1. Procedimiento 1.1. De las especificaciones del fabricante obtenga los valores correspondientes a V TN y k del NMOS seleccionado. *Para simplificar los calculos, asuma un voltaje de umbral (Vt) de 2.474 V (data de multisim) y una constante Kn de 540 mA/ . En el caso de realizar el experimento de forma fisica, emplear el valor de Vt proporcionado por el fabricante para este modelo de MOSFET y determinar una kn a partir de la curva Id vs Vds tambien suministrada por el fabricante. 1.2. Diseñe los valores de R 1 , R 2 , R S y R D para el punto de operación asignado por su instructor. En este caso diseñe el circuito de DC para que opere a Id= 23.34mA y Vds =6.69 V. Emplee 3 decimales para obtener valores bastantes exactos de la resistencias. 1.3. Elija los valores comerciales de R más cercanos a los diseñados para R 1 , R 2 , R S y R D y complete la tabla 1. En caso de no existir la resistencia comercial cercana a la que calculo, puede aproximar la misma empleando las resistencias existentes, sin embargo trate de usar los valores mas altos posibles para no utilizar demasiadas resistencias. 1.4. Recalcule el punto de operación estática con los resistores comerciales escogidos. Tabla 1. Valores de las Resistencias del Circuito Valores de Diseño Valores Comerciales R 1 1.0903 M 1 M + 82 k + 8 k R 2 1M 1 M R S 500 1k // 1k R D 498.715 1k // 1k

Laboratorio 4 Vini

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1. Procedimiento

1.1. De las especificaciones del fabricante obtenga los valores correspondientes a VTN y k del NMOS seleccionado.*Para simplificar los calculos, asuma un voltaje de umbral (Vt) de 2.474 V (data de multisim) y una constante Kn de 540 mA/ . En el caso de realizar el experimento de forma fisica, emplear el valor de Vt proporcionado por el fabricante para este modelo de MOSFET y determinar una kn a partir de la curva Id vs Vds tambien suministrada por el fabricante.

1.2. Diseñe los valores de R1, R2, RS y RD para el punto de operación asignado por su instructor. En este caso diseñe el circuito de DC para que opere a Id= 23.34mA y Vds =6.69 V. Emplee 3 decimales para obtener valores bastantes exactos de la resistencias.

1.3. Elija los valores comerciales de R más cercanos a los diseñados para R1, R2, RS y RD y complete la tabla 1.En caso de no existir la resistencia comercial cercana a la que calculo, puede aproximar la misma empleando las resistencias existentes, sin embargo trate de usar los valores mas altos posibles para no utilizar demasiadas resistencias.

1.4. Recalcule el punto de operación estática con los resistores comerciales escogidos.

Tabla 1. Valores de las Resistencias del Circuito

Idq=23.34mAV ds=6.654 V gs=2.681

1.5. Arme el circuito propuesto usando los capacitores y la carga RL asignados por su instructor. Con la señal de excitación en cero determine por medición el punto de operación del circuito. Anote sus mediciones. Compare los valores medidos con los calculados.

R:/ Como la oscilación de voltaje en la puerta ( GATE ) es 0 no hay variaciones con los valores calculador en el circuito DC.

Valores de Diseño Valores ComercialesR1 1.0903 M 1 M + 82 k + 8 kR2 1M 1 MRS 500 1k // 1kRD 498.715 1k // 1k

Mi Conclusión:

En la pasada experiencia de laboratorio aprendí como diseñar un circuito para un MOSFET enriquecimiento, dicho diseño fue para un punto de operación y corrientes específicas, paralelamente se pudo comprobar las características de amplificación de este dispositivo, concepto que anteriormente no estaba claro.