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富士通富士通富士通富士通 ((((株株株株))))
福島福島福島福島 敏高敏高敏高敏高
International TechnologyRoadmap for
Semiconductors2001
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
1992NTRS
ITRSの変遷の変遷の変遷の変遷
米国米国米国米国米国米国米国米国 国内版国内版国内版国内版国内版国内版国内版国内版 国際版国際版国際版国際版国際版国際版国際版国際版
1991 Micro Tech 2000
Workshop Report
1994NTRS
1997NTRS
2000 ITRSUpdate
2001 2001 ITRSITRS
1999 1999 ITRSITRS
1998 ITRSUpdate
19981998世界半導体会議世界半導体会議世界半導体会議世界半導体会議世界半導体会議世界半導体会議世界半導体会議世界半導体会議
日米日米日米日米日米日米日米日米トップトップトップトップトップトップトップトップ ミーティングミーティングミーティングミーティングミーティングミーティングミーティングミーティング
http://public.itrs.net
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
ITRSのミッションのミッションのミッションのミッション
ITWGITWG
•方針方針方針方針•目標目標目標目標•スケジュールスケジュールスケジュールスケジュール•ITWGITWGITWGITWG間調整間調整間調整間調整
•各国間調整各国間調整各国間調整各国間調整
IRC
Technology Needs Potential Solutions
innear & long terms
TWG
TWG
TWG
TWG
TWG
ESIA
KSIA
SIA
TSIA
JEITA((((STRJ)
DesignTest
FEP
etc
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
対象技術分野対象技術分野対象技術分野対象技術分野対象技術分野対象技術分野対象技術分野対象技術分野
Environment Safety &
HealthMetrology
YieldEnhancement
Modeling & Simulation
Design
Front End Processes
Interconnect
Lithography
Process Integration
Assembly & Packaging
Factory Integration
Test
IRC クロスカットクロスカットクロスカットクロスカット ITWGs
専門専門専門専門 ITWG(Focus)
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
デバイスデバイスデバイスデバイス 製造装置製造装置製造装置製造装置 ////材料材料材料材料 研究機関/研究機関/研究機関/研究機関/
コンソーシアムコンソーシアムコンソーシアムコンソーシアム大学大学大学大学 政府政府政府政府 ////国研国研国研国研
その他その他その他その他
(設計(設計(設計(設計 ////組立組立組立組立 ////試試試試験)験)験)験)
小計小計小計小計
ESIAESIAESIAESIA(欧州)(欧州)(欧州)(欧州) 38383838 5555 25252525 68686868JEITAJEITAJEITAJEITA(日本)(日本)(日本)(日本) 141141141141 42424242 22222222 10101010 7777 222222222222KSIAKSIAKSIAKSIA(韓国)(韓国)(韓国)(韓国) 32323232 11111111 5555 9999 7777 64646464TSIATSIATSIATSIA(台湾)(台湾)(台湾)(台湾) 88888888 17171717 14141414 13131313 29292929 161161161161SIASIASIASIA(米国)(米国)(米国)(米国) 146146146146 91919191 36363636 24242424 12121212 4444 313313313313
小計小計小計小計 445445445445 166166166166 102102102102 56565656 26262626 33333333 828828828828
ITRS 構成メンバー構成メンバー構成メンバー構成メンバー
ESIAESIAESIAESIA((((欧州)欧州)欧州)欧州)8%
JEITAJEITAJEITAJEITA((((日本)日本)日本)日本)27%
KSIAKSIAKSIAKSIA((((韓国)韓国)韓国)韓国)8%TSIATSIATSIATSIA((((台湾)台湾)台湾)台湾)
19%
SIASIASIASIA((((米国)米国)米国)米国)38%
デバイスデバイスデバイスデバイス54%
製造装置製造装置製造装置製造装置////材料材料材料材料20%
その他その他その他その他
(設計(設計(設計(設計////組立組立組立組立////試験)試験)試験)試験)4%
研究機関/研究機関/研究機関/研究機関/
大学大学大学大学////国研国研国研国研
コンソーシアムコンソーシアムコンソーシアムコンソーシアム22%
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
ITRS2001の構成Glossary
ORTC
12 ITWGs : Design to Modeling & Simulation- Scope- Difficult Challenges- Technology Requirement- Potential Solutions
System Drivers
Difficult Challenges
Grand Challenges
Introduction
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Technology Node TimingV
olum
e of
Pro
duct
ion
(Par
ts/M
onth
)
Months-24
1K
10K
100K
0
1M
10M
100M
AlphaTool
12 24-12
Development Production
BetaTool
ProductionTool
Top-Runner CompanyProduction Followed by
Succeeding Companies within Three Months
Conf.Papers
Technology NodeDefinition
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Technology Distribution in Actual Production
Year
Tech
nolo
gy N
ode
(um
)
0.01
0.1
1
10
1995 2000 2005
2000 SOURCE::::Yano Res. Institute & SIRIJ
1995-1999 SOURCE:::: SICAS
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
130 0.7 91 90
90 0.7 64 65
65 0.7 45 45
45 0.7 31 32
32 0.7 22 22
100
70
50
35
25
2001版版版版1999版版版版
x
x
x
x
x
(nm)
Technology Node
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Half Pitch
MPU/ASICDRAM
Poly Pitch
Metal Pitch
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
FEP Grand Challenges
Starting Material
Wells
Capacitor Stack / Trench
Gate Stack
Source / Drain - ExtensionIsolation
ChannelContacts
Near Term (2001-2007)Enhancing Performance■■■■ New Gate Stack and Materials :
● Oxynitride gate dielectric / high performance MOSFETs● High κ gate stack / low operating and low standby power MOSFETs
■■■■ CMOS Integration of New Memory Materials and Processes :● High k DRAM capacitor
● MIM capacitor structuresLong Term (2008-2016)Cost-effective Manufacturing■■■■ Starting Materials alternate beyond 300 mm :
● Productivity enhancement
● e.g., 450 mm
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Interconnect Grand Challenges
Near Term (2001-2007)Enhancing Performance■■■■ Introduction of New Materials :
●●●● High Conductivity and High k Dielectric
■■■■ Integration of New Processes and Structures : ●●●● High Complexity
Long Term (2008-2016)Enhancing Performance■■■■ Identify Solutions which address Global
Wiring Scaling: ●●●● Beyond Copper and Low k●●●● Material Innovation to accelerate Design,
Package and Interconnect
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Near Term (2001-2007)Cost-effective Manufacturing
■■■■ Coordinated Design Tools and Simulators :
●●●● Mix Signal Co-design and Simulation
●●●● Transient Thermal Analysis Tool
●●●● Thermal Mechanical Analysis Tool
●●●● Electrical Analysis Tool----Power Disturbs----EMI----High Frequency / Current and
Lower Voltage Switching
Assembly & PKG Grand Challenges
QFP PGABGA
Chip
Package
Printed Wiring Board
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
System Drivers Chapter1999年版年版年版年版 ■ SOC、 AMS (analog/mixed-signa) に言及したが、主はDRAM、MPU、ASIC ■ 其々の品種が、技術ノードに沿って、一様に開発されると仮定其々の品種が、技術ノードに沿って、一様に開発されると仮定其々の品種が、技術ノードに沿って、一様に開発されると仮定其々の品種が、技術ノードに沿って、一様に開発されると仮定
2001年版年版年版年版 ■■■■ しかし しかし しかし しかし市場は、品種毎に異なった技術/開発時期を要求市場は、品種毎に異なった技術/開発時期を要求市場は、品種毎に異なった技術/開発時期を要求市場は、品種毎に異なった技術/開発時期を要求
■■■■ 市場セグメント毎の技術開発動向を分析市場セグメント毎の技術開発動向を分析市場セグメント毎の技術開発動向を分析市場セグメント毎の技術開発動向を分析
(1) Portable and Wireless (2) Broadband(3) Internet Switching (4) Mass Storage(5) Consumer (6) Computer(7) Automotive
■■■■ 市場セグメントが求める各品種に対する技術要求/開発時期を抽出市場セグメントが求める各品種に対する技術要求/開発時期を抽出市場セグメントが求める各品種に対する技術要求/開発時期を抽出市場セグメントが求める各品種に対する技術要求/開発時期を抽出
(a) SOC : Multi- technology, High performance, Low cost, Low power(b) AMS : Low-noise amplifier, Power amplifier, VCO, ADC(c) MPU : high-volume custom
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Emerging Research Devices Section
1999年版年版年版年版 ■ Beyond CMOS / Novel Devices
2001年版年版年版年版 ■ ロードマップの延長線上で性能向上を加速させる技術ロードマップの延長線上で性能向上を加速させる技術ロードマップの延長線上で性能向上を加速させる技術ロードマップの延長線上で性能向上を加速させる技術
・・・・ Non-Classical CMOS
・・・・ 新メモリデバイス新メモリデバイス新メモリデバイス新メモリデバイス
■ ロードマップを越える新しい技術・概念ロードマップを越える新しい技術・概念ロードマップを越える新しい技術・概念ロードマップを越える新しい技術・概念
・・・・ 新ロジックデバイス新ロジックデバイス新ロジックデバイス新ロジックデバイス
・・・・ 新アーキテクチャ新アーキテクチャ新アーキテクチャ新アーキテクチャ
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Non-Classical CMOS
Memory Devices
Emerging Research Technologies
極薄膜極薄膜極薄膜極薄膜SOI バンドエンジニアリングバンドエンジニアリングバンドエンジニアリングバンドエンジニアリング 縦型縦型縦型縦型 Fin FET ダブルゲートダブルゲートダブルゲートダブルゲート
WORD
BIT
W
R
n
+ n +
memory node
Engineered barrier
Si
Gate
Near Future
DRAM
2002
磁気磁気磁気磁気 RAM
~2004
相変化相変化相変化相変化
~2004
ナノ浮遊ナノ浮遊ナノ浮遊ナノ浮遊ゲートゲートゲートゲート>2005
単電子/単電子/単電子/単電子/少数電子少数電子少数電子少数電子
>2007
分子分子分子分子
>2010
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Plate
S. Node
Plug
Stack
Storage Node
Ferro. FilmPlate
Planar
Plate
Plug
S. Node
3D
Capacitor Structure
FeRAM
1.00E-01
1.00E+00
1.00E+01
1.00E+02
1.00E+03
1.00E+04
1.00E+05
1.00E+06
2000 2005 2010 2015 2020
FeRAM
DRAM 64G
16G
1M
512M
2001200120012001 2002 2003 2004200420042004 2005 2006 2007200720072007 2010201020102010 2013201320132013 2016201620162016
T. Node (nm) 130130130130 115 100 90909090 80 70 65656565 45454545 32323232 22222222
DRAM (bit) 4G4G4G4G 8G 32G 64G
FeRAM (bit) 1M1M1M1M 4M4M4M4M 16M16M16M16M 64M64M64M64M 64M64M64M64M 128M128M128M128M 256M256M256M256M 1G1G1G1G 4G4G4G4G 16G16G16G16G
Access time (ns) 80808080 65656565 55555555 40404040 30303030 30303030 20202020 16161616 12121212 10101010
Capacitor planarplanarplanarplanar planarplanarplanarplanar stackstackstackstack stackstackstackstack stackstackstackstack stackstackstackstack 3D3D3D3D 3D 3D 3D
T2C or 1T1C 2T2C2T2C2T2C2T2C 1T1C1T1C1T1C1T1C 1T1C1T1C1T1C1T1C 1T1C1T1C1T1C1T1C 1T1C1T1C1T1C1T1C 1T1C1T1C1T1C1T1C 1T1C 1T1C 1T1C 1T1C
512M512M512M512M 2G2G2G2G1G1G1G1G
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Half Pitch
Year of Production
Tec
hnol
ogy
Nod
e -D
RA
M H
alf-
Pitc
h (n
m)
10
100
1000
1995 1998 2001 2004 2007 2010 2013 2016
DRAM ½½½½ Pitch
MPU/ASIC ½½½½ Pitch
3-year Cycle
2-year Cycle
2-year Cycle
130nm
22nm
150nm
90nm
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
MPU Gate Length
Year of Production
1000
1995 1998 2001 2004 2007 2010 2013 2016
Tec
hnol
ogy
Nod
e -D
RA
M H
alf-
Pitc
h (n
m)
10
100
2001 MPU Printed Gate Length2001 MPU Physical Gate Length
2-year Cycle 3-year Cycle((((1999年版:年版:年版:年版:
2005年)年)年)年)
65nm
90nm
45nm
13nm
32nm
9nm
LP-ASIC : MPUのののの2年遅れ年遅れ年遅れ年遅れ
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
2001200120012001 2002200220022002 2003200320032003 2004200420042004 2005200520052005 2006200620062006 2007200720072007 2008200820082008 2010201020102010 2011201120112011 2013201320132013 2014201420142014 2016201620162016130 115 100 90 80 70 65 70 45 32 22
1999199919991999年版年版年版年版EOTEOTEOTEOT(nm)(nm)(nm)(nm) MPUMPUMPUMPU 1.5–1.91.5–1.91.5–1.91.5–1.9 1.5–1.91.5–1.91.5–1.91.5–1.9 1.5–1.91.5–1.91.5–1.91.5–1.9 1.2–1.51.2–1.51.2–1.51.2–1.5 1.0–1.51.0–1.51.0–1.51.0–1.5 0.8–1.20.8–1.20.8–1.20.8–1.2 0.6–0.80.6–0.80.6–0.80.6–0.8 0.5–0.60.5–0.60.5–0.60.5–0.6
2001200120012001年版年版年版年版MPU/ASICMPU/ASICMPU/ASICMPU/ASIC 1.3–161.3–161.3–161.3–16 1.2–1.51.2–1.51.2–1.51.2–1.5 1.1–1.61.1–1.61.1–1.61.1–1.6 0.9–1.40.9–1.40.9–1.40.9–1.4 0.8–1.30.8–1.30.8–1.30.8–1.3 0.7–1.20.7–1.20.7–1.20.7–1.2 0.6–1.10.6–1.10.6–1.10.6–1.1 0.5–0.80.5–0.80.5–0.80.5–0.8 0.4–0.60.4–0.60.4–0.60.4–0.6 0.4–0.50.4–0.50.4–0.50.4–0.5
LOPLOPLOPLOP 2.0-242.0-242.0-242.0-24 1.8-2.21.8-2.21.8-2.21.8-2.2 1.6-2.01.6-2.01.6-2.01.6-2.0 1.4-1.81.4-1.81.4-1.81.4-1.8 1.2-1.61.2-1.61.2-1.61.2-1.6 1.1-1.51.1-1.51.1-1.51.1-1.5 1.0-1.41.0-1.41.0-1.41.0-1.4 0.8-1.20.8-1.20.8-1.20.8-1.2 0.7-1.10.7-1.10.7-1.10.7-1.1 0.6-1.00.6-1.00.6-1.00.6-1.0
LSTPLSTPLSTPLSTP 2.4-2.82.4-2.82.4-2.82.4-2.8 2.2-2.62.2-2.62.2-2.62.2-2.6 2.0-2.42.0-2.42.0-2.42.0-2.4 1.8-2.21.8-2.21.8-2.21.8-2.2 1.6-2.01.6-2.01.6-2.01.6-2.0 1.4-1.81.4-1.81.4-1.81.4-1.8 1.2-1.61.2-1.61.2-1.61.2-1.6 0.9-1.30.9-1.30.9-1.30.9-1.3 0.8-1.20.8-1.20.8-1.20.8-1.2 07-1.107-1.107-1.107-1.1
DRAMDRAMDRAMDRAM 5555 4.54.54.54.5 4.14.14.14.1 3.63.63.63.6 3.33.33.33.3 3333 2.72.72.72.7 1.551.551.551.55 1.051.051.051.05 0.550.550.550.55
EOTEOTEOTEOT(nm)(nm)(nm)(nm)
YearYearYearYearT. Node (nm)T. Node (nm)T. Node (nm)T. Node (nm)
■■■■ LSTPはははは2005年で年で年で年でHigh-kの導入が必要の導入が必要の導入が必要の導入が必要 :Ig<1pA/um, EOT=1.8nm
Gate Dielectrics / EOT nm (High-k)
■■■■ MPU / HP-ASIC用に用に用に用に2007年年年年
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Effective Dielectric Constant (Low-k)
2001200120012001 2002200220022002 2003200320032003 2004200420042004 2005200520052005 2006200620062006 2007200720072007 2008200820082008 2010201020102010 2011201120112011 2013201320132013 2014201420142014 2016201620162016130130130130 115115115115 100100100100 90909090 80808080 70707070 65656565 70707070 45454545 32323232 22222222
1999199919991999年版年版年版年版MPUMPUMPUMPU 2.72.72.72.7 –––– 3.53.53.53.5 2.72.72.72.7 –––– 3.53.53.53.5 2.22.22.22.2 –––– 2.72.72.72.7 2.22.22.22.2 –––– 2.72.72.72.7 1.61.61.61.6 –––– 2.22.22.22.2 1.51.51.51.5 <1.5 <1.5 <1.5 <1.5 <1.5 <1.5 <1.5 <1.5
DRAMDRAMDRAMDRAM 4.14.14.14.1 3.0–4.13.0–4.13.0–4.13.0–4.1 3.0–4.13.0–4.13.0–4.13.0–4.1 3.0–4.13.0–4.13.0–4.13.0–4.1 2.5–3.02.5–3.02.5–3.02.5–3.0 2.5–3.02.5–3.02.5–3.02.5–3.0 2.0–2.52.0–2.52.0–2.52.0–2.5 2.0–2.32.0–2.32.0–2.32.0–2.3
2001200120012001年版年版年版年版MPU/ASICMPU/ASICMPU/ASICMPU/ASIC <2.7<2.7<2.7<2.7 <2.7<2.7<2.7<2.7 <2.7<2.7<2.7<2.7 <2.4<2.4<2.4<2.4 <2.4<2.4<2.4<2.4 <2.4<2.4<2.4<2.4 <2.1<2.1<2.1<2.1 <1.9<1.9<1.9<1.9 <1.7 <1.7 <1.7 <1.7 <1.6<1.6<1.6<1.6
DRAMDRAMDRAMDRAM 4.14.14.14.1 3.0–4.13.0–4.13.0–4.13.0–4.1 3.0–4.13.0–4.13.0–4.13.0–4.1 3.0–4.13.0–4.13.0–4.13.0–4.1 3.0-4.13.0-4.13.0-4.13.0-4.1 2.6–3.12.6–3.12.6–3.12.6–3.1 2.6–3.12.6–3.12.6–3.12.6–3.1 2.3–2.72.3–2.72.3–2.72.3–2.7 2.3–2.72.3–2.72.3–2.72.3–2.7 2.12.12.12.1
k
k
YearYearYearYearT. Node (nm)T. Node (nm)T. Node (nm)T. Node (nm)
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Lithography
■ ■ ■ ■ 光リソグラフィーを光リソグラフィーを光リソグラフィーを光リソグラフィーを 65656565nm Node まで延長まで延長まで延長まで延長 ● マスクの課題がクローズアップ ● マスクの課題がクローズアップ ● マスクの課題がクローズアップ ● マスクの課題がクローズアップ レジスト レジスト レジスト レジスト マスク マスク マスク マスクCD制御制御制御制御
■ ■ ■ ■ 次世代リソグラフィ次世代リソグラフィ次世代リソグラフィ次世代リソグラフィ (NGL) ● マスクテーブルの新設 ● マスクテーブルの新設 ● マスクテーブルの新設 ● マスクテーブルの新設 ● ● ● ● コンセンサスに至らず混沌コンセンサスに至らず混沌コンセンサスに至らず混沌コンセンサスに至らず混沌
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
PEL
IPL
157nm
PXL
Lithography Potential Solutions
2000 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 2016
Node 130 90 65 45 32 22 nm
EUV(13nm)
ML2
KrF(248nm)
ArF(193nm)
EPL
NGL
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Design / Test / Assembly & PKG
■ ■ ■ ■ Design ● 新規設計コスト・モデルの追加 ● 新規設計コスト・モデルの追加 ● 新規設計コスト・モデルの追加 ● 新規設計コスト・モデルの追加━設計コストの増加が将来を脅かす設計コストの増加が将来を脅かす設計コストの増加が将来を脅かす設計コストの増加が将来を脅かす
■ ■ ■ ■ Test ● ● ● ● 信頼性評価の追加信頼性評価の追加信頼性評価の追加信頼性評価の追加
DFTによりによりによりにより ITRS99 で指摘された多くの障害が取り除かれたで指摘された多くの障害が取り除かれたで指摘された多くの障害が取り除かれたで指摘された多くの障害が取り除かれた
潜在欠陥を加速する新しい手法の開発が急務 潜在欠陥を加速する新しい手法の開発が急務 潜在欠陥を加速する新しい手法の開発が急務 潜在欠陥を加速する新しい手法の開発が急務
■ ■ ■ ■ Assembly and Packaging ● ● ● ● スコープの拡大スコープの拡大スコープの拡大スコープの拡大
━MEMS、オプトエレクトロニクス、ディスクリート(MEMS、オプトエレクトロニクス、ディスクリート(MEMS、オプトエレクトロニクス、ディスクリート(MEMS、オプトエレクトロニクス、ディスクリート(Passive Component)━受動部品内蔵基板受動部品内蔵基板受動部品内蔵基板受動部品内蔵基板
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FI / YE
Wafer Mfg.FEOLBEOL
Chip Mfg.Probe/TestSingulation
Product Mfg.Packaging
Test
1999年版年版年版年版
2001年版年版年版年版
■ ■ ■ ■ Factory Integration ● スコープの拡大 ● スコープの拡大 ● スコープの拡大 ● スコープの拡大
■ ■ ■ ■ Yield Enhancement (旧旧旧旧 Defect Reduction) ● スコープの拡大 ● スコープの拡大 ● スコープの拡大 ● スコープの拡大━ Defect Detection and Characterization━ Yield Learning
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WW Semiconductor Industry Trends
¥ ¥ ¥
1
10
100
1000
10000
100000
1000000
1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000
Revenue, M$
Silicon, Mcm2
Revenue, $ / cm27% 4%
1.5%
16% CAGR
12% CAGR
10% CAGR
Source Data: VLSI
. Jan 15, 2002 Tokyo, Japan, T. Fukushima
Total Economy Modelの構築の構築の構築の構築
WaferMfg
ChipMfg
ProductMfg
Dis
trib
utio
n
•Probe / Test •Ass. &PKG •Test
WaferMfg
ChipMfg
ProductMfg
Dis
trib
utio
n
•FEP•Interconnect
•Design
Design
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■ ■ ■ ■ System Drivers Chapter•市場セグメント毎の技術開発動向の分析と、各品種に対する技術要求/開発時期を抽出市場セグメント毎の技術開発動向の分析と、各品種に対する技術要求/開発時期を抽出市場セグメント毎の技術開発動向の分析と、各品種に対する技術要求/開発時期を抽出市場セグメント毎の技術開発動向の分析と、各品種に対する技術要求/開発時期を抽出
■ ■ ■ ■ Emerging Research Devices Section•Non-Classical CMOS、、、、新メモリデバイス、新ロジックデバイス、新アーキテクチャを提案新メモリデバイス、新ロジックデバイス、新アーキテクチャを提案新メモリデバイス、新ロジックデバイス、新アーキテクチャを提案新メモリデバイス、新ロジックデバイス、新アーキテクチャを提案
■ ■ ■ ■ DRAM half pitch•2001年以降年以降年以降年以降3年サイクル年サイクル年サイクル年サイクル (90nm@2004, 65nm@2007, 32nm@2010)
■ ■ ■ ■ MPU / ASIC-HP half pitch•2年サイクルで微細化進み、年サイクルで微細化進み、年サイクルで微細化進み、年サイクルで微細化進み、2004年以降は年以降は年以降は年以降はDRAMと同じと同じと同じと同じ
■ ■ ■ ■ MPU / ASIC-HPのゲート長のゲート長のゲート長のゲート長•2005年まで年まで年まで年まで2年サイクルで微細化。年サイクルで微細化。年サイクルで微細化。年サイクルで微細化。 LP-ASICははははMPUの2年遅れの2年遅れの2年遅れの2年遅れ
■ ■ ■ ■ High-k•LSTP-ASIC用に用に用に用に2005年、年、年、年、MPU / HP-ASIC用に用に用に用に2007年より導入の必要年より導入の必要年より導入の必要年より導入の必要
■ ■ ■ ■ Low-kは減速は減速は減速は減速
■ ■ ■ ■ 光リソは光リソは光リソは光リソは65nmまで延命まで延命まで延命まで延命•その後はコンセンサスに至らずその後はコンセンサスに至らずその後はコンセンサスに至らずその後はコンセンサスに至らず
■ ■ ■ ■ Total Economy Modelの構築が必要の構築が必要の構築が必要の構築が必要
まとめまとめまとめまとめ