 Schedule

자료: ASML, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 26] EUV Timelines – 빨라야 2018년 하반기 Mass Production 가능할 전망

자료: ASML(2013.03 Updated), 메리츠종금증권 리서치센터

Dipole30,Chemically Amplified Resist(CAR)

Dipole45,Inpria Resist

Quasar30(CAR)

Large Annular(CAR)

2010 2011 2012 2013 2014E 2015E 2016E

Immersion

EUV

190WPH

230WPH250WPH

33WPH

58WPH

81WPH

126WPH

Year 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020

Pilot LinesSynchronized Transition

Signals1) Litho Timelines Published2) Consortia/Semi Activities3) Customer Announcements

Demo Tool StartMemory

FoundrySuppliers

High Volume Manufacturing

Fabs

Logic


(Overweight)


EUV 장비의 도입 지연으로 인해 2016년부터 2018년까지 3년간 DRAM 공정 미세화의

공백이 발생하게 되는데, 당사는 해당 기간 QPT(Quadruple Patterning Technology) 기

술의 도입으로 Sub-20nm(under 20nm) 양산이 진행될 것으로 예상한다.

QPT는 현재 2xnm DRAM 공정에서 사용되고 있는 SaDPT(Self-Aligned Double

Patterning Technology)기술이 반복되는 공정으로, SaDPT 대비 1)Hardmask 증착과

2)Etch Back, 그리고 3)Hardmask Etching 공정이 1회씩 추가된다.[그림28 참조]

[그림 27] DRAM Transistor의 Channel Length 감소 중장기 Roadmap


[그림 28] SaDPT vs. SaQPT 공정 흐름도 분석


3632

28

25 23

20

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023

(nm)

QPT 도입 EUV 도입

DRAM Transistor Tech Limit 돌파

EUV Multi-pattering

DPT &High-K

도입으로 한계 돌파

Film

Hardmask 2

Hardmask 1

Film

Hardmask 2

Hardmask 1

Photo Resist

Film

Hardmask 2

1st HM Etch

Film

Hardmask 2

Film

Hardmask 2

DPT소재 Depo Etch BackPR Litho 2nd HM Etch

Film

Hardmask 2

Hardmask 1

Film

Hardmask 2

Hardmask 1

Photo Resist

Hardmask 2

1st HM Etch

Hardmask 2 Hardmask 2

DPT소재Depo Etch BackPR Litho 2nd HM Etch

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Etch Back

Film

Hardmask 3

Film

3rd HM Etch

DPT Process

QPT Process


(Overweight)


QPT 도입의 Bottleneck은 기존 DPT 대비 늘어난 공정 Steps에 따른 원가(Cost/Wafer)

부담이다. 현재 Mask의 Layout Design 효율화와 장비의 Throughput 개선 등을 통해 지

속적으로 감소하고 있기 때문에, 2016년 이후 20nm 이하의 DRAM 양산에 충분히 적용

가능할 것으로 판단한다. QPT의 Cost/Gate는 DPT 대비 최근 15%수준 내외까지 감소한

것으로 파악된다.

[그림 29] QPT(= Double Spacer) 원가분석

주: WPD(Wafer Per Day) 자료: Nikon, 메리츠종금증권 리서치센터

QPT 도입에 따른 수혜 업체로 삼성전자, 피에스케이, 디엔에프를 제시한다.

삼성전자는 QPT 도입을 통해 20nm이하에서도 DRAM의 경쟁 우위를 지속할 전망이다.

피에스케이는 와 디엔에프는 각각 QPT용 Etch Back장비와 소재를 공급하며 중장기적

실적 성장세를 이어갈 전망이다.

[그림 30] QPT 수혜 업체: 삼성전자, 피에스케이, 디엔에프


Strip CleanDPT

QPT

EtchDefect InspectionMetrologyDevelopExposeCoatCVD

SingleSpacer

4000wpd

ArF-imm

< 20 nm HP < 10 nm HP

EUVL

DoubleSpacer

4000wpd

SingleSpacer250wpd

SingleSpacer

1000wpd

SingleSpacer

1500wpd

삼성전자

피에스케이

디엔에프

·QPT도입 → 20nm 이하 DRAM 경쟁 우위 지속




(Overweight)


3. Capacitor A/R 한계 돌파(DRAM → STT-RAM 구조 변경)

DRAM 미세화 공정 내 Capacitor A/R(Aspect Ratio) 증가의 한계를 넘기 위한 Solution

으로 New Memory 도입이 검토되고 있는 것으로 파악된다. New Memory에는 STT-

RAM(Spin Torque Transfer RAM), PCRAM(Phase Change RAM), ReRAM (Resistive

RAM) 등이 있는데, 이 중 STT-RAM이 DRAM을 대체할 수 있을 것으로 판단한다.

참고로, PCRAM과 ReRAM은 NAND Flash의 대체제로 거론되고 있으나, 기술적 이슈들

이 산재하고 있어 단기간 내 양산이 어려울 것으로 판단한다.

[그림 31] New Memory 종류별 특성 분석


[그림 32] Memory in Computing Hierarchy [그림 33] New Memory 비교 분석

자료: SK하이닉스, 메리츠종금증권 리서치센터 자료: 업계, 메리츠종금증권 리서치센터

STT-RAM

PCRAM

ReRAM

·DRAM과 동일한 CMOS공정 사용 ·1 Cell = 1 Transistor + 1 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) ·비휘발성 메모리로 DRAM 대비 전력소모 적고 고속 동작함 ·MTJ는 10nm 이하 공정 제조 가능하여 DRAM의 Capacitor 대체 가능

·비휘발성 메모리로 NAND 대비 원가 및 신뢰성 우수 ·DRAM과 NAND의 성능의 중간 위치에 Positioning됨 ·기존 메모리 대체보다는 System 성능 향상을 위해 사용 가능성 존재

·DRAM과 동일한 CMOS 공정 사용 ·NAND Flash 대체 가능성 존재하나, 정확한 동작 Mechanism ·알려지지 않았기 때문에 양산 시기 미정

High Speed

High Density

HDD

NAND

DRAM

SRAM

CPU

STT - MRAM

PCRAM

ReRAM

IncreasingSpeed & Endurance

Increasing Density(Decreasing Cost)

Read Speed Write Speed

CostEndurance

Retention Power

STT-MRAM

DRAMNAND

SRAM

PRAM


(Overweight)


STT-RAM이 DRAM을 대체할 것으로 판단하는 첫 번째 이유는, 기존 DRAM과 동일한

공정을 사용하여 Fab 전환에 용이하기 때문이다. STT-RAM의 Cell 구조는 1개의

Transistor와 1개의 MTJ(Magnetic Tunneling Junction)로 구성되어 있으며, 이는 1개의

Transistor와 1개의 Capacitor로 구성된 DRAM과 비슷하다. 다시 말해, STT-RAM은

Capacitor를 MTJ로 변경하는 것을 제외하면 DRAM과 그 구조가 동일하며, 제조 역시

DRAM의 CMOS공정을 사용하기 때문에 ‘DRAM → STT-RAM의 Fab전환’이 용이하다.

STT-RAM이 DRAM을 대체할 것으로 판단하는 두 번째 이유는, Capacitor 대신 MTJ를

사용되기 때문에 높아지고 있는 DRAM Capacitor의 A/R(Aspect Ratio, 세로/가로 비율)

이슈에서 벗어날 수 있기 때문이다. [그림 34]에서 확인할 수 있는 것처럼, 공정 미세화

진행 시 Capacitor의 A/R이 증가하게 되는데, 20nm 이하의 공정에서는 그 수치가 100

에 근접하게 되어 양산이 불가능하다. 해결 방안이 바로 MTJ가 될 것이라는 판단이다.

[그림 34] DRAM Capacitor의 A/R: 20nm 이하 공정에서 양산 한계


[그림 35] DRAM Capacitor: 20nm이하 제조 어려울 전 [그림 36] STT-RAM MTJ: 10nm 이하 제조 가능 예상


70 60 50 40 30

100

80

60

40

20

0

Tech node (nm)20

A/R ↑

Tox ↓11A

9A8A

7A

5A~3A

Capacitor

Bit Line

Silicon Substrate

Source Drain

Gate

sub-20nmCapacitorA/R Limit

MTJ10nm 이하제조 가능

Bit Line

Silicon Substrate

Source Drain

Gate

MTJ


(Overweight)


[그림 37] DRAM 3xnm공정 Capacitor의 A/R = 25 [그림 38] Dubai Burj Khalifa의 A/R = 6

자료: SK하이닉스, 메리츠종금증권 리서치센터 자료: SK하이닉스, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 39] STT-RAM의 MTJ 동작: Stage = 1 [그림 40] STT-RAM의 MTJ 동작: Stage =0

자료: 업계, 메리츠종금증권 리서치센터 자료: 업계, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 41] STT-RAM의 MTJ 동작: Stage = 1 [그림 42] STT-RAM의 MTJ 동작: Stage =0

자료: SK하이닉스, 메리츠종금증권 리서치센터 자료: SK하이닉스, 메리츠종금증권 리서치센터

WL WL

SL

MTJ MTJ

3F 3F

STT-RAM unit cell: 3F x 2F = 6F²

BL

1M

Data Storage

HDD

NAND

Working Memory

10M

100M

1G

10G

100G

1T

1011 102 103 104 105 106 107

Code Storage

STT-RAM

DRAM

SRAM

PRAMNOR

MRAMRRAM

FeRAM

Write Cycle Time(ns)

Cap

acity

(bi

ts)

Stage = "1"

Current Sensing

Top Electrode

Bottom Electrode

m

Parallel spin state (Low resistance)

Ferromognetic

(Free Loyer)

Tunnel borrier (MgO)

Ferromognetic

(Pinned Loyer)

Stage = "0"

Current Sensing

Top Electrode

Bottom Electrode

m

Anti-parallel spin state (High Resistance)

Ferromognetic

(Free Loyer)

Tunnel borrier (MgO)

Ferromognetic

(Pinned Loyer)


(Overweight)


STT-RAM의 본격 양산 시 Tech node는 1xnm, 시점은 2018년 전/후가 될 것으로 예상

한다. 현재 STT-RAM의 DRAM 대비의 뛰어난 성능에도 불구하고 Cost/Gb가 높기 때

문에 DRAM을 대체하기 위한 원가 개선이 선행되어야 한다. 당사는 수율 개선이 예상

되는 2018년을 전/후로 하여 본격적으로 양산이 시작될 것으로 예상한다.

STT-RAM의 원천기술을 보유하고 있는 Grandis는 STT-RAM의 Tech Node가 2013년

32nm에서 2016년 18nm, 2020년에는 10nm까지 개발될 것으로 전망하고 있으며, ‘유럽

최대 나노 및 반도체기술 연구소인 IMEC’은 2017~2018년 STT-RAM의 양산을 예상하

고 있다.[표 3 및 표 4 참조]

[그림 43] 주요 Memory제품 원가 비교

자료: 업계, 메리츠종금증권 리서치센터

[표 3] DRAM 2017년 STT-RAM으로 대체 전망

Year of Production 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020

Dram 1/2 pitch (nm) 28 25 23 20 18 16 14 13

Flash 1/2 pitch (nm) 18 17 15 14 13 12 11 10

STT-RAM node (nm) 32 25 20 18 16 14 12 10

Cell size (F2) 8 8 6 6 4 4 2 2

STT-RAM Application DRAM DRAM DRAM DRAM

자료: Grandis, 메리츠종금증권 리서치센터

[표 4] 2017년 이후 DRAM → STT-RAM으로 구조 변경 예상

Early production 2011~2012 2013~2014 2015~2016 2017~2018 2019 ~

DRAM 38-32nm 32-28nm 26-22nm 18-15nm 12-10nm

Memory MIMEOT 0.6 MIMEOT 0.4 MIMEOT 0.3 STT-RAM STT-RAM

Density 2Gb 4Gb 8Gb 8Gb 16Gb

Array 6F2 6F2 6F2 6F2 6F2

Gate Poly/SiO₂ HKMG HKMG HKMG HKMG

Vdd(V) 1.35-1.5 1.2 1.1 1.0 1.0

자료: IMEC, 메리츠종금증권 리서치센터

DRAM NAND STT-RAM ReRAM PCRAM


(Overweight)


삼성전자는 2011년 STT-RAM의 원천기술을 보유한 Grandis를 인수(직원 및 200여개

특허 포함)했으며, 2013년에는 전세계 대학으로부터 STT-RAM의 요소 기술 개발을 위탁

하는 SGMI(Samsung Global MRAM Innovation) 프로그램을 운용하며 적극적인 행보를

보이고 있다.

Grandis는 2002년에 설립된 회사로 미국 캘리포니아에 위치해 있으며, 인수 후 삼성전

자의 R&D 파트에서 차세대 메모리를 개발 중에 있는 것으로 파악된다. SK하이닉스는

Toshiba와 특허 Cross Licensing을 체결하며 공동 개발 중에 있다.

[표 5] 삼성전자 SGMI Research Themes & Subjects: MTJ 개발에 집중됨 (총 32개 Item 중 53% 차지)

Research Category Research Title No.

I. Magnetic Materials for MTJ 1. High iPMA 1.1

2. High Hex SAF Structure 1.2

3. Bulk PMA 1.3

4. Material for Low Switching Current 1.4

5. Magnetostriction & Mechanical Stress Effect 1.5

II. MTJ Integration & MgO 1. MgO Crystallinity & Interface Epitaxy 2.1

2. Damage-free MTJ Etch 2.2

3. Etch Residue Removal (Cleaning) 2.3

4. Post Treatment & Encapsulation 2.4

III. MTJ Characteristics 1. high TMR 3.1

(Read/Write & reliability) 2. Low Switching Current 3.2

3. MTJ Write Error Rate 3.3

4. MTJ Thermal Stability 3.4

5. MTJ Switching Back (Back Hopping) 3.5

6. MTJ Endurance 3.6

IV. MTJ Analysis (Modeling) 1. Micro Magnetic Simulator 4.1

2. Material Development Simulator 4.2

V. Packaging 1. Magnetic Shielding 5.1

VI. Transistor 1. Straing Engineering 6.1

2. Gate Wrok Function Engineering 6.2

VII. Circuit Design 1. Resistive Memory Architecture 7.1

2. Read Sensing Circuits 7.2

3. Write programming Circuits 7.3

4. Design for Test 7.4

5. Redundancy and ECC 7.5

VIII. Application (H/W, S/W) 1. H/W and S/W Techniques to Hide Weaknesses of STT-MRAM 8.1

2. Techniques to Protect STT-MRAM Systems against Attacks and Power Failures 8.2

3. Novel Applications on STT-MRAM Systems 8.3

4. Exploiting New Design Trade-offs 8.4

IX. Emerging Technology 1. Materials and Designs Exploiting Spin-Orbit Effects for Memory Switching 9.1

2. Materials and Designs Exploiting Voltage-Controlled Anisotropy for Memory Switching 9.2

3. MLC and 3D STT-MRAM Technology 9.3



(Overweight)


[그림 44] 스마트폰 구조: NOR, PSRAM, LPDDR 사용


[그림 45] STT-RAM 으로 인한 스마트폰 구조 변화 예상도


LCDDisplay

ApplicationProcessor

[Memory Ctrl]

Baseband/Modem

[Memory Ctrl]RF

NOR LP-DDRNAND

SLC/MLC

MCP

NOR

PSRAM

MediaProcessor

[ARM]

FRAMEBUFFER

MMC/SD

Audio/Video/ TV out

ImageSensor

On-ChipSTT-RAM

Mediaprocessor

[ARM]

Application Processor

[Memory Cntrl]

LCDDisplay

Baseband/ Modem

[Memory Cntrl]RF

STT-RAM STT-RAM NANDSLC/MLC

ImageSensor

MMC/SD

Audio/Video/ TV out


(Overweight)


4. 3D Packaging with TSV

2015년 TSV(Through Silicon Via)를 이용한 DRAM의 신규 Packaging 양산이 본격화될

전망이다. 이는 DRAM의 공정 미세화와는 별도의 Roadmap 으로서, IoT Device의 성능

향상과 전력소모 감소를 목적으로 한다.

TSV는 Silicon Wafer에 10um 두께의 구멍을 뚫은 후, Cu를 채워 넣어 여러 Wafer를

전기적으로 연결 시키는 기술이다. 기존 Wire Bonding을 이용한 Packaging 방식을

TSV로 변경하게 되면, [그림 50]에서 확인할 수 있는 것처럼 최종 Packaging의 사이즈

가 -35% 감소할 뿐만 아니라, 전력소모 또한 -50% 감소하며, 반도체 동작 속도

(Bandwidth)는 8배로 증가할 것으로 예상된다.

[그림 46] Wire Bonding을 이용한 DRAM 적층 구조 [그림 47] TSV를 이용한 DRAM 적층 구조


[그림 48] Wire bonding + Flip Chip 조합의 구조 [그림 49] TSV 이용한 DRAM 적층

자료: 업계, 메리츠종금증권 리서치센터 자료: SK하이닉스, 메리츠종금증권 리서치센터


(Overweight)


[그림 50] 3D TSV: PoP 대비 사이즈 -35% 감소, 전력소모 -50% 감소, 동작속도 8배 향상


삼성전자는 TSV 기술을 이용한 HMC(Hyper Memory Cube)를 개발 중에 있으며, 2015년

Server DRAM을 시작으로 향후 PC 및 스마트폰용 DRAM의 Packaging 방식으로 확대

시킬 것으로 예상한다. HMC는 DRAM Single Chip을 4개에서 8개를 적층한 제품으로 그

동안 CPU 대비 뒤쳐져있던 속도가 개선되면서 Server System의 성능을 한 단계 끌어올

릴 수 있다.

[그림 51] TSV를 적용한 3D Main Memory 구조 [그림 52] HMC 구조 및 성능 분석

자료: Micron, 메리츠종금증권 리서치센터 자료: 삼성전자, 메리츠종금증권 리서치센터

Conventional PoP Solution(Package-on-Package)

Conventional PoP Solution(Package-on-Package)

35%50%

8 x

Package Size PowerConsumption

Bandwidth

POP 3D TSV

1000

100

10

1

1000

100

10

12000 2004 2008 2012 2016

Current DRAM Performance Trend

HMC PerformanceCurrent DRAM Power Trend

HMC Power

Ener

gy(p

J/bi

t)

Bandw

idth

(G

B/s

)


(Overweight)


[그림 53] TSV Chip Wafer 전망: 2015년 3D Wide I/O Memory 본격 양산 예상

자료: Yole, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 54] 2.5D/3D Packaging Roadmap

자료: Yole, 메리츠종금증권 리서치센터

'10

10,000,000

8,000,000

6,000,000

4,000,000

2000,000

'11 '12 '13 '14 '15 '16 '17

3D Wide IO Memory

3D Stacked DRAM

3D Stacked NAND Flash

Logic 3D SiP / SoC

MEMS / Sensors

LED

RF, Power, Analog& Mixed signal

Imaging& Optoelectronics

2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 ＞ 2020


(Overweight)


TSV 수혜업체로 삼성전자, 덕산하이메탈, 케이씨텍, 솔브레인, 기가레인을 제시한다.

삼성전자는 HMC 양산으로 Server 시장 확대의 수혜를 예상한다. 덕산하이메탈은 TSV

를 이용한 Wafer적층 시에 사용되는 Solder Ball을 공급하며 기존 Wire Bonding 시장의

Value를 흡수할 전망이며, 케이씨텍과 솔브레인은 TSV공정 내 Wafer를 연마하기 위한

CMP장비와 CMP Slurry를 공급할 것으로 전망한다.

[그림 55] TSV 수혜 업체: 덕산하이메탈, 케이씨텍, 솔브레인, 기가레인


TSV 공정은 완성된 Wafer의 표면을 DRIE(Deep Reactive Ion Etcher) 장비를 이용하여

구멍을 뚫고, CVD장비를 이용하여 Oxide와 Cu를 증착 시킨 후, 마지막으로 Bumping과

Solder Ball을 이용하여 여러 개의 Wafer를 적층 한다.

[그림 56] TSV 공정 흐름도 분석


덕산하이메탈


기가레인



·DRIE장비 공급 예상. Wafer Cu Hole 뚫는 공정·해외 경쟁사 대비 단가 경쟁력 우위. 고객사 진입 가능 예상

삼성전자 ·TSV 이용한 HMC 개발로 Server 시장 확대 수혜 예상·시스템LSI와 DRAM One-chip Solution으로 경쟁 우위 지속 전망

(1)

FEOL

TSV Formation

BEOL

(2)

(3)

(4)

(5)

C4 Bump Formation

Glass Carrier Attach

(5)

(6)

(7)

(8)

(9)

(10)

(11)

(12)

FAB Wafer Process

Back grinding

Passivation

TSV Expossure

μ- pad

CoW(chip-on-wafer)

Wafer Level Mold

Glass Detach & Sawing

Flip Chip

Post FAB Wafer Process Assembly & Packaging

C4 Bump

Carrier Glass

Glue

μ- pad

underfil


(Overweight)


IV. 투자전략 및 Top Picks

1. IoT 시대 진입 – DRAM 미세화는 지속된다!

IoT(Internet of Things) 시대 본격 진입으로 ‘Internet 연결 Device’의 수가 2020년까지

CAGR 25%이상 급증하고, 글로벌 반도체 산업은 2017년 매출액 3,795억달러(CAGR

+4%)를 기록하며 지속적으로 성장할 전망이다. IoT 시대의 시스템 요구사항을 충족시키

기 위해서는 DRAM의 경우 공정 미세화가 지속되어야만 한다.

그러나 현재 사용되고 있는 DRAM의 미세화 기술은 20nm 이하부터 기술적 한계에 부

딪히기 때문에, 20nm 공정 비중이 50%를 넘어설 것으로 예상되는 2016년 이후 미세화

지속을 위한 새로운 돌파구가 필요하다. 미세화의 기술적 한계는 1)Transistor의

Channel Length 감소와 2)Capacitor의 A/R (Aspect Ratio, 세로/가로 비율) 증가이다.

1)Transistor의 Channel Length 감소의 한계를 넘기 위한 Solution으로 ‘EUV 장비’의

도입이 시도 중이나, 대량 양산은 2018년 하반기에나 가능할 전망이다. 따라서 DRAM

공정 미세화의 공백이 발생하는 2016년 이후 QPT(Quadruple Patterning Technology)를

도입하여 20nm 이하 제품의 양산을 진행할 것으로 예상한다.

2017년부터는 STT-RAM이 DRAM을 대체할 수 있을 것으로 판단한다. STT-RAM은 기

존 DRAM과 동일한 공정을 사용하여 ‘DRAM → STT-RAM의 Fab 전환’이 용이할 뿐만

아니라, Capacitor 대신 MTJ를 사용하기 때문에 높아지고 있는 2)Capacitor의 A/R 증가

이슈에서 자유롭다.

2015년 TSV(Through Silicon Via)를 이용한 새로운 Packaging기술이 DRAM에 본격적

으로 적용될 전망이다. Packaging 방식을 TSV로 변경하게 되면, 기존 대비 사이즈와 전

력소모가 각각 -33%와 -50% 감소하며, 동작 속도(Bandwidth)는 8배로 증가한다.



28

25 23

20 18

16 14

13 11

10 9

0

5

10

15

20

25

30

35

2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023

(nm)

1) QPT 도입



Key Challenges

EUV 도입



(Overweight)


2. 반도체 업종 Top Pick 및 관심종목

DRAM의 중장기 Tech Roadmap에 대한 업종 내 Top Pick으로 삼성전자를, 관심종목으

로 덕산하이메탈, 솔브레인, 케이씨텍, 피에스케이, 디엔에프, 기가레인을 제시한다.

QPT 도입에 따른 수혜 업체로 삼성전자, 피에스케이, 디엔에프가 있다. 삼성전자는 QPT

도입을 통해 20nm이하에서도 DRAM의 경쟁 우위를 지속할 전망이며, 피에스케이와 디

엔에프는 Etch Back장비와 QPT소재를 공급하며 실적 성장세를 이어갈 전망이다.

STT-RAM 관련 업체로는 삼성전자가 있다. 삼성전자는 2011년 STT-RAM의 원천기술

을 보유한 Grandis를 인수했으며, 2013년에는 전세계 대학으로부터 요소 기술 개발을 위

탁하는 SGMI 프로그램을 운용하며 적극적인 행보를 보이고 있다.

TSV 수혜업체로 삼성전자, 덕산하이메탈, 케이씨텍, 솔브레인, 기가레인이 있다. 삼성전자

는 HMC 양산으로 Server 시장 확대의 수혜를 예상한다. 덕산하이메탈은 TSV공정 내

Solder Ball 공급함으로써 기존 Wire Bonding 시장을 대체할 전망이며, 케이씨텍과 솔브

레인은 TSV공정 내 Wafer를 연마를 위한 CMP장비와 Slurry를 공급할 전망이다.

[그림 58] DRAM 중장기 Roadmap 수혜 예상 업체


삼성전자

피에스케이

디엔에프

·QPT도입 → 20nm 이하 DRAM 경쟁 우위 지속·STT-RAM 원천기술 업체 Grandis 인수 → 기술 우위 지속·TSV이용한 HMC 양산 → Server 시장 확대 수혜·TSV: 시스템LSI와 DRAM One-chip화 진행



덕산하이메탈


기가레인



·DRIE장비 공급 예상. TSV 공정 내 Wafer Cu Hole 뚫는 공정·해외 경쟁사 대비 단가 경쟁력 우위. 고객사 진입 가능 예상

TSV

QPTSTT-RAM

QPT

TSV

SK하이닉스 ·STT-RAM Toshiba와 공동 개발 중·TSV이용한 HBM 개발 중


(Overweight)


V. 반도체 산업 Key Data

[표 6] 주요 Set제품 출하량 추이 및 전망 (단위: 십억개)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013 2014E

Shipments Mobile Phone 426 433 453 467 449 463 484 504 1,713 1,780 1,900

Smart Phone 214 233 253 268 260 278 303 321 700 968 1,163

Feature Phone 212 200 200 198 189 185 181 183 1,012 812 737

Tablet PC 48 44 47 61 49 61 66 80 144 201 256

Desktop PC 34 33 35 34 31 30 32 32 148 136 125

Note PC 43 43 46 44 40 40 40 40 201 176 160

Server 2 2 3 3 2 3 3 3 10 10 10

LCD/OLED TV 45 46 51 62 44 46 53 65 203 204 207

MNT 35 35 33 30 30 30 31 30 151 132 120

%QoQ/%YoY

Mobile Phone -10% 2% 5% 3% -4% 3% 5% 4% 0% 4% 7%

Smart Phone -1% 9% 9% 6% -3% 7% 9% 6% 43% 38% 20%

Feature Phone -17% -6% 0% -1% -5% -2% -2% 1% -17% -20% -9%

Tablet PC -20% -8% 7% 28% -19% 24% 8% 22% 90% 39% 28%

Desktop PC -7% -2% 6% -4% -8% -2% 6% -2% -4% -8% -8%

Note PC -15% -1% 9% -5% -9% -1% 2% -1% -4% -13% -9%

Server -7% 6% 2% 5% -6% 4% 1% 5% 2% 3% 5%

LCD/OLED TV -31% 2% 12% 21% -30% 5% 15% 24% -1% 0% 1%

MNT -7% -1% -5% -8% -2% 4% -3% -11% -12% -10%


[표 7] 주요 Set제품 매출액 추이 및 전망 (단위: 십억개)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013 2014E

Revenue Total 175 172 165 167 150 152 161 171 667 653 633

Mobile Phone 87 88 76 76 72 73 76 79 282 301 300

Smart Phone 64 65 67 68 65 66 70 72 223 263 273

Feature Phone 11 10 9 8 7 7 6 6 59 38 27

Tablet PC 19 15 16 20 16 18 19 22 62 69 75

Desktop PC 19 18 18 17 16 15 16 16 81 72 64

Note PC 30 29 31 29 27 26 27 26 142 120 106

LCD/OLED TV 20 21 23 26 19 19 23 28 100 90 89

MNT 5 6 5 5 5 5 5 5 23 21 20

%QoQ/%YoY

Total -15% -2% -4% 1% -10% 2% 6% 6% 4% -2% -3%

Mobile Phone -11% 2% -14% 0% -5% 1% 5% 3% 8% 7% -1%

Smart Phone -11% 2% 3% 1% -4% 2% 6% 4% 35% 18% 4%

Feature Phone -22% -10% -9% -9% -11% -5% -7% -2% -37% -36% -29%

Tablet PC -18% -18% 5% 22% -18% 15% 3% 16% 55% 13% 8%

Desktop PC -3% -6% 1% -8% -5% -3% 7% -3% -7% -11% -12%

Note PC -15% -4% 7% -7% -7% -3% 2% -2% -6% -15% -12%

LCD/OLED TV -33% 3% 11% 13% -29% 4% 16% 25% -2% -10% -1%

MNT -10% 5% -5% -12% 1% 1% 7% -5% -8% -10% -7%



(Overweight)


[표 8] DRAM Supply/Demand (단위: 백만장/월, 12인치 Eq.; 백만개, 1Gb Eq.)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013 2014E

Oversupply Ratio 1.8% 2.2% -1.1% -1.4 3.1% 3.0% 3.9% 2.1% 8.0% 0.3% 3.0%

DRAM Supply 8,553 9,153 9,746 9,759 10,687 11,361 12,183 12,713 29,403 37,212 46,943

Wafer Input 1.09 1.11 1.06 1.03 1.09 1.09 1.10 1.09 1.10 1.07 1.09

DRAM Demand 8,405 8,958 9,851 9,899 10,362 11,035 11,721 12,451 27,223 37,113 45,569

DRAM Supply 8,553 9,153 9,746 9,759 10,687 11,361 12,183 12,713 29,403 37,212 46,943

Samsung 2,763 2,912 3,326 3,858 3,704 4,037 4,279 4,622 10,337 12,860 16,642

SK Hynix 2,338 2,798 2,742 2,375 2,850 3,135 3,291 3,752 7,636 10,254 13,028

Micron Group 2,388 2,718 2,908 2,640 2,772 2,978 3,112 3,298 7,626 10,655 12,160

Nanya 360 336 330 267 308 328 332 335 2,185 1,293 1,303

Powerchip 60 90 186 174 169 173 176 178 757 510 696

Winbond 50 58 58 58 59 60 61 62 211 224 241

DRAM Demand 8,405 8,958 9,851 9,899 10,362 11,035 11,721 12,451 27,223 37,113 45,569

Server 1,125 1,304 1,348 1,537 1,565 1,655 1,724 1,898 3,632 5,314 6,843

Desktop PC 1,153 1,166 1,118 1,149 1,111 1,137 1,227 1,227 4,751 4,586 4,702

Note PC 1,538 1,575 1,552 1,571 1,509 1,561 1,621 1,637 6,889 6,235 6,329

Mobile Phone 1,300 1,550 1,688 1,815 1,967 2,286 2,648 3,058 3,826 6,353 9,960

Tablet PC 293 307 369 529 475 641 747 978 693 1,498 2,842

LCD/OLED TV 275 305 368 478 359 403 493 649 1,038 1,427 1,904

Memory Module 518 662 518 579 697 760 808 879 1,923 2,277 3,144

Graphic Card 94 98 114 126 115 120 144 147 367 433 526

B/G(%QoQ/%YoY)

DRAM Supply 6% 7% 6% 0% 10% 6% 7% 4% 29% 27% 26%

Samsung -5% 5% 14% 16% -4% 9% 6% 8% 27% 24% 29%

SK Hynix 3% 20% -2% -13% 20% 10% 5% 14% 52% 34% 27%

Micron Group 14% 14% 7% -9% 5% 7% 4% 6% 12% 40% 14%

Nanya -33% -7% -2% -19% 15% 7% 1% 1% 25% -41% 1%

Powerchip -60% 50% 107% -6% -3% 2% 2% 1% 109% -33% 36%

Winbond 1% 15% -1% 1% 1% 1% 1% 1% -10% 6% 8%

DRAM Demand 9% 7% 10% 0% 5% 6% 6% 6% 31% 36% 23%

Server -3% 16% 3% 14% 2% 6% 4% 10% 35% 46% 29%

Desktop PC -4% 1% -4% 3% -3% 2% 8% 0% 15% -3% 3%

Note PC -12% 2% -1% 1% -4% 3% 4% 1% 16% -9% 2%

Mobile Phone 0% 19% 9% 8% 8% 16% 16% 15% 69% 66% 57%

Tablet PC -7% 5% 21% 43% -10% 35% 17% 31% 132% 116% 90%

LCD/OLED TV -24% 11% 21% 30% -25% 12% 22% 32% 31% 37% 33%

Memory Module 11% 28% -22% 12% 20% 9% 6% 9% 13% 18% 38%

Graphic Card 0% 5% 16% 10% -9% 4% 20% 2% 8% 18% 21%

자료: DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권 리서치센터


(Overweight)


[표 9] DRAM 수요 분석 Summary (단위: 백만개, 1Gb Eq.)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013 2014E

DRAM Demand 8,405 8,958 9,851 9, 99 10,362 11,035 11,721 12,451 27,223 37,113 45,569

Server 1,125 1,304 1,348 1,537 1,565 1,655 1,724 1,898 3,632 5,314 6,843

Desktop PC 1,153 1,166 1,118 1,149 1,111 1,137 1,227 1,227 4,751 4,586 4,702

Note PC 1,538 1,575 1,552 1,571 1,509 1,561 1,621 1,637 6,889 6,235 6,329

Mobile Phone 1,300 1,550 1,688 1,815 1,967 2,286 2,648 3,058 3,826 6,353 9,960

Tablet PC 293 307 369 529 475 641 747 978 693 1,498 2,842

LCD/OLED TV 275 305 368 478 359 403 493 649 1,038 1,427 1,904

Memory Module 518 662 518 579 697 760 808 879 1,923 2,277 3,144

Graphic Card 94 98 114 126 115 120 144 147 367 433 526

%YoY 39% 36% 43% 29% 23% 23% 19% 26% 31% 36% 23%

Server 36% 56% 66% 33% 39% 27% 28% 23% 35% 46% 29%

Desktop PC -4% 0% -6% -4% -4% -2% 10% 7% 15% -3% 3%

Note PC -8% -6% -13% -10% -2% -1% 4% 4% 16% -9% 2%

Mobile Phone 83% 89% 69% 40% 51% 48% 57% 68% 69% 66% 57%

Tablet PC 236% 141% 125% 68% 63% 109% 102% 85% 132% 116% 90%

LCD/OLED TV 43% 42% 38% 31% 30% 32% 34% 36% 31% 37% 33%

Memory Module 16% 11% 25% 24% 34% 15% 56% 52% 13% 18% 38%

Graphic Card 8% 4% 25% 34% 23% 22% 25% 17% 8% 18% 21%

DRAM GB/System

Server 61.9 67.8 68.8 74.5 80.5 82.0 84.3 88.4 48.1 68.4 83.9

Desktop PC 4.4 4.5 4.1 4.4 4.6 4.8 4.9 5.0 4.1 4.3 4.8

Note PC 4.6 4.7 4.3 4.6 4.8 5.0 5.1 5.2 4.4 4.5 5.1

Mobile Phone 0.4 0.5 0.5 0.5 0.6 0.6 0.7 0.8 0.3 0.5 0.7

Tablet PC 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 0.6 1.0 1.4

LCD/OLED TV 0.8 0.9 0.9 1.0 1.1 1.1 1.2 1.3 0.7 0.9 1.2

%YoY

Server 37% 50% 63% 25% 30% 21% 23% 19% 33% 42% 23%

Desktop PC 9% 11% -2% 4% 5% 6% 20% 14% 20% 5% 11%

Note PC 8% 8% -3% 3% 5% 6% 20% 15% 21% 3% 11%

Mobile Phone 73% 78% 60% 42% 44% 38% 47% 56% 69% 60% 47%

Tablet PC 45% 54% 66% 68% 60% 52% 46% 40% 22% 56% 49%

LCD/OLED TV 38% 37% 37% 37% 34% 32% 31% 29% 32% 37% 32%

Set Demand

Server 2 2 3 3 2 3 3 3 10 10 10

Desktop PC 34 33 35 34 31 30 32 32 148 136 125

Note PC 43 43 46 44 40 40 40 40 201 176 160

Mobile Phone 426 433 453 467 449 463 484 504 1,713 1,780 1,900

Tablet PC 48 44 47 61 49 61 66 80 144 201 256

LCD/OLED TV 45 46 51 62 44 46 53 65 203 204 207

%YoY

Server -1% 4% 2% 6% 7% 5% 4% 4% 2% 3% 5%

Desktop PC -12% -9% -4% -8% -8% -8% -8% -6% -4% -8% -8%

Note PC -14% -13% -11% -13% -7% -7% -13% -9% -4% -13% -9%

Mobile Phone 6% 6% 6% -1% 5% 7% 7% 8% 0% 4% 7%

Tablet PC 132% 57% 36% 0% 2% 38% 39% 32% 90% 39% 28%

LCD/OLED TV 4% 4% 1% -4% -3% 0% 2% 5% -1% 0% 1%



(Overweight)


[표 10] Desktop PC, Note PC, Tablet PC의 DRAM 수요 분석 (단위: 백만개, 1GB Eq.)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013 2014E

DRAM Demand 382 390 389 416 396 427 460 492 1,579 1,577 1,776

Desktop PC 148 149 143 147 142 146 157 157 608 587 602

Note PC 197 202 199 201 193 200 208 210 882 798 810

Tablet PC 37 39 47 68 61 82 96 125 89 192 364

DRAM GB/System 3.5 3.4 3.2 2.8 3.2 3.6 3.6 3.6 3.2 3.1 3.3

Desktop PC 4.4 4.5 4.1 4.4 4.6 4.8 4.9 5.0 4.1 4.3 4.8

Note PC 4.6 4.7 4.3 4.6 4.8 5.0 5.1 5.2 4.4 4.5 5.1

Tablet PC 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 0.6 1.0 1.4

Set Demand 109 114 123 147 125 120 129 138 494 512 542

Desktop PC 39 37 36 37 34 33 35 34 148 136 125

Note PC 50 49 52 50 43 43 46 44 201 176 160

Tablet PC 21 28 35 60 48 44 47 61 144 201 256

%QoQ/%YoY

DRAM Demand -9% 2% 0% 7% -5% 8% 8% 7% 19% 0% 13%

Desktop PC -4% 1% -4% 3% -3% 2% 8% 0% 15% -3% 3%

Note PC -12% 2% -1% 1% -4% 3% 4% 1% 16% -9% 2%

Tablet PC -7% 5% 21% 43% -10% 35% 17% 31% 132% 116% 90%

DRAM GB/System 7% -2% -8% -11% 12% 13% 0% -1% 6% -4% 7%

Desktop PC 4% 3% -10% 7% 5% 4% 2% 2% 20% 5% 11%

Note PC 3% 3% -10% 7% 6% 4% 2% 2% 21% 3% 11%

Tablet PC 16% 14% 13% 12% 11% 9% 8% 7% 22% 56% 49%

Set Demand -14% 4% 8% 20% -15% -4% 7% 7% 12% 4% 6%

Desktop PC -2% -5% 0% 0% -7% -2% 6% -4% -4% -8% -8%

Note PC -11% -2% 6% -3% -15% -1% 9% -5% -4% -13% -9%

Tablet PC -34% 35% 24% 73% -20% -8% 7% 28% 90% 39% 28%


[표 11] 스마트폰의 DRAM 수요 분석 (단위: 백만개, 1GB Eq.)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013 2014E

DRAM Demand 149 181 198 213 232 272 318 370 422 741 1,192

Premium 123 146 145 177 174 198 206 265 363 590 843

Mid/Low 24 36 50 51 62 77 105 118 47 161 363

DRAM GB/System 0.7 0.8 0.8 0.8 0.9 1.0 1.0 1.1 0.6 0.8 1.0

Premium 1.0 1.2 1.2 1.2 1.3 1.4 1.5 1.7 0.8 1.1 1.5

Mid/Low 0.3 0.3 0.4 0.4 0.5 0.5 0.6 0.7 0.2 0.4 0.6

Set Demand 154 157 173 217 214 233 253 268 700 968 1,163

Premium 121 126 123 144 131 137 134 157 443 513 560

Mid/Low 93 107 130 124 131 144 175 177 258 454 627

%QoQ/%YoY

DRAM Demand 1% 21% 9% 8% 9% 17% 17% 16% 135% 76% 61%

Premium -2% 19% -1% 22% -2% 14% 4% 29% 128% 63% 43%

Mid/Low 36% 48% 40% 2% 22% 24% 36% 12% 133% 244% 126%

DRAM GB/System 3% 11% 0% 2% 13% 10% 7% 10% 65% 27% 34%

Premium 6% 14% 2% 5% 8% 9% 6% 10% 82% 40% 31%

Mid/Low 25% 29% 15% 7% 15% 13% 12% 10% 23% 95% 63%

Set Demand -2% 2% 10% 26% -1% 9% 9% 6% 43% 38% 20%

Premium -8% 4% -2% 17% -9% 4% -2% 17% 25% 16% 9%

Mid/Low 9% 15% 21% -4% 6% 10% 22% 1% 89% 76% 38%

자료: DRAMeXchange, SA, 메리츠종금증권 리서치센터


(Overweight)


[표 12] DRAM Wafer Input Capa 추이 및 전망 (단위: 천장/월, 12” Eq.)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013 2014E

Wafer Input Capa 1,087 1,112 1,061 1,031 1,093 1,087 1,100 1,090 1,098 1,073 1,093

%YoY -2% -1% -3% -2% 1% -2% 4% 6% -10% -2% 2%

Samsung 360 360 367 370 385 380 400 400 355 364 391

SK Hynix 280 275 223 203 255 255 240 235 285 245 246

Micron Group 348 361 350 340 335 330 335 330 297 350 333

Nanya 60 60 60 55 55 55 55 55 91 59 55

Powerchip 23 39 43 45 45 47 50 50 48 38 48

Winbond 16 17 18 18 18 20 20 20 18 17 20

%YoY Samsung 3% 3% 2% 3% 7% 6% 9% 8% -2% 3% 7%

SK Hynix -3% -4% -20% -29% -9% -7% 8% 16% -2% -14% 0%

Micron Group 17% 24% 19% 12% -4% -9% -4% -3% -17% 18% -5%

Nanya -32% -45% -41% -15% -8% -8% -8% -20% -36% -6%

Powerchip -62% -35% -4% 80% 96% 21% 16% 11% 52% -21% 28%

Winbond -11% -6% 13% 13% 18% 11% 11% -28% -1% 13%

% of Total Samsung 33% 32% 35% 36% 35% 35% 36% 37% 32% 34% 36%

SK Hynix 26% 25% 21% 20% 23% 23% 22% 22% 26% 23% 23%

Micron Group 32% 32% 33% 33% 31% 30% 30% 30% 27% 33% 30%

Nanya 6% 5% 6% 5% 5% 5% 5% 5% 8% 5% 5%

Powerchip 2% 4% 4% 4% 4% 4% 5% 5% 4% 3% 4%

Winbond 1% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2%

자료: DRAMeXchange, SA, 메리츠종금증권 리서치센터


(Overweight)


[표 13] DRAM Wafer Input Capa 추이 및 전망 (단위: 천장/월, 12” Eq.)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013 2014E

Wafer Input Capa 1,087 1,112 1,061 1,031 1,093 1,087 1,100 1,090 1,095 1,073 1,093

%YoY -2% -1% -3% -2% 1% -2% 4% 6% -8% -2% 2%

Samsung 360 360 367 370 385 380 400 400 355 364 391

Fab11 50 50 50 50 50 45 45 45 50 50 46

Fab12 Fab13 130 130 130 125 125 120 120 120 130 129 121

Fab15 180 180 180 175 175 170 170 170 175 179 171

Fab16 7 20 35 45 65 65 7 53

SK Hynix 280 275 223 203 255 255 240 235 285 245 246

M10 130 125 130 145 145 130 125 125 139 133 131

Wuxi Fab2 140 135 90 30 90 125 115 110 145 99 110

M12 10 15 3 28 20 1 14 5

New Fab

Micron Group 348 361 350 340 335 330 335 330 297 350 333

Dominion Fab2 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25

JV-TECH 58 55 30 15 10 5 5 60 40 5

Inotera Fab2 105 110 115 120 120 120 120 120 66 113 120

E300 80 95 100 100 100 100 105 105 80 94 103

Rexchip1 80 76 80 80 80 80 80 80 66 79 80

Nanya 60 60 60 55 55 55 55 55 93 59 55

Powerchip 23 39 43 45 45 47 50 50 48 38 48

Winbond 16 17 18 18 18 20 20 20 18 17 20

% of Total

Samsung 33% 32% 35% 36% 35% 35% 36% 37% 32% 34% 36%

Fab11 5% 4% 5% 5% 5% 4% 4% 4% 5% 5% 4%

Fab12 Fab13 12% 12% 12% 12% 11% 11% 11% 11% 12% 12% 11%

Fab15 17% 16% 17% 17% 16% 16% 15% 16% 16% 17% 16%

Fab16 1% 2% 3% 4% 6% 6% 1% 5%

SK Hynix 26% 25% 21% 20% 23% 23% 22% 22% 26% 23% 23%

M10 12% 11% 12% 14% 13% 12% 11% 11% 13% 12% 12%

Wuxi Fab2 13% 12% 8% 3% 8% 11% 10% 10% 13% 9% 10%

M12 1% 1% 0% 3% 2% 0% 1% 0%

New Fab

Micron Group 32% 32% 33% 33% 31% 30% 30% 30% 27% 33% 30%

Dominion Fab2 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2%

JV-TECH 5% 5% 3% 1% 1% 0% 0% 5% 4% 0%

Inotera Fab2 10% 10% 11% 12% 11% 11% 11% 11% 6% 10% 11%

E300 7% 9% 9% 10% 9% 9% 10% 10% 7% 9% 9%

Rexchip1 7% 7% 8% 8% 7% 7% 7% 7% 6% 7% 7%

Nanya 6% 5% 6% 5% 5% 5% 5% 5% 9% 5% 5%

Powerchip 2% 4% 4% 4% 4% 4% 5% 5% 4% 3% 4%

Winbond 1% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2%



(Overweight)


[표 14] NAND Supply/Demand Summary (단위: 백만장/월, 12” Eq; 백만개/분기, 1GB Eq.)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013 2014E

Oversupply Ratio 4% 8% 6% 7% 7% 8% 3% 4% 9% 7% 6%

NAND Supply 9,305 10,090 11,313 12,163 12,819 13,899 15,334 16,544 29,882 42,871 58,597

Wafer Input 1.02 1.01 1.07 1.04 1.07 1.13 1.20 1.23 1.00 1.03 1.16

NAND Demand 8,802 9,378 10,624 11,367 11,936 12,891 14,824 15,862 27,520 40,171 55,513

NAND Supply 9,305 10,090 11,313 12,163 12,819 13,899 15,334 16,544 29,882 42,871 58,597

Samsung 3,307 3,561 3,980 4,219 4,304 4,906 5,495 6,044 9,369 15,068 20,749

SK Hynix 1,025 1,320 1,460 1,263 1,320 1,650 1,886 2,055 3,503 5,068 6,910

Toshiba/SanDisk 3,419 4,078 4,484 4,888 4,986 5,385 5,869 6,397 11,869 16,869 22,637

Micron/Intel 1,363 1,541 1,878 2,010 1,989 2,169 2,385 2,600 5,072 6,792 9,143

NAND Demand 8,802 9,378 10,624 11,367 11,936 12,891 14,824 15,862 27,520 40,171 55,513

SSD 1,041 1,213 1,509 1,591 2,603 3,018 3,905 4,373 2,137 5,354 13,900

Note PC 62 100 49 49 38 66 88 90 190 260 282

Mobile Phone 4,881 5,024 5,644 6,130 5,868 6,417 7,322 8,184 15,338 21,679 27,791

Tablet PC 866 772 831 1,073 860 1,048 1,131 1,369 2,934 3,543 4,408

LCD/OLED TV 122 118 141 179 118 147 202 263 417 560 729

Digital Camera 568 649 665 655 629 650 704 783 1,828 2,537 2,766

USB 526 509 553 603 615 612 702 821 1,823 2,191 2,750

PMP 464 462 347 331 381 354 281 289 1,908 1,605 1,305

B/G(%QoQ/%YoY)

NAND Supply 8% 8% 12% 8% 5% 8% 10% 8% 59% 43% 37%

Samsung 11% 8% 12% 6% 2% 14% 12% 10% 55% 61% 38%

SK Hynix -1% 29% 11% -14% 4% 25% 14% 9% 56% 45% 36%

Toshiba/SanDisk -10% 19% 10% 9% 2% 8% 9% 9% 80% 42% 34%

Micron/Intel 2% 13% 22% 7% -1% 9% 10% 9% 72% 34% 35%

NAND Demand 1% 7% 13% 7% 5% 8% 15% 7% 58% 46% 38%

SSD 64% 16% 24% 5% 64% 16% 29% 12% 130% 151% 160%

Note PC -14% 61% -51% -1% -21% 72% 33% 2% 74% 37% 8%

Mobile Phone 0% 3% 12% 9% -4% 9% 14% 12% 82% 41% 28%

Tablet PC -28% -11% 8% 29% -20% 22% 8% 21% 70% 21% 24%

LCD/OLED TV -32% -3% 19% 27% -34% 25% 37% 30% 115% 34% 30%

Digital Camera 17% 14% 2% -1% -4% 3% 8% 11% 19% 39% 9%

USB 4% -3% 9% 9% 2% 0% 15% 17% 30% 20% 25%

PMP -3% 0% -25% -5% 15% -7% -21% 3% -19% -16% -19%



(Overweight)


[표 15] NAND Wafer Input Capa 추이 및 전망 (단위: 천장/월, 12” Eq.)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013 2014E

Wafer Input Capa 1,018 1,016 1,069 1,037 1,067 1,133 1,195 1,225 1,008 1,035 1,155

Samsung 340 340 340 320 330 340 380 390 339 335 360

Fab12 140 140 140 130 130 130 140 140 140 138 135

Fab14 23 Fab16 200 200 200 190 190 190 200 200 136 198 195

XiAn Fab 10 20 40 50 30

SAS2 40

SK Hynix 150 150 150 110 120 150 160 170 140 140 150

M8 8 M11 130 130 130 110 110 130 130 130 130 125 125

M12 20 20 20 10 20 30 40 3 15 25

Micron Group 183 183 183 210 220 235 235 235 180 190 231

Lehi 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70 70

Dominion Fab2 40 40 40 40 40 40 40 40 38 40 40

JV-TECH 30 40 55 55 55 8 51

IMFT 70 70 70 70 70 70 70 70 69 70 70

Toshiba 340 340 390 390 390 400 410 420 348 365 405

Y-Cube 3 140 140 150 150 150 150 150 150 143 145 150

Y-Cube 4 170 170 200 200 200 200 200 200 178 185 200

Y-Cube 5 30 30 40 40 40 50 60 70 28 35 55

Powerchip 5 3 6 7 7 8 10 10 1 5 9

Fab12A 5 3 6 7 7 8 10 10 1 5 9

% of Total

Samsung 33% 33% 32% 31% 31% 30% 32% 32% 34% 32% 31%

Fab12 14% 14% 13% 13% 12% 11% 12% 11% 14% 13% 12%

Fab14 2% Fab16 20% 20% 19% 18% 18% 17% 17% 16% 14% 19% 17%

XiAn Fab 1% 2% 3% 4% 3%

SAS2 4%

SK Hynix 15% 15% 14% 11% 11% 13% 13% 14% 14% 14% 13%

M8 1% M11 13% 13% 12% 11% 10% 11% 11% 11% 13% 12% 11%

M12 2% 2% 2% 1% 2% 3% 3% 0% 1% 2%

Micron Group 18% 18% 17% 20% 21% 21% 20% 19% 18% 18% 20%

Lehi 7% 7% 7% 7% 7% 6% 6% 6% 7% 7% 6%

Dominion Fab2 4% 4% 4% 4% 4% 4% 3% 3% 4% 4% 3%

JV-TECH 3% 4% 5% 5% 4% 1% 4%

IMFT 7% 7% 7% 7% 7% 6% 6% 6% 7% 7% 6%

Toshiba 33% 33% 36% 38% 37% 35% 34% 34% 34% 35% 35%

Y-Cube 3 14% 14% 14% 14% 14% 13% 13% 12% 14% 14% 13%

Y-Cube 4 17% 17% 19% 19% 19% 18% 17% 16% 18% 18% 17%

Y-Cube 5 3% 3% 4% 4% 4% 4% 5% 6% 3% 3% 5%

Powerchip 0% 0% 1% 1% 1% 1% 1% 1% 0% 1% 1%

Fab12A 0% 0% 1% 1% 1% 1% 1% 1% 0% 1% 1%



(Overweight)


Company Briefs

1 삼성전자(005930) Buy TP 1,800,000원 39p


(Overweight)


삼성전자(005930) Buy (Maintain) TP 1,800,000원

(십억원,원,배,%) 2012 2013P 2014E 2015E

매출액 201,104 228,696 239,720 252,158

영업이익 29,049 36,782 37,068 38,450

순이익 23,185 29,021 29,118 30,216

EPS 156,318 195,934 196,597 204,050

증감율(%) 98.7 25.3 0.3 3.8

BPS 666,329 815,699 969,245 1,128,982

PER 9.7 7.0 6.8 6.5

PBR 2.3 1.7 1.4 1.2

EV/EBITDA 5.0 3.9 3.4 2.9

ROE 21.6 22.4 18.7 16.6

부채비율 49.1 44.7 39.3 33.7

시장대비 상대강도 : 1개월(1.02), 3개월(0.94), 6개월(1.00)

업종 : 반도체 / 2014.02.26

Analyst 박유악

(6309-4523 / [email protected])

Rating & Target Price

New : Buy 1,800,000원

종가(2/25) 1,334,000원

Market Data

KOSPI 1,964.86pt

KOSDAQ 528.61pt

시가총액 1,964,973억원

발행주식수 14,730만주

외국인지분율 49.85%

DPS(2012) 8,000원

배당수익률(2012) 0.5%

Company Data

주요주주 이건희(외 10인) 17.7%

삼성전자 자사주 11.2%

국민연금관리공단 7.0%

Bloomberg 005930 KS

Price Range(52주) 1,217,000~1,560,000원

60일 평균거래량 241,782주

60일 평균거래대금 3,232.8억원

0.0

200.0

400.0

600.0

800.0

1000.0

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1600.0

1800.0

Feb Mar Apr May Jun Jul Aug Sep Oct Nov Dec Jan

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

PRICE HIGH 1560000 06/03/13, LOW 1217000 08/08/13, LAST 1334000PRICE REL. TO KOREA SE COMPOSITE(KOSPI)

000'S

FROM 25/2/13 TO 25/2/14 DAILY

DRAM 경쟁력 우위 지속 전망

IoT 시대 본격 진입 – DRAM 미세화 지속 필요

- IoT 시대 본격 진입으로 글로벌 반도체 산업 지속 성장 전망

- IoT 시대 시스템 요구 충족 위해서 DRAM 미세화 지속 필요

- DRAM은 향후 QPT, EUV, STT-RAM, TSV 등을 도입하며 20nm

이사 공정 미세화 지속 가능할 전망

DRAM 미세화: 삼성전자 경쟁 우위 지속 전망

- 삼성전자는 QPT를 도입하며 EUV장비의 양산 본격화 예상되는

2018년 이전까지 DRAM 공정 미세화에 대한 경쟁우위 지속할 전

망

- STT-RAM 원천기술 보유한 Grandis 인수. STT-RAM이 DRAM의

구조 대체 시 최대 수혜 전망. STT-RAM은 DRAM과 동일 공정을

사용하여 ‘DRAM → STT-RAM Fab 전환’이 용이하며, Capacitor

대신 MTJ를 사용하기 때문에 DRAM 미세화 시 문제가 되는

Capacitor의 Aspect Ratio 이슈에서 자유로움

- 2015년 TSV를 이용한 HMC(Hyper Memory Cube)양산 본격화로

IoT 시대의 Server 시장 확대 수혜 전망

투자의견 ‘매수’, 목표주가 180만원 유지

- 삼성전자에 대한 투자의견 ‘매수’와 목표주가 180만원 유지

- 스마트폰의 실적 부진 우려 존재하나, 이는 테블릿PC의 판매 증

가가 충분히 커버할 수 있을 것으로 판단하며, 향후 DRAM 미세

화 경쟁 시 기술적 우위 지속 예상되는 삼성전자를 반도체 업종

내 Top Pick으로 제시함


(Overweight)


IoT(Internet of Things) 시대 본격 진입으로 ‘Internet 연결 Device’의 수가 2020년까지

CAGR 25%이상 급증하고, 글로벌 반도체 산업은 2017년 매출액 3,795억달러(CAGR

+4%)를 기록하며 지속적으로 성장할 전망이다.

글로벌 반도체 산업은 2017년 매출액 3,795억달러를 기록하며 연평균 4% 성장할 전망

이다. 제품별로는 Cloud Server 증설의 수혜가 예상되는 Flash Memory가 연평균 7.5%,

주변 정보를 인식하기 위해 IoT Device에 탐재되는 Non-optical Sensor가 8.6%, 수집된

정보 분석을 위한 Logic IC가 5.8%로 높은 성장률을 기록하면서 반도체 시장의 성장을

견인할 전망이다.

[그림 1] IoT 시장 전망 by Cisco

자료: Cisco, 메리츠종금증권 리서치센터

[그림 2] 반도체 산업 – 연평균 +4%yoy 지속 성장 전망


8.711.2

14.418.2

22.9

28.4

38.442.1

50.1

0

10

20

30

40

50

60

'12 '13 '14E '15E '16E '17E '18E '19E '20E

(bn units)

61 56 70 76 73 78 84

62 5958 60 61 64 66

81 8485 87 91 94 98

22 2121

23 2526

27

12 1212

13 1415

16

20 1919

20 2121

22

20 1918

19 1920

20

23 2526

28 3033

36

5 66

7 89

10

0

50

100

150

200

250

300

350

400

2011 2012 2013 2014E 2015E 2016E 2017E

(십억달러)

Memory Microcomponent ASSPASIC Logic IC Analog ICDiscrete Optical Sensors Nonoptical Sensors


(Overweight)


본격 성장이 예상되는 IoT 시대의 시스템 요구사항을 충족시키기 위해서는 DRAM의 공

정 미세화가 지속되어야만 한다. DRAM은 향후 QPT, EUV, STT-RAM, TSV 등을 도입하

며 20nm 이하의 공정 미세화가 지속 가능할 전망이다.

삼성전자는 QPT 도입과 STT-RAM 원천기술 확보로 EUV도입이 예상되는 2018년 하반

기 이전까지의 DRAM 공정 미세화에 대한 경쟁우위를 지속할 전망이다. 또한, 2015년

TSV 이용한 신규 Packaging인 HMC 양산 본격화하며, IoT 시대의 Server 시장 확대의

수혜가 예상된다.



[그림 4] EUV Timelines – 빨라야 2018년 하반기 Mass Production 가능할 전망

자료: ASML(2013.03 Updated), 메리츠종금증권 리서치센터

28

25 23

20 18

16 14

13 11

10 9

0

5

10

15

20

25

30

35

2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023

(nm)

1) QPT 도입



Key Challenges

EUV 도입


Year 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020

Pilot LinesSynchronized Transition

Signals1) Litho Timelines Published2) Consortia/Semi Activities3) Customer Announcements

Demo Tool StartMemory

FoundrySuppliers

High Volume Manufacturing

Fabs

Logic


(Overweight)


[그림 5] SaDPT vs. SaQPT 공정 흐름도 분석


[그림 6] DRAM Capacitor: 20nm이하 제조 어려울 전망 [그림 7] STT-RAM MTJ: 10nm 이하 제조 가능 예상


Film

Hardmask 2

Hardmask 1

Film

Hardmask 2

Hardmask 1

Photo Resist

Film

Hardmask 2

1st HM Etch

Film

Hardmask 2

Film

Hardmask 2

DPT소재 Depo Etch BackPR Litho 2nd HM Etch

Film

Hardmask 2

Hardmask 1

Film

Hardmask 2

Hardmask 1

Photo Resist

Hardmask 2

1st HM Etch

Hardmask 2 Hardmask 2

DPT소재Depo Etch BackPR Litho 2nd HM Etch

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Film

Hardmask 3

Etch Back

Film

Hardmask 3

Film

3rd HM Etch

DPT Process

QPT Process

Capacitor

Bit Line

Silicon Substrate

Source Drain

Gate

sub-20nmCapacitorA/R Limit

MTJ10nm 이하제조 가능

Bit Line

Silicon Substrate

Source Drain

Gate

MTJ


(Overweight)


[표 1] 삼성전자 연결 실적 추이 및 전망 (단위: 십억원)

1Q13 2Q13 3Q13 4Q13P 1Q14E 2Q14E 3Q14E 4Q14E 2012 2013P 2014E

매출액 52,868 57,464 59,084 59,280 53,589 59,731 61,741 64,658 201,104 228,696 239,720

%QoQ/%YoY -6% 9% 3% 0% -10% 11% 3% 5% 22% 14% 5%

IT & Mobile 32,820 35,538 36,572 33,890 32,754 37,337 38,793 38,698 105,842 138,821 147,582

무선사업부 31,770 34,580 35,201 32,170 31,740 36,364 37,429 37,470 101,640 133,721 143,004

네트워크/기타 1,050 958 1,371 1,206 1,014 972 1,364 1,228 4,202 4,586 4,579

Semiconductor 8,576 8,679 9,742 10,437 9,805 10,195 10,257 10,922 34,887 37,434 41,179

Memory 5,120 5,699 6,370 6,522 6,224 6,407 6,661 6,820 20,860 23,711 26,112

System LSI 3,291 2,832 3,036 3,521 3,193 3,479 3,257 3,760 13,315 12,680 13,688

Display Panel 7,108 8,182 8,085 6,463 6,156 7,141 7,406 7,045 32,999 29,839 27,747

Large Panel 3,362 3,407 3,466 3,028 2,653 2,738 2,971 2,888 19,619 13,263 11,250

Mobile & Tablet 2,794 3,776 3,973 2,939 3,002 3,767 3,767 3,764 11,494 13,483 14,300

Consumer Electronics 11,243 12,775 12,048 14,269 11,846 13,074 12,981 14,296 48,444 50,335 52,197

VD 7,430 7,940 7,680 10,065 8,031 8,461 8,678 10,098 35,040 33,115 35,268

매출원가 31,379 34,341 35,528 36,450 32,152 36,335 38,051 40,117 126,652 137,698 146,655

매출원가율 59% 60% 60% 61% 60% 61% 62% 62% 63% 60% 61%

매출총이익 21,489 23,123 23,556 22,830 21,438 23,396 23,690 24,541 74,452 90,998 93,065

판매비와관리비 12,709 13,592 13,392 14,521 12,759 14,116 14,103 15,020 45,402 54,215 55,997

영업이익 8,779 9,531 10,164 8,313 8,679 9,280 9,588 9,521 29,049 36,787 37,068

%QoQ/%YoY -3% 9% 7% -18% 4% 7% 3% -1% 86% 27% 1%

IT & Mobile 6,507 6,284 6,696 5,470 6,092 6,161 6,595 6,153 19,414 24,957 25,001

%QoQ/%YoY 19% -3% 7% -18% 11% 1% 7% -7% 135% 29% 0%

Semiconductor 1,072 1,759 2,063 1,990 2,020 2,067 2,114 2,283 4,174 6,883 8,484

%QoQ/%YoY -25% 64% 17% -4% 2% 2% 2% 8% -35% 65% 23%

Display Panel 767 1,122 985 113 322 641 521 464 3,215 2,987 1,949

%QoQ/%YoY -31% 46% -12% -89% 184% 99% -19% -11% -529% -7% -35%

Consumer Electronics 234 429 351 656 237 405 350 615 2,324 1,671 1,607

%QoQ/%YoY -67% 83% -18% 87% -64% 71% -14% 75% 64% -28% -4%

영업이익률 17% 17% 17% 14% 16% 16% 16% 15% 14% 16% 15%

IT & Mobile 20% 18% 18% 16% 19% 17% 17% 16% 18% 18% 17%

Semiconductor 12% 20% 21% 19% 21% 20% 21% 21% 12% 18% 21%

Display Panel 11% 14% 12% 2% 5% 9% 7% 7% 10% 10% 7%

Consumer Electronics 2% 3% 3% 5% 2% 3% 3% 4% 5% 3% 3%

법인세차감전순이익 9,045 9,828 10,239 9,250 8,719 9,409 9,684 9,603 29,915 38,362 37,415

법인세비용 1,891 2,054 1,994 1,947 1,744 1,882 1,937 1,921 6,070 7,886 7,483

당기순이익 7,155 7,774 8,245 7,303 6,975 7,527 7,748 7,682 23,845 30,476 29,932

당기순이익률 14% 14% 14% 12% 13% 13% 13% 12% 12% 13% 12%

총포괄손익 8,381 9,344 6,141 5,440 8,170 9,047 5,771 5,723 22,128 29,306 28,711

지배주주지분 8,166 9,103 6,023 5,335 8,013 8,874 5,660 5,613 21,499 28,628 28,160

KRW/USD 1,085 1,122 1,110 1,062 1,070 1,060 1,060 1,050 1,136 1,081 1,060



(Overweight)


[표 2] 삼성전자 반도체 부문 분기실적 추이 및 전망 (단위: 십억원)


DRAM

출하량 [백만개. 1Gb Eq] 2,763 2,917 3,326 3,795 3,643 3,971 4,209 4,546 10,321 12,802 16,369

%QoQ/%YoY -5% 6% 14% 14% -4% 9% 6% 8% 27% 24% 28%

ASP/1Gb [USD] 0.9 1.0 1.0 1.0 1.0 0.9 0.9 0.9 1.0 1.0 0.9

%QoQ/%YoY 0% 8% 1% 1% -2% -7% -4% -5% -31% -3% -8%

Cash Cost/1Gb [USD] 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.4 0.4 0.4 0.6 0.5 0.4

%QoQ/%YoY -17% -1% 2% 2% -3% -5% -3% -2% -27% -22% -8%

영업이익/1Gb [USD] 0.2 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.2 0.3 0.3

영업이익률 21% 30% 32% 34% 33% 32% 33% 32% 16% 30% 33%

NAND

출하량[백만개. 1Gb Eq] 3,307 3,561 3,980 4,120 4,243 4,837 5,418 5,960 9,369 14,968 20,459

%QoQ/%YoY 11% 8% 12% 3% 3% 14% 12% 10% 55% 60% 37%

ASP/1Gb [USD] 0.7 0.6 0.6 0.5 0.5 0.5 0.5 0.4 0.8 0.6 0.5

%QoQ/%YoY -6% -3% -2% -12% -7% -5% -4% -5% -40% -25% -23%

Cash Cost/1Gb [USD] 0.3 0.3 0.3 0.3 0.2 0.2 0.2 0.2 0.4 0.3 0.2

%QoQ/%YoY -12% -12% 0% -6% -15% 1% -3% -5% -35% -34% -23%

영업이익/1Gb [USD] 0.1 0.2 0.2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1

영업이익률 19% 26% 27% 23% 25% 23% 22% 23% 12% 24% 23%

매출액 8,576 8,679 9,742 10,437 9,805 10,195 10,257 10,922 34,887 37,434 41,179

%QoQ/%YoY -11% 1% 12% 7% -6% 4% 1% 6% -6% 7% 10%

Memory 5,120 5,699 6,370 6,522 6,224 6,407 6,661 6,820 20,860 23,711 26,112

DRAM 2,794 3,240 3,704 4,152 3,936 3,953 4,022 4,088 12,199 13,890 16,000

NAND 2,326 2,459 2,666 2,370 2,288 2,454 2,639 2,732 8,611 9,821 10,113

System LSI 3,291 2,832 3,036 3,521 3,193 3,479 3,257 3,760 13,315 12,680 13,688

영업이익 1,072 1,759 2,063 1,990 2,020 2,067 2,114 2,283 4,174 6,883 8,484

%QoQ/%YoY -25% 64% 17% -4% 2% 2% 2% 8% -35% 65% 23%

Memory 1,029 1,611 1,905 1,960 1,873 1,845 1,928 1,948 2,998 6,505 7,593

DRAM 587 972 1,185 1,407 1,308 1,278 1,335 1,311 1,927 4,151 5,232

NAND 442 639 720 553 566 566 593 636 1,071 2,354 2,361

System LSI 72 125 152 117 147 222 186 335 1,310 466 891

영업이익률 12% 20% 21% 19% 21% 20% 21% 21% 12% 18% 21%

Memory 20% 28% 30% 30% 30% 29% 29% 29% 14% 27% 29%

DRAM 21% 30% 32% 34% 33% 32% 33% 32% 16% 30% 33%

NAND 19% 26% 27% 23% 25% 23% 22% 23% 12% 24% 23%

System LSI 2% 4% 5% 3% 5% 6% 6% 9% 10% 4% 7%



(Overweight)


[표 3] 삼성전자 IM 부문 분기실적 추이 및 전망 (단위: 십억원)


출하량[백만개] 117.4 117.6 128.7 134.4 128.2 132.8 140.9 150.4 419.0 498.2 552.3

Mobile Phone 108.9 109.2 119.4 121.4 115.6 117.7 121.5 124.2 402.4 458.9 479.1

Smart Phone 69.4 76.0 88.4 86.6 84.0 87.4 91.8 93.6 213.0 320.4 356.8

Feature Phone 39.5 33.2 31.0 34.7 31.6 30.4 29.7 30.6 189.4 138.5 122.3

Tablet PC 8.5 8.4 9.3 13.1 12.5 15.0 19.4 26.2 16.6 39.3 73.19

ASP[USD] 239 268 252 225 231 258 251 237 214 246 244

Mobile Phone 225 242 216 216 221 236 215 224 193 225 224

Smart Phone 317 321 272 284 285 301 269 281 308 296 284

Feature Phone 64 62 58 49 50 50 49 49 63 59 49

Tablet PC 384 368 330 290 308 305 299 293 442 337 299

매출액 32,820 35,538 36,572 33,890 32,754 37,337 38,793 38,698 105,842 138,821 147,582

%QoQ/%YoY 7% 8% 3% -7% -3% 14% 4% 0% 91% 31% 6.3%

무선사업부 31,770 34,580 35,201 32,170 31,740 36,364 37,429 37,470 101,640 133,721 143,004

Handset 27,726 28,989 28,042 27,902 27,296 29,474 27,753 29,192 87,979 112,660 113,715

Smart Phone 24,860 26,721 26,089 26,086 25,596 27,874 26,201 27,624 74,359 103,755 107,296

Feature Phone 2,867 2,268 1,954 1,817 1,699 1,600 1,552 1,568 13,620 8,905 6,419

Tablet PC 3,694 3,380 3,346 4,028 4,130 4,860 6,144 8,052 8,261 14,448 23,187

네트워크/디지털이미징 1,050 958 1,371 1,206 1,014 972 1,364 1,228 4,202 4,586 4,579

영업이익 6,507 6,284 6,696 5,470 6,092 6,161 6,595 6,153 19,414 24,957 25,001

%QoQ/%YoY 19% -3% 7% -18% 11% 1% 7% -7% 135% 29% 0.2%

Handset 6,433 6,183 6,462 5,168 5,824 5,781 6,060 5,420 19,263 24,246 23,086

Tablet PC 74 101 234 302 268 379 535 733 151 712 1,915

영업이익률 20% 18% 18% 16% 19% 17% 17% 16% 18% 18% 17%

Handset 23% 21% 23% 19% 21% 20% 22% 19% 22% 22% 20%

Tablet PC 2% 3% 7% 8% 7% 8% 9% 9% 2% 5% 8%

자료: Gartner, IDC, SA 메리츠종금증권 리서치센터


(Overweight)


[표 4] 삼성전자 디스플레이 부문 분기실적 추이 및 전망 (단위: 십억원)


출하량[십억개] 38.8 42.0 42.3 40.8 37.4 43.4 47.0 47.4 171.6 163.9 175.2

%QoQ/%YoY -6% 8% 1% -4% -8% 16% 8% 1% 0% -4% 7%

출하면적['000m2] 7,465 7,663 7,982 7,735 7,052 7,603 8,257 8,321 32,424 30,846 31,232

%QoQ/%YoY -6% 3% 4% -3% -9% 8% 9% 1% 9% -5% 1%

ASP/m2[USD] 878 973 932 787 816 886 846 806 909 893 838

%QoQ/%YoY -2% 11% -4% -16% 4% 9% -5% -5% 3% -2% -6%

Cash Cost/m2[USD] 564 619 599 531 542 581 573 543 638 580 560

%QoQ/%YoY 2% 10% -3% -11% 2% 7% -1% -5% -9% -3%

Operating Profit/m2[USD] 95 133 114 14 43 80 60 53 87 87 59

OPm 11% 14% 12% 2% 5% 9% 7% 7% 10% 10% 7%

매출액 7,108 8,182 8,085 6,463 6,156 7,141 7,406 7,045 32,999 29,839 27,747

%QoQ/%YoY -8% 15% -1% -20% -5% 16% 4% -5% -9% -14% 10%

TV 2,474 2,509 2,632 2,332 2,019 2,004 2,268 2,231 14,697 9,948 8,521

Monitor 413 426 428 369 338 356 360 301 2,256 1,636 1,354

Note PC 475 472 406 326 296 377 343 357 2,666 1,679 1,374

Tablet PC 602 595 495 544 525 658 781 781 2,756 2,236 2,745

Mobile 2,192 3,181 3,478 2,396 2,477 3,109 2,986 2,984 8,738 11,247 11,555

Others 952 999 646 496 502 636 668 392 1,887 3,093 2,198

영업이익 767 1,122 985 113 322 641 521 464 3,215 2,987 1,949

%QoQ/%YoY -31% 46% -12% -89% 184% 99% -19% -11% 흑전 -7% -35%

영업이익률 11% 14% 12% 2% 5% 9% 7% 7% 10% 10% 7%

자료: DisplaySearch, WitsView, 메리츠종금증권 리서치센터


(Overweight)


[표 5] 삼성전자 CE 부문 분기실적 추이 및 전망 (단위: 십억원)


출하량[백만개] 10.6 10.7 11.8 14.7 10.6 11.0 11.9 14.4 49.0 47.9 47.9

LCD TV 9.2 9.3 10.4 13.4 9.8 10.3 11.1 13.6 40.7 42.2 44.8

OLED TV 0.0 0.1 0.1

PDP TV 1.2 1.3 1.2 1.2 0.7 0.7 0.7 0.6 6.1 4.9 2.6

CRT TV 0.2 0.2 0.2 0.2 0.1 0.1 0.1 0.1 2.2 0.8 0.4

ASP[USD] 649 658 598 644 711 724 686 669 632 637 695

LCD TV 582 564 559 626 645 632 638 612 649 586 630

OLED TV 7,807 7,026 7,156

PDP TV 506 501 451 429 407 428 406 398 571 473 410

CRT TV 88 87 86 85 83 82 80 79 91 87 81

매출액 11,243 12,775 12,048 14,269 11,846 13,074 12,981 14,296 48,444 50,335 52,197

%QoQ/%YoY -5% 14% -6% 18% -17% 10% -1% 10% -18% 4% 4%

VD 7,430 7,940 7,680 10,065 8,031 8,461 8,678 10,098 35,040 33,115 35,268

LCD TV 5,761 5,869 6,304 8,899 6,742 6,873 7,532 8,774 29,906 26,833 29,922

OLED TV 99 443 542

PDP TV 674 722 610 538 294 296 295 258 3,915 2,544 1,143

CRT TV 20 19 18 14 10 9 8 5 232 71 31

DA/Others 3,813 4,835 4,368 4,204 3,815 4,614 4,303 4,198 13,404 17,220 16,929

영업이익 234 429 351 656 237 405 350 615 2,324 1,671 1,607

%QoQ/%YoY -67% 83% -18% 87% -64% 71% -14% 75% 64% -28% -4%

영업이익률 2% 3% 3% 5% 2% 3% 3% 4% 5% 3% 3%

자료: DisplaySearch, WitsView, 메리츠종금증권 리서치센터


(Overweight)


Income Statement Statement of Cash Flow

(십억원) 2012 2013P 2014E 2015E (십억원) 2012 2013P 2014E 2015E

매출액 201,104 228,696 239,720 252,158 영업활동현금흐름 37,973 45,014 47,696 49,658

매출원가 126,652 137,698 146,655 153,422 당기순이익(손실) 23,845 29,793 29,932 31,058

매출총이익 74,452 90,998 93,065 98,735 유형자산감가상각비 14,835 15,989 19,087 20,140

판매비와관리비 45,402 54,215 55,997 60,285 무형자산상각비 787 965 914 845

기타손익 3,261 5,938 6,744 8,520 운전자본의 증감 -5,121 -2,338 -1,711 -1,824

영업이익 29,049 36,782 37,068 38,450 투자활동 현금흐름 -31,322 -43,704 -32,367 -29,027

금융수익 -98 96 -179 -188 유형자산의 증가(CAPEX) -22,965 -23,477 -25,943 -25,350

종속/관계기업관련손익 987 660 526 560 투자자산의 감소(증가) -600 -1,510 -942 -153

기타영업외손익 -23 -41 0 0 재무활동 현금흐름 -1,865 -3,711 -2,909 -3,156

세전계속사업이익 29,915 37,497 37,415 38,822 차입금증감 249 -3,116 -918 -1,164

법인세비용 6,070 7,704 7,483 7,764 자본의증가 0 0 0 0

당기순이익 23,845 29,793 29,932 31,058 현금의증가 4,100 -2,337 12,420 17,475

지배주주지분 순이익 23,185 29,021 29,118 30,216 기초현금 14,692 18,791 16,455 28,875

기말현금 18,791 16,455 28,875 46,350

Balance Sheet Key Financial Data

(십억원) 2012 2013P 2014E 2015E (원,%,배) 2012 2013P 2014E 2015E

유동자산 87,269 109,641 130,515 152,098 주당데이터(원)

현금및현금성자산 18,791 16,455 28,875 46,350 SPS 1,365,272 1,552,594 1,627,433 1,711,873

매출채권 23,861 26,784 29,214 30,395 EPS 156,318 195,934 196,597 204,050

재고자산 17,747 21,821 23,800 24,762 CFPS 316,395 367,455 376,944 388,869

비유동자산 93,803 104,433 112,903 118,597 EBITDAPS 303,269 364,807 387,439 403,501

유형자산 68,485 75,297 81,918 86,913 BPS 666,329 815,699 969,245 1,128,982

무형자산 3,730 3,745 3,528 3,224 DPS 8,000 14,000 14,000 14,000

투자자산 14,015 16,184 17,652 18,366 배당수익률(%) 0.5 0.9 0.9 0.9

자산총계 181,072 214,074 243,418 270,695 Valuation(Multiple)

유동부채 46,933 53,867 56,218 56,201 PER 9.7 7.0 6.8 6.5

매입채무 9,489 11,028 12,029 12,515 PCR 4.8 3.7 3.5 3.4

단기차입금 8,444 6,878 6,427 5,854 PSR 1.1 0.9 0.8 0.8

유동성장기부채 999 1,362 1,231 994 PBR 2.3 1.7 1.4 1.2

비유동부채 12,658 12,245 12,518 12,099 EBITDA 44,671.4 53,735.8 57,069.4 59,435.5

사채 1,829 1,837 1,661 1,476 EV/EBITDA 5.0 3.9 3.4 2.9

장기차입금 3,521 1,617 1,461 1,299 Key Financial Ratio(%)

부채총계 59,591 66,112 68,736 68,300 자기자본이익률(ROE) 21.6 22.4 18.7 16.6

자본금 898 898 898 898 EBITDA이익률 22.2 23.5 23.8 23.6

자본잉여금 4,404 4,404 4,404 4,404 부채비율 49.1 44.7 39.3 33.7

기타포괄이익누계액 -999 -1,487 -2,708 -4,060 금융비용부담률 0.3 0.2 0.2 0.2

이익잉여금 119,986 145,883 173,010 201,235 이자보상배율(x) 48.5 72.3 82.4 94.9

비지배주주지분 4,386 5,440 6,254 7,095 매출채권회전율(x) 8.8 9.0 8.6 8.5

자본총계 121,480 147,962 174,682 202,395 재고자산회전율(x) 12.0 11.6 10.5 10.4


(Overweight)


Compliance Notice 동 자료는 작성일 현재 사전고지와 관련한 사항이 없습니다. 당사는 동 자료에 언급된 종목과 계열회사의 관계가 없으며 2014년 2월 26일 현재 동 자료에 언

급된 종목의 유가증권(DR, CB, IPO, 시장조성 등) 발행 관련하여 지난 6개월간 주간사로 참여하지 않았습니다. 당사는 2014년 2월 26일 현재 동 자료에 언급

된 종목의 지분을 1%이상 보유하고 있지 않습니다. 당사의 조사분석 담당자는 2014년 2월 26일 현재 동 자료에 언급된 종목의 지분을 보유하고 있지 않습니

다. 본 자료에 게재된 내용들은 본인의 의견을 정확하게 반영하고 있으며, 외부의 부당한 압력이나 간섭 없이 작성되었음을 확인합니다. (작성자: 박유악)

동 자료는 투자자들의 투자판단에 참고가 되는 정보제공을 목적으로 배포되는 자료입니다. 동 자료에 수록된 내용은 당사 리서치센터의 추정치로서 오차가

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투자등급 관련사항

1. 종목추천관련 투자등급(추천기준일 종가대비 4등급)

→아래 종목투자의견은 향후 6개월간 추천기준일 종가대비 추천종목의 예상 목표수익률을 의미함.

ㆍStrong Buy : 추천기준일 종가대비 +50%이상.

ㆍBuy : 추천기준일 종가대비 +15%이상 ~ +50%미만.

ㆍHold : 추천기준일 종가대비 +5%이상 ~ +15%미만.

ㆍReduce : 추천기준일 종가대비 +5%미만.

2. 산업추천관련 투자등급(추천기준일 시장지수대비 3등급)

→아래 산업투자의견은 시가총액기준 산업별 시장비중 대비 보유비중의 변화를 추천하는 것.

ㆍ비중확대(Overweight) / 중립(Neutral) / 비중축소(Underweight)


(Overweight)


삼성전자(005930)의 투자등급변경 내용 추천확정일자 자료의 형식 투자의견 목표주가 담당자 주가 및 목표주가 변동추이

2012.03.05 산업분석 Buy 1,500,000 이세철

2012.03.23 산업브리프 Buy 1,500,000 이세철2012.03.26 산업브리프 Buy 1,500,000 이세철2012.04.03 기업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.04.09 산업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.04.16 산업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.04.17 산업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.04.19 산업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.04.23 산업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.04.26 산업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.04.30 산업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.05.02 기업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.05.03 산업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.05.07 산업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.05.14 산업브리프 Buy 1,700,000 이세철2012.05.15 기업분석 Buy 2,000,000 이세철2012.05.16 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.05.21 기업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.05.23 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.05.29 산업분석 Buy 2,000,000 이세철2012.05.31 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.06.04 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.06.07 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.06.11 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.06.13 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.06.19 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.06.25 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.07.09 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.07.10 기업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.07.16 산업브리프 Buy 2,000,000 이세철2012.07.30 기업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.08.06 기업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.08.14 기업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.08.21 기업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.08.27 기업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.09.04 기업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.09.11 산업분석 Buy 1,800,000 이세철2012.09.18 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.09.25 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.09.27 기업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.10.02 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.10.04 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.10.16 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.10.17 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.10.29 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.10.30 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.10.31 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.11.14 산업분석 Buy 1,800,000 이세철2012.11.15 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.11.16 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.11.20 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.11.21 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.11.26 기업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.11.29 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.12.03 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.12.04 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.12.06 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.12.10 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2012.12.17 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2013.01.02 산업브리프 Buy 1,800,000 이세철2013.01.03 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.01.08 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.01.14 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.01.16 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.01.28 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.01.30 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.02.06 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.02.12 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.02.26 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.02.27 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.03.04 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.03.05 산업분석 Buy 1,970,000 이세철2013.03.11 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.03.18 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.03.25 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.03.27 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.04.01 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.04.08 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.04.15 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.04.29 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.05.14 산업분석 Buy 1,970,000 이세철2013.05.20 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.05.21 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.05.22 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.05.27 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.06.03 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.06.04 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2003.06.07 산업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.06.10 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.06.25 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철2013.07.08 기업브리프 Buy 1,970,000 이세철

담당 애널리스트 변경 2013.12.16 산업분석 Buy 1,900,000 박유악2014..01.03 기업브리프 Buy 1,900,000 박유악2014.01.06 산업브리프 Buy 1,900,000 박유악2014.01.08 기업브리프 Buy 1,800,000 박유악2014.01.15 산업브리프 Buy 1,800,000 박유악2014.01.29 산업브리프 Buy 1,800,000 박유악2014.02.06 산업브리프 Buy 1,800,000 박유악2014.02.17 산업브리프 Buy 1,800,000 박유악2014.02.25 산업분석 Buy 1,800,000 박유악2014.02.26 산업분석 Buy 1,800,000 박유악

0

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2012.02 2012.07 2012.12 2013.05 2013.10

주가 목표주가

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반도체산업 DRAM Tech Roadmap 최종 editing fimgstock.naver.com/upload/research/industry/1393374250518.pdf · DRAM 중장기 Tech Roadmap! Analyst 박유악 (6309-4523) 반도체