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UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO FISEI TEMA: PUT (Transistor Uni-unión Programable) INTEGRANTES: Escobar Camilo López Elvis Rivera Carlos Suarez Cristian CICLO: Quinto Industrial ”A”

PUT-1

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UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATOFISEI

TEMA:PUT (Transistor Uni-unión Programable)

INTEGRANTES:Escobar Camilo

López ElvisRivera Carlos

Suarez CristianCICLO:

Quinto Industrial ”A”

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I. CARACTERSITICAS• Las siglas PUT, transistor uni-unión programable.• Semiconductor de 4 capas (pnpn).• Consta de 3 terminales:.• A pesar de llamarse transistor, su estructura es la de un tiristor en la que el disparo

es respecto del ánodo envés del cátodo y se denomina puerta anódica ().

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CARACTERISTICAS• Semiconductor cuyo comportamiento es similar al UJT, con la diferencia que la

relación n puede programarse mediante un divisor de tensión exterior.• Este transistor permite que se puedan controlar los valores de y que en el UJT

son fijos.• El PUT es un transistor que funciona con un voltaje mínimo.

Estructura interna

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POLARIZACIÓN• Este transistor tiene dos estados: Uno de conducción (hay corriente entre A y K y

la caída de voltaje es pequeña) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequeña. Este transistor se polariza de la siguiente manera:

La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que en el PUT estas resistencias están en el exterior y pueden modificarse

Cuando IG = 0• VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ]• VG = n x VBBdonde: n = RB2 / (RB1+RB2)

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II. ANÁLISIS DE FUNCIONAMIENTO• Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en

conducción, el PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se apaga.

• Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, es decir, la conducción del PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales.

Curva característicaMientras la tensión Vak no alcance el valor Vp, el PUT estará abierto, por lo cual los niveles de corriente serán muy bajos. Una vez se alcance el nivel Vp, el dispositivo entrará en conducción presentando una baja impedancia y por lo tanto un elevado flujo de corriente.

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III.EJERCICIO

• Se tiene un oscilador de relajación que trabaja con un PUT, el cual presenta las siguientes características:

Ip = 100 µA, Iv = 5.5 mA y Vv = 1 v.

Si el voltaje de polarización es de 12 v y la red externa es la siguiente: Rb1 = 10 kW, Rb2 = 5 kW, R = 20 kW, C = 1 µF y Rk = 100 kW, calcular Vp, Rmáx, Rmín y el período de oscilación.

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• Primero procedemos a calcular el VpVp = Vd + n Vbb, n = Rb1/(Rb1 + Rb2) = 10/15 = 0.66Vp = .7 + .66 12 = 8.7 v

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Rmáx = (Vbb - Vp)/Ip = 3.3/100 = 33 kWRmín = (Vbb - Vv)/Iv = 11/5.5 = 2 kW• Ahora, debe cumplirse con la condición:

Rmín <=R <= Rmáx , 2 kW <= R <= 33 kW• Finalmente calculamos el periodoT = RC ln(1 + Rb1/Rb2)T = 20 kW 1 µF ln(1 + 2) = 24 ms

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IV. APLICACIONES DEL TRANSISTOR PUT

• Los PUT’s de utilizan casi exclusivamente para el control de fase en circuitos de rectificación controlada, y en algunos casos como osciladores.