Embed Size (px)
DESCRIPTION
BIPOLARNI TRANZISTOR. KOMPONENTE STRUJA. ODNOS KOMPONENTI. 0 = Ie +Ib +Ic Ie = Ipe +Ine Ic = -Ipc +Icbo Ib = -Ine -Ir -Icbo Ir = Ipe +Ipc. KARAKTERISTIKE TRANS. GLAVNI KATALOŠKI PARAMETRI. Max napon kolektor emiter Uceo Max napon emiter baza Uebo - PowerPoint PPT Presentation
Citation preview
BIPOLARNI TRANZISTORBIPOLARNI TRANZISTOR
KOMPONENTE STRUJAKOMPONENTE STRUJA
ODNOS KOMPONENTIODNOS KOMPONENTI
• 0 = Ie +Ib +Ic• Ie = Ipe +Ine• Ic = -Ipc +Icbo• Ib = -Ine -Ir -Icbo• Ir = Ipe +Ipc
KARAKTERISTIKE TRANSKARAKTERISTIKE TRANS..
GLAVNI KATALOŠKI GLAVNI KATALOŠKI PARAMETRIPARAMETRI
• Max napon kolektor emiter Uceo
• Max napon emiter baza Uebo
• Nominalna struja kolektora Ic
• Nominalna struja baze Ib
• Max disipacija Ptot
• Strujno pojačanje hfe
• Granična frekvencija ft
ZAJEDNIZAJEDNIČKI EMITERČKI EMITER
1
V1
2
4
R113K
3
2
Q1BC338
3
4
R21K
4
41
Y15 Y2
2
2
444 4
2
R310K
1 2
C11n
4
4 4
5
R4100K
3 5C21n
5 55
5
ZAJEDNIZAJEDNIČKI EMITERČKI EMITER
• Ulazni otpor 2-10K
• Strujno pojač. ~ hfe
• Naponsko pojač. ~ hfe
V1
R1
Q1
R2
Y1Y2
R3
C1
V3
ZAJEDNIZAJEDNIČKI KOLEKTORČKI KOLEKTOR
1
V1
2
3
R113K
3
2
5
Q1BC338
5
R21K
3 3 3
31
Y1
5 Y2
2
2
33
2
R310K
1 2
C11n
3
V3
3
33 3
ZAJEDNIZAJEDNIČKI KOLEKTORČKI KOLEKTOR
• Ulazni otpor 50-100K
• Strujno pojač. ~ hfe
• Naponsko pojač. <1
V1
R1
Q1
R2
3 3
Y1
Y2R3
C1
V3
3 3
ZAJEDNIZAJEDNIČKA BAZAČKA BAZA
1
V12
4R113K
3
4R210K
4
4
1
Y13 Y2
2
2
444 4
2
R310K
1 6
C11n
4
V3
4 4
3
2
6
Q2BC338
3 3
2 26
R4x100K
6
6
ZAJEDNIZAJEDNIČKA BAZAČKA BAZA
• Ulazni otpor ~20ohm
• Strujno pojač. ~ 1
• Naponsko pojač. ~ hfe
V1
R1 R24
4
Y1Y2
2
R3
C1
4
V3
4 4
Q2BC338
6
R4
Tranzistor u spoju Tranzistor u spoju stabilizatora naponastabilizatora napona
Integrirani stabilizator Integrirani stabilizator naponanapona
Tranzistor u spoju Tranzistor u spoju stabilizatora strujestabilizatora struje
Tranzistor sa efektom Tranzistor sa efektom poljapoljaFETFET
• Unipolarni tranzistori = većinski nosioci– JFET N i P kanalni– MOSFET N i P kanalni
JFET n-kanal (Uds=0, JFET n-kanal (Uds=0, Ugs=0)Ugs=0)
JFET n-kanal (Ugs<0, JFET n-kanal (Ugs<0, Uds=0)Uds=0)
JFET n-kanal (Ugs<0, JFET n-kanal (Ugs<0, Uds>0)Uds>0)
P+
JFET p-kanal (Ugs>0, JFET p-kanal (Ugs>0, Uds<0)Uds<0)
N+
JFET n-kanalni JFET n-kanalni Spoj zajedniSpoj zajedničkog sourcečkog source
JFET p-kanalni JFET p-kanalni Spoj zajedniSpoj zajedničkog sourcečkog source
MOSFET n-kanalniMOSFET n-kanalni Spoj zajedni Spoj zajedničkog sourcečkog source
TRANZISTOR KAO TRANZISTOR KAO SKLOPKASKLOPKA
1
V1
21
R113K
4
2
Q1BC338
4
3
R210K
3
31
Y14 Y2
2
R310K
3
V3
3 3V(1)
Tran
5.50
-5.48500U0 time
V(4)
Tran
26.5
-1.22500U0 time
KARAKTERISTIČNO KARAKTERISTIČNO VRIJEME SKLOPKEVRIJEME SKLOPKE
KARAKTERISTIČNO KARAKTERISTIČNO VRIJEME SKLOPKEVRIJEME SKLOPKE
• Vrijeme kašnjenja td
• Vrijeme porasta tr
• Vrijeme uključivanja ton
• Vrijeme zadržavanja ts
• Vrijeme pada tf
• Vrijeme isključenja toff
• Vrijeme rasprostiranja tp
IGBT n-kanalni IGBT n-kanalni Spoj zajedniSpoj zajedničkog emiteračkog emitera
Spoj jednofaznog Spoj jednofaznog pretvarača (H-spoj)pretvarača (H-spoj)
Simulacija jednofaznog Simulacija jednofaznog pretvarača pretvarača
2
3
8
T1IXGH30N60A
1 5
X4INDUCTOR2
6
R105
D1MBR2090
13
4
T2IXGH30N60A
D2MBR2090
10
9
T3IXGH30N60A
D3MBR2090
15
7
T4IXGH30N60A
D4MBR2090
R71
R81
R51
R61C1
1000e-6
V1
12
R110
11
R310
V3
14
R210
V4
16
R410
V6
V5
Y1
Y2 Y3
LED_iodaLED_ioda
Ud=1,2VUd=1,2V
Id>10mAId>10mA
LED_iodaLED_ioda
•Light Emitting Diode•Strujni element•Najčešći materijal galij-arsenid•Prag vođenja 1.1V•Niski napon proboja•Velika efikasnost i trajnost
Optoizolator sa Optoizolator sa tranzistoromtranzistorom
Valni oblik signalaValni oblik signala
Galvansko odvajanje sa Galvansko odvajanje sa optoizolatoromoptoizolatorom
Optoizolator sa Optoizolator sa tranzistoromtranzistorom
X14N25
1 2
R210K
2
3
4
4
V1
4
Y2
2
Y1
4
V2
3
R11K
4 1
Valni oblici napona Valni oblici napona optoizolatora sa optoizolatora sa
tranzistoromtranzistorom
1
2
50.0M 150M 250M 350M 450M
WFM.2 vy2 vs. time in
6.00
4.00
2.00
0
-2.00
vy2
in V
olts
12.0
8.00
4.00
0
-4.00
vy1
in V
olts
413OC4N252R1500
V124V
R210e65
R320
V2
Y1
Y2
Y2
Tran
25.1
1.18500M0 time
V(5)
Tran
5.25
-250M500M0 time
Definiranje struje diode Definiranje struje diode optoizolatora sa optoizolatora sa
tranzistoromtranzistorom
Id*h > IcId*h > Ic
hh4n254n25=0,5=0,5
Valni oblici napona Valni oblici napona optoizolatora sa optoizolatora sa
tranzistoromtranzistorom
7
24
53
6
1
50.0M 150M 250M 350M 450M
WFM.1 v(1)_1.000e+002 vs. time in
40.0
30.0
20.0
10.00
0
Izla
zni n
apon
[V]
40.0
30.0
20.0
10.00
0
v(1
)_1.
100
e+00
3 in
Vo
lts
Promjena izlaznog napona za vrijednosti otpornika R3 20-1000ohm
Optoizolator sa tiristoromOptoizolator sa tiristorom
R210K
2
3
4
4
V1
4
Y1
4
V2
3R1x1K
4 11
2
X24N40
22 2
Y2
Valni oblici napona Valni oblici napona optoizolatora sa optoizolatora sa
thiristoromthiristorom2
3
1
2.00M 6.00M 10.0M 14.0M 18.0M
TIME in Secs
40.0
30.0
20.0
10.00
0
Y1
in V
olts
200
100.0
0
-100.0
-200
y2 in
Vo
lts
Praktična primjenaPraktična primjena
FotorotporniciFotorotpornici
FotodiodeFotodiode
Upotrebljavaju se za detekciju optičkog signala i njegovo pretvaranje u električni signal
Sunčeve ćelijeSunčeve ćelije
FototFototrranzistoranzistor
Optoizolator kao analogno Optoizolator kao analogno mjerno pojamjerno pojačaločalo
