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« Silicon Non-Volatile Memories:Paths of Innovation »

B. de Salvo

ISBN: 978-1-84821-105-6Hardcover320 pages

July 2009, Wiley-ISTE

Table of Contents

PrefaceChapter I. INTRODUCTIONChapter II.SEMICONDUCTOR INDUSTRY OUTLOOKII.I The Cyclical Semiconductor MarketII.II The Impressive Price Decline of IC CircuitsII.III Moore’s law, the ITRS and their Economic Im pactsII.IV Exponential Growth of Manufacturing and R&D CostsII.V The Consolidation of the IC IndustryII.VI ConclusionsII.VII ReferencesChapter III. RESEARCH ON ADVANCED CHARGE STORAGE MEM ORIESIII.I Key Features of Flash TechnologyIII.II Innovative Paths in Silicon Non-Volatile Mem ory TechnologiesIII.III Research on Advanced Charge Storage Memorie s:III.III.a Silicon Nanocrystal MemoriesIII.III.b High-k IPD based MemoriesIII.III.c FinFlash DevicesIII.III.d Molecular Charge-Based MemoriesIII.III.e Effects of Few Electron PhenomenaIII.IV ConclusionsIII.V ReferencesChapter IV. FUTURE PATHS OF INNOVATIONIV.I Evolutionary ApproachesIV.I.a New"High-k/Metal Gate" Stacks for "TANOS" Memo riesIV.I.b Metal Nano-dots coupled with Organic Template sIV.I.c 3D IC IntegrationIV.I.d Design/System ApproachesIV.II Alternative TechnologiesIV.II.a Near Term (end-of-decade) Emerging Technolog iesIV.II.b Long Term New Memory CandidatesIV.III ConclusionsIV.IV ReferencesChapter V. CONCLUSIONS

Ouvrages sur la tomographie (1/2)La tomographie c’est quoi ?

Quelques exemples d’images reconstruites suite à un processus d’acquisition et de reconstruction tomographique.

5µm

Optical Coherent Tomography (OCT)

X-ray Computed Tomography (X-ray CT) Nuclear Magnetic Resonance imaging with different p rotocols (IRM)

Positron Emission Tomography (PET)

Ouvrages sur la tomographie (2/2)� Un premier ouvrage (en 2 tomes) en français (2002) :La Tomographie & La Tomographie médicaleTraité IC2 (Information, Commande, Communication), série Traitement du Signal et de l’Image, Hermès Science Publications, Paris.

� Une version anglaise (Juin 2009) :TomographyISTE Ltd. et John Wiley & Sons Inc.

• Introduction to Tomography, Pierre Grangeat

• Part 1. Image Reconstruction• 2. Analytical Methods, Michel Defrise and Pierre Grangeat• 3. Sampling Conditions in Tomography, Laurent Desbas and Catherine Mennessier• 4. Discrete Methods, Habib Benali and Françoise Peyrin

• Part 2. Microtomography• 5. Tomographic Microscopy, Yves Usson and Catherine Souchier• 6. Optical Tomography, Christian Depeursinge• 7. Synchrotron Tomography, Anne-Marie Charvet and Françoise Peyrin

• Part 3. Industrial Tomography• 8. X-ray Tomography in Industrial Non-destructive Testing, Gilles Peix, Philippe Duvauchelle and Jean-Michel Letang• 9. Industrial Applications of Emission Tomography for Flow Visualization, Samuel Legoupil and Ghislain Pascal

• Part 4. Morphological Medical Tomography• 10. Computed Tomography, Jean-Louis Amans and Gilbert Ferretti• 11. Interventional X-ray Volume Tomography, Michael Grass, Régis Guillemaud and Volker Rasche• 12. Magnetic Resonance Imaging, André Briguet and Didier Revel

• Part 5. Functional Medical Tomography • 13. Single Photon Emission Computed Tomography, Irène Buvat, Jacques Darcourt and Philippe Franken• 14. Positron Emission Tomography, Michel Defrise and Régine Trébossen• 15. Functional Magnetic Resonance Imaging, Christoph Segebarth and Michel Décorps• 16. Tomography of Electrical Cerebral Activity in Magneto- and Electro-encephalography, Line Garnero

Titre: Innovative materials, modelling and characterization f or NanoscaleCMOS

Date de parution: fin 2009 Editeur: ISTE-WileyAuteurs: F. Balestra et al

Thèmes traités (nouveaux matériaux, modèles et méthodes de caractérisation pour CMOS ultime)

• Novel materials for nanoscale CMOS• Gate stacks • Strained Si and Ge and SOI channels• Schottky source-drain

• Advanced modelling and simulation for nanoMOSFETs• Modelling and simulation approaches for gate and drain current computation• Ballistic transport modelling in Si and alternative channel materials• Atomistic simulation for nanodevices• Compact models for advanced CMOS architectures• Beyond-CMOS

• Nanocharacterization methods• Accurate determination of transport parameters• Characterization of interface defects• Strain determination• RF characterization

Titre: La tendresse des galaxies

Date de parution: 2008Editeur: AmalthéeAuteur: F. BalestraCatégorie: Science fiction

Raisons et thèmes traités (extrait de la lettre d’information Mina-News) :

Francis Balestra écrit pour partager ses idées sur la marche du monde. Dans son premier roman, publié aux éditions Amalthée au printemps dernier, il propose une histoire romancée de l’univers. Classée dans la catégorie science-fiction, cette épopée raconte avec simplicité et poésie l’évolution, la complexitéainsi que la similitude des êtres vivants qui portent en chacun d’eux une partie substantielle de la mémoire de l’univers.Bien qu’ il évoque les divergences (écologiques, économiques, sociales) qui ébranlent le monde, son regard reste plein d’espoir et sa vision futuriste des êtres humains de demain, dotés par exemple de plusieurs cerveaux, ne manque ni d’humour ni d’humanisme !

1996 2006

Hervé Fanet

CEA-LETI

Avant édition Après éditionHervé Fanet

Août 2008 - 276 pp.

4 auteurs LETI :4 auteurs LETI :4 auteurs LETI :4 auteurs LETI :Ph. GiletPh. GiletPh. GiletPh. GiletA. A. A. A. GasseGasseGasseGasseT. T. T. T. MaindronMaindronMaindronMaindronD. D. D. D. VaufreyVaufreyVaufreyVaufrey

April 2009 - 296 pp.

Préface -M. Fontoynont. Introduction -P. Mottier. Chapitre 1. Les diodes électroluminescentes : principe et défis -G. Zissis. Chapitre 2. Les substrats pour les diodes électroluminescentes de type III-nitrures -P. De Mierry. Chapitre 3. Les diodes électroluminescentes ultra-brillantes III-Nitrures -A. Dussaigne, N. Grandjean. Chapitre 4. Le process des diodes -P. Gilet. Chapitre 5. Le packaging -A. Gasse. Chapitre 6. Caractérisation photoélectrique des diodes électroluminescentes -C. Eugène, J.-M. Deswert. Chapitre 7. La qualité de la lumière blanche obtenue avec des LEDs -F. Viénot. Chapitre 8. La technologie OLED -T. Maindron, D. Vaufrey.

Objectif

Collection de microCollection de microéélectronique et nanolectronique et nanoéélectronique (resp. M. Bruel et M. Mouis)lectronique (resp. M. Bruel et M. Mouis)

Nous sollicitons vos contributionsNous sollicitons vos contributions

et nous apportons notre support et nous apportons notre support àà vos vos

propositions dpropositions d’’ouvrage !ouvrage !

ISBN 978-184821050923 juin 2008

ISBN 978-184821105614 Juillet 2009

A paraître fin 2009

Mouis@minatec.inpg.fr Michel.Bruel@cea.fr

A venir pour 2010 :

Innovative materials, modeling and

characterization for Nanoscale CMOS.

(F. Balestra, Q1 2010)

Analyse numérique en électromagnétisme:

la méthode TLM.

(P. Saguet, Q3 2010, Editions Hermes, en français)

A paraître 2010

Objectif

Pas d’ouvrage qui donne une vue d’ensemble de la problématique des contraintes mécaniques dans les micro-nano-technologies…

Ouvrage collectif écrit à la suite de l’école d’étéco-organisée par:

• le GDR Relax• l’ACI Contraintes• l’ANR STRESSNET

Date de publication: Mai 2006

Partant dPartant d’’un constat :un constat :

… ni qui fournisse les bases théoriques adaptées.

Contenu :Contenu :Contenu :Contenu :

Substrat - Si

TiSi2

Poly-Si

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Tension

Bases thBases thééoriques de moriques de méécaniquecanique

Rôle des contraintes dans les Rôle des contraintes dans les

procprocééddéés micros microéélectroniqueslectroniques

Quelques techniques clefsQuelques techniques clefs

pour la simulation et la pour la simulation et la

caractcaractéérisation des contraintesrisation des contraintes

Impact sur les propriImpact sur les propriééttééss

des composants actifsdes composants actifs

GGéénnéération, relaxation et ration, relaxation et

exploitation des contraintesexploitation des contraintes

ÉÉlasticitlasticitéé, thermodynamique, surfaces, thermodynamique, surfaces……Outils conceptuels et modOutils conceptuels et modéélisation des lisation des phphéénomnomèènes pour tous les sujets traitnes pour tous les sujets traitéés.s.

Structures de bandes, transport, Structures de bandes, transport, propripropriééttéés optiquess optiques……

CESL

NiSi

NiSi

Poly-Si

CESL

NiSi

NiSi

Poly-Si

CESL

NiSi

NiSi

Poly-Si

PHYSICS OF CRYSTAL GROWTHA. Pimpinelli, J. Villain (1998)

Physique de la croissance cristalline (Eyrolles)

35 Euros

Cambridge, 63 $, 380 pp.

Thermodynamique(tension superficielle…):60 p.

Dynamique (diffusion,instabilités, nucléation…)165 p.

Elasticité: 50 pages

Technologie: 10 pagesAppendices: 55 pages

Bibliographie, index: 30 p.

),()],([ )],([ 2222 tftztzKt

zrrr +∇∇+∇∇−=

∂∂ σ

Rugosité de croissance en MBE sans évaporation:

Oxford, 2005400 pp., 99 Euros

Dante Gatteschi, Roberta Sessoli, Jacques Villain

H=0 0≠H

Synthèse chimiqueEtude physique Théorie

2006

Résumé• L’assemblage et le packaging sont les étapes de fabrication qui

interviennent en fin de procédé pour transformer les composants électroniques en produits fonctionnels avant leur utilisation finale.

• Quelque soit le domaine d’application, le packaging constitue donc l’ultime protection permettant au composant d’évoluer dans un environnement qui lui est favorable.

• Cet ouvrage présente un panorama général des techniques de packaging tenant compte de l’évolution des produits, des nouvelles technologies et les contraintes associées. Quelques solutions adaptées à des fonctionnalités spécifiques (mécaniques, fluidiques ou optiques) pour plusieurs domaines d’applications et des perspectives techniques et économiques sont également présentées.

• L’ouvrage comporte trois parties décrivant tour à tour les principaux concepts de packaging avancé, les problématiques conséquentes aux nouveaux procédés d’intégration et des exemples d’applications.

Plan• Introduction Gilles Poupon

• Concepts et procédés– Les systèmes sur Puce M Belleville – D Lattard (CEA –

LETI)– Le “system in package” J.M Yannou (NXP Caen)– Wafer Scale Packaging J M Yannou – Intégration tridimensionnelle ou 3D L Di Cioccio – B Charlet (CEA –

LETI)

• Problématiques– Management thermique X Gagnard (ST Microelectronics)– Modélisation – Fiabilité Y Ousten, Y Deshayes, L Bechou (IMS Bordeaux)

• Exemples d’applications– Packaging de composants optoélectroniques C Kopp, S Bernabé (CEA – LETI)– Packaging des imageurs S Bolis (CEA – LETI)– Packaging des microsystèmes pour la biologie et la santé

P Caillat – F Sauter-Starace (CEA – LETI)

PHYSIQUE DES DIELECTRIQUESJean Claude Peuzin et Damien Gignoux

• CONTENU:

• Rappels d’électrostatique et d’électromagnétisme du vide

• Champ créé par un milieu polarisé

• Phénoménologie des diélectriques linéaires

• Modèles microscopiques de diélectriques linéaires

• Optique cristalline linéaire et non linéaire

• Ferroélectricité

• Piézoélectricité• Autres phénomènes de

couplage dans les diélectriques

1. Introduction.2. Some Useful Concepts and Reminders.3. Ballistic Transport and Transmission Conductance.4. S-matrix Formalism.5. Tunneling and Detrapping.6. An Introduction to Current Noise in MesoscopicDevices.7. Coulomb Blockade Effect.8. Specific Interference Effects.9. Graphene and Carbon Nanotubes.10. Appendices.

What must be taught to students starting from scratch to make them understandthe bases of electron transport in mesoscopic devices?

- 400 pages.- Practical exercises and solutions.- Accessible to the independentreader.

Figure 1.2. The quantum garage.

Understanding Carbon NanotubesA. Loiseau, P. Launois, P. Petit, S. Roche, JP. Salvetat

• CONTENT:• Polymorphism & Structures

of Carbons• Synthesis Methods &

Growth Mechanisms• Structural Analysis by

Elastic ScatteringTechniques

• Electronic Structures • Transport Properties• Mechanical Properties of

Individual Nanotubes and Composites

• Surface Properties, porosity, Chemical and ElectrochemicalApplications

Ce livre est né de la convergence de la passion de l’image et de l’envie de vivre à la montagne.

Thème : Méaudre au travers des saisons et de ses habitants

Une citation dans l’ouvrage : « …Lorsque de nouveaux habitants

arrivent dans un village, ils devraient dire « merci » car s’ils se trouvent bien c’est que des gens ont œuvrépour préparer ce dont ils bénéficient … »

Parution en fin d’année…. Peut être !

Pascal

CONCHE