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laboratiorio de analogicos
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Informe Previo de Laboratorio N°2 1
A.
ÍNDI
CE
ARIÍ
2015-II
INFORME PREVIO DE LABORATORIO N°3: EL TRANSISTOR BIPOLAR, POLARIZACIÓN
Y GANANCIA
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
DEPARTAMENTO ACADÉMICO DE TELECOMUNICACIONES
Curso: LABORATORIO DE CIRCUITOS ANALÓGICOS
Cod. Curso: IT-144-M
Docente: ING. ANGEL L. ALBURQUEQUE GUERRERO
Grupo N°: 2
Integrantes: LIZETH CASTRO HUAMÁN (20124140C)
CÉSAR CONDORI ANAYA (20120040D)
DAVID FALCÓN CORZO (20122096G)
Informe Previo de Laboratorio N°2 2
ÍNDICE
Comentarios de inicio…………………………………….….…...3
Cuestionario…………….………………………………………….4
Bibliografía…………………………………………………………13
Informe Previo de Laboratorio N°2 3
A. COMENTARIOS DE INICIO
Este informe presenta el cuestionario previo a la experiencia y las
simulaciones obtenidas en computadora del laboratorio N°3 del curso
Laboratorio de Circuitos Analógicos de la FIEE-UNI, para luego
vereficar y contrastarlos con los datos experimentales que resulten de
la experiencia a realizarse.
Cabe destacar que las simulaciones de los circuitos a utilizarse en
este experimento se realizaron con el software Proteus v7.10 portable,
el cual posee una gran didáctica que nos ayudará en el desarrollo de
este informe.
Informe Previo de Laboratorio N°2 4
B. CUESTIONARIO
1. De los manuales obtener los datos de un transistor, para el diseño de
la etapa propuesta por el profesor.
Para el caso del transistor propuesto en la lista de materiales (BC548B),
obtenemos de su datasheet las características más importantes (Fabricante:
Fairchild).
Características Eléctricas:
Variables Símbolos Valores Voltaje Colector-Emisor VCE 30 V. Voltaje Colector-Base VCB 30 V. Voltaje Emisor-Base VEB 5 V.
Corriente del Colector IC 500 mA (valor máximo) Beta del Transistor hFE o β 200 (variable)
Temp. de funcionamiento TJ -55 a 150 °C
Características térmicas
Variables Símbolos Valores
Disipación térmica de potencia
PD 625 mW
Resistencia Térmica, juntura a cubierta
RθJC 83.3 °C/W
Resistencia Térmica, juntura a ambiente
RθJA 200 °C/W
A continuación presentamos el datasheet del transistor
Informe Previo de Laboratorio N°2 5
Informe Previo de Laboratorio N°2 6
2. Diseñar completamente el circuito de la fig.1 para un punto de
operación ICQ = 2mA, VCEQ = 5 Volt. con un transistor BC548B y
también para Máxima Excursión Simétrica Posible.
Presentamos, a continuación los dos circuitos solicitados. El primero con una
aproximación del punto de operación Q solicitado y el segundo con la
característica de máxima excursión simétrica posible.
Informe Previo de Laboratorio N°2 7
Arriba: Circuito con el punto de operación Q solicitado. Abajo: Circuito
con la máxima excursión simétrica posible.
Q2BC548
R323.5k R4
2.2k
R513.3k
R62.2k
12V
Volts
+4.74
mA
+1.65
V1VSINE
C1
10uF
C2
50uF
C3100uF
R710k
Q1BC548
R147k RC
1.2k
R222k
RE1.2k
12V
Volts
+6.15
mA
+2.43
V2VSINE
C4
10uF
C5
50uF
C6100uF
R810k
Informe Previo de Laboratorio N°2 8
3. Dibujar en una hoja completa cada uno de los circuitos con valores
comerciales de los elementos y los valores de tensión y corriente
esperados.
A continuación se presenta lo solicitado
Informe Previo de Laboratorio N°2 9
4. Simule en computadora cada uno de los circuitos.
De los circuitos anteriores, añadimos el osciloscopio a la simulación y obtenemos la forma de la
onda de salida vs. la forma de la onda de entrada.
Informe Previo de Laboratorio N°2 10
Para el circuito con el punto de operación Q.
Q2BC548
R323.5k R4
2.2k
R513.3k
R62.2k
12V
+88.8
Volts
+88.8
mA
V1VSINE
C1
10uF
C2
50uF
C3100uF
R710k
A
B
C
D
Informe Previo de Laboratorio N°2 11
El osciloscopio muestra, para este circuito:
Para el circuito con máxima excursión simétrica posible.
Q1BC548
R147k RC
1.2k
R222k
RE1.2k
12V
+88.8
Volts
+88.8
mA
V2VSINE
C4
10uF
C5
50uF
C6100uF
R810k
A
B
C
D
Informe Previo de Laboratorio N°2 12
El osciloscopio muestra, para este circuito:
Informe Previo de Laboratorio N°2 13
C. BIBLIOGRAFÍA
Circuitos Eléctricos, Dorf – Svoboda.
Fundamentos de Circuitos Eléctricos, Charles K. Alexander – Mathew N. O.
Sadiku.
Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, Robert L.
Boylestad – Louis Nashelsky 10ma edición, Pearson, 2009.
Dispositivos Electrónicos y Amplificación de Señales, A. S. Sedra – K. C.
Smith, McGRAW-HILL Interamericana de México.
Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados, Donald L. Schilling – Charles
Belove, Editorial Marcombo.
Recursos en la web:
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/B/C/5/4/BC548.shtml