8. TRANSISTORES - AMPLIFICAÇÃO DE PEQUENOS SINAIS
RB
Análise gráfica DC - polarização
VBB= RB iB + vBE
BEBB
BBB v
RR
Vi
1−=∴
VCC= RC iC + vCE
CECC
CCC v
RR
Vi
1−=∴
8. TRANSISTORES - AMPLIFICAÇÃO DE PEQUENOS SINAIS
( )( )( )
iBB
iT
BBB
T
iBB
T
iV
v
Ti
V
v
BB
BV
V
sV
v
V
V
sB
qkT
viV
sBqkT
v
sB
BBBE
vr
Iiou
vV
IIi
V
vIi
V
veVv
eIi
IeIporémeeIi
eIieIi
viVv
T
i
T
i
T
BB
T
i
T
BB
BBBE
π
1
1
1
.
,.
//
+=
+=→
+=∴
+=→<<
=⇒
==∴
=→=
+=+
Modelamento do transistor bipolar - entradaDC + AC
VT = kT/q ≈ 25 mV (20oC)
Componente DC da corrente de base. Is = corrente de
saturação
aproximaçãp para pequenos sinais
rπ = resistência AC entre base e emissor
Chamando : VT / IB = rπ
8. TRANSISTORES - AMPLIFICAÇÃO DE PEQUENOS SINAIS
Significado gráfico de rπ
iBB vr
Iiπ
1+=
DC + AC
Pela aproximação de pequenos sinaisa curva exponencial é linearizada noponto de polarização DC, cujainclinação é 1/rπ
Equação da reta
8. TRANSISTORES - AMPLIFICAÇÃO DE PEQUENOS SINAIS
imCC
CB
iBC
iBBBC
vgIi
IIcomo
vr
Ii
vr
Iicomoii
+=∴
=
+=→
+==
β
ββ
β
π
π
1,
Modelamento do transistor bipolar - saídaDC + AC
Componente DC da corrente
de coletor, e chamando β/rπ =gm
gm = transcondutância base / coletor
8. TRANSISTORES - AMPLIFICAÇÃO DE PEQUENOS SINAIS
Significado gráfico de gm
imCC vgIi +=
DC + AC
Pela aproximação de pequenos sinaisa curva exponencial é linearizada noponto de polarização DC, cujainclinação é gm
Equação da reta
8. TRANSISTORES - AMPLIFICAÇÃO DE PEQUENOS SINAIS
Modelo π - híbrido
T
Cm
T
Bm
B
T
V
Igou
V
Ig
rgme
I
Vr ==→== ββ
ππ
Modelo : fonte de corrente controlado por tensão
Modelo : fonte de corrente controlado corrente
Recommended