Upload
tale
View
29
Download
0
Embed Size (px)
DESCRIPTION
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 5. Tranzistory, řízené polem (FETy). Prof. Ing. Pavel Bezoušek, CSc. Unipolární tranzistory. Tranzistory řízené polem. (FETy - Field Effect Tranzistors). Nebo jiný název. (Procesů se účastní pouze nosiče jednoho znaménka). FET - Součástka se třemi elektrodami : - PowerPoint PPT Presentation
Citation preview
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
5. Tranzistory, řízené polem
(FETy)
Prof. Ing. Pavel Bezoušek, CSc
Unipolární tranzistory
Tranzistory řízené polem
Nebo jiný název
FET - Součástka se třemi elektrodami:
• Emitor (S- Source)
• Hradlo (G – Gate),
• Kolektor (D – Drain),
• případně ještě pomocná elektroda: Hmota (B – body)
(FETy - Field Effect Tranzistors)
(Procesů se účastní pouze nosiče jednoho znaménka)
Tranzistory řízené polemÚvod
Struktura:
• Existuje větší počet různých struktur
• Společný princip všech FETů:Nosiče jednoho znaménka procházejí vrstvou polovodiče – kanálem, od emitoru (S) ke kolektoru (D) a jejich průchod je regulován elektrickým polem E hradla (G)
SG D
Kanál N
-E
Tranzistor JFETStruktura
Kanál typu N (proud je přenášen elektrony) nebo P (proud je přenášen dírami)
• Hradlo je od kanálu izolováno vyprázdněnou oblastí P-N přechodu
• Popis provedeme pro idealizovaný JFET s kanálem typu N:
Tranzistor bez předpětí
S
G
Kanál
P++
N
Vyprázd. oblast
d0 2aD
LgG ND … dotace kanálu
NP … dotace hradla
D
S
G
Schématická značka (kanál N)
Pro kanál P má šipka opačný směr
Tranzistor JFETPopis činnosti při UDS = 0 V
A
D2Dp0 N
N1aN
2ε
eU
S
G
D
UGS=Up0
G UGS=Up0
0 V 0 V
S
G
dD
UGS=-1 V
UGS=-1 V G
0 V 0 VUGS=0 V
S
G
Kanál N d0 2aD
LgG
0 V 0 V
Při snižování napětí na hradle UGS se postupně zužuje šířka d nevyčerpané oblasti až při napětí zaškrcení (kanálu) Up0 dojde k úplnému přerušení vodivého spojení mezi emitorem a kolektorem:
2
p0GS a
daUU
Tranzistor JFETPopis činnosti při předpětí hradla i kolektoru
23
p0
DS
DS
p02
3
p0
DSGS
DS
p0
p0
DS0D
U
U
U
U
3
2
U
UU
U
U
3
21
U
UII
S
G
d D
UGS=-1 V
UGS=-1 V G
UDS = +5 V
0 V
Při růstu napětí UDS roste proud kolektoru ID ale protože se současně dále zaškrcuje kanál, neroste lineárně:
p0
GS
p0
0
GS
Dm U
U1
U
I
U
Ig
Velmi důležitým parametrem, zachycujícím zesilovací schopnost tranzistoru FET je přenosová vodivost gm (strmost), která je na nízkých kmitočtech shodná s parametrem y21:
Tranzistor JFETCharakteristiky
UDS/Up0
UGS/Up0 = 0
0,1
0,2
0,4
0,8
ID/I01
1
Kolektorové charakteristiky
UGSUp0
ID
I0
Převodní charakteristiky
UDS = Up0
UDS < Up0
UDS > Up0
Tranzistor JFETCharakteristiky
Kolektorové charakteristiky pro vyšší napětí UDS
UDS/Up0
UGS = 0ID/I01
1
Oblast saturace
Jakmile se kanál zaškrtí (UDS=Up), přestane mít zvyšování napětí UDS vliv na proud kolektoru – dojde k saturaci:
S
G
D
G
UDS>Up
zaškrcená část
UDS-Up
U1Up-U1
Tranzistor JFETRežimy činnosti
A) Režim ochuzování: Up0 0
• při nulovém UGS tranzistorem teče
proud• pracovní režim: UGS 0
• kanál se přiloženým záporným napětím přivírá
• dobrá linearita, dobré šumové vlastnosti, vysoké kmitočty, velká spotřeba
B) Režim obohacování: Up0 0
• při nulovém UGS tranzistorem neteče proud
• pracovní režim: UGS 0
• nízká spotřeba, horší šum, horší vf vlastnosti
UGSUp01
ID
Převodní charakteristiky
Up02
Režim ochuzování
Režim obohacování
Tranzistor JFETLinearizované vf náhradní schéma
CG
CDGG
S
DRG
RiRS
RDGD
ID
A) Vnitřní tranzistor bez šumu
CG … kapacita vyprázdněné oblasti přechodu G-S
Ri … nabíjecí odpor hradla
ID = UGSgm0 … náhradní proudový zdroj kolektoru
GD = ID/UDS … výstupní diferenciální vodivost
CDG … mezielektrodová kapacita
RG, RS, RD … přívodní odpory elektrod
Tranzistor JFETLinearizované vf náhradní schéma
CGSCDS
CG
CDGG
S
DRG
RiRS
RDGD
uSn
uGn uDn
ID
iDn
B) Úplné schéma
CGS, CDS … vnější mezielektrodové kapacity
uGn, uSn, uDn … šumová napětí tepelného šumu parazitních odporů RG, RS, RD
iDn … šumový proudový zdroj kanálu (výstřelový šum)
Tranzistor JFETDynamické vlastnosti
m
G0GG g
C
v
Lτ
2
1
GSim0G
DGDGSGiDGTMAG
MAG
2RRRgC
C2CRRRG4Cff
f
fMAG
Pro JFET je z hlediska dynamických vlastností kritická doba průchodu nosičů kanálem (přesněji pod hradlem) G:
LG
wG
ND d
S
GD
kde: v … je rychlost nosičů pod hradlem
CG0 … je kapacita hradla při UGS = 0 V
Tranzitní kmitočet: Maximální dosažitelný zisk:
GT 2π
1f
Tranzistor JFETSkutečné provedení, vlastnosti, aplikaceŘez strukturou
S G D
Kanál N
P++
Podložka P- 200 m
2 m
Materiál – obvykle Si
Vlastnosti - Aplikace
• Vysoká vstupní impedance
• Dobrá odolnost proti statické elektřině
• Dobrá zatížitelnost
• Velké zbytkové napětí
• Technologie kompatibilní s bipolárními tranzistory
• Vhodné jako vstupní tranzistory v bipolárních integrovaných obvodech
• Nevhodné pro spínání velkých proudů
Tranzistor MESFET
Řez strukturou s kanálem N
S G D
Kanál N
N++
Intrinzická podložka (bez dotace)
100 m
1 m
Materiál – obvykle GaAs
Přechod kov - polovodič
MESFET = Metal – Semiconductor = přechod Kov – polovodič
Schématická značka
D
S
G
Šipka označuje propustný směr přechodu hradlo -
kanál
Tranzistor MESFETVlastnosti
ZÁKLADNÍ VLASTNOSTI:
• Funkce obdobná jako JFET
• Snadněji se dosahuje kátké hradlo (LG 0,3 m)
• GaAs má 2xvyšší pohyblivost elektronů než Si
(e 0,8 m2/s/V)
• vysoké mezní kmitočty až 100 GHz
• nízký vlastní šum na vysokých kmitočtech:
F 1 dB/10 GHz
DALŠÍ VLASTNOSTI:
• Citlivé na statickou elektřinu (Schotkyho přechod).
• Malá přetížitelnost (GaAs má horší tepelnou vodivost než Si).
• Vysoký nf šum - nevhodné pro aplikace do 1 až 10 MHz (poruchové stavy na povrchu kanálu)
• Malá účinnost (vysoké proudy kolektoru) vhodnější pro nízkovýkonové aplikace
Tranzistor MESFETAplikace
APLIKACE:
Typický mikrovlnný tranzistor pro kmitočty 1 – 100 GHz:
• Zesilovače do 100 GHz
• Oscilátory, směšovače do 100 GHz
• Přepínače, zeslabovače do 35 GHz
• Logické obvody DCFL, děličky kmitočtudo 12 GHz
• Monolitické IO
S
D
D
G
0,5m1,5m
Kanál
S G D
Princip realizace submikronového hradla
0,5m
0,1m
Tranzistor HEMT(High Electron Mobility Tranzistor)
STRUKTURA:
Kanál je tvořen velmi tenkou vrstvou s vysokou pohyblivostí
elektronů HEM
VLASTNOSTI, APLIKACE:
• Vysoká strmost gm0 vysoký kmitočet fT
• Nízké odpory přívodů RS, RG, RD nízký šum F 0,2 dB/12 GHz
• Velmi citlivý na statickou elektřinu a na přetížení
• Typický nízkošumový vysokofrekvenční tranzistor (pro pásmo 10 GHz – 100 GHz)
• Nevhodný na kmitočty f 1 GHz
S
G
D
Semiizolační GaAs
Intrinzický GaAs
Intrinzický AlGaAsN+ GaAs
N++ GaAs
Vrstva HEM
Tranzistor MOSFET(Metal Oxid Semiconductor FET)
Struktura se zabudovaným kanálem typu N:
Tranzistorem protéká proud
Podložka: Si – P-
S G D
Si N+Si N+Zabudovaný
kanál N
Izolující vrstva oxidu
SiO2
Bez předpětí hradla:
UDS = + 5 V
Podložka: Si – P-
S G D
Si N+Si N+
Běžný režim: UDS = 5 V, UGS = - 2 V, pracuje v režimu obohacování i ochuzování
UDS = + 5 VUGS = 2 V
S předpětím hradla:
Tranzistor MOSFETSTRUKTURA S INDUKOVANÝM KANÁLEM TYPU N:
S kladným předpětím hradla
Podložka: Si – P-
S G D
Si N+Si N+
Indukovaný kanál N
Izolující vrstva oxidu
SiO2
Běžný režim: UDS = +5 V, UGS = + 3 V, pracuje pouze v režimu obohacování
Bez předpětí hradla:
Tranzistorem neprotéká proud
Podložka: Si - P
S G D
Si N+Si N+
Izolující vrstva oxidu
SiO2UDS = + 5 V
Tranzistor MOSFETVlastnosti, aplikace
Základní vlastnosti:
• Vysoká impedance hradla (y11 ~ 1013 – 1015 )
• Up = 2 až 10 V
• fT = 100 MHz – 1 GHz
• Vysoké zbytkové napětí Uz 2 - 3 V
• Vysoká citlivost na statické napětí
• Lze realizovat komplementární součástky
Aplikace:
• Vstupní stupně měřicích zesilovačů a zesilovačů slabých signálů čidel
• Logické obvody s malou spotřebou a velkou integrací (CMOS)
• Výkonové zesilovače do 2 GHz
• Spínače a přepínače nízkého proudu
• Nevhodné pro spínače velkého proudu
Tranzistor MOSFETCharakteristiky
Tranzistor s indukovaným kanálem typu N:
Tranzistor se zabudovaným kanálem:
UDS
ID
UGS = 0 V
UGS = -0,5 V
UGS = - 1 V
UGS = -2 V
UGS = -3 V
V oblasti saturace roste proud!UDS
ID
Saturovaná oblastLineární oblast
UGS = 5
UGS = 3 V
UGS = 1.5 V
UGS = 0.75 V
UGS = 0.35 V
D +
S -
G + B
D +
S -
G - B
Tranzistory FETTypologie
Typy kanálu:
• Zabudovaný kanáltypu N nebo P
• Indukovaný kanáltypu N nebo P
Typy izolace hradla:
• P-N přechod
• Přechod kov- polovodič
• Heteropřechod
• Oxid
Režimy činnosti:
• S obohacením (Enhancement – E)
– při nulovém předpětí hradla neteče kolektorový proud
– předpětí hradla má stejný smysl jako napětí UDS
• S ochuzením (Depletion – D)
– při nulovém předpětí hradla teče kolektorový proud
– předpětí hradla je opačné oproti kolektorovému napětí
Tranzistor IGBTPrincip a struktura
Motivace:Při spínání velkých proudů (kA) je
důležité:
• Aby měl spínací tranzistor nízké zbytkové napětí US – jinak vznikají vysoké ztráty na tranzistoru v sepnutém stavu
PZ = USIK
• Aby byl proud řídicí elektrody nízký – jinak to způsobuje velké problémy při ovládání spínače
Problémy a řešení:• Bipolární tranzistory mají nízké zbytkové napětí US ale potřebují proud báze k řízení proudu kolektoru
• FETy nepotřebují k řízení proudu kolektoru proud hradla ale mají velké zbytkové napětí
• Řešením je integrovaná součástka, která slučuje výhody FETů a bipolárních tranzistorů:
Tranzistor IGBT
Tranzistor IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor
kanál N
G (+) E (-) G (+)
C (+)
E1: p+
B1: n-
C1: p+
SiO2
T2
D2
S2 E3
(n+)
T1
T3
B1: n+
Rb
E
G
C Schématická
značka:
Náhradní schema:
C +
G
E
Rb
T2
T1
T3
D2
S2 E3
B1
C1
E1
Tranzistor IGBTVlastnosti, aplikace
Vlastnosti:
• Vysoká vstupní impedance malé spínací ztráty, nízké nároky na budicí stupně
• Nízké saturační napětí v sepnutém stavu malé vodivostní ztráty v sepnutém stavu
• Příklad parametrů: Umax Imax fmax 1 600 V 1 200 A 20 kHz
4 500 V 4 000 A 300 Hz
Použití:
Hlavně ke spínání ve výkonových měničích a regulátorech pro pohon trakčních motorů
Tranzistor IGBTPříklad aplikace
50 Hz
3AC
f Hz3ACC0
C1
R1D1
Přepěťová ochrana
Sběrací kondenzátor
Třípulznítřífázový
usměrňovač
Třífázový střídač s
IGBT
Lp
Parazitní indukčnost
přívodů
U0
Ci L
U U, R
1
4f C,1
dm
2
p
CEM
2
d
2 1výst 1
idm.... je max. ss proud tranzistoremUCEM.... je max. přípustná velikost
spínaného napětí