sp3 –гибридизация

Углерод

Дефекты в кристаллах

Классификация по размерам и протяжённости

Типы точечных дефектов

1 - вакансия; 2 - межузельный атом; 3 - дефект по Френкелю; 4 - примесный атом замещения; 5 - примесный атом внедрения;

6 - атом замещения большей валентности

Основные механизмы образования точечных дефектов

• Тепловые колебания атомов

• Пластическая деформация

• Облучение

• Отклонения от стехиометрии

Дислокации• Дислокации – линейные дефекты кристаллической

решётки типа обрыва или сдвига атомных плоскостей, нарушающие правильность их чередования.

• Различают простые и сложные дислокации. К простым относятся краевые и винтовые

Винтовая дислокация

Контур и вектор Бюргерсакраевой дислокации

Двумерные дефекты

Объёмные дефекты

•Включения второй фазы – это частицы макро размеров, состав которых отличается от состава основного вещества. В кристаллах встречаются включения второй фазы двух типов: включения одного из компонентов соединения (например Pb в PbTe) или включения инородной фазы, образующейся при выращивании легированных кристаллов (например, CdTe в кристалле PbTe, легированном кадмием).

• Тепловые колебания кристаллической решётки…

• Зональные упругие напряжения – это напряжения, возникающие при макроскопически неоднородном характере поля внешних сил, действующих на кристалл, и уравновешивающиеся в макрообъёмах кристалла.

•Поры – это объёмные пустоты макро размеров в кристаллической решётке. К появлению пор приводят скопления вакансий. Поры могут образовываться в ходе выращивания кристаллов или при их радиационном облучении.