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UNIVERSIDADE FEDERAL DO TRIÂNGULO MINEIRO
INSTITUTO DE CIÊNCIAS TECNOLÓGICAS E EXATAS
PROGRAMA DE MESTRADO PROFISSIONAL EM INOVAÇÃO TECNOLÓGICA
JEAN PIERRE DA SILVA ESTEVAM
ESTUDO DA SÍNTESE DE AMOSTRAS DO SISTEMA Si2Sb2Te5 POR MOAGEM
DE ALTA ENERGIA
Uberaba 2016
JEAN PIERRE DA SILVA ESTEVAM
ESTUDO DA SÍNTESE DE AMOSTRAS DO SISTEMA Si2Sb2Te5 POR MOAGEM
DE ALTA ENERGIA
Dissertação apresentada ao Programa de Mestrado Profissional em Inovação Tecnológica, área de concentração em Processos Tecnológicos, da Universidade Federal do Triângulo Mineiro, como requisito para obtenção do título de mestre. Orientador: Prof. Dr. Mário Sérgio da Luz. Coorientadora: Profa. Dra. Ariana de Campos.
Uberaba
2016
Dedico à minha família,
em especial à minha avozinha (in memoriam),
e a todos aqueles que sempre acreditaram em mim.
AGRADECIMENTOS
Primeiramente, a Deus, por tudo, pelo dom da vida, pela saúde, pela
paciência, pela disposição, pelos momentos de paz interior, e por jamais deixar me
abater frente aos momentos difíceis.
Aos meus pais, Donizete e Nelma, pelo suporte, pelos ensinamentos, pela
educação, pelas lições aprendidas, por sempre me apoiarem em minhas decisões, e
por me aconselharem nos momentos de dúvidas. Amo muito vocês!
À minha irmã Polliana, por me mostrar o significado daquele ditado: “longe
dos olhos, mas perto do coração”. Amo incondicionalmente.
À minha avozinha do coração, D. Maria Aparecida Cabral – “Vó Pitica” (in
memoriam), matriarca dessa grande família, que nos ensinou a lutar sempre de
cabeça erguida e jamais esmorecer frente as dificuldades, a viver com dignidade,
honestidade e principalmente, a amar a vida.
Ao Prof. Dr. Mário Sérgio da Luz, por se disponibilizar em me orientar, pela
transferência de conhecimento, pelas dicas, pela paciência, e pela agradável
convivência durante o Programa; um exemplo de orientador. Sou muito grato!
À Profa. Dra. Ariana de Campos pelos ensinamentos, pelas aulas de
processamento e caracterização de materiais e pela atuação como Coorientadora
desse trabalho.
Ao Prof. Dr. Marcos Massao Shimano por aceitar participar das bancas de
qualificação e defesa; e pelas dicas e correções.
Ao Prof. Dr. Rogério Valentim Gelamo pelas sugestões mencionadas na
banca de qualificação que muito contribuíram para este trabalho.
Ao Profs. Drs. Nelson Diniz Velasco e Mauro Luiz Begnini por aceitarem
integrar a banca de defesa final na qualidade de membros externos.
À amiga, ex-professora de graduação, colega de profissão, de trabalho
diariamente e do PMPIT, Maria Paula Meneghello pelo apoio, pela amizade, pelo
incentivo e por todos esses anos de convivência.
Ao Secretário de Planejamento e Gestão Urbana, Arquiteto Marcondes Nunes
de Freitas, por viabilizar a conciliação entre o PMPIT e as atividades na PMU.
Aos colegas da Secretaria de Planejamento e Gestão Urbana, pela agradável
convivência diária.
À Profa. Dra. Sandra Eleutério Campos Martins por ser uma referência, um
exemplo de ser humano, de profissional a ser seguido, fonte de inspiração docente
desde a 5ª série do Ensino Fundamental.
À Profa. Dra. Beatriz Gaydeczka pela valiosas dicas de metodologia.
À Profa. Dra. Mônica Hitomi Okura, Subcoordenadora do PMPIT, por ser uma
pessoa muito querida, que me acompanha desde a minha primeira graduação cursada
na Universidade de Uberaba.
Ao Mestrando Jean Andrade, do Programa de Pós-Graduação Multicêntrico
em Química de Minas Gerais da UFTM pela parceria e amizade.
Ao aluno Bruno Gama Furini do curso de Engenharia Química da UFTM e de
iniciação científica, pelo auxílio com as amostras.
Ao Colegiado do PMPIT pela convivência durante o período que fui
representante discente.
Aos colegas do PMPIT.
Ao Técnico-Administrativo, Sr. Enio Umberto Alves dos Santos pelos
esclarecimentos quanto as dúvidas, por viabilizar todos os trâmites documentais
necessários e por nos lembrar sempre dos prazos a cumprir.
À equipe de técnicos e professores do Departamento de Engenharia de
Materiais (DEMAR) da Escola de Engenharia da USP de Lorena, por disponibilizar
seus laboratórios e analisar as amostras após a moagem.
Aos amigos queridos que sempre me apoiaram, e nunca economizaram
palavras de incentivo para me motivar a seguir em frente em mais essa batalha.
Se me esqueci de alguém, me perdoem, e sintam-se também agradecidos!
A todos o meu MUITO OBRIGADO!!!
“O saber a gente aprende com os mestres e os livros.
A sabedoria, se aprende é com a vida e com os humildes.”
Cora Coralina
RESUMO
O objetivo desta pesquisa foi demonstrar que é possível obter amostras policristalinas
do sistema Si2Sb2Te5 por moagem de alta energia (MAE). A MAE tem chamado
atenção pela sua simplicidade, sendo brevemente definida como uma síntese
mecanoquímica de misturas entre pós de altíssima pureza de diferentes materiais que
são submetidos à moagem para a obtenção de uma liga homogênea. A fase de
interesse objeto de estudo desta pesquisa é o Si2Sb2Te5, que encontra aplicabilidade
na indústria de dispositivos eletrônicos em produtos ópticos de armazenamento de
dados, em função de suas propriedades peculiares que o tornam um dos materiais de
mudança de fase mais cogitados para a próxima geração de dispositivos de
armazenamento de dados não-volátil. Neste trabalho foi demonstrado que a MAE
pode ser utilizada para sintetizar o Si2Sb2Te5, pois após um período de 6 horas de
moagem dos pós de Silício (Si), Antimônio (Sb) e Telúrio (Te) na estequiometria 2:2:5,
respectivamente, estes foram caracterizados por Difração de Raios X, e analisados
por Microscopia Eletrônica de Varredura e Espectroscopia de Energia Dispersiva, que
confirmaram a formação da fase desejada. O tamanho médio das partículas após
moagem aferido por um software específico para este fim, foi de aproximadamente
0,542807µm ± 0,161021µm.
Palavras-chave: Síntese mecanoquímica. Semicondutores. Materiais de mudança de
fase.
ABSTRACT
The purpose of this research was to demonstrate that it is possible to obtain
polycrystalline samples of the Si2Sb2Te5 system, by means of High-Energy Ball Milling
(HEBM). HEBM has attracted attention due to its simplicity, being briefly defined as a
mechanochemical synthesis of mixtures among them powders of a very high degree
of purity of different materials, which are submitted to milling in order to obtain a
homogeneous alloy. The interest phase of the purpose of this study is the Si2Sb2Te5
that has applicability in the electronic device industry in data storing optic products,
due to its peculiar aspects that make it one of the phase change materials most
considered for the next generation of non-volatile data storing devices. In this study, it
was demonstrated that HEBM can be used to synthesize Si2Sb2Te5, for after a period
of 6 hours of milling of the Silicon (Si), Antimony (Sb) and Tellurium (Te) powders in
the 2:2:5 stoichiometry, respectively, the powders were characterized by X Ray
Diffraction, and analyzed by means of Scanning Electron Microscopy and Energy
Dispersive Spectroscopy, which confirmed the development of the desired phase. The
average size of the particles after milling, assessed by a specific software made for
this purpose, was of approximately 0,542807µm ± 0,161021µm.
Keywords: Mechanochemical synthesis. Semiconductors. Phase change materials.
LISTA DE FIGURAS
Figura 1 – Difratograma de raios X do SST .............................................................. 19
Figura 2 – Relação resistência x temperatura do SST ............................................. 20
Figura 3 – Colisões entre esfera-pó-esfera .............................................................. 22
Figura 4 – Colisões entre esfera-pó-vial ................................................................... 22
Figura 5 – Comportamento no tamanho das partículas de Ni-Ta durante o processo
de soldagem-fratura-ressoldagem em função do tempo .......................................... 23
Figura 6 – Comparação do desempenho entre os moinhos planetário e atritor para o
TiB2. ......................................................................................................................... 25
Figura 7 – Evolução estrutural da mistura Sn-Sb-Te, na proporção SnSb2Te4, para
tempos de moagem iguais a 0, 0,5, 2, 4 e 6 h. ......................................................... 30
Figura 8 – Imagem MEV do pó moído por 6 horas em uma magnificação de 2.000x.
................................................................................................................................. 31
Figura 9 – Espectro EDS coletado no ponto marcado com o símbolo , mostrado na
Figura 8. ................................................................................................................... 32
Figura 10 – Fluxograma com as etapas do procedimento experimental. .................. 34
Figura 11 – (a) Moinho do tipo SPEX e (b) esquema da movimentação do recipiente
de moagem nas direções x, y e z. ............................................................................ 35
Figura 12 – Evolução estrutural da mistura Si-Sb-Te, na estequiometria Si2Sb2Te5,
para tempos de moagem iguais a 1, 2, 3, 4, 5 e 6 horas. ......................................... 37
Figura 13 – Difratogramas de raios X para o composto Si2Sb2Te5 após 6 horas de
moagem e simulado da fase de interesse. ............................................................... 38
Figura 14 – Imagem MEV do pó moído por 6 horas em uma magnificação de 300x.
................................................................................................................................. 40
Figura 15 – Imagem MEV do pó moído por 6 horas em uma magnificação de 1.000x.
................................................................................................................................. 41
Figura 16 – Espectro EDS coletados no ponto 1, mostrado na Figura 15. O inserto
apresenta o resultado quantitativo da análise de EDS. ............................................ 41
Figura 17 – Tratamento de imagens no ImageJ. ...................................................... 43
Figura 18 – Distribuição do tamanho das partículas de Si2Sb2Te5. .......................... 44
LISTA DE QUADROS
Quadro 1 – Marcos importantes durante o desenvolvimento da MAE ...................... 21
Quadro 2 – Tipos de moinhos e suas características. .............................................. 26
Quadro 3 – Variáveis do processo de MAE .............................................................. 27
LISTA DE TABELAS
Tabela 1 – Parâmetros da estrutura cristalina para o Ge2Sb2Te5 o qual cristaliza em
uma estrutura hexagonal pertencente ao grupo espacial P-32/m1 (164), com
parâmetros de rede iguais a a = 4,2247 Å e c = 17,24 Å. ......................................... 39
Tabela 2 – Parâmetros da estrutura cristalina para o Si2Sb2Te5 o qual cristaliza em
uma estrutura hexagonal pertencente ao grupo espacial P-32/m1 (164), com
parâmetros de rede iguais a a = 4,2674 Å e c = 18,20 Å. ......................................... 39
Tabela 3 – Resultados da análise química por EDS coletados das partículas 2, 3 e 4.
................................................................................................................................. 42
LISTA DE SIGLAS E ABREVIATURAS
a.u. Arbitrary unit (Unidade arbitrária)
arb. unit Arbitrary unit (Unidade arbitrária)
CD Compact Disc
cm³ Centímetro cúbico
DEMAR Departamento de Engenharia de Materiais
DICOM Digital Imaging and Communications in Medicine (formato de imagem)
DVD Digital Video Disc
DRX Difratometria de raios X
EDS Espectroscopia de Energia Dispersiva
eV Elétron-volt
FITS Flexible Image Transport System (formato de imagem)
g Gramas
Ge-Sb-Te Germânio-Antimônio-Telúrio
GIF Graphics Interchange Format (formato de imagem)
GST Germânio, Antimônio, Telúrio
h / hr Horas / Hours
HD DVD High Definition Digital Video Disc
HEBM High-Energy Ball Milling
INCO International Nickel Company
JPEG Joint Photographic Experts Group (formato de imagem)
KeV Quilo Elétron-volt
MAE Moagem de Alta Energia
MEV Microscopia Eletrônica de Varredura
Núm. x Número de vezes
ODS Oxide Dispersion Strengthened
PCM Phase Change Material
PCRAM Phase Change Random Access Memory
PNG Portable Network Graphics (formato de imagem)
Si-Sb-Te Silício-Antimônio-Telúrio
SST Silício, Antimônio, Telúrio
TIFF Tagged Image File Format (formato de imagem)
USP Universidade de São Paulo
LISTA DE SÍMBOLOS
Bi Bismuto
Cu Cobre
Ga Gálio
Ge Germânio
Ni-Ta Níquel-Tântalo
Ohm Unidade de medida da resistência elétrica
Pb Chumbo
Sb Antimônio
Si Silício
Te Telúrio
TiB2 Diboreto de Titânio
WC Carbeto de Tungstênio
Yb Itérbio
Å Angstrom
Ɵ Ângulo teta
ºC Grau Celsius
µm Micrômetro
% Porcentagem
SUMÁRIO
1 INTRODUÇÃO ............................................................................................. 15
2 OBJETIVOS ................................................................................................. 17
2.1 GERAL ......................................................................................................... 17
2.2 ESPECÍFICOS ............................................................................................. 17
3 REFERENCIAL TEÓRICO ........................................................................... 18
3.1 Si2Sb2Te5 ..................................................................................................... 18
3.2 MOAGEM DE ALTA ENERGIA .................................................................... 20
3.2.1 Mecanismos de formação de ligas ............................................................... 22
3.2.2 Tipos de sistemas ........................................................................................ 24
3.2.3 Tipos de moinhos ......................................................................................... 25
3.2.4 Variáveis do processo .................................................................................. 27
3.3 SÍNTESE DE MATERIAIS A BASE DE TELÚRIO POR MAE ....................... 29
4 MATERIAIS E MÉTODOS ........................................................................... 33
4.1 EQUIPAMENTOS ........................................................................................ 33
4.2 REAGENTES ............................................................................................... 33
4.3 SOFTWARES .............................................................................................. 33
4.4 METODOLOGIA .......................................................................................... 34
5 RESULTADOS, ANÁLISES E DISCUSSÃO ............................................... 37
6 CONCLUSÃO .............................................................................................. 45
REFERÊNCIAS ........................................................................................... 46
15
1 INTRODUÇÃO
A ciência dos materiais se encarrega do estudo do processamento, da
estrutura, das propriedades e do desempenho dos materiais cerâmicos, metálicos,
poliméricos e compósitos [1-2].
Quanto aos processos de síntese destes diferentes tipos de materiais,
diversas metodologias estão disponíveis na indústria e na comunidade científica, cada
uma com sua particularidade, a fim de conceber materiais que atendam às
necessidades solicitadas, com eficiência e baixo custo de produção. Nesse contexto,
uma dessas técnicas de obtenção que tem chamado a atenção é a Moagem de Alta
Energia (MAE); um método inovador empregado na aquisição de diferentes tipos de
materiais tais como: os materiais nanoestruturados [3-7], as ligas metálicas [8-12], os
supercondutores [13-15], entre outros.
Em muitas das vezes, a utilização da MAE pela metalurgia do pó, é justificada
como uma alternativa na fabricação de peças metálicas, ou ainda, a única alternativa,
como no caso do compósito metal duro – Carbeto de Tungstênio (WC) –, sendo este,
um material com elevada dureza e elevada tenacidade à fratura; e consequentemente
alta resistência ao desgaste [16].
A MAE também tem sido utilizada para processar diversos tipos de materiais
semicondutores [17]. Esses materiais exibem condutividades intermediárias entre
isolantes e condutores [18], cujas propriedades elétricas são muito sensíveis à
presença de impurezas, sendo estes especialmente úteis [1-2] na indústria de
componentes eletrônicos. Em razão de seu dinamismo tecnológico, a fabricação de
semicondutores tem se mostrado como elemento de importância estratégica na
dinâmica de inovação em se tratando de equipamentos de informática [19]. Dentre os
componentes mais estudados, estão os que contém o elemento Antimônio (Sb), em
sua composição, devido as suas excelentes propriedades termoelétricas [20].
Ultimamente as ligas do sistema Ge–Sb–Te (GST) – material de mudança de
fase – eram consideradas como as principais candidatas para composição dos
semicondutores da próxima geração [21]. Porém para aplicações práticas do
Ge2Sb2Te5, estudos revelaram a necessidade de redução do seu consumo de energia
e o aumento da velocidade de mudança de fase [22].
16
Então, notou-se a necessidade de buscar novos materiais ou ajustar as
propriedades do GST [22-23]. Surgiram então, estudos entorno das ligas do sistema
Si–Sb–Te (SST), mais especificamente o Si2Sb2Te5 que tem exibido melhor
armazenamento de dados em comparação com Ge2Sb2Te5 [22-24].
O Si2Sb2Te5 encontra aplicabilidade na indústria de dispositivos eletrônicos,
em produtos ópticos de armazenamento de dados, são eles: os Discos Compactos
(CDs), os Discos Digitais Versáteis (DVDs) e os Blu-rays (BDs); e os Discos Digitais
Versáteis de Alta Definição (HD DVD) [25] considerados ultrapassados pelos Blu-rays
[26]. Esse composto é atualmente cotado como um dos materiais mais promissores
para o emprego em dispositivos de armazenamento de dados da próxima geração.
Inclusive, seu uso já é uma realidade no armazenamento de dados ópticos
regraváveis por oferecer um grande potencial como memória eletrônica não-volátil
[25].
Trabalhos recentemente publicados provaram que a MAE é uma técnica
extremamente eficaz para a produção de pós policristalinos de composição SnSb2Te4,
conforme estudos apresentados por Da Luz et al. [17]. Diante disso, este projeto
propõe a utilização da MAE para a produção de materiais semicondutores que exibem
a característica reversível de mudança de fase (amorfa e cristalina), em particular,
para a obtenção de pós de Si2Sb2Te5, que poderão posteriormente serem utilizados
na fabricação de filmes finos.
A metodologia adotada envolve além da execução de um procedimento
experimental, em que pós de altíssima pureza dos elementos Silício, Antimônio e
Telúrio serão submetidos a moagem, também compreenderá a análise desses pós
moídos, por Difratometria de Raios X (DRX), Microscopia Eletrônica de Varredura
(MEV), Espectroscopia de Energia Dispersiva (EDS), determinação do tamanho
médio aproximado de partículas por software específico, e comparação dos resultados
com a literatura.
Vale ressaltar que o uso desta técnica é inédita no que diz respeito a obtenção
de pós das fases de interesse, cumprindo o caráter inovador do ponto de vista
tecnológico, escopo do Programa de Mestrado Profissional em Inovação Tecnológica
da Universidade Federal do Triângulo Mineiro.
17
2 OBJETIVOS
2.1 GERAL
Obter e caracterizar amostras policristalinas, monofásicas, do sistema
Si2Sb2Te5 pelo método de Moagem de Alta Energia.
2.2 ESPECÍFICOS
1) Consolidar a MAE como um método para obtenção de compostos que
apresentam mudança de fase;
2) Estudar a influência do processo de MAE na formação de fases do sistema
Si2Sb2Te5. Um dos grandes desafios na obtenção destes compostos por
métodos como fusão total e reação no estado sólido é a total solubilização dos
elementos químicos no sistema. A técnica de moagem de alta energia pode ser
uma alternativa viável na aquisição de amostras monofásicas deste sistema.
Assim, pretende-se estudar a influência do tempo de moagem, a influência do
formato de vial (jarro de moagem), a influência da relação massa de
reagente/massa das esferas de moagem;
3) Examinar e caracterizar os difratogramas de raios X de amostras do sistema
Si2Sb2Te5 submetidos à MAE;
4) Analisar as imagens obtidas por Microscopia Eletrônica de Varredura, das
mesmas amostras do sistema Si2Sb2Te5 (item 3);
5) Determinar o tamanho médio aproximado das partículas dos pós moídos, por
software (ImageJ).
18
3 REFERENCIAL TEÓRICO
3.1 Si2Sb2Te5
Os Materiais de Mudança de Fase, também denominados como Phase
Change Materials, ou simplesmente PCMs, são materiais considerados especiais pois
possuem a propriedade de mudança de fase (amorfo para cristalino e vice-versa),
sendo esta, uma característica encontrada em poucos materiais.
Quanto ao seu mecanismo de mudança de fase, o material no estado amorfo
é submetido a ação de um campo elétrico, que o aquece acima da temperatura de
cristalização provocando neste material o rearranjo dos átomos para o estado
policristalino. O inverso é possível através do aquecimento do material policristalino
quando submetido a ação de outro campo elétrico, que o aquecerá acima da
temperatura de fusão, tornando-o amorfo novamente [24].
Em resumo, o armazenamento de dados envolve a mudança reversível de
fase do material entre um estado de alta resistência elétrica (amorfo) para outro de
baixa resistência (cristalino) transcritos respectivamente pelo binário “0” e “1”, em
dispositivos de Memória de Acesso Aleatório de Mudança de Fase (PCRAM) [26].
Até pouco tempo atrás, as ligas do sistema Ge–Sb–Te (GST) – material de
mudança de fase (PCM) – eram consideradas como as principais candidatas para
composição dos semicondutores da próxima geração [21], em função de seu
desempenho elétrico e estabilidade térmica [27].
Entretanto, para aplicações práticas do Ge2Sb2Te5, estudos revelaram a
necessidade de redução de seu consumo de energia e o aumento da velocidade de
mudança de fase [22], uma vez que as características de um PCRAM desejado,
englobam, um baixo consumo de energia, um armazenamento de dados satisfatório
e alta densidade [27].
Sendo assim, viu-se a necessidade de buscar novos materiais ou então
ajustar as propriedades do GST [23] que poderia não ser tão vantajoso quanto a
descoberta de um novo material. Surgiram então, estudos entorno das ligas do
sistema Si–Sb–Te (SST), mais especificamente, o Si2Sb2Te5 que tem exibido uma
melhor retenção de dados em comparação com Ge2Sb2Te5 [24].
No princípio, não havia uma compreensão clara na comunidade científica
acerca das propriedades básicas, nem da estrutura cristalina e nem da estrutura
19
eletrônica do Si2Sb2Te5 [28]. Supôs-se então que o Si2Sb2Te5 cristalizava na estrutura
semelhante ao Ge2Sb2Te5 pois o Silício e o Germânio estão na mesma coluna da
tabela periódica [21,28]. Mesmo que o Si apresente várias propriedades semelhantes
ao Ge, os sistemas SST e GST são diferentes em alguns aspectos [24] a começar
pelos raios atômicos de 1,46 Å para o Silício e 1,52 Å para o Germânio [27,29]. Além
disso, estudos realizados por Zhang et al. [24] demonstraram que o arranjo cristalino
apresentado pelo GST após tratamento térmico é o cúbico de face centrada (CCC),
enquanto que o SST quando submetido ao mesmo processo, apresentou uma
estrutura hexagonal compacta (HC) [24].
O Silício tem-se mostrado como o elemento semicondutor mais amplamente
utilizado, compondo o sistema SST que é diferente do GST também na retenção de
dados, no qual, o SST apresentou velocidade de leitura e capacidade de retenção de
dados – como fora citado anteriormente – superior ao GST [24].
Para determinar a temperatura de mudança de fase do sistema SST, filmes
finos desse material foram submetidos a temperaturas que variaram desde a
temperatura ambiente até 400ºC. Com o auxílio da técnica de difratometria de raios
X, inferiu-se que em temperatura ambiente, os filmes SST apresentavam-se no estado
amorfo [30,31]. O aumento gradativo de temperatura propiciou o surgimento de
embriões de SST para a formação de grãos de cristais no intervalo de temperatura
entre 180ºC e 280ºC, segundo o difratograma apresentado abaixo (FIG. 1) [30,31].
Figura 1 – Difratograma de raios X do SST
Fonte: LIU, Y. et al (2009) [30].
20
Também foi monitorada a resistência elétrica do SST que diminuiu com o
aumento da temperatura, declinando abruptamente quando submetidos a
temperaturas superiores a 180ºC, indicando o início da cristalização de um estado
amorfo de alta resistência para a um estado cristalino de baixa resistência, ou seja, a
cristalização do filme SST deu origem a uma queda na resistência do filme [30-31].
Segue abaixo, representação gráfica da relação entre a resistência e a temperatura
(FIG. 2).
Figura 2 – Relação resistência x temperatura do SST
Fonte: LIU, Y. et al (2009) [30].
Foi possível estimar inclusive que a resistência do SST em temperatura
ambiente, no estado amorfo, foi de cerca de quatro ordens de grandeza superior ao
mesmo SST, quando submetido a temperaturas superiores a 350ºC [27,29-31].
Infere-se então que as propriedades peculiares da liga ternária Si2Sb2Te5 a
tornam um dos materiais de mudança de fase mais aclamados para a próxima geração
de dispositivos de armazenamento não-volátil de dados, em função de seu
excepcional desempenho e atendimento aos critérios ora impostos pela comunidade
científica e pela indústria de dispositivos eletrônicos. Assim, estabelecer novas rotas
e técnicas de obtenção deste composto é de extrema importância.
3.2 MOAGEM DE ALTA ENERGIA
A síntese de compostos por processos de moagem foi primeiramente
reportada para a produção de ligas a base de níquel, desenvolvida pela primeira vez
21
no ano de 1966, por John Benjamim e colaboradores, nos laboratórios da INCO,
resultado de uma necessidade industrial em produzir ligas para aplicações na indústria
aeroespacial [8;33-34]. Uma breve perspectiva histórica do desenvolvimento e
aperfeiçoamento desta técnica é mostrada no Quadro 1. Posteriormente, esta técnica
tornou-se mundialmente conhecida como Moagem de Alta Energia.
Quadro 1 – Marcos importantes durante o desenvolvimento da MAE
Fonte: Adaptado. SURYANARAYANA, C. (2001) [8].
A MAE é descrita por diversos autores como uma síntese mecanoquímica que
consiste na mistura entre pós de diferentes materiais que são submetidos à moagem
para a obtenção de uma liga homogênea. Durante este processo, as partículas de pó
são continuamente fraturadas, soldadas a frio, deformadas e ressoldadas [8,16;35-
41]. A técnica compreende o processamento de materiais na forma de pós, que
introduzidos em recipientes próprios juntamente com esferas do mesmo material
desses recipientes, [8,16] são submetidos à agitação, ou rotação, ou ainda a ação de
agitadores internos, dependendo do tipo de moinho (ver seção 3.2.3, sobre os tipos
de moinho).
Durante a MAE ocorrem reações no estado sólido ocasionadas por repetidas
deformações mecânicas causadas pelos impactos entre esfera-material-esfera e
esfera-material-recipiente [40] promovendo a redução na granulometria dos pós.
O sucesso da técnica consiste na obtenção de materiais com propriedades
físicas, químicas e mecânicas únicas, que são dificilmente ou até mesmo, impossíveis
de serem obtidas por técnicas convencionais [40,42-43], motivo este que despertou o
interesse na comunidade científica devido ao grau de uniformidade do material
1966 Desenvolvimento de ligas ODS a base de níquel
1981 Amorfização de intermetálicos
1982 Desordenamento de compostos ordenados
1983 Amorfização de misturas de pós
1987/88 Síntese de fases nanocristalinas
1989 Ocorrência de reações de deslocamento
1989 Síntese de fases quase cristalinas
22
alcançado ao fim do processo de moagem [42]. A Figura 3 ilustra o impacto entre
esfera-material-esfera, e a Figura 4 mostra os impactos entre esfera-material-
recipiente que ocorrem durante o processo de moagem do material.
Figura 3 – Colisões entre esfera-pó-esfera
Fonte: ZHANG, D. L. (2004) [44].
Figura 4 – Colisões entre esfera-pó-vial
Fonte: Adaptado. SURYANARAYANA, C. (2001) [8].
3.2.1 Mecanismos de formação de ligas
Durante a MAE as partículas de pó são repetidamente achatadas, soldadas,
fraturadas e ressoldadas, o que promove o aumento em função da soldagem e a
redução devido a fratura, no tamanho dessas partículas. O processo só termina
23
quando é alcançado o equilíbrio entre a taxa de fratura e a taxa de soldagem das
partículas. No término do processo, as partículas contém consequentemente todos os
elementos dos componentes do início do processo [8]. A Figura 5 exibe o
comportamento das partículas, nesse processo de fratura e soldagem em função do
tempo.
Figura 5 – Comportamento no tamanho das partículas de Ni-Ta durante o processo de soldagem-fratura-ressoldagem em função do tempo
Fonte: SURYANARAYANA, C. (2001) [8].
A Figura 5 mostra claramente que na primeira hora as partículas fraturadas e
posteriormente soldadas, aumentam consideravelmente em tamanho, porém
estabilizam-se algumas horas depois, sendo alcançado o equilíbrio da taxa de
fraturamento-soldagem. O tempo necessário para que se alcance a estabilização
requerida, pode variar de acordo com o tipo de material a ser moído, tipo de moinho,
entre outras variáveis que serão discutidas na seção 3.2.4. São três os sistemas que
possuem combinações entre materiais que apresentam resistências mecânicas
distintas, são eles: componentes dúctil-dúctil, dúctil-frágil e frágil-frágil [8]; descritos
na seção 3.2.2 a seguir.
24
3.2.2 Tipos de sistemas
Os sistemas da MAE podem ser classificados de acordo com a resistência
mecânica das partículas de seus componentes [45]. Segue abaixo, alguns
apontamentos acerca desses três sistemas:
a) Dois componentes dúcteis: esta é considerada a combinação ideal
para a obtenção de liga, pois neste sistema a soldagem a frio é predominante, em
razão da ductilidade dos componentes, sendo necessária a introdução de agentes
controladores de processo a fim de alcançar um equilíbrio entre soldagem e fratura e
evitar o excesso de soldagem das partículas, o que acarreta no aumento do tamanho
da partícula final [8,33-34]. Ocorre primeiramente o achatamento das partículas por
um processo de microforjamento, seguido da formação de uma composição lamelar
com o aumento do tamanho das partículas [33-34,46]. Em seguida, ocorre o
enrijecimento por deformação e as partículas são então fragmentadas resultando em
partículas arredondadas. É a redução do espaçamento interlamelar concomitante com
a ligação entre os átomos que origina a nova liga [8,33-34].
b) Um componente dúctil e outro frágil: Neste sistema inicialmente é
identificado o achatamento das partículas do material dúctil pelas colisões esfera-
material-esfera enquanto que o material frágil sofre o fraturamento de sua estrutura e
consequentemente redução no tamanho da partícula [8,33-34]. Posteriormente o
material dúctil que enrijeceu, também sofre fraturamento das partículas, seguido da
soldagem entre os dois tipos de componentes, dando origem a liga pretendida. As
ligas ODS constituídas de componentes dúcteis e frágeis é um exemplo deste sistema
[8,46].
c) Dois componentes frágeis: Neste sistema foi verificado que durante a
moagem desses componentes, o mais frágil é incorporado ao componente menos
frágil, contrariando a suposição de Benjamin [33-34], que sugeriu que a MAE só era
possível se houvesse pelo menos 15% de um componente dúctil para que a ligação
fosse atingida, pois alegava que a soldagem a frio não ocorreria na ausência de
partículas dúcteis. As partículas desse sistema quando assumem dimensões muito
pequenas, se comportam de forma dúctil [8,33-34,46].
25
O Si2Sb2Te5 pode ser incluído no grupo das ligas dúctil-frágil, porém
comportando-se como frágil-frágil, em função dos elementos que compõem esta fase.
3.2.3 Tipos de moinhos
Existem vários tipos de moinhos disponíveis, cada um com suas
características específicas. Em Suryanarayana [8] é disponibilizado um comparativo
entre os tipos de moinho de esferas, modelo planetário (FIG. 6a) e modelo atritor
(FIG. 6b), quanto a eficiência do processo na redução do tamanho das partículas em
função do tempo de moagem para o Diboreto de Titânio (TiB2). Baseado nesta figura,
infere-se que o moinho do tipo atritor é mais eficiente, pois exige menor tempo para
obter o mesmo resultado que o planetário, neste caso.
Figura 6 – Comparação do desempenho entre os moinhos planetário e atritor para o TiB2.
Fonte: SURYANARAYANA (2001) [8].
Entretanto, vale ressaltar, que a escolha do moinho deve ser feita com base
nas características desejadas do material a ser obtido no final do processo de
moagem, pois estes equipamentos se diferem em diversos aspectos que influenciam
no resultado final do produto. Portanto, é incorreto afirmar que um moinho é mais
eficiente que outro, sem considerar as particularidades dos materiais que serão
moídos. No mesmo trabalho [8] são descritos os tipos mais comuns de moinhos,
conforme Quadro 2.
26
Quadro 2 – Tipos de moinhos e suas características.
Tipos de moinho
Características Maquinários / equipamentos /
componentes
SPEX com agitadores
Habitualmente utilizado em laboratórios de pesquisa científica. O meio de moagem é um frasco preso por braçadeiras, que ao ser agitado em movimentos de vai-e-vem – milhares de vezes por minuto, combinados com movimento em forma do símbolo de infinito ou 8, promovem o atrito entre o material, as esferas e as paredes do frasco. Possui excelente vedação, impedindo que o conteúdo extravase, sendo geralmente de carbeto de tungsténio, de zircônia, de aço inoxidável, de nitreto de silício, de ágata, ou ainda, de plástico.
Planetário
Também comumente utilizado em laboratórios para obtenção de resultados em pesquisas científicas, o moinho de esferas, modelo planetário possui frascos, dispostos em um disco de suporte, sendo que enquanto os frascos giram em um sentido, – horário por exemplo – o disco gira no sentido contrário – anti-horário. Essa agitação em diferentes sentidos provem o atrito entre as esferas, as paredes do frasco e conteúdo a ser moído. São geralmente de ágata, de nitreto de silício, de zircônia, de aço cromo, de carbeto de tungstênio ou de plástico. Mesmo que a velocidade seja maior que nos moinhos SPEX, apresentam frequência de impactos menor em função de sua movimentação limitada.
Atritor
Composto por um tambor contendo uma considerável quantidade de esferas, quando comparado aos demais. Possuem ainda uma haste com braços que promovem o agito das esferas, fazendo com que seja exercido sobre o material ambas as forças de impacto e cisalhamento. Um grande inconveniente deste tipo de moinho, ocorre quando a força centrífuga que atua sobre as esferas excede a gravidade, acarretando na fixação das esferas às paredes do tambor. A velocidade de moagem é muito mais baixa que a dos moinhos anteriores. Estão disponíveis em aço inoxidável, carbeto de silício, nitreto de silício, dióxido de zircônio, borracha, e ainda, poliuretano.
Fonte: Adaptado. SURYANARAYANA, C. (2001) [8].
27
Além dos diversos tipos de moinhos, existem algumas variáveis que
interferem no resultado final do material moído. Essas variáveis serão apresentadas
na seção seguinte (3.2.4).
3.2.4 Variáveis do processo
A MAE possui muitas variáveis que influenciam a qualidade do material final,
mesmo aparentando ser uma técnica simples [16]. Na moagem vários parâmetros
como o tempo, a velocidade, a temperatura, o diâmetro e o número de esferas, o
volume do recipiente, a massa de amostra a ser moído e; a razão entre a massa das
esferas / massa da amostra [8;37;41], estão intrinsicamente ligados ao resultado final
do processo. Em Suryanarayana [8], são descritos cada um desses parâmetros e
apresentados no Quadro 3.
Quadro 3 – Variáveis do processo de MAE
Variáveis Influências no processo
Tipo de moinho
Os moinhos se diferem em sua capacidade de moagem de material, velocidade de operação, capacidade para minimizar a contaminação do pó, entre outros. O tipo de moinho deve ser escolhido em função do material, a quantidade de pó, e a composição final requerida. Geralmente os moinhos dos tipos planetário e atritores são utilizados para produzir grandes quantidades de pó.
Frasco de moagem
O material do frasco de moagem deve ser o mesmo das esferas, caso contrário o impacto das esferas nas paredes do interior do recipiente podem causar microfissuras devido ao atrito, ocasionando o desprendimento de material e consequentemente contaminando a amostra. O formato geralmente cilíndrico, tem atendido as condições ideais de moagem.
Velocidade de moagem
O aumento da velocidade está ligado ao aumento da temperatura, o que pode ser interessante em alguns casos, mas nem tanto em outros, dependendo do material a ser submetido a moagem. Isto porque, temperaturas muito altas podem desencadear a decomposição de soluções indesejadas, e consequentemente, obtendo um resultado diferente do esperado. Além disso, em moinhos cuja velocidade de rotação é superior à gravidade, a moagem é interrompida em função da fixação das esferas às paredes internas dos recipientes.
Fonte: Adaptado. SURYANARAYANA, C. (2001) [8]. (continua)
28
Variáveis Influências no processo
Tempo de moagem
O tempo de moagem é a variável mais importante, sendo geralmente escolhido um estado de equilíbrio entre fratura e soldagem de acordo com o material a ser moído. Os tempos de moagem dependem de vários fatores como por exemplo a temperatura de moagem, o tipo de moinho, a velocidade de moagem, a quantidade de material no interior do frasco, entre outros.
Esferas de moagem
O material das esferas de moagem deve possuir densidade elevada de modo que elas criem força de impacto suficiente sobre o pó. O ideal como fora mencionado, é que o recipiente de moagem e as esferas sejam do mesmo material a fim de evitar contaminação da amostra. A mistura final varia em função do tamanho das esferas, sendo que estas interferem na eficiência do processo. O uso de esferas de diferentes tamanhos é recomendado para embaralhar a trajetória dessas esferas, o que propicia o atrito entre elas, a amostra e as paredes internas do recipiente de moagem.
Razão: quantidade de
esferas / material a ser moído
Habitualmente a proporção de 10:1 é a mais utilizada em moinhos do tipo SPEX, por exemplo. Entretanto, para moagens em moinhos de grande capacidade, como o atritor, a razão pode variar entre 50:1 ou até mesmo 100:1. Essa razão tem importante efeito sobre o tempo necessário para alcançar uma fase em particular. Uma razão maior, requer um tempo de moagem menor, uma vez que por conta do aumento no número de esferas, mais energia é transferida para as partículas.
Nível de preenchimento do
frasco
O grau de enchimento do recipiente é um fator importante, pois um frasco cheio de esferas e/ou material a ser moído, dificulta o impacto entre os componentes do processo (esferas-material-paredes internas). Recomenda-se que seja deixado livre cerca de 50% do espaço do frasco, para permitir a livre movimentação das esferas e do material no interior do recipiente.
Atmosfera de moagem
A contaminação do material está diretamente ligada a atmosfera de moagem. O gás Argônio altamente puro é o ambiente mais comum para evitar oxidação do material. A oxidação também pode ser evitada ou minimizada, em um ambiente com a presença de Nitrogênio, sendo este elemento utilizado inclusive na forma líquida na intenção de impedir o aumento excessivo da temperatura durante o processo de moagem. Alguns pesquisadores tem conduzido a MAE em atmosfera controlada, com moinhos introduzidos dentro de glove boxes, cheias de Argônio. Em alguns casos, dependendo do material a ser moído, o tipo de atmosfera também afeta a natureza da fase final da amostra.
Agentes de controle de processo
A função dos agentes de controle de processo é impedir a aglomeração excessiva proveniente da soldagem das partículas durante o processo de moagem. O agente é adicionado ao pó no início do processo, sendo que a escolha do agente varia de acordo com o material a ser moído, para evitar contaminação da amostra.
Fonte: Adaptado. SURYANARAYANA, C. (2001) [8]. (continua)
29
Variáveis Influências no processo
Temperatura de moagem
A temperatura de moagem também é um fator importante que varia em função da velocidade e tempo de moagem. Como mencionado, a temperatura pode ser controlada dependendo do material a ser moído, com a adição, por exemplo, de Nitrogênio líquido junto ao pó, evitando assim, o aumento excessivo da temperatura. Outro método, é a aplicação de impulso elétrico no frasco de moagem, provocando um aumento da temperatura no interior do recipiente.
Fonte: Adaptado. SURYANARAYANA, C. (2001) [8].
Como pode-se perceber, as variáveis do processo não são inteiramente
autônomas, ou seja, muitas delas são dependentes umas das outras. Por exemplo, a
velocidade com que a composição esfera-material-recipiente colide depende do tipo
de moinho, do tamanho do recipiente de moagem, da razão entre massa das esferas
por massa de material, do nível de enchimento do recipiente, etc. Essas variáveis
quando não analisadas previamente, podem acarretar na contaminação do pó,
prejudicando o resultado esperado. É possível minimizar e até mesmo evitar a
contaminação dos pós durante a MAE pelo controle das variáveis anteriormente
descritas no Quadro 3.
3.3 SÍNTESE DE MATERIAIS A BASE DE TELÚRIO POR MAE
A moagem de alta energia tem sido utilizada recentemente para a produção
de compostos ternários a base de telúrio tais como: Pb0,65Sn0,35Te [47], (Bi,Sb)2Te3
[48], YbSb4Te4 [49], CuGaTe2 [50] e SnSb2Te4 [17]. Em particular, nosso grupo
demonstrou que a MAE é uma técnica extremamente versátil para a produção de pós
policristalinos de composição SnSb2Te4, conforme estudo apresentado em [17].
A Figura 7 apresenta uma compilação de difratogramas de raios X para
diferentes tempos de moagem do composto supramencionado. Nota-se que com
apenas 2 horas de moagem o sistema começa a se formar, sendo completada a fase
desejada com apenas 6 horas de processamento. Esta conclusão é baseada no fato
que o difratograma de raios X após 6 horas de moagem é coincidente com o
difratograma simulado para a referida fase. Este tempo de reação é bem inferior ao
apresentado por reações no estado sólido, o que destaca a moagem de alta energia
como uma técnica promissora para a produção destes compostos contendo
elementos do grupo VIA.
30
Ainda na Figura 7 o difratograma simulado da fase de interesse, apresentado
no topo, foi obtido pelos softwares Pearson's Crystal Data e PowderCell. Os asteriscos
representam a presença da fase secundária SnO2. Sn, Sb e Te puros são indicados
pelas setas verde, vermelha e azul, respectivamente [17].
Figura 7 – Evolução estrutural da mistura Sn-Sb-Te, na proporção SnSb2Te4, para tempos de moagem iguais a 0, 0,5, 2, 4 e 6 h. Setas: verde (Sn), vermelha (Sb), azul (Te). Asterisco: fase secundária SnO2.
Fonte: DA LUZ, M. S. et al (2015) [17].
31
Na Figura 8 é apresentada uma micrografia obtida por Microscopia Eletrônica
de Varredura com uma magnitude de 2.000 vezes. Nesta, observa-se a formação de
microplaquetas. A composição estequiométrica desejada (1:2:4) destas
microplaquetas, após 6 horas de moagem, foi confirmada por análise química de EDS
(apresentada na Figura 9), realizada em diversas plaquetas como a indicada pelo
símbolo . Os resultados confirmam que os pós após 6 horas de moagem possuíam
composição igual a SnSb2Te4 (ver o inserto na Figura 9) [17]. Assim os autores
concluíram que a moagem de alta energia é uma técnica eficiente na produção de
amostras de composição SnSb2Te4 [17].
Figura 8 – Imagem MEV do pó moído por 6 horas em uma magnificação de 2.000x.
Fonte: DA LUZ, M. S. et al (2015) [17].
32
Figura 9 – Espectro EDS coletado no ponto marcado com o símbolo , mostrado na Figura 8. O inserto apresenta o resultado quantitativo da análise de EDS [17].
Fonte: DA LUZ, M. S. et al (2015) [17].
Diante do exposto acima, surgiu a ideia de se utilizar a moagem de alta energia
para a obtenção de fases semelhantes tais como o Ge2Sb2Te5, o Ge2Bi2Te5 e o
Si2Sb2Te5, sendo esta última, objeto de estudo deste trabalho.
33
4 MATERIAIS E MÉTODOS
4.1 EQUIPAMENTOS
Os equipamentos utilizados neste trabalho estão descritos a seguir:
Balança eletrônica analítica da marca Shimadzu (AW-320);
Moinho SPEX 8.000M – com frasco e esferas de carbeto de tungstênio;
o Jarros de moagem – formato cilíndrico com capacidade de volume
aproximado de 50cm3;
o Esferas de moagem de 6mm de diâmetro.
Difratômetro de raios X da marca Shimadzu (XRD 6.000). Escola de
Engenharia de Lorena – USP;
Microscópio eletrônico de varredura (MEV) da marca LEO 1.450VP com um
espectrômetro de energia dispersiva de Oxford (EDS). Escola de
Engenharia de Lorena – USP.
4.2 REAGENTES
A seguir, estão listados os materiais de consumo utilizados na obtenção de
amostras policristalinas de composição Si2Sb2Te5:
Pós de silício (Si), antimônio (Sb), e telúrio (Te) de altíssima pureza
(~99,999%).
4.3 SOFTWARES
Os softwares utilizados para interpretação dos dados foram os seguintes:
Pearson's Crystal Data;
PowderCell;
OriginPro 8;
ImageJ.
34
4.4 METODOLOGIA
O fluxograma mostrado na Figura 10 apresenta resumidamente a metodologia
adotada no procedimento experimental deste trabalho. Os difratogramas de raios X,
as imagens obtidas pelo MEV e as análises químicas por EDS foram fornecidas pelo
Departamento de Engenharia de Materiais (DEMAR) da Escola de Engenharia da
USP de Lorena das amostras moídas no Laboratório de Ciência dos Materiais do
Instituto de Ciências Tecnológicas e Exatas (ICTE) da UFTM.
Figura 10 – Fluxograma com as etapas do procedimento experimental.
Fonte: Do autor (2016).
As matérias primas utilizadas para a obtenção das amostras foram os
elementos em pó de Si, Sb e Te de alto grau de pureza (~99,999%). Primeiramente,
foram realizados cáculos estequiométricos na razão 2:2:5 do Si, Sb e Te,
respectivamente, sendo obtidos os seguintes valores: 0,0593g de Si, 0,2602g de Sb
e 0,6803g de Te, para 1g de reagentes.
Para a pesagem, foi utilizada uma balança eletrônica analítica. O material
pesado na estequiometria desejada foi introduzido no frasco de moagem (em WC)
juntamente com as esferas do mesmo material do jarro. O material do jarro de
moagem em carbeto de tungstênio foi escolhido, pois libera pouco ou quase nenhum
material no meio de moagem, minimizando impurezas ao material a ser moído,
evitando inclusive a contaminação do meio.
35
Para a moagem, foi utilizado o moinho modelo 8.000M da marca SPEX como
o mostrado na Figura 11. Esses moinhos se movem nas três direções (x, y e z) com
alta frequência, envolvendo principalmente choques de impacto frontal. A cada
agitação as esferas colidem com a amostra e as paredes internas do recipiente,
misturando, moendo a amostra e fornecendo energia necessária para que ocorra a
reação de formação das fases de interesse.
Todo o processo foi realizado em atmosfera ambiente. Para evitar um
aquecimento excessivo do frasco, e consequetemente do material em seu interior, os
experimentos foram submetidos a períodos de 60 minutos de moagem seguidos de 5
minutos em repouso.
Figura 11 – (a) Moinho do tipo SPEX e (b) esquema da movimentação do recipiente de moagem nas direções x, y e z.
Fonte: Adaptado. SURYANARAYANA, C. (2001) [8].
No processo de moagem, foram determinados valores para as seguintes
variáveis:
1. Razão esfera/pó: 5/1;
2. Tempos de moagem: 1, 2, 3, 4, 5 e 6 horas;
3. Formato do jarro de moagem: cilíndrico com capacidade de volume
aproximado de 50cm3;
36
4. Atmosfera de moagem: ambiente.
A evolução estrutural das fases foi estudada através da difração de raios X,
MEV e EDS.
Finalmente, para a interpretação dos dados obtidos pelo procedimento
experimental, foram utilizados os seguintes softwares, e com os seguintes objetivos:
Pearson's Crystal Data: possui um banco de dados sobre cristalografia, o
que inclui parâmetros de rede e difratogramas simulados;
PowderCell: possibilita a manipulação dos parâmetros da rede cristalina e
fornece difratogramas simulados dos parâmetros informados;
OriginPro 8: software para a construção de gráficos;
ImageJ: utilizado para aferir o tamanho das partículas, a partir das imagens
do microscópio eletrônico de varredura.
37
5 RESULTADOS, ANÁLISES E DISCUSSÃO
A Figura 12 apresenta uma coletânea de difratogramas de raios X para a
composição Si-Sb-Te em diversos tempos de moagem (variando de 1 hora até 6
horas). Observa-se que a formação da fase Si2Sb2Te5 com estrutura hexagonal
P-32/m1 se inicia com apenas 2 horas de moagem, alcançando a fase de interesse
desejada com o tempo de processamento igual a 6 horas de moagem.
Figura 12 – Evolução estrutural da mistura Si-Sb-Te, na estequiometria Si2Sb2Te5, para tempos de moagem iguais a 1, 2, 3, 4, 5 e 6 horas.
Fonte: Do autor (2016).
Corroborando com a afirmação acima, a Figura 13 mostra o difratograma da
amostra moída por 6 horas e também um difratograma simulado (com o auxílio dos
softwares Pearson's Crystal Data e PowderCell) para a fase de interesse.
38
Figura 13 – Difratogramas de raios X para o composto Si2Sb2Te5 após 6 horas de moagem e simulado da fase de interesse.
Fonte: Do autor (2016).
A simulação dos difratogramas de raios X para o composto Si2Sb2Te5 foi
realizada seguindo os parâmetros estruturais apresentados na Tabela 2, utilizando-se
o software PowderCell [51].
Utilizando os parâmetros do composto Ge2Sb2Te5, conforme apresentados na
Tabela 1, os parâmetros estruturais que constam na Tabela 2 [52], foram
determinados, substituindo o Ge por Si, considerando a solubilidade completa do Si
39
no sítio do Ge, uma vez que o Silício e o Germânio estão na mesma coluna da tabela
periódica [22,28].
Tabela 1 – Parâmetros da estrutura cristalina para o Ge2Sb2Te5 o qual cristaliza em uma estrutura hexagonal pertencente ao grupo espacial P-32/m1 (164), com parâmetros de rede iguais a a = 4,2247 Å e c = 17,24 Å.
Átomo Posições Wyckoff
(ocupação)
Parâmetros de rede
X Y Z
Te (1) 1a (1) 0,00 0,00 0,00
Ge (1) 2d (0,54) 0,3333 0,6667 0,8942
Sb (1) 2d (0,46) 0,3333 0,6667 0,8942
Te (2) 2d (1) 0,3333 0,6667 0,2067
Ge (2) 2c (0,54) 0,00 0,00 0,6722
Sb (2) 2c (0,46) 0,00 0,00 0,6722
Te (3) 2d (1) 0,3333 0,6667 0,5824
Fonte: Do autor (2016).
Tabela 2 – Parâmetros da estrutura cristalina para o Si2Sb2Te5 o qual cristaliza em uma estrutura hexagonal pertencente ao grupo espacial P-32/m1 (164), com parâmetros de rede iguais a a = 4,2674 Å e c = 18,20 Å.
Átomo Posições Wyckoff
(ocupação)
Parâmetros de rede
X Y Z
Te (1) 1a (1) 0,00 0,00 0,00
Si (1) 2d (0,55) 0,3333 0,6667 0,8938
Sb (1) 2d (0,45) 0,3333 0,6667 0,8938
Te (2) 2d (1) 0,3333 0,6667 0,2068
Si (2) 2c (0,55) 0,00 0,00 0,6727
Sb (2) 2c (0,45) 0,00 0,00 0,6727
Te (3) 2d (1) 0,3333 0,6667 0,5829
Fonte: Do autor (2016).
Analisando a Figura 13, percebe-se que há uma estreita relação entre os
difratogramas de raios X simulado e experimental, o que sinaliza para a formação da
fase de interesse. A Figura 13 também apresenta difratogramas de raios X simulados
para os reagentes Si, Sb e Te puros, simulados pelo mesmo software.
40
Somente pela análise dos difratogramas de raios X, não é possível afirmar que
houve a formação da fase de interesse. Então, para confirmar se o objetivo inicial
deste trabalho que era obter amostras policristalinas do sistema Si2Sb2Te5 foi
alcançado, as amostras foram submetidas a análise por MEV, conforme Figuras 14 e
15, e EDS, conforme Figura 16 e Tabela 3 para o pó moído por 6 horas.
A Figura 14 apresenta uma micrografia realizada em microscópio eletrônico de
varredura com um aumento de 300 vezes, mostrando um panorama geral do pó, após
6 horas de moagem. Pode-se observar uma ampla distribuição de tamanhos de
partículas e também a formação de microplaquetas, como o observado para o
composto SnSb2Te4 [17]. Maiores detalhes são apresentados na Figura 15, para um
aumento de 1.000 vezes.
O resultado destas análises por EDS estão apresentados na Figura 16 e na
Tabela 3, que mostram os espectros de EDS e também a análise quantitativa realizada
dessas partículas. Os resultados apontam que as partículas analisadas possuem a
composição desejada, ou seja, o Si2Sb2Te5. Diante disso, infere-se que o processo de
moagem de alta energia é uma técnica promissora e inovadora para a produção de
pós de composição Si2Sb2Te5.
Figura 14 – Imagem MEV do pó moído por 6 horas em uma magnificação de 300x.
Fonte: Do autor (2016).
41
Figura 15 – Imagem MEV do pó moído por 6 horas em uma magnificação de 1.000x.
Fonte: Do autor (2016).
Figura 16 – Espectro EDS coletados no ponto 1, mostrado na Figura 15. O inserto apresenta o resultado quantitativo da análise de EDS.
Fonte: Do autor (2016).
1
2
4 3
42
Tabela 3 – Resultados da análise química por EDS coletados das partículas 2, 3 e 4.
Elemento % atômica
Partícula 2 Partícula 3 Partícula 4
Si 24,90 23,35 23,83
Sb 22,16 22,60 22,76
Te 52,95 54,05 53,40
Fonte: Do autor (2016).
Em função dos resultados apresentados pelo EDS, que comprovaram a
formação da fase desejada das amostras moídas em atmosfera ambiente, tornou-se
desnecessária a moagem de outras amostras do mesmo material em atmosfera
controlada, uma vez que não houve oxidação do material (nem a contaminação da
amostra) e nem tão pouco a necessidade do uso de agentes de controle de processo.
Uma estimativa do tamanho médio das partículas de Si2Sb2Te5 após a
moagem, foi determinada pelo software ImageJ. Neste programa os arquivos aceitos
em formatos TIFF, GIF, JPEG, PNG, BMP, DICOM e FITS, são submetidas a um
tratamento na imagem, normalmente admitindo uma configuração binária de cores (o
que se pretende analisar em preto com um fundo branco). [53-54].
Neste trabalho foram utilizadas as imagens em formatos TIFF e JPEG. O
ImageJ disponibiliza algumas funções como a manipulação do contraste e da nitidez
da imagem, a aferição de distâncias entre objetos, o cálculo de áreas e perímetros,
entre outros atributos, de seleções previamente definidas pelo usuário. [54-56].
A Figura 17 mostra a evolução de tal processamento: em (a) a imagem obtida
em Microscópio Eletrônico de Varredura das partículas de Si2Sb2Te5, moídas por um
período de 6 horas, em (b) observa-se a mesma imagem, desta vez em preto e branco
(configuração binária, previamente citada), e em (c) a aferição do tamanho das
partículas (em preto).
Após o processamento da imagem, o software gera uma planilha em formato
.xls (Microsoft Excel), com uma série de informações obtidas a partir da “análise de
partículas”; sendo este último, um comando do próprio programa que deve ser
acionado seguido ao término do tratamento da imagem. Entre as informações geradas
pelo ImageJ, destacam-se: o número de partículas analisadas, a média do tamanho
das partículas e o desvio padrão.
43
O tamanho médio das partículas de Si2Sb2Te5, aferido pelo ImageJ foi de
aproximadamente 0,542807µm ± 0,161021µm (desvio padrão). Foram analisadas
2.816 (duas mil, oitocentos e dezesseis) partículas, da amostra moída por 6 horas. A
Figura 18 mostrado, apresenta a distribuição do tamanho x quantidade das partículas
analisadas.
Figura 17 – Tratamento de imagens no ImageJ.
Fonte: Do autor (2016).
44
Figura 18 – Distribuição do tamanho das partículas de Si2Sb2Te5.
Fonte: Do autor (2016).
45
6 CONCLUSÃO
1. A substituição do elemento Germânio pelo elemento Silício no software
PowderCell deu origem a um Difratograma de Raios X muito similar ao
comparado com o difratograma da amostra moída por apenas 6 horas em
moinho do tipo SPEX com agitadores.
2. As imagens obtidas por Microscopia Eletrônica de Varredura mostraram uma
variedade no tamanho das partículas dos pós de Si2Sb2Te5 moídos, incluindo a
presença de microplaquetas.
3. O tamanho médio das partículas da fase de interesse, determinado por software
específico, das imagens obtidas por MEV, foi de aproximadamente 0,542807µm
± 0,161021µm (desvio padrão). Foram analisadas 2.816 (duas mil, oitocentos e
dezesseis) partículas.
4. As análises por Espectroscopia de Energia Dispersiva mostraram que a
estequiometria da liga SST na razão 2:2:5 respectivamente foi alcançada após
6 horas de moagem.
5. Em função dos resultados apresentados pelos EDS, que comprovaram a
formação da fase desejada das amostras moídas em atmosfera ambiente,
tornou-se desnecessária a moagem de outras amostras do mesmo material em
atmosfera controlada.
6. A técnica de moagem de alta energia pode ser utilizada para a obtenção de
amostras policristalinas do sistema Si2Sb2Te5, a partir de pós de Si, Sb e Te.
46
REFERÊNCIAS
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Janeiro: LTC, 2013. [3] AYOMAN, E.; HOSSEINI, S. G. Synthesis of CuO nanopowders by high-energy
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