2N3442-D

8/12/2019 2N3442-D

http://slidepdf.com/reader/full/2n3442-d 1/4

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006

February, 2006 − Rev. 111 Publication Order Number:

2N3442/D

2N3442

High−Power IndustrialTransistors

NPN silicon power transistor designed for applications in industrialand commercial equipment including high fidelity audio amplifiers,series and shunt regulators and power switches.

Features

• Collector −Emitter Sustaining Voltage − V CEO(sus) = 140 Vdc (Min)• Excellent Second Breakdown Capability• Pb−Free Package is Available*

MAXIMUM RATINGS (Note 1)

Rating Symbol Value Unit

Collector−Emitter Voltage V CEO 140 Vdc

Collector−Base Voltage V CB 160 Vdc

Emitter−Base Voltage V EB 7.0 Vdc

Collector Current − Continuous− Peak

IC 1015

Adc

Base Current − Continuous− Peak

IB 7.0−

Adc

Total Device Dissipation @ T C = 25 CDerate above 25 C (Note 2)

P D 1170.67

WW/ C

Operating and Storage JunctionTemperature Range

TJ , Tstg −65 to +200 C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics Symbol Max Unit

Thermal Resistance, Junction−to−Case R JC 1.17 C/W

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (notnormal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits areexceeded, device functional operation is not implied, damage may occur andreliability may be affected.1. Indicates JEDEC Registered Data.2. This data guaranteed in addition to JEDEC registered data.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, pleasedownload the ON Semiconductor Soldering and Mounting TechniquesReference Manual, SOLDERRM/D.

10 AMPEREPOWER TRANSISTOR

NPN SILICON140 VOLTS − 117 WATTS

http://onsemi.com

MARKING DIAGRAM

Device Package Shipping

ORDERING INFORMATION

2N3442 TO−204 100 Units / Tray

2N3442G TO−204(Pb−Free)

100 Units / Tray

2N3442GAYWW

MEX

TO−204AA (TO−3)CASE 1−07

STYLE 1

2N3442 = Device CodeG = Pb−Free PackageA = Assembly LocationY = YearWW = Work WeekMEX = Country of Origin

8/12/2019 2N3442-D


2N3442

http://onsemi.com

2

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 C unless otherwise noted)Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

CharacteristicÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

SymbolÎ Î Î Î

Î Î Î Î

MinÎ Î Î

Î Î Î

MaxÎ Î Î Î

Î Î Î Î

UnitÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


OFF CHARACTERISTICSÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î



Collector−Emitter Sustaining Voltage(IC = 200 mAdc, I B = 0)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

VCEO(sus)

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

140Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

−Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Vdc




Collector Cutoff Current

(VCE = 140 Vdc, I B = 0)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

ICEOÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

−Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

200Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

mAdc




Collector Cutoff Current(VCE = 140 Vdc, V BE(off) = 1.5 Vdc)(VCE = 140 Vdc, V BE(off) = 1.5 Vdc, T C = 150 C)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

ICEXÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

−−

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

5.030

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

mAdc




Emitter Cutoff Current(VBE = 7.0 Vdc, I C = 0)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

IEBOÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

−Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

5.0Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

mAdc



ON CHARACTERISTICS (Note 3)Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î




DC Current Gain(IC = 3.0 Adc, V CE = 4.0 Vdc)(IC = 10 Adc, V CE = 4.0 Vdc)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

hFEÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

207.5

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

70−

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

−



Collector−Emitter Saturation Voltage(IC = 10 Adc, I B = 2.0 Adc)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

VCE(sat)Î Î Î Î

Î Î Î Î

−Î Î Î

Î Î Î

5.0Î Î Î Î

Î Î Î Î

Vdc




Base−Emitter On Voltage(IC = 10 Adc, V CE = 4.0 Vdc)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

VBE(on)Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

−Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

5.7Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Vdc



DYNAMIC CHARACTERISTICSÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î



Current−Gain − Bandwidth Product (Note 4)(IC = 2.0 Adc, V CE = 4.0 Vdc, f test = 40 kHz)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

fTÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

80Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

−Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

kHz




Small−Signal Current Gain(IC = 2.0 Adc, V CE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

hfeÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

12 Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

72 Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

−

3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle 2.0%.4. fT = |h fe | • ftest

1.0

0 0 25 50 75 100 125 150 175 200

Figure 1. Power Derating

TC, CASE TEMPERATURE (° C)

/ P D ( M A X ) , P

O W E R D I S S I P A T I O N ( N O R M A L I Z E D )

0.8

0.6

0.4

0.2

P D

8/12/2019 2N3442-D


2N3442

http://onsemi.com

3

ACTIVE REGION SAFE OPERATING AREA INFORMATION

There are two limitations on the power−handlingability of a transistor: average junction temperature andsecond breakdown. Safe operating area curves indicateIC − V CE limits of the transistor that must be observedfor reliable operation, i.e., the transistor must not be

subjected to greater dissipation than the curves indicate.The data of Figure 2 is based on T J(pk) = 200 C; T C

is variable depending on conditions. At high casetemperatures, thermal limitations will reduce the powerthat can be handled to values less than the limitationsimposed by second breakdown.

20

2.0VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

10

7.05.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.25.0 20 100 200

I C ,

C O L L E C T O R

C U R R E N T ( A M P )

CURRENT LIMITTHERMAL LIMIT @ TC = 25° CSINGLE PULSESECOND BREAKDOWN LIMIT

dc

1.0 ms

10 s

0.5

0.3

3.0 7.0 10 30 50 70

30 s

50 s

100 sTJ = 200° C

100 ms

Figure 2. 2N3442

V C E

, C O L L E C T O R

− E M I T T E R V O L T A G E ( V O L T S

400

0.1

Figure 3. DC Current Gain

IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

4.00.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10

40

20

100

60

h F E , D

C C U R R E N T G A I N

TJ = 150° C

25° C−55° C

VCE = 4.0 V

6.0

10

200

7.0

Figure 4. Collector−Saturation Region

1.4

2.0IB, BASE CURRENT (mA)

05.0 10 20 50 100 200 500 1.0 k 2.0 k

1.0

0.8

0.6

0.4

IC = 1.0 A

TJ = 25° C

4.0 A 8.0 A1.2

0.2

2.0 A

8/12/2019 2N3442-D


2N3442

http://onsemi.com

4

PACKAGE DIMENSIONS

TO−204 (TO−3)CASE 1−07

ISSUE Z

NOTES:1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH

REFERENCED TO−204AA OUTLINE SHALL APPLY.

DIM MIN MAX MIN MAXMILLIMETERSINCHES

A 1.550 REF 39.37 REFB −−− 1.050 −−− 26.67C 0.250 0.335 6.35 8.51D 0.038 0.043 0.97 1.09E 0.055 0.070 1.40 1.77G 0.430 BSC 10.92 BSCH 0.215 BSC 5.46 BSCK 0.440 0.480 11.18 12.19L 0.665 BSC 16.89 BSCN −−− 0.830 −−− 21.08Q

0.151 0.165 3.84 4.19U 1.187 BSC 30.15 BSCV 0.131 0.188 3.33 4.77

AN

E

C

K

−T− SEATINGPLANE

2 PLDMQM0.13 (0.005) Y MT

M YM0.13 (0.005) T−Q−

−Y−

2

1

UL

G B

V

H

STYLE 1:PIN 1. BASE

2. EMITTERCASE: COLLECTOR

ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further noticeto any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liabil ity

arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. Alloperating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rightsnor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applicationsintended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. ShouldBuyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or deathassociated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an EqualOpportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.

PUBLICATION ORDERING INFORMATIONN. American Technical Support : 800−282−9855 Toll FreeUSA/Canada

Japan : ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051Phone : 81−3−5773−3850

2N3442/D

LITERATURE FULFILLMENT :Literature Distribution Center for ON SemiconductorP.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USAPhone : 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/CanadaFax : 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/CanadaEmail : [email protected]

ON Semiconductor Website : http://onsemi.com

Order Literature : http:// www.onsemi.com/litorder

For additional information, please contact yourlocal Sales Representative.

Documents

2N3442-D