7/27/2019 Neutral Point Clamp 2 - 1200V
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1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L400R12PT4_B26IGBT-ModuleIGBT-modules
preparedby:MK
approvedby:MK
dateofpublication:2013-03-08
revision:2.0 ULapproved(E83335)
EconoPACK™4Modulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTCEconoPACK™4modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 400A / ICRM = 800A
TypischeAnwendungen TypicalApplications• •SolarAnwendungen SolarApplications• •USV-Systeme UPSSystems
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop ExtendedOperationTemperatureT vjop
• •NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat
• •TrenchIGBT4 TrenchIGBT4• •Tvjop=150°C Tvjop=150°C• •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •IsolierteBodenplatte IsolatedBasePlate• •KompaktesDesign Compactdesign• •PressFITVerbindungstechnik PressFITContactTechnology• •Standardgehäuse StandardHousing
ModuleLabelCodeBarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23
7/27/2019 Neutral Point Clamp 2 - 1200V
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2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L400R12PT4_B26IGBT-ModuleIGBT-modules
preparedby:MK
approvedby:MK
dateofpublication:2013-03-08
revision:2.0
VorläufigeDatenPreliminaryData
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage
Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj = 175°CTC = 25°C, Tvj = 175°C
IC nom
IC
400600
A A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A
Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj = 175°C Ptot 2150 W
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage
VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 400 A, VGE = 15 VIC = 400 A, VGE = 15 VIC = 400 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,752,052,10
2,15
VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 15,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 3,30 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor
Tvj = 25°C RGint 1,8 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 25,0 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,35 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGon = 1,5 Ω
td on
0,200,220,23
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGon = 1,5 Ω
tr
0,110,120,12
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGoff = 1,5 Ω
td off
0,400,480,50
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
tf
0,070,10
0,11
µsµs
µs
Tvj = 25°CTvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, di/dt = 2650 A/µs (T vj=150°C)RGon = 1,5 Ω
Eon 8,7513,013,5
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (Tvj=150°C)RGoff = 1,5 Ω
Eoff 18,026,028,5
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC 22001900
A A
Tvj = 25°CTvj = 150°C
tP ≤ 10 µs,tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT RthJC 0,07 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,046 K/W
7/27/2019 Neutral Point Clamp 2 - 1200V
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3
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F3L400R12PT4_B26IGBT-ModuleIGBT-modules
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dateofpublication:2013-03-08
revision:2.0
VorläufigeDatenPreliminaryData
Diode,D2/D3/Diode,D2/D3HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C VRRM 650 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 400 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 800 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t 67006150
A²s A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 VIF = 400 A, VGE = 0 VIF = 400 A, VGE = 0 V
VF
1,551,501,45
1,95
VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V
IRM 145205215
A A A
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V
Qr 13,526,028,5
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V
Erec 3,406,357,15
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode RthJC 0,22 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,077 K/W
7/27/2019 Neutral Point Clamp 2 - 1200V
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4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L400R12PT4_B26IGBT-ModuleIGBT-modules
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revision:2.0
VorläufigeDatenPreliminaryData
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage
Tvj = 25°C VCES 650 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent
TC = 0°C, Tvj = 175°CTC = 25°C, Tvj = 175°C
IC nom
IC
400360
A A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A
Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj = 175°C Ptot 880 W
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage
VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 400 A, VGE = 15 VIC = 400 A, VGE = 15 VIC = 400 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,752,002,10
2,15
VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 4,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 3,20 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor
Tvj = 25°C RGint 1,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 18,5 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,57 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGon = 1,5 Ω
td on
0,080,100,10
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGon = 1,5 Ω
tr
0,090,100,10
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGoff = 1,5 Ω
td off
0,350,370,38
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 VVGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
tf
0,080,11
0,11
µsµs
µs
Tvj = 25°CTvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, di/dt = 3300 A/µs (T vj=150°C)RGon = 1,5 Ω
Eon 6,309,4011,0
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3350 V/µs (Tvj=150°C)RGoff = 1,5 Ω
Eoff 20,023,524,5
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC 18001400
A A
Tvj = 25°CTvj = 150°C
tP ≤ 10 µs,tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT RthJC 0,17 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,074 K/W
7/27/2019 Neutral Point Clamp 2 - 1200V
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F3L400R12PT4_B26IGBT-ModuleIGBT-modules
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dateofpublication:2013-03-08
revision:2.0
VorläufigeDatenPreliminaryData
Diode,D1/D4/Diode,D1/D4HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C VRRM 1200 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 400 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 800 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t 1550011500
A²s A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 VIF = 400 A, VGE = 0 VIF = 400 A, VGE = 0 V
VF
1,801,851,90
2,30
VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 V IRM
255310325
A A A
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 V Qr
29,056,065,0
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 V Erec
8,7016,519,0
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode RthJC 0,16 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,056 K/W
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
NennwiderstandRatedresistance
TC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
VerlustleistungPowerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-WertB-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-WertB-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
7/27/2019 Neutral Point Clamp 2 - 1200V
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revision:2.0
VorläufigeDatenPreliminaryData
Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
MaterialModulgrundplatteMaterialofmodulebaseplate
Cu
InnereIsolationInternalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
KriechstreckCreepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal
25,012,5
mm
LuftstreckeClearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,0
7,0 mm
VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex
CTI > 200
min. typ. max.
ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule
LsCE 38 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-ChipModuleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 0,75 mΩ
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj max 175 °C
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj op -40 150 °C
Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C
Anzugsdrehmomentf.ModulmontageMountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschriftScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.AnschlüsseTerminalconnectiontorque
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschriftScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,0 - 6,0 Nm
GewichtWeight G 400 g
7/27/2019 Neutral Point Clamp 2 - 1200V
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VorläufigeDatenPreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch)outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
I C
[ A ]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,50
80
160
240
320
400
480
560
640
720
800
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch)outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C
VCE [V]
I C
[ A ]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00
80
160
240
320
400
480
560
640
720
800
VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
I C
[ A ]
5 6 7 8 9 10 11 12 13
0
80
160
240
320
400
480
560
640
720
800
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)Eon=f(IC),Eoff =f(IC)VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff =1.5Ω,VCE=300V
IC [A]
E [ m J ]
0 100 200 300 400 500 600 700 800
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff , Tvj = 125°CEoff , Tvj = 150°C
7/27/2019 Neutral Point Clamp 2 - 1200V
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L400R12PT4_B26IGBT-ModuleIGBT-modules
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revision:2.0
VorläufigeDatenPreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)Eon=f(RG),Eoff =f(RG)VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V
RG [Ω]
E [ m J
]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 150
10
20
30
40
50
60
70
80
Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff , Tvj = 125°CEoff , Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4ZthJC=f(t)
t [s]
Z t h J C [ K / W ]
0,001 0,01 0,1 1 100,001
0,01
0,1
ZthJC : IGBT
i:r i[K/W]:τi[s]:
10,004810,00048
20,007430,00808
30,056540,03994
40,003464,14691
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff =1.5Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
I C
[ A ]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
IC, ModulIC, Chip
DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)IF=f(VF)
VF [V]
I F [ A ]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
0
80
160
240
320
400
480
560
640
720
800
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
7/27/2019 Neutral Point Clamp 2 - 1200V
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VorläufigeDatenPreliminaryData
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)switchinglossesDiode,D2/D3(typical)Erec=f(IF)RGon=1.5Ω,VCE=300V
IF [A]
E [ m J
]
0 100 200 300 400 500 600 700 8000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)switchinglossesDiode,D2/D3(typical)Erec=f(RG)IF=400A,VCE=300V
RG [Ω]
E [ m J
]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 150
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3transientthermalimpedanceDiode,D2/D3ZthJC=f(t)
t [s]
Z t h J C [ K / W ]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
ZthJC : Diode
i:r i[K/W]:τi[s]:
10,020660,00031
20,035610,0085
30,143410,04141
40,022340,9406
AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
I C
[ A ]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0
80
160
240
320
400
480
560
640
720
800
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
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VorläufigeDatenPreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C
VCE [V]
I C
[ A ]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00
100
200
300
400
500
600
700
800
VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
I C
[ A ]
5 6 7 8 9 10 11 12 130
100
200
300
400
500
600
700
800
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)Eon=f(IC),Eoff =f(IC)VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff =1.5Ω,VCE=300V
IC [A]
E [ m J ]
0 100 200 300 400 500 600 700 800
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff , Tvj = 125°CEoff , Tvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)Eon=f(RG),Eoff =f(RG)VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V
RG [Ω]
E [ m J ]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Eon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff , Tvj = 125°CEoff , Tvj = 150°C
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VorläufigeDatenPreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3ZthJC=f(t)
t [s]
Z t h J C [ K / W ]
0,001 0,01 0,1 1 100,001
0,01
0,1
1
ZthJC : IGBT
i:r i[K/W]:τi[s]:
10,019210,00113
20,123120,03104
30,023380,17309
40,008373,25128
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff =1.5Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
I C
[ A ]
0 100 200 300 400 500 600 7000
100
200
300
400
500
600
700
800
900
IC, ModulIC, Chip
DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)IF=f(VF)
VF [V]
I F [ A ]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)switchinglossesDiode,D1/D4(typical)Erec=f(IF)RGon=1.5Ω,VCE=300V
IF [A]
E [ m J ]
0 100 200 300 400 500 600 700 800
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
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VorläufigeDatenPreliminaryData
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)switchinglossesDiode,D1/D4(typical)Erec=f(RG)IF=400A,VCE=300V
RG [Ω]
E [ m J
]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4transientthermalimpedanceDiode,D1/D4ZthJC=f(t)
t [s]
Z t h J C [ K / W ]
0,001 0,01 0,1 1 100,01
0,1
1
ZthJC : Diode
i:r i[K/W]:τi[s]:
10,020460,00108
20,109560,03036
30,022050,16873
40,006813,29829
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)
TC [°C]
R [ Ω ]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
1000
10000
100000
Rtyp
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VorläufigeDatenPreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
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