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Departamento de Electr´ onica Laboratorio de Electr´ onica 1 PRACTICA N o 1 Circuito amplificador a transistor bipolar odigo: E1-01 Fecha: agina: 1 de 4 ´ Indice 1. Objetivos 2 2. Prerrequisitos 2 3. Marco Te´ orico 2 4. Equipamiento necesario 2 5. DESARROLLO DEL EXPERIMENTO 3 5.1. Obtenci´ on de la curva caracter´ ıstica del transistor BJT con Pspice..................... 3 5.1.1. PROCEDIMIENTO: ........................................ 3 5.2. Amplificador con polarizaci´ on por divisor de voltaje............................. 3 5.2.1. PROCEDIMIENTO: ........................................ 3 6. Resultados 4 Plantilla para experiencias de Laboratorio elaborado por el Prof. Msc Sergio Toledo

guia de laboratorio nro 1

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ensayo en lab de electronica practica numero 1

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Page 1: guia de laboratorio nro 1

Departamento de ElectronicaLaboratorio de Electronica 1

PRACTICA No 1Circuito amplificador a transistor bipolar

Codigo: E1-01Fecha:Pagina: 1 de 4

Indice

1. Objetivos 2

2. Prerrequisitos 2

3. Marco Teorico 2

4. Equipamiento necesario 2

5. DESARROLLO DEL EXPERIMENTO 35.1. Obtencion de la curva caracterıstica del transistor BJT con Pspice. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

5.1.1. PROCEDIMIENTO: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35.2. Amplificador con polarizacion por divisor de voltaje. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

5.2.1. PROCEDIMIENTO: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

6. Resultados 4

Plantilla para experiencias de Laboratorio elaborado por el Prof. Msc Sergio Toledo

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1. Objetivos

• Obtener las curvas caracterısticas de entrada y salida mediante simulacion.

• Obtener la recta de carga estatica y dinamica as como el punto de trabajo (punto Q) del circuito mediantesimulaciones.

• Determinar los parametros hıbridos ((h)) del transistor (hie; hfe), para el punto trabajo utilizado.

• Analizar configuraciones amplificadoras basicas de tension y de corriente.

2. Prerrequisitos

A fin de llevar a cabo exitosamente la practica, el usuario debe estar familiarizado con:

• Manejo del simulador Pspice.

• Configuraciones de los diferentes perfiles de simulacion con Pspice.

• Conocimiento sobre las diferentes configuraciones de polarizaciones con transistores BJT.

• Manejo adecuado de los instrumentos de laboratorio como ser multımetros, osciloscopios, modulo ELVIS II.

3. Marco Teorico

Antes del inicio de una experiencia de laboratorio se procedera a verificar los caculos teoricos y las simulaciones,en caso de no contar con los mismos no se podra realizar la experiencia de laboratorio.

4. Equipamiento necesario

• Estacion de trabajo ELVIS II.

• Osciloscopio Digital.

• Multımetro Digital.

• Fuente de DC.

• Resistores y capacitores.

• Transistor 2N2222A. .

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5. DESARROLLO DEL EXPERIMENTO

5.1. Obtencion de la curva caracterıstica del transistor BJT con Pspice.

Figura 1: Circuito para la obtencion de la curva caracterıstica del transistor BJT.

5.1.1. PROCEDIMIENTO:

1. Trazar curvas caracterısticas con el Pspice y verificarlo en la practica.

2. Identificar las diferentes regiones de operacion del transistor y los modelos asociados a cada region (Corte,Saturacion, Region activa).

5.2. Amplificador con polarizacion por divisor de voltaje.

Figura 2: Amplificador con polarizacion por Divisor de Voltaje.

5.2.1. PROCEDIMIENTO:

a) Calculos teoricos

1. Determine el punto de polarizacion del amplificador.

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2. A partir de las simulaciones con Pspice determinar los parametros hıbridos hfe, hie.

3. Calcular la ganancia de tension (Av), la ganancia de corriente (Ai) y la potencia desarrollada en la carga (RL).

4. Calcular la impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida (Zo).

b) SimulacionesUtilizando el circuito de la Figura 2 realice los siguientes pasos:

1. Determinar el punto Q de polarizacion.

2. Grafique la recta de carga estatica y dinamica con la resistencia de carga RL conectada al circuito.

3. Aplicar una tension senoidal de 10mV y frecuencia de 1Khz, medir las tensiones de entrada y salidas, posterior-mente determinar la ganancia de tension, ganancia de corriente y el desfasaje de la senal de salida.

c) MedicionesUtilizando el circuito de la Figura 2 realice los siguientes pasos:

1. Monte en el protoboard el circuito de la Figura 2.

2. Mida los valores de IB, IC, IE y VCE del circuito.

3. Conectar el generador de senales con una amplitud de 10mV y frecuencia de 1Khz.

4. Mediante el osciloscopio determine el voltaje de salida y entrada del circuito.

5. Determine la ganancia de tension y desfasaje del circuito.

6. Mediante el osciloscopio determine la corriente de entrada (Ii) y la corriente de salida (Io). (Estas medicionesdeberan ser de manera indirecta ya que el osciloscopio mide voltajes).

7. Determine la ganancia de corriente.

8. Calcule la potencia desarrollada en la carga RL.

6. Resultados

Realice un analisis con los resultados obtenidos con los valores experimentales, las simulaciones y los calculosteoricos, teniendo en cuenta:

• Verifique la correspondencia o no entre la teorıa y los resultados experimentales.

• Explique las posibles divergencias encontradas, justificando las observaciones realizadas

Referencias

[1] J. Millman. Electronica Integrada (Circuitos y sistemas analogicos y digitales). Editorial Hispano Europea, S.A.,novena edicion edition, 1984.

[2] M. Rashid. Circuitos Microelectronicos. Analisis y Diseno. International Thomson Editores, 2003.

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