TRANSISTORES MOSFETCONFIGURACIÓN Y POLARIZACIÓNCESAR SERRANO – JUAN CARLOS CABRERA G.

TIPOS DE MOSFET:

La corriente que fluye por el transistor ingresa por el surtidor (fuente), este la conduce por un sustrato (región tipo p) que es un canal angosto hasta llegar al drenador (tipo n).

A la izquierda, hay una compuerta metálica llamada graduador (aislante). Por ser aislante, la corriente en el graduador es despreciable.

MOSFET- TIPO DE EMPOBRECIMIENTO

El transistor MOSFET efectúa el proceso anterior; VDD conduce los electrones del surtidor al drenador a la izquierda del sustrato tipo P.

La tensión del graduador puede regular la corriente que pasa por el canal.

MODO DE EMPOBRECIMIENTO

CURVAS DE DRENADOR:

Las curvas de la parte superior son de voltaje VGS positivo mientras que las inferiores son de voltaje VGS negativo. La ultima curva es la de VGS (apag); esta indica que la corriente de drenador es aproximadamente cero.Cuando esta el voltaje entre VGS (apag) y cero esta en modo de operación de empobrecimiento.

POLARIZACION DE MOSFET DEL TIPO DE EMPOBRECIMIENTO

Se establece un punto Q en Vgs=0, por lo tanto, una señal de CA que entra por el graduador produce variaciones arriba y abajo del punto Q. Es una ventaja cuando Vgs=0 porque así se puede polarizar y se puede utilizar este circuito en donde el graduador y el surtidor no necesitan voltaje.

CUATRO VENTAJAS Y APLICACIONES

1. Amplificar señales pequeñas casi igual como los transistores JFET.

2. Si la impedancia de entrada de un JFET no es suficientemente alta se puede utilizar un MOSFET.

3. Un transistor MOSFET es un amplificador separador casi ideal porque el graduador aislado significa que la resistencia de entrada se aproxima a infinito.

4. Excelentes propiedades de bajo ruido.

TIPOS DE MOSFET:

Este tipo de MOSFET se usa en microprocesadores y memorias de computadores (funciona como interruptor).

Para obtener corriente de drenador, se tiene que aplicar un voltaje positivo en el graduador compuerta.

MOSFET- TIPO DE ENRIQUECIMIENTO

El sustrato se extiende hasta el oxido de silicio. Ya no hay un canal tipo N entre el surtidor y drenador; por consecuencia, entre los dos terminales no habrá flujo de corriente hasta llegar a un voltaje determinado.

Un voltaje positivo en el graduador atrae electrones libres dentro del sustrato tipo P. Estos se unen con algunos huecos adyacentes al oxido de silicio. Cuando el voltaje en el graduador es lo suficientemente positivo, todos los huecos cercanos al oxido de silicio se llenan por lo que ahora pueden fluir los electrones del surtidor al drenador.

FORMACION DE LA CAPA DE INVERSION

CURVAS DE DRENADOR:

La curva mas baja es la curva de VGS (th). Cuando VGS es menor que VGS (th) , la corriente de drenador es extremadamente pequeña. Cuando VGS es mayor que VGS (th), fluye una corriente considerable, cuyo valor depende de VGS.

POLARIZACION DE MOSFET DEL TIPO DE ENRIQUECIMIENTO

Con un MOSFET del tipo de enriquecimiento, VGS tiene que ser mayor que VGS (th) para obtener corriente. Esto elimina la autopolarizacion, la polarizacion por corriente de surtidor y, la polarizacion cero, ya que todas ellas operan en el modo de empobrecimiento.

Los MOSFET del tipo de enriquecimiento trabajan con las siguientes polarizaciones:

1. Polarizacion con graduador.2. Polarizacion por divisor de voltaje (tensión).3. Retroalimentación de drenador: compensa

cambios en las características de los FET.• “Si ID(enc) trata de incrementarse por alguna

razón, VD (enc) decrece.

En resumen:

La polarización cero trabaja solo con los MOSFET de tipo de empobrecimiento.

La polarización por retroalimentación de drenador trabajan con MOSFET del tipo de enriquecimiento.

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