คมอหนวยความจำาแฟลช

หนวยความจำาแฟลชสำาหรบคอมพวเตอร กลองดจตอล โทรศพทมอถอและ

อปกรณอน ๆ

คมอหนวยความจำาแฟลช

1

Kingston® คอผผลตหนวยความจำาอสระชนนำาของโลก โดยมผลตภณฑแฟลชการด แฟลชไดรฟ USB และไดรฟ Solid State (SSD) (เรยกรวมเปนอปกรณบนทกขอมลแฟลช) มากมายจำาหนายซงใชชปหนวยความจำาแฟลชในการจดเกบขอมล คมอชดนมเปาหมายเพออธบายเกยวกบเทคโนโลยตาง ๆ และขอเสนอผลตภณฑหนวยความจำาแฟลชทมจดจำาหนาย

หมายเหต: เนองจากการเปลยนแปลงดานเทคโนโลย รายละเอยดทางเทคนคทแจงในเอกสารชดนอาจมการเปลยนแปลงโดยไมตองแจงใหทราบ

1.0 หนวยความจำาแฟลช:เตรยมพรอมสยคอนาคตกบอปกรณจดเกบขอมลแฟลช

Toshiba เปนผคดคนหนวยความจำาแฟลชในชวงทศวรรษท 1980 โดยถอเปนเทคโนโลยหนวยความจำาใหมทสามารถบนทกขอมลสำาหรบจดเกบไวไดแมวาอปกรณจดเกบขอมลจะไมมไฟเลยงกตาม นบตงแตนนเปนตนมา เทคโนโลยหนวยความจำาแฟลชกไดพฒนาขนมาเปนสอบนทกขอมลแบบตางๆสำาหรบผใชทวไปและสำาหรบการใชงานในระดบอตสาหกรรม

สำาหรบอปกรณใชงานทวไปหนวยความจำาแฟลชถกใชอยางแพรหลายกบ:

• คอมพวเตอรโนตบก • คอมพวเตอรสวนบคคล• แทบเลต • กลองดจตอล• ระบบระบตำาแหนงดวยดาวเทยม (GPS) • โทรศพทมอถอ• เครองเลนเพลง Solid State เชน • เครองเลนเพลงอเลกทรอนกส เครองเลน MP3 • โทรทศน • เครองเลนเกมพกพาและเครองเลนเกมสำาหรบเลนในบานนอกจากนหนวยความจำาแฟลชยงถกใชในอตสาหกรรมตาง ๆ ทตองการเสถยรภาพในการทำางานและคณสมบตในการเกบรกษาขอมลขณะไมมกระแสไฟ เชนใน:

• ระบบความปลอดภย/กลอง IP • ระบบใชงานดานความมนคง• คอมพวเตอรทมฟงกชนสำาเรจรป • กลองรบสญญาณ• ระบบเครอขายและการสอสาร • อปกรณสอสารไรสาย• ระบบการจดการสวนคาปลก • อปกรณ PoS (เชน เครองสแกนแบบพกพา)

หมายเหต: หนวยความจำาแฟลชสวนใหญของ Kingston ออกแบบและทดสอบมาแลววาสามารถทำางานกบอปกรณใชงานทวไปได สำาหรบการใชงานทางอตสาหกรรมหรอการใชงานเฉพาะดานทเกนกวามาตรฐานการใชงานทวไป แนะนำาใหตดตอกบ Kingston โดยตรง อาจตองมการกำาหนดโครงรางเปนพเศษโดยเฉพาะสำาหรบการใชงานทจะสงผลตอความทนทานของเซลลแฟลช (ดในขอ 3.0)

2.0 ความจของSSD,แฟลชการดและแฟลชไดรฟUSB

ความจทแจงบางสวนสำาหรบไดรฟแฟลชใชอางองสำาหรบการฟอรแมตหรอฟงกชนอน ๆ ไมใชความจสำาหรบใชจดเกบขอมลทแทจรง

ขณะออกแบบและผลตสอบนทกขอมลแฟลช บรษทมขนตอนมากมายเพอตรวจสอบใหแนใจวาอปกรณจะทำางานเชอถอได และรองรบอปกรณโฮสต (คอมพวเตอร กลองดจตอล แทบเลต โทรศพทมอถอ ฯลฯ) ในการเรยกคนเซลลหนวยความจำา เชน เพอจดเกบและเรยกคนขอมลในสอบนทกขอมลแฟลช การฟอรแมตครอบคลมกระบวนการตอไปน

1. การทดสอบเซลลหนวยความจำาแตละสวนในสอบนทกขอมลแฟลช

2. การระบหาเซลลทงหมดทมปญหา และดำาเนนการเพอใหแนใจวาจะไมมการเขยนขอมลหรออานขอมลไปยงเซลลทมปญหา

3. การสงวนเซลลบางสวนเปน “พนทสำารอง” เซลลหนวยความจำาแฟลชมอายการใชงานยาวนานแตไมถาวร ดวยเหตนเซลลบางสวนจะถกสงวน

คมอหนวยความจำาแฟลช

2

ไวเพอแทนทเซลลหนวยความจำาทอาจเสยหายไปตามเวลา

4. การจดทำา File Allocation Table (FAT) หรอไดเรคทอรอน ๆ เปดใชสอบนทกขอมลแฟลชเพอจดเกบและเรยกคนไฟลของลกคาอยางสะดวกไดโดยจดทำาระบบการจดการไฟลเพอใหอปกรณหรอคอมพวเตอรสามารถตรวจหาไฟลทจดเกบไวในสอบนทกขอมลแฟลช ระบบจดการไฟลทเปนทนยมทสดสำาหรบสอบนทกขอมลแฟลชคอ File Allocation Table (FAT) ซงใชกบฮารดไดรฟดวยเชนกน

5. การสำารองเซลลบางสวนสำาหรบใชโดยสวนควบคมของสอบนทกขอมลแฟลช เชน เพอจดเกบอพเดตเฟรมแวรและขอมลเฉพาะอน ๆ ของสวนควบคม

6. การสงวนเซลลบางสวนสำาหรบคณสมบตพเศษ แลวแตกรณ เชน การด Secure Digital (SD) ตองมพนทสงวนเพอรองรบการปองกนการเขยนและระบบความปลอดภยบางอยาง

3.0 คณสมบตของผลตภณฑจดเกบขอมลแฟลชจากKingston

อปกรณจดเกบขอมลแฟลชจาก Kingston มขอดอยมากมาย

• การรบประกนอปกรณจดเกบขอมลแฟลช: Kingston รบประกนวาอปกรณจดเกบขอมลแฟลชของบรษทปราศจากขอบกพรองของตววสดและคณภาพการผลตภายในระยะเวลาทระบตอไปน

รบประกนผลตภณฑตลอดอายการใชงาน: ผลตภณฑตอไปนของ Kingston ไดรบการรบประกนตลอดอายการใชงาน: หนวยความจำาไดแก ValueRAM®, HyperX®, Retail Memory และหนวยความจำาเฉพาะจาก Kingston หรอแฟลชการด (เชน Secure Digital, Secure Digital HC และ XC, CompactFlash, MultiMediaCard, SmartMedia) รวมทงหวตอแฟลชการด

รบประกนหาป: ผลตภณฑของ Kingston ตอไปนไดรบความคมครองตามแผนการรบประกนตอไปนเปนเวลาหาปนบจากวนทซอโดยผใชปลายทางรายแรก: ไดรฟ USB DataTraveler® และ SSDNow KC100 (ไดรฟ Solid State)

รบประกนสามป: ผลตภณฑของ Kingston ตอไปนไดรบความคมครองตามแผนการรบประกนตอไปนเปนเวลาสามปนบจากวนทซอโดยผใชปลายทางรายแรก: SSDNow (ไดรฟ Solid State) ยกเวนสำาหรบ SSDNow KC100, SSDNow S200/30GB และ SSDNow SMS200/30GB

รบประกนสองป: ผลตภณฑของ Kingston ตอไปนไดรบความคมครองตามแผนการรบประกนตอไปนเปนเวลาสองปนบจากวนทซอโดยผใชปลายทางรายแรก: SSDNow S200/30GB, SSDNow SMS200/30GB, DataTraveler Workspace, MobileLite Wireless – Gen 2, MobileLite Reader, microSD Reader, ชดหฟง HyperX Cloud (รวมทงสนคาโปรโมชนอน ๆ ทจดไวรวมกน)), แผนรองเมาส HyperX Skyn และผลตภณฑภายใตโครงการ Kingston Customization โครงการ Kingston Customization จำากดเงอนไขการตดเครดตหรอคนเงนในชวงระยะเวลารบประกนสองป ในบางกรณ Kingston อาจเปลยนแทนผลตภณฑทมปญหาซงสงผาน Kingston Customization Program เปนผลตภณฑเทยบเทาทสามารถใชการได

รบประกนหนงป: ผลตภณฑของ Kingston ตอไปนไดรบความคมครองตามแผนการรบประกนตอไปนเปนเวลาหนงปนบจากวนทซอโดยผใชปลายทางรายแรก: MobileLite Wireless – Gen.1, MobileLite Reader, DataTraveler Accessory Kit, Wi-Drive®, TravelLite SD/MMC Reader และ HyperX Fan

ดรายละเอยดเพมเตมไดท kingston.com/company/warranty.asp

• ไดรฟ Solid State: อปกรณจดเกบขอมลแฟลชเปนอปกรณแบบกงตวนำาทไมมชนสวนเคลอนท จงไมมปญหาจากชนสวนตาง ๆ ทมกเกดขนกบฮารดไดรฟ เสถยรภาพของขอมลโดยรวมชวยใหผลตภณฑกลมนไดรบการยอมรบและถกเลอกใชเปนหนวยความจำาพกพาทมความสะดวก ทำางานเงยบโดยไมมเสยงรบกวนแตอยางใด

• ขนาดเลก (ฟอรมแฟคเตอร): อปกรณจดเกบขอมลแฟลชออกแบบมาใหพกพาไดงาย ความสะดวกคอขอพจารณาทสำาคญ โดยเฉพาะอยางยงสำาหรบผใชทวไปและผใชกลมองคกร

• เสถยรภาพของขอมลสง: หนวยความจำาแฟลชมเสถยรภาพสงมากและอปกรณจดเกบขอมลแฟลชหลายตวยงม Error Correction Code (ECC) ทคอยตรวจสอบขอผดพลาดและฟงกชนกระจายสวนประกอบทสกหรอระดบสง

คมอหนวยความจำาแฟลช

3

เชน ไดรฟ SSD จาก Kingston จะมพกดขอผดพลาดกำาหนดไวทตำากวาหนง (1) บตตอ 1,000,000,000,000,000 บตของขอมลทอาน (1 บตตอ 1015 บตทอาน)

• ระบบเกบรกษาขอมลแฟลชจาก Kingston: อปกรณจดเกบขอมลแฟลชจาก Kingston สวนใหญใชหนวยความจำาแฟลช MLC/TLC การเกบรกษาขอมลทหนวยความจำาแฟลชเปนแบบไดนามคเนองจากจำานวนรอบการทำางานของหนวยความจำาจะสงผลตอความสามารถในการเกบรกษาขอมล ขอมลทสำาคญจงตองมการสำารองไวผานสอบนทกขอมลอนเพอความปลอดภยในระยะยาว

• เทคโนโลยกระจายการสกหรอของสวนประกอบ: อปกรณจดเกบขอมลแฟลชจาก Kingston เลอกใชระบบควบคมทมาพรอมเทคโนโลยการกระจายการสกหรอของสวนประกอบ โดยจะกระจายรอบ P/E (เขยนโปรแกรม/ลบ) กบหนวยความจำาแฟลชอยางทวถงกน ระบบกระจายการสกหรอชวยยดอายการใชงานของการดหนวยความจำาแฟลช (ดรายละเอยดไดจากหวขอ ความทนทานของแฟลชเซลลจาก Kingston ตอจากน)

• ความทนทานของแฟลชเซลล: เซลลหนวยความจำาแฟลชแบบไมเลอนหายมรอบการเขยนโปรแกรม/ลบขอมล (P/E) ทจำากด ทกครงทมการเขยนขอมลหรอลบขอมลจากอปกรณจดเกบขอมลแฟลช จำานวนรอบการเขยนโปรแกรม/ลบขอมลจะลดลงจนไมสามารถใชหนวยความจำาแฟลชดงกลาวไดอกตอไป

สำาหรบแฟลชแบบ Multi-Level Cell (MLC) การเขยนสามารถทำาได 3000 รอบตอเซคเตอรภายใตกระบวนการลโธกราฟในปจจบน (19nm และ 20nm) ขณะทมการเผยแพรขอมลชดน สำาหรบแฟลช Single-Level Cell (SLC) รอบการเขยนจะไมเกน 30,000 รอบตอเซคเตอร สำาหรบแฟลช Triple-Level Cell (TLC) รอบการเขยนจะไมเกน 500 รอบตอเซคเตอร กระบวนการลโธกราฟทใชผลตสวนประกอบหนวยความจำาแฟลชมบทบาทอยางยงตอความทนทานของแฟลช และยงชวยลดขนาดของดายไปดวยพรอม ๆ กน

• เทคโนโลยหนวยความจำาแฟลช: สำาหรบแฟลช Multi-Level Cell (MLC) จะมระดบโครงสรางหลายชนตอเซลลเพอใหสามารถจดเกบบตไดมากกวาโดยใชทรานซสเตอรจำานวนเทา ๆ กน เทคโนโลยแฟลช MLC NAND มการทำางานแบงออกเปนสสถานะตอเซลล สำาหรบ Single-Level Cell (SLC) แตละเซลลจะสามารถจดเกบไดสองสถานะ สำาหรบ Triple-Level Cell (TLC) บตสามารถจดเกบไดแปดสถานะ กระบวนการลโธกราฟทใชผลตสวนประกอบหนวยความจำาแฟลชมบทบาทอยางยงตอความทนทานของแฟลช และยงชวยลดขนาดของดายไปดวยพรอม ๆ กน

• ตวคณการเขยนขอมล: ตวแปรยกกำาลงในการเขยนขอมลหรอ “WAF” จะถกจดจำาไวในอปกรณจดเกบขอมลแฟลชทงหมด ตวคณการเขยนขอมลเปนสดสวนระหวางจำานวนขอมลทเขยนจากโฮสตและจำานวนขอมลทเขยนจรงไปยงชปหนวยความจำาแฟลช อปกรณแฟลชทงหมดจะเขยนขอมลเตมทงบลอค ซงหมายถงหากตองการเขยนขอมลไปยงบลอคทมขอมลบางสวนอยแลว ระบบควบคมแฟลชจะตองยายขอมลทมอยในบลอคดงกลาว (โดยปกตเปนหนวยความจำา) และนำาไปผนวกกบขอมลใหมและเขยนบลอคขอมลทงหมดไปยงหนวยความจำาแฟลช เชน ไฟลขนาด 2MB สามารถเขยนจากโฮสตไปยงอปกรณแฟลชได แตอาจมการเขยนขอมลทงหมด 4MB ไปยงหนวยความจำาแฟลชเพอสนสดกระบวนการเขยนดงกลาว ในกรณนตวคณการเขยนขอมลจะอยท 2 ในบางกรณ WAF อาจสงถง 20 หรอ 30

• การปรบผงเซคเตอรทไมสมบรณอตโนมต: ระบบควบคมแฟลชจาก Kingston จะลอคแยกสวนทมเซลลหนวยความจำาทไมสมบรณ (“บลอคทไมสมบรณ”) และยายขอมลไปยงสวนอน (“บลอคสำารอง”) เพอปองกนขอมลเสยหาย ระหวางการฟอรแมตจากโรงงาน (ตามทระบในขอ 2) บลอคสำารองจะถกแยกไวทอปกรณจดเกบขอมลแฟลชสำาหรบการปรบผงเซคเตอรทไมสมบรณเมอใชงานไปเรอย ๆ เพอเพมอายการใชงานและเสถยรภาพในการทำางานของอปกรณจดเกบขอมลแฟลช

• หวตอคณภาพสง: อปกรณจดเกบขอมลแฟลชจาก Kingston ใชหวตอคณภาพสงเพอใหแนใจวาอปกรณหนวยความจำาแฟลชจะมอายการใชงานยาวนานและมเสถยรภาพ

• อณหภมและความชนในการทำางาน: SSD: 0 – 70°C, ความชน: 85% RH แฟลชไดรฟ USB: 0 – 60°C, ความชน: 85% RH SD และ Micro SD: -25°C – 85°C, ความชน: 95% RH การด CF: 0 – 60°C, ความชน: 95% RH การดรดเดอร: 0 – 60°C, ความชน 85 %RH

คมอหนวยความจำาแฟลช

4

ดรายละเอยดทางเทคนคดานสงแวดลอมของผลตภณฑไดจากหนาขอมลผลตภณฑและเอกสารขอมลจาก Kingston

1 ขาวประชาสมพนธจาก Toshiba “Toshiba America Electronic Components, Inc. Releases Performance Research on MLC NAND Flash Memory

for Consumer Applications,” 10 พ.ค. 2004

• ความจสง: อปกรณจดเกบขอมลแฟลชมพนทจดเกบขอมลขนาดใหญแตมขนาดเลกกะทดรด ความยดหยนในการใชงานนทำาใหกลายเปนตวเลอกสำาหรบกลมผใชทวไป เชน ในการถายภาพยนตรดจตอลหรอบนทกไฟลเพลง MP3 ซงความสะดวกในการพกพาเปนเงอนไขทสำาคญ

หมายเหต: ความจทแจงบางสวนใชอางองสำาหรบการฟอรแมตหรอฟงกชนอน ๆ ไมใชความจสำาหรบใชจดเกบขอมลทแทจรง ดรายละเอยดจากขอ 2

• ประสทธภาพสง: แฟลชการด Ultra High Speed (UHS) และแฟลชไดรฟ Hi-Speed/SuperSpeed DataTraveler USB จาก Kingston ทำางานไดรวดเรวกวาหนวยความจำาแฟลชมาตรฐานและผลตภณฑหลายตวของคแขง วศวกรของ Kingston ไดทำาการทดสอบและคดสรรระบบควบคมทมประสทธภาพสงเพอใหแนใจวาแฟลชการดของ Kingston จะมผลงานทโดดเดนทสด ดขอมลเกยวกบประสทธภาพในการทำางานของ USB, Hi-Speed และ Super Speed USB ไดจากภาคผนวก ผลตภณฑแฟลชมาตรฐานจาก Kingston มประสทธภาพในระดบทเชอมนไดสำาหรบการใชงานทวไป

• อตราสนเปลองพลงงานตำา: หนวยความจำาแฟลชเปนหนวยความจำาแบบไมเลอนหายแตกตางจาก DRAM มาตรฐานทจะตองไดรบไฟเลยงตอเนองเพอรกษาขอมลไว ทำาใหหมดปญหาเรองการใชไฟเพอเกบรกษาขอมล อตราสนเปลองพลงงานทตำาของหนวยความจำาแฟลชทำาใหเวลาใชงานแบตเตอรของอปกรณโฮสตยาวนานขน

• รองรบ Plug-and-Play: หนวยความจำาแฟลชจาก Kingston รองรบการเชอมตอแบบ PnP เทคโนโลย PnP และระบบปฏบตการของคอมพวเตอรทรองรบทำาใหสามารถเสยบตออปกรณจดเกบขอมลแฟลชกบคอมพวเตอรหรอแฟลชมเดยรดเดอรโดยระบบคอมพวเตอรสามารถตรวจหาและใชงานไดอยางรวดเรว

• รองรบระบบ Hot-Swapping: Hot-swapping รองรบการเสยบและถอดอปกรณจดเกบขอมลแฟลชกบคอมพวเตอรหรอรดเดอรทรองรบโดยไมตองปดเครองหรอรสตารทคอมพวเตอร คณสมบตนชวยเพมความสะดวกในการเคลอนยายและในการโอนขอมล ภาพและไฟลเพลงระหวางคอมพวเตอรหรออปกรณสองตวผานอปกรณจดเกบขอมลแฟลช

4.0 NORแบบไมเลอนหายและเทคโนโลยแฟลชNAND

หนวยความจำาแฟลชเปนหนวยความจำาแบบไมเลอนหายซงแตกตางจาก Dynamic Random Access Memory (DRAM) หนวยความจำาแบบไมเลอนหายสามารถเกบรกษาขอมลไวไดแมจะไมมไฟเลยง เชน เมอปดคอมพวเตอร ขอมลทงหมดทอยในหนวยความจำา DRAM ของคอมพวเตอรจะสญหายไป แตเมอนำาอปกรณจดเกบขอมลแฟลชออกจากกลองดจตอล ขอมล (และไฟลภาพ) ทงหมดจะถกบนทกไวทอปกรณจดเกบขอมลแฟลช ความสามารถในการเกบรกษาขอมลคอหวใจสำาคญของหนวยความจำาแฟลช ทำาใหถกนำาไปใชในงานตาง ๆ เชน การถายภาพยนตรดจตอลกบกลองดจตอล โทรศพทมอถอ แทบเลตหรออปกรณพกพาอน ๆ

หนวยความจำาแฟลชเลอกใชเทคโนโลยทเดน ๆ สองประเภทไดแก NOR และ NAND เทคโนโลยแตละแบบจะมขอดขอเสยของตนเอง

เหมาะสำาหรบการใชงานทแตกตางกนตามขอมลสรปในตารางตอไปน

แฟลชNOR แฟลชNAND

เรยกคนไดรวดเรว ใช ใช

สบคนขอมลเพจโหมด ไม ใช

สบคนขอมลระดบไบตแบบสม ใช ไม

คมอหนวยความจำาแฟลช

5

แฟลชNOR แฟลชNAND

การใชงานทวไป หนวยความจำาอปกรณเครอขาย ระบบจดเกบขอมลทางอตสาหกรรม

4.1หนวยความจำาแฟลชNOR

NOR ยอมาจากวธการทำาผงขอมลเฉพาะ (Not OR) โดยถอเปนเทคโนโลยแฟลชความเรวสง หนวยความจำาแฟลชรองรบการสบคนขอมลแบบสม

ทความเรวสงสามารถอานและเขยนขอมลไปยงตำาแหนงเฉพาะในหนวยความจำาไดโดยไมตองสบคนหนวยความจำาแบบเรยงตามลำาดบ แฟลช

NOR แตกตางจากแฟลช NAND ตรงทสามารถเรยกคนขอมลเลกขนาดไบตเดยวได แฟลช NOR ใชไดดในการใชงานทตองมการสบคนหรอเขยน

ขอมลแบบสม NOR มกตดตงสำาเรจในโทรศพทมอถอ (เพอจดเกบระบบปฏบตการของโทรศพท) และ PDA นอกจากนยงใชกบคอมพวเตอรเพอ

จดเกบโปรแกรม BIOS สำาหรบรองรบฟงกชนการทำางานกอนเครองเขาสระบบปฏบตการ

4.2หนวยความจำาแฟลชNAND

แฟลช NAND คดคนขนหลงจากแฟลช NOR โดยไดชอมาจากเทคโนโลยจดทำาผงโครงสรางเฉพาะสำาหรบขอมล (Not AND) หนวยความจำาแฟลช

NAND อานและเขยนขอมลทความเรวสงในโหมดเรยงตามลำาดบ โดยจดการขอมลเปนขนาดบลอคเลก ๆ (“เพจ”) แฟลช NAND สามารถสบคน

หรอเขยนขอมลเปนเพจเดยวกน แตไมสามารถสบคนไบตแยกเฉพาะไดเหมอนแฟลช NOR

หนวยความจำาแฟลช NAND มกพบในฮารดไดรฟ SSD อปกรณแฟลชมเดยสำาหรบภาพและเสยง กลองรบสญญาณโทรทศน กลองดจตอล

โทรศพทมอถอ (สำาหรบเกบขอมล) และอปกรณอน ๆ ทมกเขยนหรออานขอมลแบบเรยงตามลำาดบ

เชน กลองดจตอลสวนใหญจะใชเกบไฟลภาพยนตรดจตอลแบบแฟลช NAND เนองจากมกมการถายและจดเกบภาพเรยงตามลำาดบ แฟลช

NAND ยงมประสทธภาพมากกวาในกรณทมการอานขอมลภาพถาย เนองจากสามารถโอนขอมลเพจทงหมดไดอยางรวดเรว แฟลช NAND จง

เปนระบบจดเกบขอมลแบบเรยงตามลำาดบทเหมาะอยางยงสำาหรบงานดานการจดเกบขอมล

หนวยความจำาแฟลช NAND ยงมราคาถกกวาหนวยความจำาแฟลช NOR และมความจมากกวาทขนาดดายเทา ๆ กน

หนวยความจำาแฟลชทจดเกบขอมลบตเดยวตอเซลล (เชน คา “0” หรอ “1” ตอเซลล) เรยกเปนแฟลชแบบ Single-Level Cell (SLC)

5.0 การวางซอนดายและเทคโนโลยแฟลชMulti-LevelCell/Multi-BitCell

เพอเพมพนทจดเกบบตขอมลโดยไมสรางภาระคาใชจายทชปหนวยความจำาแฟลชสามารถรองรบได ผผลตจงเลอกใชเทคนคการเรยงซอนดาย

และเทคโนโลย Multi-Level Cell กบ Multi-Bit Cell เทคโนโลยเหลานทำาใหชปหนวยความจำาแฟลชสามารถจดเกบขอมลตอชปหนงตวไดมากกวา

5.1การวางซอนดาย

ผผลตวสดกงตวนำาหลายรายเลอกใชเทคนค “การวางซอนดาย” เพอเพมความจของชปหนวยความจำาแฟลช หลงจากมกระบวนการผลตเวเฟอร

วสดกงตวนำาขน ผผลตจงสามารถตดแบบ “ดาย” ซลคอนหนวยความจำาแฟลช และตดตงหรอเรยงซอนไวดวยกน

เชน หากผผลตวสดกงตวนำาเรยงซอนดาย 32 กกะบตสองตวเขาดวยกนกจะไดชปหนวยความจำาแฟลชขนาด 64 กกะบต

การเรยงซอนดายเปนอกทางเลอกทชวยลดตนทนเพอใหไดชปทมความจเพมขนมากกวาชปแบบดายตวเดยว (ชป “โมโนลธค”) การเรยงซอนชป

32 กกะบตสองตวเขาดวยกนมคาใชจายนอยกวาการจดซอชปโมโนลธค 64 กกะบตมาก ชป 64 กกะบตจงสามารถใชเพอผลตเปนแฟลชการด

ขนาด 8GB (การดแบบชปตวเดยว) หรอแฟลชการดขนาด 16GB (ชปสองตวตอการด)

เทคนคการเรยงซอนดายจะคลาย ๆ กบเทคโนโลยการเรยงซอน DRAM ท Kingston ใชเพอผลตหนวยความจำาระดบสงสำาหรบเซรฟเวอร แฟลช

การดแบบเรยงซอนดายของ Kingston จงทำางานไดมเสถยรภาพและมประสทธภาพสง

5.2เทคโนโลยแฟลชMulti-LevelCell(MLC)/Triple-LevelCell(TLC)

ชปหนวยความจำา NAND หรอ NOR จะจดเกบคาหนง (1) บต ( “0” หรอ “1”) ในเซลลแตละเซลล สำาหรบเทคโนโลยแฟลชแบบ Multi-Level คา

คมอหนวยความจำาแฟลช

6

สอง (2) คาจะถกจดเกบไวในแตละเซลล สำาหรบเทคโนโลยแฟลชแบบ Triple-Level คาสาม (3) คาจะถกจดเกบไวในแตละเซลล

Kingston เลอกใชหนวยความจำาแฟลชทงแบบ MLC/TLC เพอผลตแฟลชการดมาตรฐาน SSD และแฟลชไดรฟ DataTraveler USB ของบรษท

6.0 ประสทธภาพของอปกรณจดเกบขอมลแฟลช

ประสทธภาพของอปกรณจดเกบขอมลแฟลชจะขนอยกบปจจยสามขอตอไปน

• ชปหนวยความจำาแฟลชทใช: ชปแฟลชความเรวสงแบบ Single-Level Cell (SLC) ทมราคาแพงมขอดขอเสยของตนเองแตกตางไปจากชปแฟลช Multi-Level Cell (MLC)/Triple-Level Cell (TLC) ซงมราคาประหยดกวา

• ระบบควบคมของอปกรณจดเกบขอมลแฟลช: อปกรณจดเกบขอมลแฟลชในปจจบนมระบบควบคมหนวยความจำาแฟลชในตว ชปแบบพเศษนทำาหนาทจดการอนเทอรเฟซการเชอมตอกบอปกรณโฮสต และคอยดแลการอานและเขยนขอมลจากชปแฟลชทอปกรณจดเกบขอมลแฟลช หากระบบควบคมโฮสตสามารถรองรบความเรวในการถายโอนขอมลทสงกวา การใชระบบควบคมแฟลชทเหมาะสมจะชวยลดเวลาในการอานหรอเขยนขอมลไปยงหนวยความจำาแฟลชลงไดอยางมาก

• อปกรณโฮสตทเชอมตอกบอปกรณจดเกบขอมลแฟลช: หากอปกรณโฮสต (คอมพวเตอร กลองดจตอล โทรศพทมอถอ ฯลฯ) มจำากดความเรวในการอานและเขยนขอมล การใชอปกรณจดเกบขอมลแฟลชจะไมทำาใหประสทธภาพในการทำางานดขนแตอยางใด เชน การใชแฟลชไดรฟ USB 3.0 กบคอมพวเตอรทรองรบมาตรฐาน USB 2.0 จะไมทำาใหความเรวในการโอนขอมลเพมขน นอกจากนคอมพวเตอรจะตองกำาหนดคาไวอยางเหมาะสมเพอรองรบการถายโอนขอมลทเรวขนทงในสวนของฮารดแวรและซอฟตแวร ในกรณของเครอง PC เมนบอรดจะตองมหวตอ SuperSpeed USB 3.0 ในตว รวมทงระบบปฏบตการ (เชน Windows) จะตองมไดรเวอร USB 3.0 ทถกตองตดตงไวเพอใหสามารถรองรบการถายโอนขอมลระดบ SuperSpeed USB

ดรายละเอยดประสทธภาพในการทำางานของพอรต USB ไดจากภาคผนวก A

ผผลตหนวยความจำาแฟลชมการกำาหนดมาตรฐานความเรว “x-speed” ไวสำาหรบแฟลชการด ทงนเนองจากไมมมาตรฐานอตสาหกรรมทชดเจนกำาหนดไว การเปรยบเทยบผลตภณฑแฟลชตาง ๆ จงทำาไดยากสำาหรบผใชทวไป ดรายละเอยดไดจาก kingston.com/ Flash/x-speed

Kingston มการรวมมออยางใกลชดกบผผลตวสดกงตวนำาและระบบควบคมระดบโลกเพอใหแนใจวาอปกรณแฟลชจาก Kingston จะมคณสมบตเทยบราคา/ประสทธภาพทโดดเดนและคมคาสำาหรบลกคา สำาหรบกลมทคาดหวงประสทธภาพหรอผใชระดบสง Kingston มผลตภณฑรน Elite Pro/Ultimate ในกลม CompactFlash, UHS SD cards, แฟลชไดรฟ DataTraveler SuperSpeed USB 3.0 และs HyperX SSD

7.0 ผลตภณฑแฟลชจากKingston

อปกรณจดเกบขอมลแฟลชจาก Kingston มจำาหนายหลากหลายรนไดแก

- แฟลชไดรฟ USB (DataTraveler®) - Secure Digital Card (SD, SDHC, SDXC, microSD, microSDHC, microSDXC) - CompactFlash® Card - eMMC - SSD

7.1แฟลชไดรฟUSB

แฟลชไดรฟ USB เรมเปดตวครงแรกในป 2002 โดยเปนสอบนทกขอมลความจสงทถายโอนขอมลไดรวดเรว มความสะดวกในการใชงาน และ

ขนาดกะทดรดเพยงแคฝามอ ไดรฟ USB ถกเลอกใชแทนฟลอปปไดรฟหรอไดรฟ CD โดยมความจมากกวาฟลอปปดสกและไดรฟ CD-ROM มาก

นอกจากนยงสะดวกในการใชเพอดาวนโหลดและโอนไฟลดจตอลอยางรวดเรวจากคอมพวเตอรหรออปกรณใชงานของคณ

แฟลชไดรฟ USB ใชแฟลช NAND และระบบควบคมการทำางานในเคสขนาดเลก แฟลชไดรฟ USB สามารถใชงานรวมกบคอมพวเตอรและ

คมอหนวยความจำาแฟลช

7

อปกรณหลากหลายชนดทใชอนเทอรเฟซ Universal Serial Bus ไมวาจะเปน PC แทบเลต โทรทศนและเครองเลน MP3

Kingston มแฟลชไดรฟ USB DataTraveler และ Super Speed ความเรวสงหลากหลายใหเลอก ไดรฟ DataTraveler บางรนยงมระบบปองกน

ดวยรหสผานและระบบเขารหส AES ระดบฮารดแวรทชวยใหมนในดานความปลอดภยมากยงขน ดรายละเอยดเพมเตมไดท kingston.com/

Flash/dt_chart.asp.

7.2การดCompactFlash(CF)

การด CF ทำางานรวมกบระบบควบคมการทำางาน โดยมขนาดเทากบกลองไมขด การด CompactFlash ใชอนเทอรเฟซแบบ Integrated Device

Electronics (IDE) คลายกบฮารดไดรฟและ ATA PC Card Kingston เปนสมาชกของ CompactFlash Association ซงเปนผกำาหนดมาตรฐาน

สำาหรบการด CF

Kingston มจำาหนายการด CompactFlash แบบมาตรฐานและ Elite Pro รวมทง Ultimate สำาหรบกลมผใชระดบสง

การด CompactFlash Elite Pro/Ultimate จาก Kingston ถอเปนการดทเรวทสดในกลมอตสาหกรรม อตราการถายโอนขอมลทสงทำาใหเหมาะ

อยางยงสำาหรบใชกบอปกรณอยาง กลองดจตอลความละเอยดสง เพอใหกลองสามารถบนทกภาพไดอยางรวดเรวยงกวาและพรอมสำาหรบถาย

ภาพถดไปไดทนท

การด CompactFlash จำาหนายแบบฟอรมแฟคเตอร Type I:

อนเทอรเฟซ แรงดนไฟฟา จำานวนขา ขนาดเปนมม.

CompactFlash 3.3 และ 5 โวลท 50 36.4 x 42.8 x 3.3 (Type 1)

7.3SecureDigitalCard(SD,SDHC,SDXC,microSD,microSDHC,microSDXC)

Secure Digital เรมเปดตวครงแรกในชวงปลายป 2001 ถอเปนมาตรฐาน MultiMediaCard (MMC) รนทสอง (ดในขอ 7.4)

ฟอรแมต Secure Digital เลอกใชพฒนาการดานเทคโนโลยทสำาคญ ๆ หลากหลายอยางทเหนอกวา MMC ซงไดแกระบบปองกนความปลอดภย

เขารหสลบสำาหรบขอมล/ไฟลเพลงลขสทธ SD Card Association ซง Kingston เปนกรรมการบรหารเปนหนวยงานผกำาหนดมาตรฐานสำาหรบ

การด Secure Digital

การด SD จะหนากวาการด MMC เดมเลกนอย ซงหมายความวาอปกรณทออกแบบมาใหรองรบการด SD จะสามารถรองรบการด MMC (หาก

อปกรณโฮสตไมไดจำากดการใชงานเฉพาะ SD ภายใตระบบการจดการขอมลในการด SD) ทงนอปกรณทออกแบบมาโดยเฉพาะสำาหรบการด

MMC จะไมสามารถรองรบการด SD ทมความหนากวาได

Kingston มจำาหนายการด SD มาตรฐานและการด Ultimate SD ประสทธภาพสงทสามารถเกบไฟลวดโอความละเอยดสงได Secure Digital

High Capacity (SDHC) มความจเรมตนท 4GB, Secure Digital Extended Capacity (SDXC) มความจเรมตนท 64GB ถอเปนอกทางเลอกท

มพนทจดเกบขอมลมากกวาและเหมาะสำาหรบการบนทกขอมลฟอรแมต FAT/FAT32/exFAT นอกจากนการด SDHC และ SDXC จาก Kingston

ใชพกด “คลาส” ความเรวท Class 4, 10 และ UHS Class 1 และ 3 รองรบอตราการถายโอนขอมลขนตำาไดตามมาตรฐานสำาหรบอปกรณทรองรบ

การด SDHC และ SDXC แมวาจะมขนาดเทากนกบการด SD ในปจจบนแตการด SDHC และ SDXC ใหมไดรบการออกแบบมาใหมความแตก

ตางและใชไดเฉพาะกบอปกรณทรองรบ SDHC & SDXC เทานน เพอใหสามารถใชงานรวมกนได กรณามองหาโลโก SDHC และ SDXC ทการด

และอปกรณโฮสต (กลองถายภาพ กลองถายวดโอ ฯลฯ)

microSD (SDC) เปนสถาปตยกรรมแบบพกพาของการด SD สำาหรบใชกบโทรศพทมอถอหรออปกรณพกพาอน ๆ microSD มขนาดเลกกวาการด

SD มาตรฐาน เมอใชกบหวตอทจดมาใหจะสามารถใชกบสลอตของอปกรณทรองรบการด SD มาตรฐาน (เชน แฟลชมเดยรดเดอร)

การด microSDHC มพนทจดเกบขอมลมากกวาเหมาะสำาหรบเกบไฟลเพลง วดโอ ภาพถายและเกมตาง ๆ ซงสอดคลองกบชวตแบบพกพาใน

ปจจบน นอกจากนการด microSDHC จาก Kingston ใชพกด “คลาส” ความเรวใหมท Class 4, 10 และ UHS Class 1 และ 3 รองรบอตราการ

ถายโอนขอมลขนตำาไดตามมาตรฐานสำาหรบอปกรณทรองรบการด SDHC และ SDXC การด microSDHC ชวยใหผใชมพนทมากเพยงพอในการ

จดเกบขอมลสำาหรบอปกรณพกพารนใหม ๆ ในปจจบน

คมอหนวยความจำาแฟลช

8

อนเทอรเฟซ แรงดนไฟฟา จำานวนขา ขนาดเปนมม.

Secure Digital/SDHC/SDXC

(non UHS และ UHS-I)2.7 – 3.3 โวลท 9 32 x 24 x 2.1

Secure Digital/SDHC/SDXC (UHS-II) 2.7 – 3.3 โวลท 17 32 x 24 x 2.1

microSD / microSDHC microSDXC 2.7 – 3.3 โวลท 8 15 x 11 x 1

7.4EmbeddedMultiMediaCard(eMMC)

Kingston eMMC เปนแฟลชไดรฟ Embedded (EFD) ทพฒนาขนสำาหรบอปกรณมอถอและอปกรณอเลกทรอนกสสำาหรบใชงานทวไป eMMC

เปนอปกรณไฮบรดทผสมผสานระบบควบคมแฟลชทมฟงกชนการทำางานสำาเรจรปและหนวยความจำาแฟลช NAND ทใชอนเทอรเฟซ eMMC

มาตรฐาน

Kingston eMMC ใชหนวยความจำาแฟลช NAND ขนาดสงสด 64 GB เหมาะสำาหรบการจดเกบขอมลโดยเฉพาะ ระบบควบคมอจฉรยะของ

eMMC จะทำาหนาทจดการโปรโตคอลอนเทอรเฟซเชอมตอ การสบคนขอมล การทำางานของรหสแกไขขอผดพลาด (ECC) ระบบวนจฉยขอ

บกพรอง การจดการพลงงาน ระบบควบคมเวลาและกระบวนการอน ๆ แฟลชไดรฟ eMMC เปนประโยชนในการใชงานสำาหรบกลมมลตมเดย

แบบพกพา เชน เพอรองรบขอมลเพลง ภาพถาย วดโอ รายการโทรทศน ขอมล GPS เกม อเมล ฯลฯ สถาปตยกรรม eMMC เปนการจำาลองการ

ทำางานของฮารดดสกอยางสมบรณแบบเขากบโปรเซสเซอรโฮสตทำาใหการอาน/เขยนขอมลไมแตกตางจากฮารดไดรฟแบบเซคเตอรมาตรฐาน

ปกต นอกจากนระบบควบคม eMMC จาก Kingston ยงมการทำาผงโครงสรางเสมอนจรง ระบบปรบระดบการสกหรอแบบไดนามค ระบบปรบ

ระดบการสกหรอแบบคงทและระบบจดการบลอคขอมลอตโนมตเพอใหแนใจวาขอมลจะมเสถยรภาพและทนทานมากทสด

อนเทอรเฟซ จำานวนขา ขนาดเปนมม.

eMMC 153 BGA 11.5 x 13 x 1.0

eMMC 153 BGA 11.5 x 13 x 1.2

eMMC 169 BGA 12 x 16 x 1.0

eMMC 169 BGA 12 x 16 x 1.2

eMMC 169 BGA 12 x 16 x 1.4

7.5ไดรฟSolidState(SSD)

solid-state drive (SSD) คออปกรณบนทกขอมลทใชหนวยความจำา Solid State เพอจดเกบขอมลโดยมเปาหมายเพอรองรบการสบคนในลกษณะ

เดยวกบฮารดดสกไดรฟ (HDD) แบบปกต เมอป 2007 SSD สวนใหญจะใชหนวยความจำาแฟลช NAND แบบไมเลอนหายเพอเกบขอมลโดยไมม

ชนสวนทเคลอนทอยภายใน เมอเปรยบเทยบกบ HDD ไดรฟ SSD มโอกาสเกดปญหาจากการสนสะเทอนนอยกวาและทำางานไดเงยบกวา นอกจาก

นยงมเวลาหนวงในการสบคนขอมลทตำากวา ประสทธภาพจงเหนอกวามาก SSD ใชอนเทอรเฟซและฟอรมแฟคเตอรเดยวกนกบฮารดไดรฟทวไป

ทำาใหสามารถตดตงแทนฮารดไดรฟในคอมพวเตอรสวนใหญไดอยางไมยงยาก

Kingston มไดรฟ SSD มากมายสอดคลองตามความตองการของนกธรกจ ผใชทวไป ผประกอบเครองและกลมทคาดหวงประสทธภาพ SSD

สำาหรบธรกจจาก Kingston ถอเปนไดรฟทเรวทสดในกลมอตสาหกรรมและมการรบประกนทยาวนานกวา SSD สำาหรบผใชทวไปและสำาหรบกลม

ผพฒนาระบบเนนทความลงตวระหวางราคาและประสทธภาพในขณะทกลมทคาดหวงประสทธภาพเองกมนใจไดกบการทำางานทรวดเรวและการ

ออกแบบทสวยงามของไดรฟ HyperX SSD จาก Kingston

ชปหนวยความจำาแฟลชทใชใน SSD: มหนวยความจำาแฟลชอยสองประเภททใชกบ SSD ไดแกแบบ Multi-Level Cell (MLC) และ Single-Level

Cell (SLC) หนวยความจำาแฟลชทงสองประเภทมประสทธภาพและความทนทานทแตกตางกนไป เนองจากหนวยความจำาแฟลช SLC มราคาสง

กวา MLC จงเปนหนวยความจำาแฟลชทมกใชกบ SSD ทผลตสำาหรบใชกบโนตบกและ PC เดสกทอป SSD ทออกแบบมาสำาหรบเซรฟเวอรจะใช

คมอหนวยความจำาแฟลช

9

หนวยความจำาแฟลชแบบใหมทเรยกวา Enterprise MLC (eMLC) ซงมความทนทานมากกวาและเหมาะกบการทำางานทหนกหนวงของเซรฟเวอร

ระดบสง

ความทนทานของ SSD: ความทนทานของ SSD คอระยะเวลาทคาดวา SSD จะทำางานไดตามปกตภายใตภาระในการเขยนขอมลทกำาหนด ความ

ทนทานของ SSD โดยปกตจะพจารณาจากจำานวนไบตทเขยน (TBW) ไปยงไดรฟ นเปนจำานวนขอมลทงหมดทคาดวาคณจะสามารถเขยนไปยง

ไดรฟตลอดอายการใชงานทกำาหนด ความทนทานของหนวยความจำาแฟลชโดยปกตจะลดลงเรอย ๆ ไปตามจำานวนไดทลดลงใน NAND เรยก

เปน “ตวแปรยกกำาลงในการเขยนขอมล” หรอ WAF WAF คอสวนตางระหวางการเขยนของโฮสตและจำานวนขอมลทงหมดทเขยนไปยง NND ตอ

กระบวนการเขยนแตละรอบ อปกรณทใชหนวยความจำาแฟลช เชน SSD จะเขยนขอมลแบบเตมบลอค ในการเขยนขอมลไปยงบลอคทมขอมลบาง

สวนอยแลว อปกรณจะตองมขอมลทดอยในบลอคดงกลาวทจะผนวกกบขอมลใหมเพอเขยนซำาไปยงหนวยความจำาแฟลช เชน หากขอมล 2GB ถก

เขยนไปยง SSD ขอมลจรงทเขยนไปยงแฟลชอาจเปน 4GB ในกรณน WAF จะเทากบ (2) WAF จะแตกตางกนไปโดยอาจเรมตนจาก .5 หรอสงถง

20 หรอ 30 ขนอยกบระบบควบคม SSD และประเภทขอมลทกำาลงเขยน (แบบสมหรอเรยงตามลำาดบ) ไปยง SSD

ระบบควบคมสอบนทกขอมล SSD: SSD ใชระบบควบคมแฟลชทซบซอนเพอสอสารระหวาง Serial ATA Host Controller และชปแฟลชท SSD

ชปแบบพเศษนจะจดการการอานขอมลและการเขยนขอมลไปยงหนวยความจำาแฟลชท SSD ระบบควบคม SSD ยงทำาหนาทจดการการทำางานท

สำาคญอน ๆ เชน การปรบระดบการสกหรอและการรวบรวมขอมลขยะเพอยดอายการใชงานของไดรฟและชวยรกษาประสทธภาพในการทำางานของ

ไดรฟตลอดอายการใชงานใหคงท

อนเทอรเฟซโฮสต Serial ATA (SATA): SSD ทงหมดของ Kingston รองรบการเชอมตออนเทอรเฟซโฮสต SATA ทชวยให SSD จาก Kingston

สามารถตอใชงานกบโนตบก เดสกทอปและเซรฟเวอรใชงานทวไปไดเปนเวลาหลายป Kingston SSD สามารถใชงานไดกบระบบควบคมโฮสต

SATA revision 2, 3Gbps และ SATA revision 3, 6Gbps สวนใหญ ระบบควบคมโฮสต SATA สวนใหญรองรบการทำางานกบมาตรฐานเดมแตหาก

ระบบควบคมโฮสต SATA จำากดความเรวในการอานและการเขยนขอมลไว การใช SSD ทมความเรวสงกวาจะไมทำาใหการถายโอนขอมลเรวขนแต

อยางใด เชนหากตอ SATA Rev. 3 SSD เขากบระบบควบคมโฮสต SATA Rev. 2 การถายโอนขอมลจะเรวไดเทาทระบบควบคมโฮสตรองรบเทานน

อนเทอรเฟซ ความเรว แรงดนไฟฟา จำานวนขา ขนาดเปนมม.

SATA Rev. 2 3 Gbps 5 โวลท SATA 22 ขา 69.85 x 100 x 9.5

SATA Rev. 3 6 Gbps 5 โวลท SATA 22 ขา 69.85 x 100 x 9.5

7.6ไดรฟSSDmSATA(MO-300)และHalf-Slim(MO-297)รวมทงM.2SolidState

Kingston ขอนำาเสนอ mSATA และ Half-Slim SATA SSD ขนาดเลกสำาหรบผประกอบเครองและผพฒนาระบบโดยเฉพาะ ผลตภณฑกลมน

ออกแบบมาสำาหรบการใชงานในเชงพาณชยอยางแทจรง

MO-300 – mSATA หรอ Mini-SATA เปดตวโดย Serial ATA International Organization เมอเดอนกนยนยนป 2009 โดยผลตขนสำาหรบใชกบ

โนตบกและอปกรณอน ๆ ทตองการไดรฟ SSD ขนาดเลก หวตอจะคลายกบอนเทอรเฟซ PCI Express Mini Card โดยสามารถรองรบระบบไฟฟา

รวมกน ทงนสญญาณขอมลจะตองผานระบบควบคมโฮสต SATA แทนระบบควบคมโฮสตของ PCI-express การเชอมตอ mini PCIe บางสวน

เทานนทรองรบ SATA ดงนนควรตรวจสอบรายละเอยดกบผจำาหนายเครองกอนในเบองตน

MO-297 – Slim SATA เปนไดรฟ SSD ทพฒนาขนมาภายใตฟอรมแฟคเตอรพเศษ มประสทธภาพโดดเดน ตวไดรฟเปนไดรฟมาตรฐานแบบไมม

เคสตวนอก ขนาดไมถงครงหนงของไดรฟ SSD 2.5 นว Slim SATA ใชไดรฟ SATA แบบมาตรฐานและระบบเชอมตอทางไฟฟาเหมอนกบ SSD

ขนาด 2.5 นว ทำาใหสามารถใชกบเครองโฮสตไดอยางหลากหลาย Slim SATA เปนมาตรฐาน JEDEC (MO-297) โดยมจดยด (4) จดเพอยดไดรฟ

เขากบตวเครอง

M.2 – ไดรฟ M.2 ตวใหมเปนสอบนทกขอมลรนใหมทออกแบบมาเปนไดรฟ SATA ขนาดเลกเปนพเศษ M.2 พฒนาขนโดย PCI-SIG และออกแบบ

มาเปนผลตภณฑรนปรบปรงใหมสำาหรบ MO-300 โดยอาศยฟอรมแฟคเตอร PCI Express Mini Card และหวตอรนปจจบนทรองรบโมดลขนาด

ยาวและสวนประกอบแบบสองดาน โมดล M.2 เปนรปสเหลยมผนผาและมความกวางและความยาวทหลากหลาย ทงนโมดล M.2 ทมจำาหนาย

คมอหนวยความจำาแฟลช

10

ในเชงพาณชยจะมความกวางท 22 มม. และมความยาวระหวาง 30, 42, 60, 80 และ 110 มม. การเชอมตอ mini PCIe บางสวนเทานนทรองรบ

SATA ดงนนจงควรตรวจสอบรายละเอยดกบผจำาหนายเครองของคณกอนในเบองตน

ฟอรมแฟคเตอร อนเทอรเฟซ แรงดนไฟฟา จำานวนขา ขนาดเปนมม.

MO-300 SATA 3.3 โวลท 52 Pin PCIe Mini Card 50.8 x 30

MO-297 SATA 5 โวลท SATA 22 ขา 54 x 39

M.2 PCI Express 3.3 โวลท 75 Pins PCIe M.2 22 x 30, 42, 60, 80, 110

Kingston มการรวมมออยางใกลชดกบผผลตวสดกงตวนำาและระบบควบคมระดบโลกเพอใหแนใจวา SSD จาก Kingston จะม

คณสมบตเทยบราคา/ประสทธภาพทโดดเดนและคมคาสำาหรบลกคา

8.0 แฟลชมเดยรดเดอรจากKingston

แฟลชมเดยรดเดอรชวยใหอปกรณจดเกบขอมลแฟลชสามารถใชเปนสอบนทกขอมลแบบพกพาสำาหรบคอมพวเตอร รวมทงสำาหรบอพโหลดหรอดาวนโหลดภาพถาย เพลงและขอมลอน ๆ โดยไมตองอาศยอปกรณโฮสตตนทาง (เชน กลองดจตอลหรอเครองเลน MP3) รวมทงไมตองอาศยไฟจากแบตเตอร

แฟลชมเดยรดเดอรชวยใหการถายโอนขอมลทำาไดรวดเรวยงกวาทอปกรณโฮสตสามารถรองรบได เชน รดเดอร USB จะทำางานไดเรวกวาอปกรณโฮสตมาก (เชน กลองดจตอล) โดยใชอนเทอรเฟซแบบอนกรม หากอปกรณโฮสตไมรองรบการถายโอนขอมลความเรวสง รดเดอรทไวกวาจะชวยลดเวลาการถายโอนขอมลลงไดอยางมาก

Kingston จดจำาหนายแฟลชมเดยรดเดอรเพอเพมความสะดวกแกผใชในการตอพวงอปกรณจดเกบขอมลแฟลชกบคอมพวเตอรสวนบคคลหรอโนตบก

สำาหรบแฟลชมเดย Kingston ขอแนะนำาใหใช Media Reader ทสะดวกและใชงานไดอยางหลากหลาย เนองจากเปนรดเดอรสำาเรจรปทรองรบแฟลชการดหลายตว และสามารถตอกบคอมพวเตอรทมพอรต USB 2.0 หรอ USB 3.0 Kingston

มจำาหนาย USB 3.0 Media Reader สำาหรบถายโอนขอมลความเรวสงซงเหนอกวา USB 2.0 Media Reader ถง 10 เทา Kingston ยงมจำาหนายรดเดอรแบบพกพา MobileLite G4 และ microSD/SDHC Reader สำาหรบการถายโอนขอมลความเรวสงกบเครองทรองรบมาตรฐาน Hi-Speed USB 2.0 และ SuperSpeed USB 3.0

9.0 ขอมลการรองรบการทำางานทางแมเหลกไฟฟาสำาหรบผใช

9.1ถอยแถลงจากFEDERALCOMMUNICATIONSCOMMISSION(FCC):

อปกรณนไดมาตรฐานตาม Part 15 ของ FCC Rules การใชงานตองเปนไปตามเงอนไขสองประการดงน (1) อปกรณนไมทำาใหเกดสญญาณรบกวนทเปนอนตรายและ (2) อปกรณนจะตองสามารถทนรบสญญาณรบกวนทไดรบ รวมทงสญญาณรบกวนทอาจทำาใหเกดการทำางานทไมพงประสงคเครองมอนผานการทดสอบและมคณสมบตตรงตามขอจำากด สำาหรบอปกรณดจตอล Class B ตามขอกำาหนดของ FCC หมวดท 15 ขอจำากดเหลานกำาหนดขนเพอปองกนสญญาณรบกวนทเปนอนตราย สำาหรบการตดตงภายในบาน อปกรณนสราง ใช และสามารถแผคลนความถวทยได และหากไมไดรบการตดตงและใชงาน ตามคำาแนะนำา อาจกอใหเกดสญญาณรบกวน ทเปนอนตรายตอการสอสารทางวทยได อยางไรกตามบรษทไมรบประกนวา จะไมเกดสญญาณรบกวนขนในการตดตง หากอปกรณนไมทำาใหเกดสญญาณรบกวน ทเปนอนตรายตอการรบคลนวทยหรอโทรทศน ซงสามารถตรวจสอบไดโดยการปดและเปดเครอง ขอใหผใชงานพยายามตรวจสอบแกไขสญญาณรบกวนดวยวธใดวธหนงดงตอไปน

คมอหนวยความจำาแฟลช

11

• เปลยนหรอยายเสาอากาศ• เพมระยะหางระหวางอปกรณและเครองรบสญญาณ• ตออปกรณกบปลกทอยคนละวงจรกบเครองรบทตออย• ตดตอขอความชวยเหลอจากตวแทนจำาหนาย หรอชางวทย/โทรทศนทมประสบการณ*** การเปลยนแปลงหรอดดแปลงทไมผานการรบรองโดยผทมหนาทในการควบคมมาตรฐานจะทำาใหคณเสยสทธในการใชงานอปกรณน

9.2ถอยแถลงจากINDUSTRYCANADA(IC):

อปกรณดจตอล Class [B] นไดมาตรฐาน Canadian ICES-003. Cetappareilnumèrique de la classe [B] estconformea’lanorme NUM-003 du Canada.

10.0 ขอมลเพมเตม:

ตรวจสอบรายละเอยดผลตภณฑจาก Kingston เพมเตมไดท: kingston.com/Flash.

ภาคผนวก: ประสทธภาพของ USB

Universal Serial Bus (USB) เปนอนเทอรเฟซทนยมสำาหรบการเชอมตอแฟลชการดรดเดอรกบคอมพวเตอร

มาตรฐาน USB ลาสดคอ USB 3.0 มาตรฐานเดมคอ USB 2.0 มาตรฐาน USB 3.0 รองรบทงความเรวระดบ USB 2.0 สำาหรบอปกรณรนเกา มาตรฐาน USB 2.0 รองรบมาตรฐาน USB 1.1 ทงนมาตรฐาน USB 3.0 จะไมสามารถรองรบพอรต USB 1.1 ได

มขอพจารณาหลายประการในการชวดประสทธภาพของอปกรณจดเกบขอมลแฟลช (ดรายละเอยดในหนาถดไป)

คมอหนวยความจำาแฟลช

12

เทคโนโลยชปหนวยความจำาแฟลช

Single-Level Cell (SLC) vs. Multi-Level

Cell (MLC) /Triple-Level Cell (TLC)

โดยทวไปอปกรณจดเกบขอมลแฟลชทใช Multi-Level Cell (MLC) NAND Flash จะมประสทธภาพเหนอกวา

Triple-Level Cell (TLC) NAND Flash มาตรฐานหรอ แฟลชการด NAND หรอ DataTraveler

แฟลชการดมาตรฐานหรอไดรฟ DataTraveler USB ถอเปนสอบนทกขอมลทมราคา/ประสทธภาพคมคาเหมาะ

สำาหรบผใชกลองดจตอล แทบเลต โทรศพทมอถอและอปกรณอเลกทรอนกสสวนใหญ การด UHS หรอแฟลชไดรฟ

SuperSpeed DataTraveler 3.0 USB อานและเขยนขอมลไดไวกวา เหมาะสำาหรบผใชระดบสง ชางภาพและผท

คาดหวงประสทธภาพ

เพอใหแฟลชการดหรอแฟลชไดรฟ USB ประสทธภาพสงทำางานไดเตมท ผใชจะตองมอปกรณทรองรบมาตรฐาน

ความเรวสงหรอคอมพวเตอรทกำาหนดคาไวอยางถกตองและสามารถทำางานรวมกนได กลองดจตอลและอปกรณ

บางตวตองใชแฟลชการดประสทธภาพสงเพอใหสามารถทำางานไดอยางถกตอง

อปกรณโฮสตสำาหรบใชงานทวไป

กลองดจตอล โทรศพทมอถอ PDA แทบเลต PC

และอปกรณอน ๆ

ระบบควบคมในตวททำาหนาทสอสารกบแฟลชการดหรอแฟลชไดรฟ USB ในอปกรณใชงานทวไปหลายตวอาจม

แบนดวธทจำากด ดรายละเอยดไดจากคมอผใชหรอตดตอผผลต เพอสอบถามรายละเอยดเฉพาะใด ๆ

ประสทธภาพในการทำางานจรงจะเทากบระดบการถายโอนขอมลขนตำาทระบบควบคมโฮสต แฟลชการดหรอ

แฟลชไดรฟ USB รองรบ

• การเชอมตอแฟลชการดกบ คอมพวเตอรผาน

Media Reader, MobileLite และรดเดอร

microSD จาก Kingston

• การเชอมตอแฟลชไดรฟ USB โดยตรงเขาท

สลอต USB ของคอมพวเตอร

มาตรฐาน USB 2.0 ยงรองรบ USB 1.1 ดวย เพอใหสามารถใชงาน กบอปกรณรนเกา มาตรฐาน USB ลาสด

คอ USB 3.0 มาตรฐาน USB 3.0 รองรบมาตรฐาน USB 2.0 แตอปกรณมาตรฐาน USB 3.0 จะไมสามารถทำางาน

กบพอรต USB 1.1

แฟลชไดรฟ USB และ Digital Media Reader/Writers จะตองระบโลโกตอไปนเพอแจง ระดบประสทธภาพในการ

ทำางาน:

โลโก USB: โอนขอมลสงสด 12 เมกะบตตอวนาท (12Mb/s หรอ 1.5MB/s) เรยกอกอยาง

เปนมาตรฐาน Original USB หรอ USB 1.1 รวมทงรองรบมาตรฐาน USB 2.0 Full-Speed

ทความเรวสงสดท 12Mb/s (หรอ 1.5MB/s)

โลโก HI-Speed USB: โอนขอมลสงสด 480 เมกะบตตอวนาท (480Mb/s หรอ 60MB/s)

เรยกอกอยางวามาตรฐาน USB 2.0 Hi-Speed Hi-Speed USB เรวกวา USB ถง 40 เทา

และยงรองรบมาตรฐาน USB ผานโหมด USB 2.0 Full-Speed โดยรองรบความเรวสงสด

ท 12Mb/s (หรอ 1.5MB/s)

โลโก SuperSpeed USB: โอนขอมลสงสด 5 กกะบตตอวนาท (5Gbps/s หรอ 625MB/s)

SuperSpeed USB เรวกวา USB 2.0 10 เทา และรองรบมาตรฐาน USB 2.0 ท 480Mb/s

ทงนอปกรณมาตรฐาน USB 3.0 จะไมสามารถทำางานกบพอรต USB 1.1 ได

หมายเหต: ความจทแจงบางสวนใชอางองสำาหรบการฟอรแมตหรอฟงกชนอน ๆ ไมใชความจสำาหรบใชจดเกบขอมลทแทจรง

©2019 Kingston Technology Corporation, 17600 Newhope Street, Fountain Valley, CA 92708 USA. สงวนล ขส ทธ เคร องหมายการคาและเคร องหมายการคาจดทะเบ ยนท งหมดถอเป นกรรมส ทธ ของผ เป นเจาของ MKF-283.2TH