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SEMICONDUCTORES ( INTRISECOS – DOPADOS ) Por : DANIEL IVAN VILLAVICENCIO VASQUEZ

SEMICONDUCTORES

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SEMICONDUCTORES( INTRISECOS – DOPADOS )

Por : DANIEL IVAN VILLAVICENCIO VASQUEZ

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SEMICONDUCTORES

Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor

 o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la

presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el

que se encuentre.

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SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se

comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos

electrones libres y huecos debidos a la energía térmica.

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COMO SE COMPORTAN LOS S.INTRISECOS

cuando se le aplica una tensión externa los electrones libres fluyen hacia el terminal positivo de la batería y los huecos hacia el terminal negativo de la batería.

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CUALES SON LOS SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

Básicamente son todos los elementos semiconductores que conocemos y mostramos en esta tabla :

Pero en su estado natural, sin ninguna alteración física o química

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SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS O DOPADOS

Para que un semiconductor Intrínseco cumpla mas utilidades para la tecnología los físicos descubrieron que al insertarle impurezas ( otros elementos ) estos semiconductores obtenían ciertos poderes de conductividad con muchos efectos aprovechables.

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COMO ES ESO ?

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TIPOS DE SEMICONDUCTORES DOPADOS

Existen dos tipos de Semiconductores Dopados llamados :

- Semiconductor tipo P- Semiconductor tipo N

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SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO «P»

Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les

denomina "portadores minoritarios".

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al

semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos

o electrones).

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El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.

Veamos un ejemplo : Aquí tenemos 2 elementos, uno representado por el color rojo de valencia 4 , y otro representado por el azul de valencia 5 .

Al dopar el los átomos de valencia 4 con un átomo de valencia 5 haremos que los 4 primeros electrones de la impureza formen un enlace covalente sobrando un electrón libre , el cual se aprovechara para hacer conductividad .

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SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO «P»

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto

tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres

(en este caso positivos o huecos).Es el que está impurificado con impurezas

"Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el número de huecos supera el número de

electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los

minoritarios.

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El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.

Veamos un ejemplo :

Aquí tenemos nuevamente a 2 elementos representado por los colores rojo de valencia 4 y azul de valencia 3 .

Al insertar la impureza azul de valencia 3 estamos agregando un hueco a la formación total del cristal , este hueco es aprovechado para generar conductividad .

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PARA QUE SIRVEN LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS

Los semiconductores dopados son quizás los mas importantes elementos en la electrónica moderna,

gracias a el efecto de «dopado» se consigue la construcción de muchos componentes en la

electrónica entre ellos el mas conocido y muy usado llamado DIODO , del cual hablaremos ahora .

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EL DIODO

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. 

Dicho de manera mas precisa un Diodo es la unión de un semiconductor dopado tipo N y uno tipo P.

Diodo PN

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ZONA DE DEPLEXION

Al haber una repulsión mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier dirección. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la unión, cuando un electrón libre entra en la región p se convierte en un portador minoritario y el electrón cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrón libre se convierte en electrón de valencia. Cuando un electrón se difunde a través de la unión crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa.

Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la región cerca de la unión se vacía de portadores y se crea la llamada "Zona de depleción"

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BARRERA DE POTENCIAL

Los dipolos tienen un campo eléctrico entre los iones positivo y negativo, y al entrar los electrones libres en la zona de depleción, el campo eléctrico trata de devolverlos a la zona n. La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hasta llegar al equilibrio.El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de Potencial" que a 25 ºC vale:• 0.3 V para diodos de Ge.• 0.7 V para diodos de Si.Polarizar: Poner una pila.No polarizado: No tiene pila, circuito abierto o en vacío.z.c.e.: Zona de Carga Espacial o zona de depleción (W) .

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TIPOS DE DIODOS

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BIBLIOGRAFIA

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