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CELDA BASICA: MULTIVIBRADORES
SON CIRCUITOS LOGICOS DE DOS ESTADOS QUE UTILIZAN REALIMENTACION POSITIVA
M. BIESTABLE O FLIP-FLOP: PRESENTA DOS ESTADOS ESTABLES QUE PUEDEN MANTENERSE INDEFINIDAMENTE A MENOS QUE SE CAMBIEN EN FORMA PREDETERMINADA. CAPAZ DE ALMACENARUN BIT Y ES LA CELDA BASICA DE UNA MEMORIA
M. MONOESTABLE: PRESENTA UN ESTADO ESTABLE Y OTRO CUASI ESTABLE QUE ES TRANSITORIO POR NATURALEZA. TRABAJA CON UN PULSO DEENTRADA Y GENERA UN PULSO DE DURACION ESPECIFICA (CTE R-C)
M. ASTABLE: PRESENTA DOS ESTADOS CUASI ESTABLES, SE COMPORTA COMO OSCILADOR
CELDA BASICA FLIP-FLOP
LATCH
FLIP-FLOP R-S
FLIP-FLOP R-S CMOS CON CLOCK
CELDA BASICA MEMORIA SRAM
FLIP-FLOP D
MONOESTABLE
ASTABLE
MEMORIAS
ESTRUCTURA DE UNA MEMORIA
2M rows X 2N columns.
MEMORIA SERIE
Cada bit almacenado se transfiere en secuenciaa través de varias localidades entre el momento que se escribe y el momento en que la información esta disponible para lectura
Registros de desplazamientoCintas magnéticasMemorias de burbuja
MEMORIA RAM DINAMICA (DRAM)
GUARDAN LOS DATOS EN FORMA DE CARGA ELECTRICA EMPLEAN CELDA CAPACITIVAREQUIERE PROCESO DE REFRESCO PARA MANTENER INFORMACION (CADA 2 MS)
DRAM
MEMORIA RAM ESTATICA (SRAM)
MEMORIAS QUE NO REQUIREN OPERACIÓN DE REFRESCOLA CELDA BASICA ES MAS COMPLEJA (FLIP-FLOP)
CICLO DE LECTURA Y ESCRITURA
LECTURA
ESCRITURA
SRAM
Tiempo de acceso 100 ns
EJEMPLO SRAM
MEMORIA ROM
MEMORIA DE ACCESO ALEATORIA LA INFORMACION SE ENCUENTRA FIJA Y NO ES VOLATILLA INFORMACION ALMACENADA SE FIJA DURANTE EL PROCESO DE FABRICACION
MEMORIA PROM
MEMORIA QUE SE PUEDE PROGRAMAR DESPUES DE SU FABRICACIONEL PROCESO DE PROGRAMACION SE DENOMINA QUEMAY UNA VEZ REALIZADO YA NO SE PUEDE REPROGRAMAR
MEMORIA EPROM
LOS DATOS PROGRAMADOS SE PUEDEN BORRAR Y REPROGRAMARCON NUEVOS DATOS
LA INFORMACION SE BORRA CON EXPOSICION A LUZ ULTRAVIOLETASE REPROGRAMA EN FORMA ELECTRICA
EJEMPLO EPROM
DECODIFICADOR DE DIRECCION
A NOR address decoder in array form. One out of eight lines (row lines) is selected using a 3-bit address.
DECODOFICADOR
A column decoder realized by a combination of a NOR decoder and a pass-transistor multiplexer.
A tree column decoder. Note that the colored path shows the transistorsthat are conducting when A0 = 1, A1 = 0, and A2 = 1, the address that results in
connecting B5 to the data line
MOS ROM
A simple MOS ROM organized as 8 words ´ 4 bits.
CELDA EPROM
(a) Cross section and (b) circuit symbol of the floating-gate transistor used as an EPROM cell.
The floating-gate transistor during programming.