半導体事業譲渡に伴うお知らせ

パナソニック株式会社の半導体事業は、2020年9月1日にNuvoton Technology Corporation（以下、Nuvoton）へ譲渡され、パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社は、ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社（以下、NTCJ）としてNuvotonグループの会社となりました。

これに伴い、2020年9月1日以降、半導体商品はNTCJ製となりますが、引き続き、パナソニック株式会社を通じた販売を継続いたします。

本ドキュメントにつきましては、製造元であるNTCJが発行しています。本文中にパナソニック/パナソニック セミコンダクターソリューションズの記述がございましたら、NTCJに読み替えてご使用ください。

※ “本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項”を除く

ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社

製品規格

MOS FET

FC6B21150L

絶対最大定格　Ta = 25 °C

ソース・ソース間電圧

ゲート・ソース間電圧

チャネル温度

保存温度 FET2

Note *1 FR4基板実装時 FET1(25.4mm × 25.4mm × t1.0mm, 36μm Copper)

*2 セラミック基板実装時

(70mm × 70mm × t1.0mm)*3 t = 10 μs, Duty Cycle ≤ 1 %

Page

包装仕様

形名表示記号: 16

ＣＳＰ(チップ サイズ パッケージ)

個 / 巻 （標準）

Unit: mm

鉛フリー 対応パッケージ（EU RoHS / MSL:Level 1　適合）

エンボスタイプ（熱圧着方式）：

低ソース・ソース間オン抵抗:Rss(on)typ. = 4.0 mΩ（VGS = 4.5 V)

FC6B21150Lゲート抵抗内蔵デュアルNチャネルMOSFETリチウムイオン2次電池保護回路用

特長

10 000

4. Source2-1 (FET2)

2. Gate1 (FET1) 5. Gate2 (FET2)

3. Source1-2 (FET1) 6. Source2-2 (FET2)

1. Source1-1 (FET1)

Panasonic MLGA006-W-1721-RA項目 記号 定格 単位 JEITA —

—VGS ±10.5 VVSS 12 V Code

ソース電流 DC *1 IS1

Pulse *3 ISp 80 A

Equivalent circuit DC *2 IS2 17 A

8 A

許容損失 DC *1 PD1 0.45 W DC *2 PD2 2.1 W

Tch 150 °CTstg -55 to +150 °C

熱抵抗　チャネル・外気間 DC *1 Rth1 278 °C/W DC *2 Rth2 59 °C/W

1 of 5

1, 3(S1-1), (S1-2)

2(G1)

(G2)5

(S2-1), (S2-2)4, 6

2.14

21

56

1.67

0.65

0.65

0.11

(0.42) (0.51)0.65

3

4

φ0.3

Doc No. TT4-EA-14950Revision. 1

Established : 2014-02-28Revised : ####-##-##

製品規格

MOS FET

FC6B21150L

電気的特性　Ta = 25 °C ± 3 °C

ソース・ソース間降伏電圧

ソース・ソース間遮断電流

ゲートしきい値電圧

ダイオード順方向電圧

ターンオン遅延時間 *1,*2

上昇時間 *1,*2

ターンオフ遅延時間 *1,*2

下降時間 *1,*2

総ゲート電荷量 *1

ゲート・ソース電荷量 *1

ゲート・ドレイン電荷量 *1Note 測定方法は、日本工業規格　JIS C 7030 トランジスタ測定方法による

*1 設計保証の項目

*2 ターンオン遅延時間 / 上昇時間 / ターンオフ遅延時間 / 下降時間　測定回路

Note2:測定回路

Page

項目 記号 条件 最小 単位VSSS IS = 1 mA, VGS = 0 V 12 V

標準 最大

ISSS VSS = 12 V, VGS = 0 V 1.0 μA

ゲート・ソース間漏れ電流 IGSS VGS = ±8 V, VSS = 0 V VGS = ±5 V, VSS = 0 V ±1.0

3.8 5.9 10

Vth IS = 0.84 mA, VSS = 10 V 0.35 0.90

RSS(on)3 IS = 4.0 A, VGS = 3.1 V 3.5 4.8

μA

1.4 V

±10

5.1

6.8RSS(on)4 IS = 4.0 A, VGS = 2.5 V

mΩRSS(on)2 IS = 4.0 A, VGS = 3.8 V 3.2 4.3 5.5

帰還静電容量　*1 Crss 390

ソース・ソース間オン抵抗

RSS(on)1 IS = 4.0 A, VGS = 4.5 V 3 4

VF(s-s) IF = 4.0 A, VGS = 0 V 0.8 1.2

450

V入力静電容量　*1 Ciss

VSS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz2760

pF出力静電容量　*1 Coss

μstr IS = 4.0 A 5.2td(on) VDD = 10 V, VGS = 0 to 4.0 V 4.1

td(off) VDD = 10 V, VGS = 4.0 to 0 V 12.9μstf IS = 4.0 A 8.3

nCQgs 9Qg VDD = 10 V

VGS = 0 to 4.0 V, IS = 4.0 A

26

5

Qgd 8

2 of

10 %

90 %

90 %

10 %

90 %

10 %

td(on) tr td(off) tf

Vout

RL = 2.5 Ω

VDD = 10 V

Vin

S1

G1

50 Ω

Rg

G2Rg

S2

IS = 4.0 A

PW = 10 μsD.C. ≤ 1 %

0 V

4 V

Vin

Vout

Doc No. TT4-EA-14950Revision. 1

Established : 2014-02-28Revised : ####-##-##

製品規格

MOS FET

FC6B21150L

Technical Data ( reference )

Page

IF - VF IGS - VGS

3 of 5

IS - VSS RSS(on) - IS

IS - VGS RSS(on) - VGS

Source-source Voltage VSS (V)

Gate-source Voltage VGS ( V )

Gate-source Voltage VGS (V)Body Diode Forward Voltage VF ( V )

Sour

ce C

urre

nt IS

( A

)

Gate-source Voltage VGS ( V )

Sour

ce C

urre

nt IS

( A

)

Gat

e-so

urce

Lea

kage

Cur

rent

IGS

( A

)

Dio

de F

orw

ard

Cur

rent

IF (

A )

Source Current IS (A)

Sour

ce-s

ourc

e O

N-s

tate

Res

ista

nce

RSS

(on)

( m

Ω )

Sour

ce-s

ourc

e O

N-s

tate

Res

ista

nce

RSS

(on)

( m

Ω )

0

2

4

6

8

10

12

0 0.05 0.1 0.15 0.2

※Pulse measurement

2.5 V

3.1 V

3.8 VVGS = 4.5 V

2.0 V

0.01

0.1

1

10

0.5 1 1.5 2 2.5

※Pulse measurement

Ta = 85 °C

-40 °C

25 °C

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

1 2 3 4 5

※Pulse measurement

IS = 4.0 A

Ta = 85 °C

-40 °C25 °C

0.01

0.1

1

10

100

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

※Pulse measurement

Ta = 85 °C

-40 °C

25 °C

1.E-10

1.E-08

1.E-06

1.E-04

1.E-02

0 5 10 15

※Pulse measurement

Ta = 85 °C

-40 °C

25 °C

2

3

4

5

6

7

8

1 3 5 7 9 11

※Pulse measurement

VGS = 4.5 V

2.5 V

3.1V

3.8V

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Established : 2014-02-28Revised : ####-##-##

製品規格

MOS FET

FC6B21150L

Technical Data ( reference )

Page 4 of 5

ISS - VSS Dynamic Input/Output Characteristics

Rth - tsw Safe Operating Area

Thermal Response

Source-source Voltage VSS ( V )

Zero

Gat

e Vo

ltage

Sou

rce

Cur

rent

ISS

( A )

Sour

ce C

urre

nt IS

( A

)

Source-source Voltage VSS ( V )

Gate Charge ( nC )

Gat

e -s

ourc

e Vo

ltage

VG

S ( V

)

Pulse Width tsw ( s )

Square Wave Pulse Duration ( s )Nor

mal

ized

Effe

ctiv

e Tr

ansi

ent T

herm

al Im

peda

nce

Th

erm

al R

esis

tanc

e R

th ( °C

/W )

1.E-10

1.E-09

1.E-08

1.E-07

1.E-06

1.E-05

1.E-04

1.E-03

0 5 10 15 20

Ta = 85 °C

-40 °C

25 °C

0.1

1

10

100

1000

0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000

Ta = 25 °C,Mounted on FR4 board ( 25.4 mm × 25.4 mm × t1.0 mm )using the minimum recommended pad size (36μm Copper ).

0.001

0.01

0.1

1

10

0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000

Duty Cycle = 0.5

0.2

0.10.05

0.02

Single Pulse

Ta = 25 °C,Mounted on FR4 board ( 25.4 mm × 25.4 mm × t1.0 mm )using the minimum recommended pad size (36μm Copper ).

0.01

0.1

1

10

100

1000

0.1 1 10 100

limited by RSS(on) （VGS = 3.8 V）

PW = 10 μs

500 μs

1 ms

3 ms11 ms100m1 sDC

Ta = 25 °C,Mounted on FR4 board( 25.4 mm × 25.4 mm × t1.0 mm )using the minimum recommended pad size (36μm Copper ).

0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0

0 10 20 30 40

IS = 4.0A 8 V

VDD = 12 V

10 V

Doc No. TT4-EA-14950Revision. 1

Established : 2014-02-28Revised : ####-##-##

製品規格

MOS FET

FC6B21150L

Unit: mm

Page

MLGA006-W-1721-RA

Land Pattern (Reference) (Unit: mm)

55 of

2.14±0.04

1.67±

0.04

0.6

5(0.

51)

0.65(0.42) 0.65

φ0.30±0.03

1 2

56 4

3

0.11

+0.0

5-0

.02

0.65

0.65

φ0.3

0.65

Doc No. TT4-EA-14950Revision. 1

Established : 2014-02-28Revised : ####-##-##

本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項

(1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出管理に関する法令を遵守してください。

(2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、それをもってパナソニック株式会社、ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責任を負うものではありません。

(3) 本書に記載の製品は、一般用途(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)、もしくは、本書に個別に記載されている用途に使用されることを意図しております。特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途 －特定用途(車載機器、航空・宇宙用、輸送機器、交通信号機器、燃焼機器、医療機器、安全装置など)でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上、使用条件等に関して別途、文書での取り交わしをお願いします。文書での取り交わしなく使用されたことにより発生した損害などについては、当社は一切の責任を負いません。

(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。

(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の故障、欠陥については当社として責任を負いません。また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考

慮の上、当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。

(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス）による故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません。また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた条件を守ってご使用ください。

(7) 本書に記載の製品を他社へ許可なく転売され、万が一転売先から何らかの請求を受けた場合、お客様においてその対応をご負担いただきますことをご了承ください。

(8) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。

No.070920