Transistores de pequeña señal

CARACTERÍSTICAS

· Corriente de alta (máx. 800 mA)· Voltaje bajo (máx. 40 V).

APLICACIONES

· Alta velocidad de conmutación· DC y la amplificación de VHF / UHF, para el 2N2219 sólo

DESCRIPCIÓN

NPN transistor en un paquete de metal TO-39.PNP se complementan: 2N2905 y 2N2905A.

PHILIPS SEMICONDUCTORS

NXP Semiconductors es uno de los Top 20 de ventas en todo el mundo Semiconductor líderes, y fue fundada por Philips hace más de 50 años. Anteriormente conocida como Philips Semiconductors, la empresa fue vendida por Philips a un consorcio de inversores de capital privado en 2006.

Transistores de pequeña potencia

CARACTERÍSTICAS

· Corriente de alta (máx. 500 mA)· Voltaje bajo (máx. 50 V).

APLICACIONES

· DC y amplificadores de banda ancha.

DESCRIPCIÓN

Medio NPN transistor de potencia en un paquete de metal TO-39

Transistores de potencia

CARACTERISTICAS

• Ganancia de corriente DC - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc• tensión colector-emisor de saturación -VCE (sat) = 1,1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc• Excelente Área de funcionamiento seguro

MOTOROLASEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

El 04 de agosto 1999 Motorola, Inc. 's Semiconductor Grupo de componentes discretos de fabricación de Motorola, los dispositivos estándar de la lógica y analógica estándar fue escindida, recapitalizado y establecido como una compañía independiente llamada ON Semiconductor.

El 16 de octubre de 2003, Motorola anunció que iba a desprenderse de su sector de los productos semiconductores en una compañía independiente llamada Freescale Semiconductor, Inc.. La nueva empresa comenzó a cotizar en la Bolsa de Nueva York el 16 de julio del año siguiente.

Transistores de Efecto de Campo (mos-fet)Maximos Valores

clasificación Símbolo valor Unidad

Drenaje-fuente de tensión VDS 25 Vdc

Drenaje de las Puertas de voltaje VDG 25 Vdc

Puerta-Fuente de tensión VGS 25 Vdc

Drenaje actual IDc 100 mAdc

Disipación total del dispositivo Pd 3502.8

mWmW / ° C

Canal Temperatura de almacenamiento

Tstg -65 a 150 °C

ON Semiconductor

Es un proveedor de semiconductores, incluyendo la energía y la gestión de la señal, la lógica, discreta y dispositivos personalizados para la industria automotriz, comunicaciones, informática, consumo, industrial, iluminación LED, médica, aeroespacial militar / y aplicaciones de la energía. ON Semiconductor gestiona una red de instalaciones de fabricación, oficinas comerciales y centros de diseño en Norteamérica, Europa y las regiones Asia-Pacífico.

Transitores RF

CaracteristicasMáximas absolutas a Ta = 25 ° C

Parametro simbolo condicion clasificacion unidades

Colector-Base de tensión VCBO 80 V

Colector-emisor de tensión VCER RBE=150Ω 75 V

Emisor a la Base de tensión VEBO 5 V

corriente del colector IC 3 A

Corriente del colector (Pulso)ICP 5 W

colector de disipación PC Tc=50°C 1.2 y 10 W

temperaturas de la conexión Tj 150 °C

Temperatura de almacenamiento

Tstg –55 a+150 °C

SANYO

es Una Compañía Electrónica japonesa Cuya Sede Central SE encuentra localizado en Moriguchi, Prefectura de Osaka, Japon, localizada enmedio de la zona comercial, y Cuya planta en Tokio sí encuentra en Oizumi, prefectura de Gunma, Japon.

Sanyo FUE fundada en 1947 Por Toshio Iue (井植歳男Toshio Iue, 1902 - 1969) y Su cuñado KonosukeMatsushita, Fundador de Matsushita, y FUE constituida en 1950. El Nombre de la Compañía en Japonés significa "tres Océanos", refiriéndose al estilo de ambición de los Fundadores de Todos vendedor SUS Productos en El Mundo, Cruzando el Atlántico, Pacífico y El Indico.