esquemasaterramento

8/2/2019 esquemasaterramento

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Programa de FormaoTcnica Continuada

Esquemas de Aterramento


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5.0 Esquema IT

5.1 Caractersticas........................................75.2 Conseqncias.......................................7

5.3 Projeto e operao..................................8

6.0 Implementao do sistema TN

6.1 Condies preliminares............................8

6.2 Condies impostas................................9

6.3 Proteo contra contatos indiretos............9

6.4 Mtodos de determinao do nvel de

corrente de curto-circuito..........................9

6.5 Mtodo das impedncias........................10

6.6 Mtodo da composio..........................10

6.7 Mtodo convencional..............................10

7.0 Proteo em reas de alto risco.............12

8.0 Proteo em reas de alto risco.............13

8.1 Condies preliminares..........................13

8.2 Condio de primeira falta......................13

8.3 Princpio da monitorao de falta

terra.....................................................13

8.4 Exemplos de equipamentos edispositivos...........................................13

8.5 Implementao de dispositivos de

monitorao permanente de isolao

(PIM)....................................................14

ndice

1.0 Introduo

1.1 Definio dos esquemas padronizados deaterramento............................................2

1.2 Caracterizao e objetivos........................2

1.3 Esquema TT (neutro aterrado)..................2

1.4 Esquema TN...........................................2

1.5 Esquema TN-C........................................2

1.6 Esquema TN-S........................................2

1.7 Esquema TN-C-S....................................2

1.8 Esquema IT(neutro isolado)......................3

1.9 Esquema IT (neutro aterrado por

impedncia)............................................3

2.0 Caractersticas dos esquemas deaterramento

2.1 Esquema TN-C........................................3

2.1.1 Caractersticas........................................3

2.1.2 Conseqncias.......................................3

3.0 Esquema TN-S

3.1 Caractersticas........................................5

3.2 Conseqncias.......................................5

3.3 Compatibilidade eletromagntica...............5

3.4 Arranjo da proteo contra contatos

indiretos e fogo........................................5

3.5 Projeto e operao..................................6

3.6 Qualquer modificao da instalao requerum rearranjo e verificao das condies

de proteo.............................................6

4.0 Esquema TT

4.1 Caractersticas........................................6

4.2 Conseqncias.......................................6


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1.0 Introduo

1.1 Definio dos esquemas padronizados deaterramento

Os diferentes esquemas de aterramento descritoscaracterizam o mtodo de aterramento do neutro da BT

de um transformador AT/BT e o aterramento das partesmetlicas expostas da instalao suprida por ele. Aescolha desses mtodos orienta as medidasnecessrias para proteo contra os riscos de contatosindiretos.

1.2 Caracterizao e objetivos

Os esquemas de aterramento a serem descritoscaracterizam o mtodo de aterramento do neutro da BTde um transformador AT/BT (ou qualquer outra fonte) eos meios de aterramento das partes metlicas expostasda instalao de BT.

A escolha do esquema de aterramento determina asmedidas a serem tomadas para proteo das pessoascontra os riscos de contatos indiretos.Se necessrio, vrios esquemas de aterramento podemcoexistir em uma instalao.

1.3 Esquema TT (neutro aterrado)

Um ponto (geralmente o centro da estrela de um

enrolamento BT ligado em estrela) da fonte ligadodiretamente terra. Todas as partes metlicas expostase todas as partes metlicas estranhas instalao soligadas a um eletrodo de terra separado na instalao.

Este eletrodo independente do eletrodo da fonte,podendo suas zonas de influncia se sobrepor, semafetar a operao dos dispositivos de proteo.

1.4 Esquemas TN

A fonte aterrada como no esquema TT (acima). Nainstalao, todas as partes metlicas expostas e aspartes tambm metlicas mas no pertencentes instalao so ligadas ao condutor neutro . As vriasverses dos esquemas TN so:

TN-CTN-STN-C-S

1.5 Esquema TN-C

O condutor neutro tambm usado como condutor de

proteo e designado como PEN (condutor deproteo e neutro). Este esquema no permitidopara condutores de seo inferior a 10mm2 e paraos equipamentos portteis

O esquema TN-C requer o estabelecimento de umambiente eqipotencial eficiente dentro da instalaocom eletrodos de terra espaados to regularmentequanto possvel.

1.6 Esquema TN-S

Os condutores de proteo e neutro so separados. Emsistemas com cabo enterrado onde exista uma capa deproteo de chumbo, o condutor de proteo geralmente a capa de chumbo. O uso de condutoresseparados PE e N (cinco fios) obrigatrio para circuitosde seo inferior a 10mm2 para cobre e 16mm2 paraalumnio e em equipamentos mveis.

1.7 Esquema TN-C-S

Os esquemas TN-C e TN-S podem ser usados namesma instalao. No esquema TN-C-S , o esquemaTN-C no devem nunca ser usado a jusante do sistema

TNS. O ponto em que o condutor PE se separa docondutor PEN geralmente na origem da instalao.


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1.8 Esquema IT (neutro isolado)

Nenhuma conexo intencional feita entre o pontoneutro da fonte e a terra. Todas as partes condutorasexpostas e estranhas instalao so ligadas aoeletrodo de terra.

Na prtica todos os circuitos tm uma impedncia defuga para a terra j que nenhuma isolao perfeita. Em

paralelo com esta resistncia de fuga distribuda h umacapacitncia distribuida e essas partes juntasconstituem a impedncia normal para a terra. Exemplo:um sistema de baixa tenso, trifsico, 3 fios com umquilmetro de cabo tem uma impedncia de fugaequivalente a uma impedncia de terra do neutro Zct de3.000 a 4.000 .

1.9 Esquema IT (neutro aterrado porimpedncia)

Uma impedncia Zs (da ordem de 1.000 a 2.000 ohms) ligada permanentemente entre o neutro do enrolamentode BT do transformador e a terra. Todas as partesmetlicas expostas e estranhas instalao so ligadasa um eletrodo de terra. As razes para esta forma deaterramento da fonte so: fixar o potencial de umapequena rede em relao terra (Zs pequena quandocomparada com a impedncia de fuga) e reduzir o nvelde sobretenses, tais como os surtos em relao terra

transmitidos pelos enrolamentos de alta tenso, cargasestticas, etc.

2.0 Caractersticas dos esquemas deaterramento

Cada sistema de aterramento reflete trs escolhastcnicas:

nMtodo de aterramento;

nDisposio dos condutores de proteo;

nDisposio da proteo contra contatosindiretos.

Conseqncias:

nChoque eltrico;

nFogo (Incndio);

nContinuidade do sistema de fora;

nSobretenses;

nPerturbaes eletromagnticas;

nProjeto e Operao.

2.1 Esquemas TN-C

2.1.1 Caractersticas

nMtodo de Aterramento:

O neutro ligado diretamente terra.O condutor neutro aterrado em tantospontos quanto possvel.

Partes metlicas expostas do equipamento e partesmetlicas estranhas ao equipamento so ligadas aocondutor neutro;

nArranjo da proteo contra contatos indiretos


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L1L2L3NPE

Rn

obrigatria a desconexo automtica no evento deuma falha na isolao.

Esta desconexo deve ser provida por disjuntores (depreferncia) ou fusveis. Quando h o PEN osdispositivos de corrente residual no podem ser usadospara essa finalidade desde que uma falta na isolaopara terra tambm constitui um curto circuito fase/

neutro.2.1.2 Conseqncias

Sobretenses:

ndurante uma falha na isolao de AT, iraparecer uma tenso de freqncia industrialentre as partes metlicas expostas doequipamento de baixa tenso e um terradistante;

na continuidade do fornecimento de energia, a

compatibilidade eletromagntica e o incndio:

na corrente de falta da isolao elevada (daordem de vrios kA).

nDurante uma falha da isolao BT a quedade tenso na fonte, as perturbaeseletromagnticas e o risco de danos ( incndio,enrolamentos de motores e estruturasmagnticas) so altos;

nsobretenses: durante uma falta a tenso

entre fases e as massas sobe para um valorde 1,45 x Un

O esquema TN-C proibido para circuitos com condutorinferior a 10mm2. tambm proibido para condutoresflexveis.

nProteo contra Incndio: O esquema TN-C proibido em instalaes onde h um alto riscode incndio ou exploso

A razo que a conexo das partes metlicasestranhas do edifcio ao condutor PEN cria um fluxo decorrente nas estruturas resultando em um risco deincndio e perturbaes eletromagnticas. Durantefaltas da isolao estas correntes de circulao soconsideravelmente aumentadas. Estes fenmenosconstituem a razo da proibio do uso do esquemaTN-C em instalaes em que o risco de incndio alto.

A presena de qualquer comprimento de condutor PEN emum edifcio leva ao fluxo de correntes nas partes metlicasexpostas e na blindagem de equipamentos alimentadospor um sistema TN-S.

ncompatibilidade eletromagntica: quando umcondutor PEN instalado em um edifcio,independentemente do seu comprimento, eleleva a uma queda de tenso de freqnciaindustrial em condies normais de operao,criando diferenas de potencial e, portanto, ofluxo de correntes em qualquer circuitoformado por partes metlicas expostas da

instalao, partes metlicas estranhas doedifcio, cabos coaxiais e a blindagem decomputadores ou sistemas detelecomunicaes. Estas quedas de tensesso amplificadas em instalaes modernas pelaproliferao de equipamentos gerandoharmnicos de terceira ordem. A grandezadesses harmnicos triplicada no condutorneutro ao invs de ser cancelada como no casoda fundamental;

nem uma maneira menos aparente essascorrentes de circulao correspondem a um

desbalano das correntes no circuito dedistribuio e portanto criao de camposmagnticos que podem perturbar tubos de raioscatdicos, monitores, certos equipamentosmdicos etc. em nveis to baixos quanto0,7A/m (isto , 5 amperes passando a um metrode uma carga sensvel - EES). Esse fenmeno amplificado no evento de uma falta naisolao;

ncorroso: a corroso tem duas fontes,primeiro a componente CC que o condutor

PEN pode conduzir e segundo, as correntestelricas que corroem os eletrodos de terra e asestruturas metlicas no caso de umaterramento mltiplo ;

narranjo da proteo contra contatos indiretos.

Devido s altas correntes de curto e tenses de toque:

numa desconexo automtica obrigatria noevento de uma falha na isolao;

nesta desconexo precisa ser provida pordisjuntores ou fusveis. Nas instalaes comum condutor combinado neutro e proteo osdispositivos de correntes residuais no podemser usadas com este propsito desde que umafalta da isolao para a terra tambm constituium curto circuito fase/neutro;

nincndio: a proteo no provida paracertos tipos de faltas (faltas de alta impedncia)que no so instantaneamente transformadasem curto-circuitos francos. Somentedispositivos de corrente residual oferecem este

tipo de proteo. Esta situao, portantoapresenta um risco de incndio;

nprojeto e operao: quando so usadosdisjuntores ou fusveis para proteo contraRn

L1

L2L3NPE


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contatos indiretos a impedncia da fonte, oscircuitos a montante e os circuitos a jusante(os nicos a serem protegidos) precisam serconhecidos na fase de projeto e permanecereminalterados a no ser que a proteo sejatambm alterada. Esta impedncia precisa sermedida depois da instalao e a partir de entoa intervalos regulares (dependendo do tipo da

instalao considerada). As caractersticas dosdispositivos de proteo so determinadas porestes elementos;

nquando a instalao pode ser suprida porduas fontes (UPS, conjunto motor - gerador,etc.), as caractersticas comandando a aberturado disjuntor ou a fuso do fusvel precisam serdeterminadas para cada configurao e cadafonte usada;

L1L2L3PEN

incorrect

16 mm2 10 mm2 6 mm2 6 mm2

PEN

4 x 95 mm2TNC

incorrectcorrect correct

PEN connected to the neutralterminal is prohibited

S < 10 mm2TNC prohibited

ocada circuito projetado de uma vez para sempre eno pode exceder um comprimento mximo especificadonas tabelas de projeto em funo do esquema deproteo utilizado; cabos superdimensionados podemser necessrios em certos casos;

Qualquer modificao na instalao requer um reclculoe uma verificao nas condies de proteo.

3.0 Esquema TN-S

3.1 Caractersticas

nmtodo de Aterramento:

oO ponto neutro do transformador (ou dosistema de suprimento se a distribuio usaum esquema TNC e a instalao o esquemaTN-S) aterrado somente uma vez, na origem dainstalao,

oAs partes metlicas expostas do equipamento e aspartes estranhas tambm metlicas so ligadas aoscondutores de proteo os quais por sua vez so ligadosao neutro do transformador;

nArranjo dos condutores de proteo PE

Os condutores PE so separados dos condutoresneutros e so dimensionados para a maior corrente decurto que possa ocorrer ;


incorrect6 mm2

Devido s altas correntes e tenses de toque: umadesconexo automtica obrigatria no evento de umafalha da isolao,

oEsta desconexo precisa ser provida por disjuntores,fusveis ou dispositivos de corrente residual desde que aproteo contra contatos indiretos possa ser separadasda proteo contra faltas fase/fase ou fase/neutro.

3.2 Conseqncias

nMtodo de aterramento:O ponto neutro do transformador (ou do sistema defornecimento se a distribuio usa um esquema TNC e ainstalao um sistema TN-S) aterrado somente umavez e na origem da instalao , as partes metlicasexternas do equipamento e as partes metlicas externasao equipamento so conectadas aos condutores deproteo os quais por sua vez so ligados ao neutro dotransformador;

nSobretenses:

Sob condies normais o neutro do transformador, aspartes condutoras expostas e o eletrodo de terra estoao mesmo potencial ainda que fenmenos transitriosno possam ser excludos e podem levar ao uso depra-raios entre os condutores fase, neutro e partesmetlicas externas;

nA continuidade do fornecimento, acompatibilidade eltromagntica e o incndio:

os efeitos de faltas entre a alta e baixa tenso,falhas na isolao de alta tenso e falhas naisolao de baixa tenso so semelhantesqueles descritos para o sistema TN-C; emparticular a corrente nas falhas de isolao no limitada por nenhuma impedncia do eletrodoterra e por isso alta (vrios kA) (Veja pontos2, 3 e 4 da parte correspondente ao esquemaTN-C);

nO condutor neutro no pode ser aterrado.

Isto evita a criao de um esquema TN-C com suasinerentes desvantagens, isto , queda de tenso ecorrentes de carga no condutor de proteo sobcondies normais de operao;

nArranjos dos condutores de proteo

Os condutores PE so separados dos condutoresneutros e so dimensionados para a maior corrente defalta que possa ocorre.

3.3 Compatibilidade Eletromagntica

Sob condies normais o condutor PE em oposio aocondutor PEN no sujeito a queda de tenso e todosas conseqncias resultantes do sistema TN-C soportanto eliminadas; o esquema TN-S semelhantenesse aspecto ao esquema TT,

TNC 4 x 95 mm2

6 mm210 mm216 mm2

incorrectcorrect correct

6 mm2

PEN

S < 10 mm2TNC prohibited

PEN connected to the neutralterminal prohibited

L1L2L3

PE N


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No evento de uma falta na isolao aparece uma altatenso de curta durao ao longo do condutor PEcriando os mesmos problemas transitrios que noesquema TN-C;

3.4 Arranjo da Proteo contra contatosindiretos e fogo

Devido s altas correntes de falta, e s tenses toque, obrigatria uma desconexo automtica no evento deuma falha da isolao,essa desconexo precisa serproporcionada por disjuntores, fusveis ou dispositivos decorrente residual desde que a proteo contra oscontatos indiretos possa ser separada da proteocontra os curtos circuitos fase/fase ou fase/neutro; se aproteo contra contatos indiretos for fornecida pordispositivos de proteo contra sobre correntes, asmesmas caractersticas se aplicam, como no esquemaTN-C;Fogo: A proteo no provida para faltas impedantes

levando a um risco de incndio;

3.5 Projeto e operao

A impedncia dos cabos das fontes e aquela do circuitoa ser protegido, precissam ser verificadas por mediodepois da instalao e a intervalos regulares, assimcomo uma dupla determinao das condies dedesconexo quando a instalao pode ser suprida porduas pontes (UPS, gerador de reserva etc.),

Os circuitos tm um comprimento mximo que nopode ser excedido.

3.5 Qualquer modificao da instalao requerum rearranjo e verificao das condies deproteo.

Se a proteo contra contatos indiretos for provida pordispositivo de corrente residual: para evitar um disparoindesejvel freqentemente possvel usar correntesresiduais altas da ordem de 1 ampere ou mais;

nFogo, Projeto e Operao

oAs condies acima discutidas so eliminadas e soobbtidas as vantagens do esquema TT.

oO uso de dispositivo de corrente residual comcondies correntes de operao de 500mA ajuda aprevenir danos de origem eltrica os quais podem ocorrerno evento de faltas de impedncia ou devido a altosnveis de faltas de isolao.

4.0 Esquema TT

4.1 Caractersticas

nMtodos de Aterramento

oO ponto neutro do transformador ligadodiretamente terra,

oAs partes metslicas expostas doequipamento so ligadas por condutores deproteo ao eletrodo de terra da instalao oqual geralmente independente do condutorde aterramento do neutro do transformador;

oDisposio dos condutores de proteo

Os condutores PE so separados dos condutores neutroe so dimensionados para a maior corrente de falta quepossa ocorrer;


A desconexo automtica obrigatria no evento deuma falta da isolao.Na prtica esta desconexo obtida por dispositivos decorrentes residual. Suas correntes de operaoprecisam ser suficientemente baixas para osdispositivos detectarem a corrente de falta, limitadapelas duas resistncias em serie dos eletrodos de terra.

nMtodos de Aterramento

4.2 Conseqncias

nO ponto de neutro do transformador ligadodiretamente terra;

nAs partes metlicas expostas doequipamento so ligadas por condutores deproteo ao eletrodo de terra da instalao oqual geralmente independente do eletrodo deterra do neutro do transformador;

nSobretenses: ainda que, como no esquemaTN o potencial das partes metlicas expostas

e o eletrodo de terra sejam o mesmo isto podeno ser verdade para o condutor neutro o qual galvanicamente ligado a um eletrodo e partesmetlicas expostas distintas e, em algunscasos, relativamente afastadas(freqentemente o caso para quedas de raioem reas rurais). Em reas industriais ouurbanas este no geralmente o caso. Oacoplamento dos dois eletrodos de terra apartir de um ponto de vista geral umcompromisso aceitvel. A instalao de pra-raios proporciona o nvel necessrio deproteo;

nCompatibilidade Eletromagntica: no eventode uma falta da isolao a corrente de falta relativamente baixa. Por exemplo, com um


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eletrodo com resistncia de um eltrodo de terrade 230V/100A igual aproximadamente a 2,3ohms, a corrente de falta somente 100A. Como conseqnciaa queda de tenso criada pela falta, asperturbaes eletromagnticas e a diferena depotencial transitria entre os aparelhos, (porexemplo dois PCs interligados) conectados

por um cabo blindado so muito maisfacilmente suportveis que para o esquemaTN-S;

nArranjo dos condutores de Proteo

Os condutores de proteo so separados do neutro eso dimensionados para a maior corrente de falta quepossa ocorrer;

nCompatibilidade Eletromagntica: sobcondies normais o condutor PE no sujeitoa queda de tenso e todas as

inconvenincias do esquema TN-C so por issoeliminadas. Na eventualidade de uma falha daisolao a tenso de curta durao queaparece ao longo do condutor PE baixa e asperturbaes resultantes so desprezveis;

nProjeto e Operao: para circuitos dedistribuio a seo transversal do condutor PEpode ser menor que para o esquema TNS;

nArranjo da Proteo contra ContatosIndiretos: obrigatria desconexo automtica

no evento de uma falha na isolao.

nNa prtica, esta desconexo obtida pordispositivos de corrente residual. Suascorrentes de operao precisam sersuficientemente baixas para os dispositivosdetectarem as correntes de falta limitadaspelas resistncias de dois eletrodos de terra emserie.

nDispositivos de Correntes Residual soadicionados na forma de rels para disjuntorese na forma de RCCBs para fusveis. Elespodem proteger um circuito singelo ou umgrupo de circuitos e suas correntes deoperao so escolhidas de acordo como mximo valor da resistncia R doeletrodo de terra para as partes condutorasexpostas,

na presena de dispositivos de correnteresidual minimiza as restries de projeto eoperao. No necessria a impedncia dafonte a montante e no h limites em relaoao comprimento dos circuitos (exceto para

evitar quedas de tenso excessivas). Umainstalao pode ser modificada ou ampliadasem clculos ou medies in-situ,

no uso de uma fonte de reserva pelaconcessionria ou operadora executadafacilmente;

nfogo: o uso de dispositivos de correnteresidual com correntes de operao 500mAprevine os incndios de origem eltrica;

n

compatibilidade eletromagntica: correntesde falha de isolao duram um tempo muitocurto, menos de 100ms ( ou menos que 400msem circuitos de distribuio) e so de baixaamplitude.

5.0 Esquema IT

5.1 Caractersticas

nmtodo de aterramento

oO neutro do transformador isolado da terraou aterrado atravs de uma impedncia e umlimitador de sobretenses. Sob condiesnormais, seu potencial mantido perto daqueledas partes condutoras expostas pelascapacitncias do equipamento e barramento.

Partes metlicas expostas do equipamento e partescondutoras estranhas do edifcio so ligadas ao eletrodode terra do edifcio;

narranjo dos condutores PE.Os condutores PE so separados doscondutores N e so dimensionados par a maiorcorrente de falta que possa ocorrer;

narranjo da proteo contra contatos indiretos.A corrente de falta no evento de uma nicafalha da isolao baixa e no apresentanenhum risco.A ocorrncia de um segunda falta deve sertornada altamente improvvel pela instalaode um dispositivo de monitorao que irdetectar e indicar a ocorrncia da primeira faltaque deve ser ento prontamente localizada eeliminada.

5.2 Conseqncias

nmtodo de aterramento.O neutro do transformador isolado da terra ou aterrado atravs de uma impedncia e um limitadorde sobretenses. Sob condies normais , seupotencial mantido prximo daquele das partescondutoras expostas pelas capacitncias do

equipamento.As partes condutoras expostas do equipamento epartes condutoras estranhas do edifcio so ligadasao eletrodo de terra do edifcio:


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nsobretenses:

nsob condies normais , o condutor , as partescondutoras expostas e o eletrodo esto virtualmenteao mesmo potencial,

num limitador de sobretenses deve ser instaladopara evitar uma elevao de potencial entre as

partes vivas e as partes expostas condutoras o quepode exceder a suportabilidade do equipamento deBT no evento de uma falta originada na instalaode alta tenso. A proteo contra sobretenses deveser implementada de acordo com o critrio comuma todos os esquemas de aterramento;

ncontinuidade de energia da fonte e acompatibilidade eletromagntica:

na corrente da primeira falta da isolao baixa,como resultado da capacitncia entre os condutoresvivos e as partes condutoras expostas tais como

aquelas do circuito de carga e filtros HF,

numa primeira falta da isolao no produzqualquer queda de tenso na rede ou perturbaeseletromagnticas em uma larga faixa de freqnciascorrespondente ocorrncia de uma clssicacorrente de falta de isolao.

nSobretenses: depois de uma primeira falta, oequipamento continua a ser energizado e umatenso fase-fase gradualmente aparece entre asfases ss e as partes metlicas expostas. O

equipamento precisa ser escolhido tendo em menteesta situao.

Notas:

nA norma IEC 950 ( ou EN 60950) define acategoria do equipamento de processamento dedados que pode ser usado em sistemas IT;

nSe forem usados pra-raios, a norma estipula quesuas tenses nominais devem ser escolhidas deacordo com a tenso fase-fase.

nContinuidade do fornecimento de energia ecompatibilidade eletromagntica: uma segunda faltade isolao pode ocorrer em uma outra fase, dandoorigem a um novo curto-circuito com os respectivosriscos. O usurio de um sistema IT deve admitir queesta situao nunca pode ocorrer, ainda que nasnormas, por uma questo de segurana essapossibilidade admitida;

nArranjos dos condutores PE.

Os condutores PE so separados dos condutores neutro

e so dimensionados para a mxima corrente de faltaque possa ocorrer;

nCompatibilidade eletromagntica: sob condiesnormais, e ainda quando ocorra uma primeira falta,

os condutores PE no devem apresentar queda detenso. mantido um alto nvel deeqipotencialidade entre os condutores de proteo,condutores funcionais de aterramento, partesmetlicas expostas e partes condutoras estranhasdo edifcio ao qual elas so interligadas;

nArranjo da proteo contra contatos indiretos.

A corrente de falta na eventualidade de uma nicafalta da isolao baixa e no representa risco.A ocorrncia de uma segunda falta deve serconsiderada altamente improvvel pela instalaode um dispositivo de monitorao que ir detectar eindicar a ocorrncia de uma primeira falta que deveser prontamente localizada e eliminada.

Os dispositivos de proteo so projetados para operarno evento de uma dupla falta. Se forem usadosdisjuntores e fusveis, as regras so semelhantesquelas usadas no esquema TN.

Podem ser usados tambm dispositivos de correnteresidual. Se ocorrerem faltas a juzante do mesmodispositivo de corrente residual, o dispositivo consideraa corrente de falta como uma corrente de carga e podeno disparar. Um dispositivo de corrente residualseparado ento requerido para cada circuito.

Se dois locais tm a mesma instalao usando umesquema IT, e seu sistema de eletrodos de terra no soconectados, um dispositivo de corrente residual precisaser sempre incluido no incio de cada instalao. Estamedida previne a criao de uma situao perigosa,

uma falta de isolao na fase 1 do primeiro local e outrana fase 2 no segundo local.incndio: o uso de um dispositivo de monitorao daisolao e possivelmente dispositivos de correnteresidual operando com correntes inferiores a 500mAprevine incndio de origem eltrica.

5.3 Projeto e operao:

npessoal de manuteno treinado precisa serdisponvel para localizar e eliminar prontamente aprimeira corrente de falta de isolao,

na instalao precisa ser projetada com grandecuidado: o uso de esquema IT aonde justificvelpelos requisitos relacionados continuidade dofornecimento de energia, isolao das cargas comcorrentes de fuga elevadas (certos fornos e certostpos de hardware para computadores), verificaoda influncia de correntes de fuga, em particularcom respeito a dispositivos de corrente residual,diviso da instalao, etc,.

nse forem usados dispositivos de corrente residualde 30mA para proteger os circuitos das tomadas:

a corrente de fuga capacitiva total a juzante de umdispositivo no pode exceder 10mA. O valor estimadousando a tenso fase-fase para a fase e a tenso fase/neutro para o neutro;


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se as cargas energizadas por um tal circuito no socrticas, o dispositivo de corrente residual pode dispararem uma primeira falta de isolao, eliminando-o entoimediatamente. Por outro lado deve ser evitado o usode tomadas ou outras medidas devem serimplementadas,

ncomentrio: o condutor terra, se distribuido,

precisa ser protegido por dispositivos tetrapolaresincluindo proteo de neutro ou dispositivosbipolares.

Em caixas terminais de distribuio, o uso de dispositivode proteo uni-polar + neutro permitido se ascaractersticas nominais para a fase e neutro so asmesmas ou prximas, e um dispositivo de correnteresidualest instalado a montante.

6.0 Implementao do sistema TN

6.1 Condies peliminares

No estgio de projeto, precisa ser calculado ocomprimento mximo dos cabos a jusante de umdisjuntor de controle (ou conjunto de fusveis) e durante aexecuo precisam ser obedecidas certas regras.

6.2 Condies impostas

Precisam ser observadas certas condies, de acordocom a listagem a seguir e ilustradas na fig.40.

1.Precisam ser instalados eletrodos de aterramentodistribuidos regularmente (tanto quanto possvel) aolongo do condutor PE.Nota: Isto no normalmente feito nas instalaes de

residncias singelas; nestes casos suficiente ainstalao de um eletrodo na entrada da instalao.

2. o condutor PE no deve passar atravs de conduitesferromagnticos, dutos, etc. ou ser instalado sobreestrutura metlica, desde que os efeitos indutivos e deproximidade podem aumentar a impedncia efetiva docondutor.

3. no caso de um condutor PEN (um neutro que servetambm como condutor de proteo), precisa ser feita aconexo direta ao terminal terra de um aparelho (vide 3na fig. 40) antes de lig-lo ao terminal neutro desseaparelho.

4.se o condutor tiver seo inferior a 6mm2

para o cobreou 10 mm

2para o alumnio, ou quando o cabo for mvel,

os condutores Neutro e Proteo devem ser separados (i.., deve ser adotado o sistema TN-S na instalao).

5.as faltas terra devem ser eliminadas por dispositivosde proteo contra sobrecorrente, i. . fusveis oudisjuntores.

A lista a seguir indica as condies a serem respeitadas

para a implementao de um sistema TN para aproteo contra contatos indiretos.

RpnA

PEN

TN-C

PE

TN-C-S

N

2 2

3

4

5

5 5

1

notas(1) o esquema TN requer que o neutro da baixa tenso de umtransformador MT/BT, e as partes condutoras expostas da SE e dainstalao sejam todas aterradas em um sistema nico deaterramento.(2) quando a medio da SE for na baixa tenso, exigido um meiode isolao (chave seccionadora, por ex. ) na origem da instalaoda BT que torne visvel a isolao.(3) um condutor PEN no deve ser interrompido em nenhumacircunstncia. Os dispositivos de controle e comando para osdiversos arranjos TN devem ser:

ntripolares quando o circuito inclui um condutor PEN,

npreferivelmente tetrapolares (3 fases + neutro) quandoo circuito inclui um neutro e um condutor PE separados.

6.3 Proteo contra contatos indiretos

So normalmente usados trs mtodos de clculo:

no mtodo das impedncias, baseado nasoma trigronomtrica das resistncias eindutncias do circuito.

no mtodo da composio.

no mtodo convencional, baseado emquedas de tenso assumidas e em tabelasexistentes.

6.4 Mtodos de determinao do nvel decorrente de curto circuito

Em sistemas TN um curto circuito para terra, emprincpio, sempre proporciona corrente suficiente paraoperar um dispositivo de sobrecorrente. A impedncia dafonte e da rede de alimentao so muito menores queas dos circuitos da instalao, de modo que qualquerrestrio na intensidade das correntes de falta proporcionada pelos condutores da instalao (caboslongos flexveis aumentam consideravelmente a

55

TN-C-STN-C

RpnA

1

PEN

2

3

2

PE N

4

5


11/1511S

impedncia do lao de falta, com uma reduocorrespondente da corrente de falta).

As recomendaes mais recentes da IEC para proteocontra contatos indiretos somente em sistemas TNrelaciona os mximos tempos permissveis de disparocom a tenso nominal do sistema. (vide tabela 13).

A razo embutida nestas recomendaes que, parasistemas TN, a corrente que precisa passar para elevar opotencial de uma parte condutora a mais de 50V toalta que uma das duas possibilidades acontecer:

no circuito de falta ser interrompido (porruptura do condutor) quase instantaneamente,

ou

no condutor se soldar em uma falta slida eproporcionar corrente adequada para operaros dispositivos de sobrecorrente.

Para assegurar a operao dos dispositivos desobrecorrente no ltimo caso, necessria umaavaliao razoavelmente precisa do nvel de corrente defalta, na etapa de projeto.

Uma anlise rigorosa requer o uso das tcnicas dascomponentes simtricas aplicadas individualmente acada circuito. O princpio correto, mas a quantidade declculo no considerada justificvel, especialmenteporque as impedncias de sequncia zero soextremamente difceis de calcular com razovel preciso

em uma instalao mdia de BT.So preferveis outros mtodos de preciso adequada.Trs mtodos prticos so:

no mtodo das impedncias , baseado nasoma de todas impedncias (somente as desequncia positiva) ao longo do lao de faltapara cada circuito,

no mtodo da composio o qual umaestimativa do nvel de corrente de curto circuitoem um terminal remoto do lao quando o nvelde corrente de curto circuito no terminal

prximo do lao for conhecido,

no mtodo convencional com o clculo dosnveis mnimos de correntes de falta terra,junto com o uso de tabelas para obtenorpida dos resultados.

Estes mtodos somente so aplicveis nos casos emque os cabos que constituem o lao de corrente de faltaesto prximos uns dos outros e no separados pormateriais ferromagnticos.

6.5 Mtodo das impedncias

Neste mtodo so somadas as impedncias desequncia positiva de cada item (cabo, condutor PE,transformador, etc.) incluido no lao de falta terra e a

corrente de curto circuito calculada usando a frmula:

I = U/ ( R)2 + ( X)

2

onde as duas parcelas (dentro do radical) sorespectivamente a soma de todas as resistncias nolao e a soma de todas as reatncias indutivas no laoambas elevadas ao quadrado e U a tenso nominal

fase-neutro do sistema.A aplicao do mtodo nem sempre fcil, porque elesupe o conhecimento dos valores de todos osparmetros no lao. Em muitos casos, um guia, oumanual pode fornecer valores tpicos para estimativa.

6.6 Mtodo da composio

Este mtodo permite a determinao da corrente decurto circuito no terminal de um lao a partir doconhecimento da corrente de c.c. no terminal da fontepela seguinte frmula:

I = U.Isc/ U + Zsc.Isc

Nota: neste mtodo as impedncias individuais sosomadas aritmeticamente* como no procedimento domtodo anterior.

* Isto resulta em um valor de corrente o qual menor que o real. Seos ajustes de sobrecorrente forem baseados no valor calculadoacima, ento a operao do rel ou do fusvel est assegurada.

6.7 Mtodo convencional

Este mtodo geralmente considerado comosuficientemente preciso para fixar o limite superior doscomprimentos dos cabos.

Princpio:O princpio basea-se no clculo da corrente de curtocircuito considerando que a tenso na origem docircuito ( i. . o ponto no qual o dispositivo de proteoest localizado) permanece a 80% ou mais da tensonominal fase-neutro. O valor de 80% usado juntamentecom a impedncia do circuito do lao, para calcular acorrente de curto circuito.

Este coeficiente leva em considerao todas as quedasde tenso a montante do ponto considerado. Em cabosde BT, quando todos os condutores de um circuitotrifsico de 4 fios esto prximos entre si ( o que ocaso normal), a reatncia indutiva interna para* e entreos condutores desprezivel em relao resistncia docabo.

Id

L

C

PE

SPE Sph

AB


12/1512S

SPH rated current (A)mm2 1 2 3 4 6 8 10 13 16 20 25 32 40 45 50 63 80 1001.5 1227 613 409 307 204 153 123 94 77 61 49 38 31 27 25 19 15 122.5 681 511 341 256 204 157 128 102 82 64 51 45 41 32 28 204 1090 818 545 409 327 252 204 164 131 102 82 73 65 52 41 336 818 613 491 377 307 245 196 153 123 109 98 78 61 4910 1022 818 629 511 409 327 256 204 182 164 130 102 8216 1006 818 654 523 409 327 291 262 208 164 131

25 1022 818 639 511 454 409 325 258 20435 894 716 636 572 454 358 28850 777 617 485 388

Esta aproximao considerada vlida para cabos deseo at 120mm

2.

Acima desta seo o valor da resistncia aumentadocomo indicado abaixo:

seo (mm2) valor da resistncia

150 R + 15%185 R + 20%

240 R + 25%* causada pelos efeitos de proximidde e pelicular, i. ., h umaumento aparente da resistncia.nominal cross- instantaneous or short-time-delayed tripping current Im (amperes)sectional areaof conductorsmm 2 50 63 80 100 125 160 20 0 250 320 400 500 560 630 700 800 875 1000 1120 1250 1600 2000 2500 3200 4000 5000 6300 8000 10000125001.5 103 81 64 51 41 32 25 20 16 13 10 9 8 7 6 6 52.5 171 136 107 85 66 53 42 34 26 21 17 15 13 12 10 10 8 8 7 54 274 217 171 137 109 85 68 54 43 34 27 24 21 19 17 16 14 12 11 8 7 56 410 326 256 205 164 126 102 82 64 51 41 36 32 29 25 23 20 18 16 13 10 8 6 510 427 342 273 214 171 137 107 85 68 61 54 49 42 39 34 30 27 21 17 14 10 8 7 516 436 342 274 219 171 137 109 97 87 78 68 62 55 49 44 34 27 21 17 13 11 8 7 525 428 342 267 213 171 152 135 122 107 98 85 76 66 53 43 34 27 21 17 13 10 8 735 479 374 299 239 214 190 171 150 136 120 107 96 75 80 48 37 30 24 19 15 12 950 406 325 290 258 232 203 185 162 145 130 101 81 65 50 40 32 26 20 16 1270 479 427 380 342 299 274 239 214 191 150 120 96 75 60 48 38 30 24 1995 464 406 371 325 290 260 203 162 130 101 81 65 51 40 32 26

120 469 410 366 328 256 205 165 128 102 82 65 51 41 33150 446 398 357 279 223 178 139 111 89 71 56 44 36185 471 422 329 264 211 165 132 105 84 66 53 42240 410 328 263 205 164 131 104 82 66 52

SPH rated current (A)mm2 1 2 3 4 6 8 10 13 16 20 25 32 40 45 50 63 80 1001.5 613 307 204 153 102 77 61 47 38 31 25 19 15 14 12 10 8 62.5 1022 511 341 256 170 128 102 79 64 51 41 32 26 23 20 16 13 104 818 545 409 273 204 164 126 102 82 65 51 41 36 33 26 20 166 818 613 409 307 245 189 153 123 98 77 61 55 49 39 31 2510 1022 681 511 409 315 256 204 164 128 102 91 82 65 51 4116 818 654 503 409 327 262 204 164 145 131 104 82 6525 1022 786 639 511 409 319 256 227 204 162 128 10235 894 716 572 447 358 318 286 227 179 14350 777 607 485 431 389 309 243 194

SPH rated current (A)

mm2 1 1.6 2 2.5 3 4 6 6.3 8 10 12.5 13 16 20 25 32 40 45 50 63 80 100

1.5 438 274 219 175 146 110 73 70 53 44 35 34 27 22 18 14 11 10 9 7 5 4

2.5 730 456 365 292 243 183 122 116 88 73 58 56 46 37 29 23 18 16 15 12 9 7

4 730 584 467 389 292 195 186 141 117 93 90 73 58 47 37 29 26 23 19 14 12

6 876 701 584 438 292 279 211 175 140 135 110 88 70 55 44 39 35 28 21 18

10 974 730 487 465 352 292 234 225 183 146 117 91 73 65 58 46 35 29

16 779 743 564 467 374 359 292 234 187 146 117 104 93 74 58 47

25 881 730 584 562 456 365 292 228 183 162 146 116 88 73

35 1022 818 786 639 511 409 319 258 227 204 162 123 102

50 867 692 558 432 347 308 277 220 174 139


13/1513S

O mximo comprimento de um circuito de umainstalao em um sistema TN dado pela frmula:Lmx. = 0,8 Uo Sph/(1+m) Ia, onde:Lmax.= comprimento mximo em metrosUo= tenso de fase = 220 V para um sistema 220/380 V

= resistividade sob temperatura normal em ohm-mm2/metro

=22,5x 10-3 para o cobre= 36x 10-3 para o alumnioIa = corrente de disparo de ajuste para operaoinstantnea do disjuntor ou,Ia = a corrente que assegura a operao do fusvelrespectivo, no tempo especificadom = Sph / SPESph = seo transversal dos condutores fase do circuitoem mm2

SPE = seo transversal do condutor de proteo emmm2

tabelasAs tabelas seguintes aplicveis a sistemas TN foramestabelecidas de acordo com o mtodo convencionaldescrito acima. As tabelas, de acordo com o guia UTEC15-105, do o comprimento mximo dos circuitos alemdos quais a resistncia hmica dos condutores irolimitar a intensidade da corrente de curto circuito a umnvel abaixo do requerido para disparar o disjuntor (oufundir o fusvel) protegendo o circuito, com suficienterapidez para assegurar segurana contra contatoindireto.

fator de correoA tabela 42 indica o fator de correo a aplicar aosvalores dados nas tabelas 43 a 46 de acordo com arelao Sph / SPE, o tipo do circuito e o material doscondutores.circuito metlico m = SPH/SPE (or PEN)

material m = 1 m = 2 m = 3 m = 43P + N or P + N cobre 1 0.67 0.50 0.40

alumnio 0.62 0.42 0.31 0.25

Uma instalao trifsica 4 fios (220/380 V) do tipo TN-C. Um circuito protegido por um disjuntor de 63A epossui cabos de alumnio com 50mm2nos condutores

fase (Sph) e 25 mm2

(Spen) no condutor PEN.Qual o mximo comprimento do circuito, abaixo doqual a proteo das pessoas contra contatos indiretos, assegurada pelo disparo do rel magntico instantneodo disjuntor?A tabela 44 d 617 metros, para o qual deve ser aplicadoo fator 0,42 (tabela 42 para cabo de alumnio e m=2). Ocomprimento mximo do circuito ser: 617x0,42 =259metros.

caso particular em que uma ou mais partescondutoras expostas (so) aterrada(s) em umeletrodo de aterramento separadoPrecisa ser prevista proteo contra contatos indiretospor um DCD na origem de qualquer circuito quealimente um aparelho e ou grupo de aparelhos, cujas

partes metlicas expostas sejam ligadas a um eletrodode aterramento independente. A sensibilidade do DCDprecisa ser adaptada resistncia do eletrodo (RA2 nafigura 47). A jusante do DCD, o esquema precisa ser TN-S.

RA 2RA 1

a distant location

DCD de alta sensibilidade

A IEC 364-4-471 recomenda fortemente o uso de umDCD de alta sensibilidade ( 30 mA) nos seguintescasos:

ncircuitos de tomadas com correntes nominais 32 A em qualquer local,

ncircuitos de tomadas em locais midos equalquer corrente,

ncircuitos de tomadas em instalaestemporrias,

ncircuitos alimentando lavanderias e piscinas,

ncircuitos de alimentao de campings, barcosde recreio e feiras ambulantes.

Esta proteo pode ser para circuitosindividuais ou para grupos de circuitos,

nfortemente recomendado para circuitos detomadas 20 A ( obrigatrio se eles sodestinados ou podem alimentar equipamentosportteis para uso ao tempo),

nem alguns paises, estes requisitos soobrigatrios para todos os circuitos de tomadas 32 A.

7.0 Proteo em reas de alto risco

Em locais em que o risco de incndio elevado, oesquema TN-C proibido e o sistema TN-S precisa seradotado. A proteo por um DCD de sensibilidade 500mA na origem do circuito que alimenta locais com riscode incndio obrigatrio em alguns paises.

quando a impedncia do lao de corrente de falta particularmente alto

Quando a corrente de falta terra restrita devido a umaimpedncia inevitavelmente alta, de modo que a proteode sobrecorrente no pode ser baseada no disparo dodisjuntor do circuito dentro do tempo prescrito, asseguintes possibilidades devem ser consideradas:

a distant location

RA2RA1


14/1514S

Sugesto 1:instalar um disjuntor que tenha um disparo magnticoinstantneo com um nvel de operao menor que oajuste usual, por exemplo:

2In Irm 4In

Isto proporciona proteo para pessoas em circuitos que

so normalmente longos. Precisa ser verificado,entretanto, se altas correntes transitrias tais comocorrentes de partida de motores no iro causardesligamentos indesejados.

Sugesto 2:instalar um DCD no circuito. O dispositivo no precisasensibilidade muito alta (HS) (vrios amperes a poucosdezenas de amp.). Quando so envolvidas tomadas, oscircuitos precisam em qualquer caso ser protegidos porDCD de alta sensibilidade (HS) ( 30 mA); geralmenteum DCD para cada tomada em um circuito comum.

Sugesto 3:aumentar a bitola dos condutores PE ou PEN e/oucondutores de fase, para reduzir a impedncia do lao.

Sugesto 4:adicionar condutores equipotenciais suplementares. Istoter um efeito similar ao da sugesto 3. i ., umareduo na resistncia do lao de falta terra, enquantoque ao mesmo tempo melhora as medidas existentes deproteo contra tenses de toque. A eficincia destamelhoria pode ser verificada pelo teste da resistnciaentre cada parte condutora exposta e o condutor de

proteo principal. Para instalaes TN-C, no sopermitidas interligaes como mostradas na fig. 52 e asugesto 3 no deve ser adotada.

8.0 Implementao do sistema IT

A caracterstica bsica do sistema IT que, no eventode uma falta terra, o sistema pode continuar operandosem interrupo.

Uma falta desse tipo denominada primeira falta.Neste esquema, todas as pate condutora expostas de

uma instalao so conectadas via cindutor PE aoeletrodo de terra da instalao, enquanto o ponto Neutrodo transformador de alimentao isolado da tera ouaterrado atravs de um resistor de valor elevado(comumente 1000 ohms ou mais).

Isto significa que a corrente de uma falta terra sermedida em miliamps, que no causar danos srios noponto de falta, e no gerar tenses de toque elevadasou riscos de incndio. O sistema pode, dessa maneira,ser deixado em servio at que seja conveniente isolar aparte defeituosa para reparos.

Na prtica, o esquema requer certas medidasespecficas para seu funcionamento satisfatrio:

nmonitorao permanente da isolao em

relao terra, com anncio audvel ou visvelquando da ocorrncia da primeira falta,

num dispositivo capaz de limitar a tenso queo neutro do transformador pode atingir, emrelao terra,numa rotina de localizao da primeira faltapor um pessoal eficiente de manuteno. A

localizao de uma falta muito facilitada pelouso de dispositivos localizadores que sodisponveis no mercado,

ndisparo automtico de alta velocidade dedisjuntores adequados que devem atuar nocaso de uma segunda falta ocorrer antes deser reparada a primeira falta. A segunda falta,por definio uma falta terra que afeta umaoutra fase que no aquela da primeira falta ouum condutor neutro*.

nA segunda falta resulta em um curto circuito

atravs da terra e/ou atravs dos condutoresPE.* em sistemas em que o neutor distribuido,como mostrado na fig. 58.

8.1 Condies preliminares

As condies preliminares so resumidas na tabela 53 ena fig. 54funes mnimas requeridas componentes edispositivos exemplos (MG)proteo contra sobretenses na frequncia do sistema

(1) limitador de tenso Cardew Cresitor de aterramento do neutro (para variao daimpedncia de aterramento)(2) resistorimpedncia Zxmonitor de falta terra com alarme na condio deprimeira falta(3) monitor permanente de isolao (PIM ou MPI) comalarme Vigilohm TR22A ou XM 200eliminao automtica de uma segunda falta e proteodo condutor neutro contra sobrecorrente(4) disjuntores tetra polares (se o neutro for distribudo)

todos quatro polos + disparo Disjuntor Compact ouRCD-MSlocalizao da primeira falta(5) dispositivo para localizao da falta com o sistemaenergizado, ou por aberturas sucessivas dos circuitosSistema Vigilohm

8.2 Condio de primeira falta

A corrente de falta terraque flui nas condies deprimeira falta medida em mili-amps. A tenso de toqueem relao terra o produto desta corrente pelaresistncia de terrado eletrodo da instalao e do

condutor PE (desde o pnto de falta at o eletrodo). Estevalor claramente seguro e pode atingir vrios Voltssomente no pior caso ( por um resistor de aterramentode resistncia 1000 ohms passar uma corrente de


15/15S

220mA* e um mau eletrodo de aterramento dainstalao com 50 ohms de resistncia dar umatenso de 11 V, por exemplo).O monitor de falta a terra dar um alarme.

8.3 Princpio da monitorao de falta terra

Um gerador de corrente alternada de frequncia muito

baixa, ou um gerador de corrente contnua (para reduziros efeitos das capacitncias dos cabos a valoresdesprezveis) aplica uma tenso entre o neutro dotransformador de alimentao e a terra. Esta tensocausa o fluxo de uma pequena corrente de acordo com aresistncia total da instalao mais a de qualqueraparelho a ela ligado.Podem ser usados instrumentos de baixa frequncia emsistemas em C.A. que geram transientes de C.C. sobcondies de falta. Certas verses podem distinguirentre componentes capacitivas e resistivas da correntede fuga.Desenvolvimentosmais modernos permitem a medio

da evoluo da corrente de fuga de modo que se podeconseguir a preveno da primeira falta.

8.4 Exemplos de equipamentos e dispositivos**

nlocalizador manual de falta (fig. 55)O gerador pode ser fixo (exemplo: XM200) ouporttil (exemplo: XGR, que permite averificao de circuitos desligados) e o receptorjunto com o sensor magntico tipo alicate soportteis.

* Em um sistema 380/220 Volts, trifsico.** O equipamento e os dispositivos usados para ilustrar o princpiode localizao de faltas, so fabricados pela M.G.

nlocalizador fixo automtico (Fig. 56)O rel de monitorao XM200 junnto com osdeterores fixos XD 301(cada um alimentadopor um ncleo toroidal abraando oscondutores do circuitos correspondentes)constituem um sistema automtico delocalizao de falta em um sistema energizado.Alm disso, indicado o nvel de isolao emcada circuito monitorado e so verificados dois

nveis: o primeiro nvel indica uma resistnciade isolao no usualmente baixa de modo quepossam ser tomadas medidas preventivas,enquanto o segundo nvel indica uma situaode falta e d um alarme.

nmonitorao automtica, armazenamento elocalizao de faltas.

O sistema Vigilohm tambm permite acesso a umaimpressora e/ou um PC o qual proporciona uma revisoglobal do nvel da isolao de uma instalao inteira egrava a evoluo cronolgica do nvel da isolao de

cada circuito.

O monitor central XM300C junto com os detetoreslocalizadores XL308 e XL316 associados com TCs

toroidais de vrios circuiots , como mostrado na fir. 57,proporciona os meios para essa explorao automtica.

8.5 Implemtao de dispositivios demonitorao permanente de isolao (PIM)

nconexo

O dispositivo PIM noralmente ligado entre oNeutro (ou neutro artificial) do transformador defora e seu eletrodo de terra.

nfonte

A alimentao de um PIM deve ser tirada deuma fonte altamente confivel. Na prtica, isto obtido diretamente da instalao que estsendo monitorda, atravs de dispositivos deproteo contra sobrecorrentes de correntenominal de curto circuito adequada,

nimpedncia do dispositivo PIM

De modo a manter o nvel de corrente de faltadentro de limites seguros, a corrente que passaem um dispositivo PIM durante um curto circuito terra normalmente limitada a um valor< 30 mA.

Quando o neutro aterrado atravs de uma impedncia,a corrente total que passa pelo dispositivo PIM e pelaimpedncia ( em paralelo com ele) deve ser < 500 mA.

nIsto significa que a tenso de toque estarlimitada a valores inferiores a 50 V em todainstalao desde que a resistncia de terra doeletrodo seja inferior a 100 ohms, e que o riscoeltrico de incndio seja evitado.

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