特⾧

本品は、電子移動度および環境ストレス耐性に優れる実用的な高性能n型有機半導体材料です。真空蒸着法および塗布成膜法どちらでもご使用いただけます。尚、本品は東京大学竹谷教授、岡本准教授と富士フイルム㈱により共同開発された新規材料です。

◇高移動度 塗布結晶化による単結晶において大気下で 3 cm2/Vsの電子移動度真空蒸着膜において大気下で 0.6 cm2/Vsを超える電子移動度

◇高耐性 単結晶OFETにおいて基板を選ばない150 ℃を超える高熱ストレス耐性良好なバイアスストレス耐性

◇高安定性 デバイス構造によらない⾧期大気安定性:単結晶OFETにおいて半年以上，蒸着OFETにおいても一か月以上移動度の減少率わずか10%未満

塗布性単結晶OFET

PhC2-BQQDIn型有機半導体材料

高いエナンチオ選択性

半導体

benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide (BQQDI)骨格

0

2

4

6

8

|ID|1/

2 (

103

A1/

2 )

-10 0 10 20 30 40 50 60 7010-13

10-12

10-11

10-10

10-9

10-8

10-7

10-6

10-5

10-4

ゲート電圧 (V)

ドレ

イン

電流

, ID (

A)

ドレイン電圧75 V

ゲート電圧約0 Vで急峻なスイッチング

-4

-2

0

2

4

相対

閾値

電圧

シフ

ト

100 120 140 1600.0

0.5

1.0

熱ストレス温度（℃）

相対

電子

移動

度

約150℃までの熱ストレスに対し

一定の移動度＆閾値電圧

コードNo. 品名 容量 希望納入価格(円）

165-28601 PhC2-BQQDI 【n型有機半導体材料】 100mg 80,000

集合体構造

隣接するBQQDI骨格間で多点分子間相互作用が見られ、二次元的な電荷輸送を可能とするブリックワーク型集合体構造

a

b

c

a

b

cC-H∙∙∙π

集合体

層間:フェニル基間相互作用

層内:ブリックワーク構造

e−

＜参考文献＞・ T. Okamoto and J. Takeya et al.: Science Advances, 6, eaaz0632 (2020).・ 岡本敏宏:和光純薬時報, 2020年7月号 掲載予定.

コードNo. 品名 容量 希望納入価格(円）

208-20821 TBBT-C4 【p型有機半導体材料】 100mg 75,000

205-20831 TBBT-C10 【p型有機半導体材料】 100mg 75,000

204-20801 TBBT-H2 250mg 40,000

201-20811 TBBT-Br2 250mg 45,000

＜関連商品＞