Upload
sitychan
View
334
Download
0
Embed Size (px)
DESCRIPTION
semkon
Citation preview
Teknik Implantasi Ion
Pendahuluan
Teknik Implantasi Ion• Merupakan proses penembakan atom atau molekul
bermuatan secara langsung ke atas permukaan subtrat..• Energi pemercepat adalah 10-200 KeV. (saat ini sudah
lebih dari beberapa MeV)• Biasanya digunakan untuk mendoping dipermukaan
wafer (silikon).
pengertian
Keuntungan teknik implantasi ion
Lebih akurat doses dan kedalaman dopingTemperatur lebih rendahLebih sesuai untuk berbagai maskerLebih mudah pembersihan
Lebih uniform
kelebihan
Peralatan Utama
Sebuah accelerator partikel tegangan tinggi yang menghasilkan ions yang dapat menembus target wafer silicon. Dengan komponen:
•Sumber Ion •Mass spectrometer•High V accelerator•Scanning system•Target chamber
Peralatan
Schematic diagram of an ion implantation system.
alat
Range dan Straggle dari implansi ion
Skema diagram menunujukkan range( jangkauan RP , proyeksi
(ΔRP ) and lateral ΔR┴ dari implantasi ion.
y
Distribution of Ions in SiliconImplanted at 200 keV
Mekanisme interaksi doping dalam permukaan silikon…
• Ion doping masuk ke permukaan subtrat
• Ion doping berinteraksi dengan atom dan elektron subtrat
Mekanisme Implantasi Ion
Mekanisme
KedalamanKedalaman
Bpppj
p
pjpB
CCRRx
R
RxCC
/ln2
2
)(exp
2
2
Cp=S/ (2Rp)1/2
Besar jangkauan dan Straggle
R = jarak tempuh ion, MT = massa target, Mi =Massa ion, Rp = jangkaua ion lurus,
Hambatan lapisanHambatan lapisan
The resistance of a rectangular block is:R = ρL/A = (ρ/t)(L/W) ≡ Rs(L/W)
Rs is called the sheet resistance. Its units are termed Ω/ .
L/W is the number of unit squares of material in the resistor.
Hambatan Hambatan
Soal 01
1. Jelaskan Teknik implantasi Ion2. Bagaimana caranya agar kita mendapatkan
hasil implantasi ion a. lebih luas b. lebih dalam
Soal 02 Sebuah wafer silikon dengan tebal 125 mm di implansi ion boron dengan energi 80 keV menggunakan doses 3 x 10 14 ion/cm2
(a) Berapakah jangkauan projeksi konsentrasi di puncak jika lama implantasi ion 10 min. berdasarkan tabel Rp = 0,064 x 10 -4m maka
Cp = S/ (2Rp)1/2= 3x 1014/2 3,14(0,064 x10-4) ½
= 1.9 x 10 19 ion/cm2