practica 4,5,6 de dispositivos esime

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  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

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    Practica #4

    “Medición de la amplitud y frecuencia de la salida de diferentes circuitos

    limitadores con diodos zener y obtención de sus gracas de transferencia”

    Procedimiento

    1.- btener la respuesta de salida de los siguientes circuitos

    !plicando a la entrada una se"al senoidal de 1 $pp de amplitud a 1%&z.

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    '.- (legir la misma

    escala de

    sensibilidad )ertical

    para ambos canales* seleccionando acoplamiento !+ en el canal 1 y ,+ para el

    canal '.

    .- Para la obtención de las grcas de transferencia /$ salida )s $ entrada0*

    seleccionar el modo -2 en el osciloscopio colocando la misma escala de

    sensibilidad para ambos canales. Posteriormente selecciona acoplamiento 3,

    en los dos canales y ubica el punto en el centro de las coordenadas* despu5s

    seleccionar !+ para el canal 1 y ,+ para el canal '.

    Simulaciones

    Para el circuito de la gura /a0

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    Para el circuito de la gura/b0

    !mplitud 1

    $pp

    671 %&z

    !mplitud .88

    $pp

    671 %&z

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    Para el circuito de la gura /c0

    !mplitud 1

    $pp

    671 %&z

    !mplitud 8.

    $pp

    671 %&z

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    Resultados Obtenidos

    Para el circuito de la gura /a0

    !mplitud 1

    $pp

    671 %&z

    !mplitud 11.1

    $pp

    671 %&z

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    Para el circuito de la gura /b0

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    Para el circuito de la gura /c0

    Practica #

    9denticación del tipo* terminales y estado de transistores bipolares de unión

    /:;metro digital marca !gilent

    Procedimiento:

    1.- ,el manual “,iscrete ?emicondutor Products” del fabricante ational

    ?emiconductor elegir ' transistores bipolares tipo P y ' tipo PP de

    aplicación para amplicadores de propósitos generales y conmutadores.

    btener sus @oAas de especicaciones t5cnicas.

    '.- 9ndicar la interpretación de su nomenclatura.

    .- ,el mult>metro digital seleccionar la función de o@m con un rango de %B y

    realizar el procedimiento para identicar las terminales emisor* colector y base.

    4.- Cegistrar en una tabla para cada uno de los transistores los )alores de

    resistencia el5ctrica medidos entre las terminales cuando se polarizan

    directamente las uniones p-n en todo el procedimiento de prueba.

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    . +onforme los )alores de resistencia medidos* identica cada una de las

    terminales asi como el tipo de funcionalidad de cada transistor /buen estado*

    corto circuito o circuito abierto0.

    D.- Cepetir el procedimiento del punto y 4 pero a@ora eligiendo la función de

    prueba de diodos.

    8.- Cepetir el punto pero teniendo en cuenta los )alores de )oltaAe realizados

    en el punto anterior.

     

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    Practica E D

    Amplifcador con Polarización fja en confguración Emisor Común

    Introducción:

    El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas características eléctricas

    lineales que son utilizadas para amplificación. En estos circuitos, las señales de entrada

    son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energía realizado a

    través de fuentes de tensión externas denominadas fuentes de alimentación o fuentes de

    polarización. as fuentes de alimentación cubren dos ob!etivos" proporcionar las

    corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la región

    lineal y suministrar energía al transistor, una parte de la cual va a ser convertida en

    potencia #amplificación$. os valores de corrientes y tensiones en continua en losterminales de un transistor se denominan punto de traba!o y se suele expresar por la letra

    %.

    igura !

    El transistor del circuito de la figura & esta polarizado con dos resistencias y unafuente de tensión en continua '((. En este circuito se verifica que"

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    )i suponemos que el transistor se encuentra en la región directa lineal, entoncesse puede relacionar las intensidades de base y colector a través de la hFE  y asignar una tensión base*emisor típica de +.'. El c-lculo de las tensiones e intensidades

    del transistor proporciona su punto de traba!o %. ara este circuito, % vienedefinido por las siguientes ecuaciones" 

    En la figura &./ se muestra la representación gr-fica del punto de traba!o % deltransistor, especificado a través de tres par-metros" 0(%, 01% y la '(E%. Este punto seencuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga est-tica" si %se encuentra en el límite superior de la recta el transistor estar- saturado, en ellímite inferior en corte y en los puntos intermedios en la región lineal. Esta recta seobtiene a través de la ecuación del circuito que relaciona la 0 ( con la '(E que,representada en las curvas características del transistor de la figura &./,corresponde a una recta. a tercera ecuación define la recta de carga obtenida alaplicar 2' al circuito de polarización, de forma que" 

    ara dibu!ar esta recta de una manera sencilla en el plano #'(E, 0($ del transistor se seleccionan dos puntos"

    a) '(E3+, entonces 0(3'(( 4 5(.

    b) 0(3+, entonces '(E3'((. Estos puntos se pueden identificar en la figura &./ yrepresentan los cortes de la recta de carga est-tica con los e!es de coordenadas.

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

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    6igura &./ ímite de operación de un transistor.

    7na de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un transistor esseleccionar la ubicación del punto %. a selección m-s pr-ctica es situarle en la mitad dela recta de carga est-tica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor m-ximo, condición conocida como excursión m-xima simétrica. Evidentemente esta es

    una condición de diseño que asegurara el m-ximo margen del punto % a incrementos decualquier signo de la intensidad de colector. )in embargo, hay muchas otras condicionesde operación del transistor que exige un desplazamiento de % en uno u otro sentido. Enestos casos la situación del punto % estar- definida por las diferentes restricciones.

    POLARIZACIONES DC CON RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE.

    olarización 8( con retroalimentación de emisor. En este circuito la resistencia derealimentación es 5E.

     

    6igura b. olarización con retroalimentación.

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    9aremos la prueba de desestabilizar el punto %.

     

    0( intenta aumentar mucho. ero al aumentar la 0(, aumenta la 'E.

     

    Entonces vemos que se da un fenómeno de :autorregulación:, intenta aumentar mucho pero al final aumenta menos. ;unque no se estabiliza, se desestabilizamenos, esa :auto corrección: se llama realimentación.

     ; este efecto de que una variable de salida afecte a la entrada se le llamarealimentación, la salida afecta a la entrada, se auto corrige. ;dem-s se le llama:5ealimentación negativa: porque un aumento supone una disminución. )i unaumento supusiera otro aumento sería una :5ealimentación positiva:. Enamplificadores es muy importante la realimentación, como se ver- m-s adelante.

    )eguimos analizando el circuito.

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    I"S#R$CCIO"ES: Gtilizar en 5sta prctica dos :;

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    ara una óptima amplificación se tiene que tener en cuenta que el punto de

    operación debe de cumplir

    Q→ I C =6mA y V CE=6V ademasde qesaremosla βtipica=200

    8e la ecuación = despe!amos a la resistencia al igual que de la ecuación >

     RB=V CC −V BE

    ( I C 

     β  )

     RC =V CC −V CE

     I C 

    or lo tanto para el circuito de polarización de corriente de base teniendo en

    mente las condiciones anteriores tenemos que los valores de los resistores son"

     RB=376 !" RC =1 !"

    8eterminación de la variación del punto de operación en reposo con beta mínima y

    m-xima

    8e la ecuación de malla = despe!amos la corriente de colector

     I C =(V CC −V BE) β

     R B

    8e la ecuación de malla / despe!amos el volta!e colector emisor 

    V CE=V CC − I C  RC 

     ;hora para beta mínima y m-xima los respectivos resultados de 0c y 'ce

     I c1=2.97 mA y V CE 1=9.03

     I c1=8.92mA yV CE1=3.08

    ara las respectivas variaciones de corriente y volta!e obtenemos

     # I C =5.95mA y #V CE=5.95V 

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    (onsideremos el circuito de la figura

    Ecuaciones de malla

      E=¿ I B+ I C 

    1.− I ¿  CC =¿ I B R B+V BE+ I  E R E

    2.−V ¿  

    CC =¿ I C  R C +V CE+ I  E R E3.−V ¿

    5ealizando la misma analogía para este circuito que el visto anteriormente

    tenemos que los valores de los resistores son los siguientes, tomando las

    ecuaciones / y = tenemos"

     RB=V CC −V BE− R E I  E

    ( I 

     β )

     RC =V CC −V CE− R E I  E

     I C 

    )e observa que para ambas resistencias se tiene una cierta dependencia de la

    resistencia del emisor, para este caso pr-ctico se tomara un valor de 5e 3 /++ ?,

    y por tanto obtendremos"

    ?e puede obser)ar Fue el cto es

    similar al de la gura 1* tan solo

    se agregó el resistor C(* dondesu función primordial es darle

    mayor estabilidad al

    ura Dc

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     RB=356666" R C =900 "

    7na de las consideraciones importantes que debe de ser respetado para la

    m-xima estabilidad es la siguiente"

     A ¿V  E $0.10V CC o V  E $0.20V CC 

    Entonces examinando esta condición de estabilidad obtenemos que 5e es igual a"

    /.* ara el /+@ de 'cc

    V  E=1.2V   or ley de ohm sabemos que V = IR , asi pues  R E=V  E

     I  E→

    1.2V 

    6mA

    Abservando lo anterior y que 0E es aproximadamente 0c

     R E=200"  

     RC =800 " y RB=336666.66"

    =.* ara el =+@ de 'cc

     R E=400"los Resistores son → R C =600" y R B=296666.66"

    +on este nue)o )alor de Ce los

    resistores complementarios toman

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    PROCE%I&IE"#O'

    1. !rma el circuito amplicador de la gura DJ y mide el punto de operación

    en reposo /I0.

    Simulación (medición del punto )*'

    VCC12V

    R1430kΩ   R2

    1kΩ

    Q1

    2N2222A

    C1

    100n

    C2

    100n

    igura !a

    +EC) IC)

    Simulación D.KL $ .18

    m!#ransistor

    ,

    8.D8 $ 4.L m!

    #ransistor

    -

    .DK$ D.4' m!

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    VCC

    12V

    R1430kΩ   R2

    1kΩ

    Q1

    2N2222A

    XMM1

    XMM3

    '. !plica a la entrada del circuito* como se ilustra en la gura Db* una se"al

    senoidal de un 1%@z de frecuencia y una amplitud pico a pico de 1 m$*

    aumenta lentamente la amplitud de la se"al /obser)ando lo Fue ocurre

    con la se"al de salida0 @asta Fue a la salida se obtenga la mNima

    amplitud de la forma de onda sin distorsión alguna. 3uarda en G?: las

    grcas de entrada y salida /o respuesta0 del circuito* y calcula la

    ganancia de )oltaAe /!) 7 $salO$ent0. (stn en fase las se"ales de

    entrada y salidaQ (Nplica bre)emente.

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    C1

    100nF 

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    C2

    100nF 

    XFG1

    XSC2

     ; 1 ( 8

    B

    C

    igura !b

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    Simulación:

    Entrada Salida

    6re7 1%@z +PP antes dedistorsionarse+PP./0m+

    re. ,12z +PP. 3'-+

    %anaciade &olta'e ( A& )=Vsal

    Vent  =

      5.2V 

    70mV  =74.28 &eces

    #ransistor , 4.,/5

    Entrada Salida6re7 1%@z +PP antes de

    distorsionarse

    +PP.600m+

    re. ,12z +PP.3'7-+

    %anaciade &olta'e ( A& )=Vsal

    Vent  =

      5.92V 

    400mV  =78.1 &eces

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    C1

    100nF 

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    C2

    100nF 

    XFG1

    XSC2

     ; 1 ( 8

    B

    C

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    C1

    100nF 

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    C2

    100nF 

    XFG1

    XSC2

     ; 1 ( 8

    B

    C

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    #ransistor - 4.-!,

    Entrada Salida6re7 1%@z +PP antes de

    distorsionarse

    +PP.600m+

    re. ,12z +PP. 5'8-+

    %anaciade &olta'e ( A& )=Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =78.1 &eces

    . !@ora* conecta en el (misor una CR 7 C1 7 1 S como lo muestra la

    gura Dc. Mide y registra de nue)o el punto de operación en reposo I

    /1cr  $+(I0* es decir sin aplicar se"al en la entrada. !nota tus

    obser)aciones.

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    R3

    1.0kΩ

    &edición del punto de reposo ()* con RE.,009*'

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    C1

    100nF 

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    C2

    100nF 

    XFG1

    XSC2

     ; 1 ( 8

    B

    C

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    R3

    100Ω

    XMM1

    XMM2

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    &edición del punto de reposo ()* con RE.-009*'

    &edición del punto de reposo ()* con RE.6009*'

    VCC

    12V

    R1430kΩ   R2

    1kΩ

    Q1

    2N2222A

    XMM1

    XMM2

    VCC

    12V

    R3200Ω

    4.-Cepite el procedimiento del punto ' anterior. (s el mismo )alor de la

    ganancia de )oltaAe obtenida en el punto dosQ (Nplica.

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    C1

    100nF 

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    C2

    100nF 

    XFG1

    RE

    XSC1

    CeDtronix

    / = > E C

    B

    .

    VCC

    12V

    R1

    430kΩ  R2

    1kΩ

    Q1

    2N2222A

    XMM1

    XMM2

    VCC

    12V

    R3

    200Ω

    RE.,009 +EC) IC)

    Simulación

    #ransistor

    ,#ransistor

    -

    RE.-009 +EC) IC)

    Simulación !'!-+ 6'6/6m

    A#ransistor

    ,#ransistor

    -

    RE.6009 +EC) IC)

    Simulación !'8,8+ 6'036m

    A#ransistor

    ,#ransistor

    -

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    Simulacion'

    Con resistencia en el emisor (RE.,009*

    Entrada Salida

    re.,12

    z

    +PP antes de

    distorsion

    arse

    +PP.,'

    0-+

    re.,12z

    +PP.5'!-

    +

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    8.62V 

    1.02V  =8.4&eces

    #ransistor , 4.,/5 con resistencia en el

    emisor(RE.,009*

    Entrada Salida6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    5'55+

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =&eces

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    24/41

    #ransistor - 4.-!, con resistencia en el

    emisor(RE.,009*

    Simulacion'

    Con resistencia en el emisor (RE.-009*

    Entrada Salida

    re.

    ,12

    z

    +PP antes de

    distorsionarse

    +PP.,'

    5-+

    re.

    ,12z

    +PP.

    5',!

    +

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    8.62V 

    1.02V  =4.4 &eces

    #ransistor , 4.,/5 con resistencia en elemisor(RE.-009*

    Entrada Salida

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    C1

    100nF 

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    C2

    100nF 

    XFG1

    RE

    200Ω

    CeDtron

    Entrada Salida6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    7'0+

    %anacia de &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =  9V 

    10mV  =&eces

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

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    6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    /'!+

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =&eces

    #ransistor - 4.-!, con resistencia en el

    emisor(RE.-009*

    Entrada Salida6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    5'5+

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =&eces

    Con resistencia en el emisor (RE.6009*

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    C1

    100nF 

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    C2

    100nF 

    XFG1

    RE

    400Ω

    XSC1

    CeDtronix

    / = > E C

    B

    .

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    26/41

    Simulacion'

    Con resistencia en el emisor (RE.600*

    Entrada Salida

    re.

    ,12

    z

    +PP antes de

    distorsion

    arse

    +PP.,'

    5-+

    re.

    ,12z

    +PP.

    5',!

    +

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    8.62V 

    1.02V  =4.4 &eces

    #ransistor , 4.,/5 con resistencia en el

    emisor(RE.600*

    Entrada Salida6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    /'3-+

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =&eces

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    27/41

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    C1

    100nF 

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    C2

    100nF 

    XFG1

    RE

    100Ω

    XSC1

    CeDtronix

    / = > C

    B

    C3

    4.7µF 

    #ransistor - 4.-!, con resistencia en el

    emisor(RE.600*

    Entrada Salida6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    8'/!+

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =781mV 

    10mV  =&eces

    .-+onecta un capacitor en paralelo con CR  como lo muestra la gura Dd.

    bser)a y anota lo Fue ocurre con la amplitud de la se"al de salida. ?e

    modica el )alor de !)Q Por Fu5Q

     al +onectar el capacitor en paralelo

    con la resistencia se logra dar ms

    estabilidad al circuito y tambi5n

    obtenemos una mayor ganancia de

    )oltaAe en la salida.

    . !umenta la amplitud de la se"al de entrada de modo Fue el

    transistor entre a las regiones de corte y saturación 3uarda en G?: la

    grca de la se"al de salida y mide sus )alores mNimo y m>nimo de

    la amplitud. (Nplica en Fu5 regiones est trabaAando el

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    28/41

    D. Cealiza un cuadro sinóptico para )aciar todos los resultados

    num5ricos resultantes de eNperimentar en los diferentes circuitos con

    los dos transistores /I1 y I'0* anotando tus obser)aciones para cada

    caso.8. Cealiza tus conclusiones. +omplementa y resuel)e el cuestionario

    para Fue lo aneNes al reporte.

    +uestionario

    1 9ndica la principal caracter>stica de la polarización Aa.' +ul es la función de CRQ

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    29/41

    Practica /;Amplifcador con polarización de colector<

    base en confguración Emisor común;'

    IntroducciónEn un proceso de diseño o de an-lisis de un amplificador es necesario conocer la

    respuesta del sistema tanto en 8( como en ;(. a selección del punto de traba!o % de un

    transistor se realiza a través de diferentes circuitos de polarización que fi!en sus tensiones

    y corrientes.

    En la figura a se incluyen los circuitos de polarización m-s típicos basados en

    resistencias y fuentes de alimentaciónF adem-s, se indican las ecuaciones que permiten

    obtener el punto de traba!o de los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en

    algunos casos importantes.

    1.- ,ise"a un amplicador con :;< en

    conguración emisor comTn con

    polarización de colector base /como el

    Fue ilustra0 la gura 8a.

    +omo @emos )ista la importancia de

    mantener el punto de reposo en

    medio de la recta de carga para poder

    brindarle mayor estabilidad al circuito

    amplicador se dise"ara un circuito

    de polarización colector base el cual

    presenta una mayor estabilidad Fue

    los circuitos anteriores.

    !"#$a %a. C!$!'( *+ ,(-a$!a&!/n *+ '$an!'($+ JT

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    30/41

    ! continuación se realizaran los clculos de los arreglo de resistencias para el

    circuito de polarización colector-base para poder obtener un punto de reposo

    en $+(I7D$ y 9+I7Dm!.

    C(n!*+$+( +- !"#!+n'+ &!$!'(

    Ecuacion de malla de entrada

    1.−V CC = RC  ( I C + I B )+ I B RB+ I  E R E

    Ecuación de malla de salida

    2.−V CC = RC  ( I C + I B )+V CE+ I  E R E

    8e la ecuación = despe!amos el resistor de colector"

     RC =V CC −V CE− R E I  E

     I  E

    8e la ecuación / despe!amos el resistor de base"

     RB=V CC − RC  ( I C + I B )− R E I  E

     I B

    Ceniendo las consideraciones de 5e3/++ ?, =++ ? y con ++ ?, que

    corresponden a los valores permitidos para que haya una ganancia optima,

    exceptuando el valor de /++ ? que est- por deba!o del rango permitido se tiene"

    (on 5e3/++ ?

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    31/41

     RC =893" y RB=176.66 ! "

    (on 5e3=++ ?

     RC =795.02" y R B=176.66 ! "

     

    (on 5e3++ ?

     RC =595.02" y R B=176.66 ! "

    '.- repita las instrucciones y el procedimiento indicado en la prctica o D*

    agregando tambi5n al circuito dise"ado los capacitores +1 y + ' a la entrada y la

    salida respecti)amente.

    a. !rme el circuito amplicador con :;< en conguración emisor comTn

    con la conguración emisor-base y mida el punto de operación en

    reposo.

    VCC

    12V 

    RC

    R

    RE

    Q1

    2N2222A

    Polarización colector base con: las

    siguientes resistencias calculadas

     R E=100" (200" ( 400"

     RC =893 "(795.02"(595.02"

     RB=176.66 ! " (   : : : :

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    32/41

    &edición del punto de operación en reposo ()* con

    RE.,009*'

    VCC

    12V RC

    893Ω

    R

    177kΩ

    RE

    100Ω

    Q1

    2N2222A

    1

    DC 10MOhm.224   V+

    -

    2

    DC 1e-009Ohm.%5   A+

    -

    &edición del punto de operación en reposo ()* con

    RE.-009*'

    VCC12V 

    RC

    795Ω

    R

    177kΩ

    RE

    200Ω

    Q1

    2N2222A

    1

    DC 10MOhm.216   V+

    -

    2

    DC 1e-009Ohm.%%5   A+

    -

    RE.,009 +EC) IC)

    Simulación D.''4$ .8LDm!

    #ransistor

    ,#ransistor

    -

    RE.-009 +EC) IC)

    Simulación D.'1K$ .88Lm!

    #ransistor

    ,#ransistor

    -

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    33/41

    &edición del punto de operación en reposo ()* con

    RE.6009*'

    VCC

    12V 

    RC

    595Ω

    R

    177kΩ

    RE

    400Ω

    Q1

    2N2222A

    1

    DC 10MOhm.216   V+

    -

    2

    DC 1e-009Ohm.%%5   A+

    -

    RE.6009 +EC) IC)

    Simulación D.'1K$ .88Lm!

    #ransistor

    ,#ransistor

    -

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    34/41

    b. !plicando a la entrada del circuito una se"al de 1U@z y una )oltaAe pico

    a pico inicial de 1m$* aumentar lentamente la amplitud de la se"al

    @asta Fue en la salida obtenga un mNimo de amplitud de la forma de

    onda sin distorsionarse.

    Simulacion'

    Con resistencia en el emisor (RE.,009*

    #ransistor , 4.,/5 con resistencia en el

    emisor(RE.,009*

    Entrada Salida6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    -0'6+

    %anaciade &olta'e ( A& )

    VCC

    12V 

    RC

    595Ω

    R

    177kΩ

    RE

    400Ω

    Q1

    2N2222A

    XFG1

    C1

    100nF 

    XSC1

    CeDtronix

    / = > C

    B

    C2

    100nF 

    Entrada Salida

    re.

    ,12z

    +PP antesde

    distorsionarse

    +PP.,'-

    8+

    re.

    ,12z

    +PP.

    7',7

    +

    %anaciade &olta'e( A& )

    Vsal

    Vent =

    9.19V 

    1.23V  =7.4 &eces

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    35/41

    Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =&eces

    #ransistor - 4.-!, con resistencia en el

    emisor(RE.,009*

    Entrada Salida6re7

    1%@z

    +PP antes

    dedistorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    ,7'-+

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =&eces

    Simulacion' (Con un areglo de resitencias de:RE.-009

    = RC./739*

    Con resistencia en el emisor (RE.-009*

    Entrada Salida

    re.

    ,12

    z

    +PP antes de

    distorsion

    arse

    +PP.,'

    5-+

    re.

    ,12z

    +PP.

    5',!

    +

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    36/41

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    8.62V 

    1.02V  =4.4 &eces

    #ransistor , 4.,/5 con resistencia en el

    emisor(RE.-009*

    Entrada Salida6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    7'05+

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =&eces

    #ransistor - 4.-!, con resistencia en elemisor(RE.-009*

    Entrada Salida6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    5'5+

    %anaciade &olta'e ( A& )

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    37/41

    Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =&eces

    Con resistencia en el emisor (RE.6009 = RC.3739 *

    Simulacion'

    Con resistencia en el emisor (RE.600*

    Entrada Salida

    re.

    ,12

    z

    +PP antes de

    distorsionarse

    +PP.,'

    5-+

    re.

    ,12z

    +PP.

    5',!

    +

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    8.62V 

    1.02V  =4.4 &eces

    #ransistor , 4.,/5 con resistencia en elemisor(RE.600*

    Entrada Salida

    Q1

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    430kΩ

    C1

    100nF 

    R2

    1kΩ

    VCC

    12V 

    C2

    100nF 

    XFG1

    RE

    400Ω

    XSC1

    CeDtronix

    / = > E C

    B

    .

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    38/41

    6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    /',-+

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =&eces

    #ransistor - 4.-!, con resistencia en el

    emisor(RE.600*

    Entrada Salida6re7

    1%@z

    +PP antesde

    distorsionars

    e

    +PP.600

    m+

    re.

    ,12z

    +PP.

    /'8!+

    %anaciade &olta'e ( A& )

    Vsal

    Vent  =

    781mV 

    10mV  =&eces

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    39/41

    +G(?

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    40/41

    ?Amplifcador &ultietapa en Confguración Emisor Común

    PROCE%I&IE"#O

    1. !rme el circuito de la gura KJ siguienteV

    XFG1

    Q2

    2N2222A

    VCC

    12V 

    C1

    10µF 

    R1

    82kΩ

    2

    22kΩ

    R2

    220Ω

    R3

    820Ω

    R4

    22kΩ

    R

    1kΩ

    Q1

    2N2222A

    5

    8.2kΩ

    4%

    470Ω

    C2

    10µF 

    C3

    10µF 

    XSC1

    CeDtronix

    / = > E C

    B

    .

    C4

    10µF 

      igura 7a

    '. Primero mida y anote el punto de operación en reposo de los transistores

    I1 y I'* es decir* sin aplicarle se"al del generador de funciones al

    circuito amplicador sino solamente con el )oltaAe de polarización $cc de

    la fuente de poder.

      Punto deoperación en reposo

    Q2

    2N2222A

    VCC

    12V 

    R1

    82kΩ

    2

    22kΩ

    R2

    220Ω

    R3

    820Ω

    R4

    22kΩ

    R

    1kΩ

    Q1

    2N2222A

    5

    8.2kΩ

    4%

    470Ω

    C2

    10µF 

     4.20   V+

    -

    2

    DC 10MOhm.5%   V+

    -

    3

    DC 1e-009Ohm.552   A+

    -

    4

    DC.0%6   A+

    -

    Simulación +EC) IC)

    #ransistor

    ,

    .L8 $ .LL'

    m!#ransistor

    -

    4.'$ .8K

    m!

  • 8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime

    41/41

    . !@ora apliFue* con el generador de funciones* a la entrada del circuito

    una se"al sinusoidal de 1 %@z de frecuencia* conectando el canal 1 del

    osciloscopio a la entrada del amplicador multietapa y el canal ' a su

    salida.4. 9niciando con el control del generador de funciones al m>nimo* aumente

    lentamente la amplitud* obser)ando la se"al de salida del amplicadormultietapa /entre el colector de I' y tierra* esto es en el canal ' del

    osciloscopio0V y det5ngase Austo antes de Fue se empiece a distorsionar

    la se"al de salida.. Mida y registre el )alor $ p-c de la se"al de entrada y el $ pp de salida del

    amplicador multietapa.D. a de la se"al de salida con respecto a la

    entrada del multietapaQ1.Cealice la operación !) /etapa 1 W !) /etapa '0. +ompare este )alor con

    el de !) total calculado en el punto L y @aga sus obser)aciones.11.Cepita el procedimiento de los pasos indicados de los puntos al L

    anteriores* pero agregando un capacitor /+40 de 1 Xfd en paralelo conel emisor del primer amplicador como lo muestra la gura Kb. +ompare

    con los resultados obtenidos anteriormente y @aga sus obser)aciones.1'.!@ora desconecte el capacitor + Fue se encuentra en paralelo con C(

    de la etapa de salida. bser)e y anote Fue ocurre con la se"al de salida.1.+on las condiciones de los puntos 1* y 4 cambie el capacitor + por

    uno de 1 Xfd y obser)e lo Fue ocurre con la salida del multietapa.14.Mida y anote la !). como

    obser)aciones respecti)as y realice sus conclusiones.

    1D.(labore y resuel)a un cuestionario para entregarlo al inicio de la sesiónde laboratorio* de por lo menos 1 preguntas cuyo contenido sea

    referido al tema de 5sta prctica.