（大項目） 実装技術

（大項目）ナノエレクトロニクス・デバイス

（大項目） テスト技術（大項目） 設計（SoC設計）

（大項目） LSTPデバイス技術

社会的ニーズ

アプリケーション

半導体技術マップ （１／２）

最重要課題

性能上： 製造上：高速、多機能、低消費電力 低コスト、QTAT、多品種変量生産対応

システムLSI（SoC）

non-CMOS技術基盤技術

プロセス技術

配線技術リソグラフィ技術

SoC開発／製造工程のエンジニアリング

評価･解析技術

製造技術

CMOS技術

前工程 後工程

情報家電 車載 ロボットカード、タグモバイル

Ｓｉを超える超高速、大パワー密度、低消費電力、新機能等

Non-CMOS

（中項目）デバイス微細化└◆◆◇◇◇□■ゲート長およびゲート絶縁膜の低減

（中項目）ナノCMOSへ向けた新技術├（小項目）トランジスタ構造│ ├◆◆◇◇◇□■バルクCMOS│ ├◆◆◇◇◇□■ UTB FDSOI│ ├◆◆◇◇◇□■ダブルゲート(Fin FET)│ └◆◆◇◇◇□■Steep Switching FET├（小項目）移動度向上技術│ ├◆◆◇◇◇□■Stress Liner│ ├◆◆◇◇◇□■Embedded SiGe on S/D│ ├◆◆◇◇◇□■SGOI、GOI│ └◆◆◇◇◇□■基板面方位（100） or （110）├（小項目）メタルゲートとHigh-k技術│ ├◆◆◇◇◇□■メタルゲート／Hf系High-k│ └◆◆◇◇◇□■メタルゲート／La系High-k├（小項目）新構造トランジスタと準バリスティック動作│ ├◆◆◇◇◇□■Geチャネル│ ├◆◆◇◇◇□■Ⅲ-Ⅴ族チャネル│ ├◆◆◇◇◇□■ナノワイヤトランジスタ│ └◆◆◇◇◇■■準バリスティック動作└（小項目）パラメータ・ばらつき制御技術(Vthコントロール)

├◆◆◇◇◇■■基板バイアス└◆◆◆◇◇■■独立マルチゲートコントロール

（中項目）実装プロセス├（小項目）単一チップ実装：多ピン化│ ├◆◆◇◆◇□■ウェハレベルパッケージ│ └◆◆◇◆◇■□Low-k/Cu対応技術├（小項目）SiP実装（複数デバイスを同一パッケージに組み込む）│ ├◆◆◇◆◇□■同種チップの三次元チップ積層│ ├◆◆◇◆◇□■異なる機能を持つ半導体チップの実装│ ├◆◆◇◆◇■■TSV方式インターコネクト技術│ ├◆◆◇◆◇■□非接触方式インターコネクト技術│ ├◆◆◇◆◇■□光インターコネクト技術│ ├◆◆◇◆◇■□ウェハレベル積層技術│ ├◆◆◇◆◇■■部品内蔵インターポーザ│ ├◆◆◇◆◇■□異種デバイス・光・機構部品等の取り込み│ └◆◆◇◆◇■□ウェハテスト（KGD）技術└（小項目）実装基板技術

├◆◆◇◆◇□□ビルドアップ基板├◆◆◇◆◇□□フレキシブル基板└◆◆◇◆◇□□セラミック基板

（中項目）実装設計└（小項目）統合設計プラットフォーム技術

├◆◇◆◇◆■■チップ／パッケージ／ボード連携設計ツール└◆◇◆◆◆■■電気／熱／構造連成解析技術

（大項目） ディスクリートデバイス

（中項目）パワーデバイス├◆◇◇◇◇□■シリコンパワーデバイス└◆◇◇◆◇□■ワイドバンドギャップ半導体

パワーデバイス（中項目）光デバイス、センサ└◆◇◇◆◇□■センサ、光デバイス等

（中項目）ナノCMOSの延長│ （自己組織化プロセスによるトランジスタ）├◆◆◇◆◇□■ナノシートトランジスタ├◆◆◇◆◇□■ナノワイヤトランジスタ└◆◆◇◆◇□■ナノチューブトランジスタ

（中項目）Beyond CMOS├◆◇◇◇◇□■共鳴トンネルデバイス├◆◇◇◇◇□■分子・有機デバイス├◆◇◇◇◇□■単一電子デバイス├◆◇◇◇◇□■超電導デバイス├◆◇◇◇◇□■スピントランジスタ├◆◇◇◇◇□■強磁性ロジックデバイス├◆◇◇◇◇□■強相関電子デバイス├◆◇◇◇◇□■回路再構成スイッチ├◆◇◇◇◇□■Beyond CMOSとSi CMOS│ との融合技術└◆◇◇◇◇□■量子計算デバイス

（中項目）DFT├ ◆◇◆◇◆■■高位DFT├ ◆◆◆◇◆■■テストデータ圧縮├ ◆◆◆◇◆■■ BIRA、BISR└ ◆◇◆◇◆■■アナデジ混載

（中項目）テスト・故障解析├ ◆◆◇◇◆■□故障診断├ ◆◆◆◇◆■□欠陥対応テスト└ ◆◆◆◇◆■■電力・ノイズ考慮テスト

（中項目）テスト環境└ ◆◆◆◆◆■■標準準拠のテスト環境

（中項目）設計コンテンツ├◆◇◆◇◆□■モジュール間通信技術├◆◇◆◇◆■■マルチプロセッサ技術└◆◇◆◇◆■■リコンフィギュラブルロジック

（中項目）システムレベル設計・検証├（小項目）高位モデリング技術│ ├◆◇◆◇◆□■システム仕様モデリング│ └◆◇◆◇◆□■トランザクションレベルモデリング├◆◇◆◇◆□■合成･最適化技術├◆◇◆◇◆■□検証技術├◆◇◆◇◆□■性能・コスト見積り技術├◆◇◆◇◆■□ロバストシステム技術└◆◇◆◇◆□■コンポーネント・リユース技術

実装技術

安全・信頼性 省エネ

記号の説明

産業競争力向上に係わる技術（対象業種別）

IDMファンドリメーカ

ファブレスメーカ

装置・材料メーカ

ソフトベンダ

半導体の安全・信頼性に係わる技術

省エネに係わる技術

◆ ◆ ◆ ◆ ■ ■◆

※ 該当しないものを「白抜き」で示す。※ ロードマップに記載する技術を「青字」で示す。※ 「半導体の安全・信頼性に係わる技術」は、半導体製造における

安全技術、半導体の信頼性を高める技術、歩留りを高める技術。※ 「省エネに係わる技術」は、半導体の微細化技術、高集積化技術、

半導体製造の高効率化技術。

（中項目）シリコンインプリメンテーション技術├◆◆◆◇◆■■システム複合化技術├◆◆◆◇◆□■低消費電力設計├◆◆◆◇◆■■ばらつき評価技術├◆◆◆◆◆■■製造性考慮設計（DFM、DFR、MASK）├◆◆◆◇◆□■アナデジ混載技術├◆◆◆◇◆□■IPベース設計├◆◆◆◇◆■■ライブラリ設計└（小項目）回路設計

├◆◆◆◇◆■■回路シミュレーション技術└◆◆◆◇◆■■デバイスモデリング技術

（中項目）混載技術├（小項目）メモリ混載技術│ ├◆◆◇◇◇□■SRAM延命技術│ ├◆◆◇◇◇□■キャパシタレスSOI DRAM│ └◆◆◇◇◇□■高速アクセス不揮発性メモリ├（小項目）アプリケーション用混載技術│ ├◆◆◇◇◇□■ICタグ│ ├◆◆◇◇◇□■センサチップ│ └◆◆◇◇◇□■大規模ネットワーク用チップ├（小項目）薄膜トランジスタ│ └◆◆◇◇◇□■ディスプレイ混載TFT└ （小項目）受動部品混載技術

├◆◆◇◇◇□■オンチップMIMキャパシタ└◆◆◇◇◇□■オンチップインダクタ

（中項目）シミュレーション技術└（小項目）デバイスシミュレーション技術

├◆◆◇◇◆■□バリスティック伝導├◆◆◇◇◆■□原子レベルプロセスモデル├◆◆◇◇◆■□信頼性モデル├◆◆◇◇◆■□統計的信頼性モデル├◆◆◇◇◆■□ナノレベル材料設計モデル├◆◆◇◇◆■□ノンクラシカルCMOSコンパクトモデル└◆◆◇◇◆■□量子効果を入れた回路モデル

設計（SoC設計）

LSTPデバイス

技術テスト技術

（中項目）受動部品└◆◇◇◇◇□■コンデンサ、インダクタ、抵抗等

（大項目） 電子部品

ナノエレクトロニクス・デバイス

電子部品

ディスクリートデバイス

（大項目） プロセス技術

（大項目）SoC開発／製造工程のエンジニアリング

（大項目） リソグラフィ技術

（大項目） 製造技術

ナノエレクトロニクス・デバイス

non-CMOS技術

LSTPデバイス

技術

設計（SoC設計）

リソグラフィ技術

CMOS技術

前工程

実装技術

テスト技術

後工程ディスクリートデバイス

（大項目） 評価・解析技術

（中項目）装置基盤技術├◆◆◇◆◇■■プロセス低温化技術├◆◆◇◆◇□■選択エピ技術├◆◆◇◆◇□■ALD技術├◆◆◇◆◇□■微細加工技術├◆◆◇◆◇□■大口径化技術├◆◆◇◆◇■■プロセス・加工ばらつき低減技術├◆◆◇◆◇■■リアルタイムプロセスモニタリング技術├◆◆◇◆◇■■TEG応用品質予測技術├◆◆◇◆◇■□高精度シミュレーション技術│ （装置内複合現象モデル）├◆◆◇◆◇■□高精度シミュレーション技術│ （プロセスダメージ複合現象予測モデル）├◆◆◇◇◇■□低濃度金属分析技術├◆◆◇◇◇■□有機物分析技術├◆◆◇◆◇■□パーティクル分析技術├◆◆◇◆◇■□装置内現象計測技術└◆◆◇◆◇■■ファシリティ制御技術

（中項目）ファクトリインテグレーション技術├◆◆◇◆◆■■APC技術├◇◇◇◆◆■■AEC技術├◆◆◇◆◆■■FDC技術├◆◆◇◆◇□□Virtual Metrology利用技術├◆◆◇◆◇■□EEQM／EEQA├◆◆◇◆◆■□ウェーハ単位装置制御技術└（小項目）ファシリティ技術

├◆◆◇◇◆■■ファシリティ統合管理技術└◆◆◇◆◆□■グリーンファブ可視化技術

（中項目）開発プラットフォーム├◆◆◆◇◆■□設計メソドロジの構造化と標準化└◆◆◆◆◆■□プロセス開発の構造化と標準化

（中項目）製造統合制御プラットフォーム├◆◆◆◆◆■□コスト･納期･品質のモデリング├◆◆◇◇◆■□総合的判断機能├◆◆◇◆◆■□制御機能・情報の階層化├（小項目）工程制御技術│ │ （枚葉化を実現した階層的搬送制御技術）│ ├◆◆◇◇◇□■高速･高効率搬送技術│ ├◆◆◇◇◆□■階層的搬送技術│ ├◆◆◇◆◆□■ウェーハ単位搬送制御技術│ └◆◆◇◇◆■■枚葉・チップ単位のトレーサビリティ技術├（小項目）装置制御技術│ ├◆◆◇◇◆□■装置OEEモデリング/モニタリング技術│ └◆◆◇◆◆■□装置・プロセスモデリング技術├（小項目）プロセス制御技術│ ├◆◆◇◇◆■□出来映えモデリング技術│ └◆◆◇◆◆■□モデリングによる│ 階層的装置・プロセス制御技術└（小項目）品質制御技術

├◆◆◇◇◆■■歩留りモデリング技術├◆◆◇◇◆■□歩留りモニタ技術├◆◆◇◇◆■□検査最適化技術└◆◆◇◇◆■■DFMとAPCの融合技術

製造技術

（中項目）計測技術├（小項目）微細形状計測・物性評価技術│ ├◆◆◇◆◆■□パターン形状計測技術（マスク）│ ├◆◆◇◆◆■□パターン形状計測技術（ウェーハ）│ ├◆◆◇◆◇■□重ね合わせ(overlay)誤差計測技術│ ├◆◆◇◆◇■□ゲート電極形状計測（2D、3D）技術│ ├◆◆◇◆◇■□膜厚計測技術(絶縁膜、メタル多層膜)│ ├◆◆◇◆◇■□界面･表面評価技術│ ├◆◆◇◆◇■□歪・ドーパント分布計測技術│ ├◆◆◇◆◇■□仕事関数評価技術│ ├◆◆◇◆◇■□トレンチ・ビア形状計測技術（2D、3D）│ ├◆◆◇◆◇■□膜厚計測技術│ │ （絶縁膜、バリアシード膜、メタル膜）│ ├◆◆◇◆◇■□平坦度計測技術│ └◆◆◇◆◇■□ポアサイズ計測、機械的特性計測技術└（小項目）新材料評価技術

├◆◆◇◆◇■□物理的特性評価技術├◆◆◇◆◇■□化学的特性評価技術└◆◆◇◆◇■□機械的特性評価技術

（中項目）歩留り向上技術├（小項目）欠陥検出・解析技術│ ├◆◆◇◆◆■■欠陥サンプリング／欠陥管理技術│ ├◆◆◇◆◇■■欠陥検出技術（電子ビーム方式、光学式）│ ├◆◆◇◆◇■■欠陥レビュー技術│ └◆◆◇◆◇■■欠陥解析技術│ （空間分布、元素分析、断面解析）├（小項目）物理解析技術│ ├◆◆◇◆◇■■検査データリンケージ、解析ポイント│ │ 加工技術│ ├◆◆◇◆◇■■断面観察、構造･元素解析技術│ ├◆◆◇◆◇■□構造・界面解析技術│ ├◆◆◇◆◇■□化学結合・元素分析技術│ └◆◆◇◆◇■□局所プロービング技術└（小項目）歩留りモデル高度化

├◆◆◆◆◆■■ランダム欠陥歩留りモデル├◆◆◆◆◆■■リソグラフィ起因システマティック欠陥│ 歩留りモデル└◆◆◆◆◆■■許容汚染モデル

（中項目）微細化技術├（小項目）多層配線技術│ └◆◆◇◆◇■□銅成膜技術（めっき、PVD、CVD）├（小項目）層間絶縁膜技術│ ├◆◆◇◆◇■■低誘電率化技術（CVD、SOD)│ ├◆◆◇◆◇■■キュア技術│ ├◆◆◇◆◇■■高機械強度化技術│ ├◆◆◇◆◇■■空孔（ポア）導入技術│ ├◆◆◇◆◇■■エアーギャップ技術│ ├◆◆◇◆◇■■ポアシール技術│ ├◆◆◇◆◇■■疎水化技術│ ├◆◆◇◆◇■■自己組織化単分子膜（SAM）バリア技術├（小項目）配線材料技術│ └◆◆◇◆◇■■バリアメタル技術（PVD、ALD、CVD）├（小項目）信頼性技術│ ├◆◆◇◆◇■□エレクトロマイグレーション（EM）改善技術│ ├◆◆◇◆◇■□ストレスマイグレーション（SM）改善技術│ ├◆◆◇◆◇■■配線信頼性（TDDB）改善技術│ ├◆◆◇◆◇■□配線信頼性評価技術│ ├◆◆◇◆◇■□層間絶縁膜信頼性評価技術│ ├◆◆◇◆◇■□密着性評価･制御技術│ └◆◆◇◆◇■■配線ばらつき（LER、抵抗）低減技術└（小項目）配線モデリング技術

└◆◇◆◇◆■□配線モデリング技術（中項目）新規配線技術├（小項目）TSV（ファインピッチ）│ └◆◆◇◆◇■■Thinned wafer to wafer bonding├（小項目）新規配線材料技術│ └◆◆◇◆◇■■CNTビア│ └◆◆◇◆◇■■カーボン配線技術├（小項目）光やRF（電磁波）による信号伝達技術│ ├◆◆◇◇◇■■シリコンナノフォトニクス配線技術│ ├◆◆◇◇◇■■差動同軸線路型配線技術│ └◆◆◇◇◇□■オンチップRF信号伝送技術└（小項目）インプリント配線技術

└◆◆◇◆◇□■インプリント配線技術

（中項目）トランジスタ形成プロセス├◆◆◇◆◇■■ゲートスタック形成技術├◆◆◇◆◇■■ソースドレインアニール技術├◆◆◇◆◇■■ソースドレイン浅接合形成技術├◆◆◇◆◇■■ソースドレインコンタクト形成技術└◆◆◇◆◇■■素子分離技術

（中項目）洗浄技術├◆◆◇◆◇■■新規洗浄技術└◆◆◇◆◇■■ウェット洗浄技術

（中項目）イオン注入技術└◆◆◇◆◇■■イオン注入技術

（中項目）エッチング技術├◆◆◇◆◇■■ウェットエッチング技術└◆◆◇◆◇■■ドライエッチング技術

（中項目）薄膜堆積技術├◆◆◇◆◇■■CVD技術├◆◆◇◆◇■■スパッタ技術└◆◆◇◆◇■■MBE技術

（中項目）酸化･拡散･熱処理技術└◆◆◇◆◇■■酸化･拡散･熱処理技術

（中項目）シリコン基板└◆◆◇◆◇□■大口径ウェーハ対応製造技術

（中項目）プロセスシミュレーション技術└◆◆◆◆◇■■新規プロセス対応シミュレーション

SoC開発／製造工程のエンジニアリング

配線技術

（中項目）露光装置技術├（小項目）主流量産技術│ ├◆◆◇◆◇■■ArF液浸露光装置技術│ ├◆◆◇◆◇■■ArF液浸露光／スペーサー技術│ └◆◆◇◆◇■■EUV露光装置技術└（小項目）新規技術

├◆◆◇◆◇□■ML2（マスクレスリソグラフィ）├◆◆◇◆◇□■NIL（インプリントリソグラフィ）└◆◆◇◆◇□■DSA（ダイレクトセルフアセンブリ）

（中項目）マスク技術├◆◆◇◆◇■■描画装置技術├◆◆◇◆◇■■欠陥検査装置技術├◆◆◇◆◇■■欠陥修正技術├◆◆◆◇◆■■データ処理技術│ （OPC、RET、MDP、MRC等）├◆◆◇◆◇■■材料技術（基板、ブランクス、ペリクル）└◆◆◇◇◇□■高効率作製技術

（中項目）レジスト・プロセス技術├◆◆◇◆◇■■材料技術（レジスト、反射防止膜、│ シュリンク、トップコート）├◆◆◇◆◇■■液浸露光技術└◆◆◇◆◇■■ダブルパターニング

（Pitch Splitting/Spacer）技術（中項目）リソグラフィインテグレーション技術├◆◆◆◇◆■□リソシミュレーション技術└◆◆◇◇◇■■総合的最適化技術

プロセス技術

社会的ニーズアプリケーション

半導体技術マップ （２／２）

最重要課題

性能上： 製造上：高速、多機能、低消費電力 低コスト、QTAT、多品種変量生産対応

システムLSI（SoC）

基盤技術

情報家電 車載 ロボットカード、タグモバイル

Ｓｉを超える超高速、大パワー密度、低消費電力、新機能等

Non-CMOS

省エネ安全・信頼性

記号の説明

産業競争力向上に係わる技術（対象業種別）

IDMファンドリメーカ

ファブレスメーカ

装置・材料メーカ

ソフトベンダ

半導体の安全・信頼性に係わる技術

省エネに係わる技術

◆ ◆ ◆ ◆ ■ ■◆

※ 該当しないものを「白抜き」で示す。※ ロードマップに記載する技術を「青字」で示す。※ 「半導体の安全・信頼性に係わる技術」は、半導体製造における

安全技術、半導体の信頼性を高める技術、歩留りを高める技術。※ 「省エネに係わる技術」は、半導体の微細化技術、高集積化技術、

半導体製造の高効率化技術。

電子部品評価･解析技術

（大項目） 配線技術

略語説明

A: AEC = Advanced Equipment ControlALD = Atomic Layer DepositionAPC = Advanced Process ControlArF = Argon Fluoride

B: BISR = Built-In Self RepairBIRA = Built-In Redundancy Allocation

C: CMP = Chemical Mechanical PolishingCMOS = Complementary Metal-oxide SemiconductorCVD = Chemical Vapor Deposition

D: DD = Dual DamasceneDFM = Design For ManufacturingDFR = Design For ReliabilityDFT = Design For TestabilityDRAM = Dynamic Random Access MemoryDRC = Design Rule CheckDSA = Directed Self Assembly

E: EEQA = Enhanced Equipment Quality AssuranceEEQM = Enhanced Equipment Quality ManagementEM = Electro MigrationEUV = Extreme UltraViolet

F: FDC = Fault Detection and ClassificationFDSOI = Full Depletion Silicon On InsulatorFET = Field Effect Transistor

G: GOI = Germanium Oxide InsulatorH: HW = HardWareI: IP = Intellectual PropertyK: KGD = Known Good DieL: LER = Line Edge Roughness

LSTP = Low STandby Power

M: MBE = Molecular Beam EpitaxyMDP = Mask Data PreparationML2 = MaskLess LithographyMOS = Metal-Oxide SemiconductorMRC = Mask Rule Check

N: NGL = Next Generation LithographyNVRAM = NonVolatile Random Access Memory

O: OEE = Overall Equipment EfficiencyOPC = Optical Proximity effect CorrectionOS = Operating System

P: PCB = Printed-Circuit BoardPVD = Physical Vapor Deposition

Q: QTAT = Quick Turn Around TimeR: RET = Resolution Enhancement Technology

RF = Radio FrequencyRTL = Register Transfer Level

S: SAM = Self-Assembled MonolayerS/D = Source / DrainSGOI = Silicon Germanium Oxide InsulatorSiP = System in PackageSM = Stress MigrationSoC = System on a ChipSOD = Spin On DielectricSOI = Silicon On InsulatorSRAM = Static Random Access MemorySTIL = Standard Test Interface LanguageSW = SoftWare

T: TDDB = Time Dependent Dielectric BreakdownTEG = Test Element GroupTFT = Thin-Film TransistorTL = Transaction Level

U: UTB = Ultra Thin Body

アプリケ シ ンアプリケ シ ン モバイル情報家電 車載 ロボットｶ ﾄﾞ ﾀｸﾞ

半導体技術マップ （大項目抽出マップ）

社会的ニーズ社会的ニーズ 省エネ安全・信頼性

アプリケーションアプリケーション モバイル情報家電 車載 ロボットｶｰﾄ 、ﾀｸ

システムLSI（SoC）最重要課題

non-CMOS

基盤技術

性能上： 高速、多機能、低消費電力 製造上： 低コスト、QTAT､多品種変量生産対応 Siを超える超高速、大パワー密度、低消費電力、新機能等

ディスクリートデバイスディスクリートデバイス

nonnon--CMOSCMOS技術技術

SoCSoC開発／製造工程の開発／製造工程のエンジニアリングエンジニアリング設計（設計（SoCSoC設計）設計）

LSTPLSTPデバイス技術デバイス技術

・デバイス微細化

CMOSCMOS技術技術基盤技術

ナノエレクトロニクス・ナノエレクトロニクス・デバイスデバイス

・パワーデバイス

製造技術製造技術

・開発プラットフォーム・製造統合制御プラット

フォーム

・設計コンテンツ・システムレベル設計･検証・Siインプリメンテーション技術

デ イ 微細化・ナノCMOSへ向けた新技術・混載技術・シミュレーション技術

リソグラフィ技術リソグラフィ技術プロセス技術プロセス技術

・ナノCMOSの延長・Beyond CMOS

デバイスデバイス

・装置基盤技術・ファクトリインテグレーション

技術

製造技術製造技術リソグラフィ技術リソグラフィ技術

・露光装置技術・マスク技術・レジスト・プロセス技術･リソグラフィ

プロセス技術プロセス技術

・トランジスタ形成プロセス・洗浄技術・シリコン基板・シミュレーション技術

SoC = System on a ChipQTAT = Quick Turn Around Time・DFT

テスト技術テスト技術評価・解析技術評価・解析技術

リ グラ ィインテグレーション技術

実装技術実装技術

プ

シミ レ ション技術

配線技術配線技術

1

QTAT = Quick Turn Around TimeLSTP = Low STandby PowerDFT = Design For Testability

・DFT・テスト・故障解析・テスト環境

・計測技術・歩留向上技術

・実装プロセス技術・実装設計技術

・微細化技術・新規配線技術

超低消費電力・高性能デバイス、ユビキタスエレクトロニクス目的

LSTPデバイス技術

超低消費電力 高性能デバイス、ユビキタス レクトロ クス目的

微細化＋機能向上＋省エネ重要課題

キーテクノロジ

ｱﾌﾟﾘｹｰｼｮﾝ用混載技術

ナノCMOSへ向けた新技術

トランジスタ構造 ﾊﾟﾗﾒｰﾀ・ばらつき制御技術プロセス

混載技術中項目 中項目

テクノロジテクノロジブースタ

新混載チップ例

センサチップ性能向上策メタルゲート／High-K

Vthコントロール

プロセスSOI, High-Kメタルゲート

マルチゲート

バルクCMOS

センサチップ

ポイント オブケアチップ

メタルゲート/High-K

SOI,ひずみGeチャネル

Ⅲ-ⅤチャネルナノワイヤFET リソグラフィパターン寸法Steep Switching FET

メモリ混載技術

ロジック埋込み用SRAMデバイス微細化（ゲート長・ゲート絶縁膜）

パターン寸法微細化配線

微細化技術

中項目

高速アクセス不揮発性メモリ

デバイスシミ

極微細立体加工 寸法ばらつき 電気的ゲート膜厚

評価解析技術

微 技微細Cu

中項目キーテクノロジ

不揮発性メモリ

2

新規モデルの取り込み

デバイスシミュレーション技術 コンパクトモデル物理モデル 統計的モデル

評価解析技術計測技術

歩留り向上技術

中項目

LSIの高集積化、高性能化、低コスト化、低消費電力化目的

プロセス技術

LSIの高集積化、高性能化、低コスト化、低消費電力化目的

新規プロセス技術・新材料の開発重要課題 新規 技術 新材料 開発

洗浄技術 シリコン基板トランジスタ形成プロセス中項目 中項目 中項目

新規洗浄技術

洗浄の方法

大口径ウェーハ対応製造技術ゲートスタックプロセス ソースドレイン形成技術

酸 減

キーテクノロジ

超臨界流体洗浄

洗浄の方法

ガス洗浄

フラットネス

大口径化

低欠陥密度

接合深さ低減

シート抵抗低減

ンタクト抵抗低減

実効酸化膜厚低減

ゲートリーク電流低減

ゲート電極形成技術

SOI = Silicon on Insulator

歪SOI基板

低欠陥密度

素子分離技術

コンタクト抵抗低減

ゲート絶縁膜材料

ゲート電極材料

ゲ ト電極形成技術

アニール技術

中項目SOI = Silicon on Insulator

プロセスシミュレーション技術

素子分離技術

高アスペクト比実現キャリア移動度向上技術

中項目

3

新規モデルの取り込み

新規材料・新規構造のモデリングと計算機による最適設計

リソグラフィ

LSIの高集積化、高性能化、低コスト化、低消費電力化、高信頼性目的 の高集積化、高性能化、低 ト化、低消費電力化、高信頼性目的

露光装置技術、マスク技術、レジスト・プロセス技術、リソグラフィインテグレーション技術

微細 高精度 低欠陥 高スル プ ト 低 スト重要課題

中項目

ｷｰ

微細・高精度・低欠陥・高スループット・低コスト重要課題

レジスト・プロセス技術リソグラフィインテグレーション技術ﾃｸﾉﾛｼﾞ

露光装置技術

微細化・高精度化

CD/解像度 ＬＥＲ／ＬＷＲ

多重露光液浸マスク技術

リ グラ ィ テグ シ 技術総合的最適化技術 リソシミュレーション技術

CD = Critical Dimension

EUVマスク 無欠陥多層膜ブランクス

ペリクル無しハンドリング

光マスク

RET/PSM, OPC, SB

露光装置技術 多重露光液浸ク技術

高感度（EUVL）レジスト倒壊

A キシ

露光方式

CD = Critical DimensionEUVL = Extreme Ultra Violet lithographyLER = Line Edge RoughnessLWR = Line Width RoughnessLFD = Lithography Friendly DesignOPC = Optical Proximity effect Correction

マスク共通 CD, LWR/LER 位置精度欠陥検査・修正

マスク汚染

高効率作製技術 総合最適化総合最適化 シ シシ シ

RET データ処理コスト 計測

ArFエキシマ(193 nm)

+ 液浸 + 多重露光

PSM = Phase Shift MaskRET = Resolution Enhancement TechniqueSB = Scattering BarDSA = Directed Self Assembly

高効率作製技術

検査描画マスク設計

総合最適化、総合最適化、LFDLFD、シミュレーション、シミュレーション

次世代リソグラフプ セス開発 多品種

修正リソ設計EUVL(13.5 nm)

設計意図に基づくIn erse

4

次世代リソグラフィ技術候補

DSA電子ビーム直接描画技術(ML2)

プロセス開発・多品種変量用装置

新技術 設計意図に基づく描画、検査、計測の

効率化技術

InverseLithography

Nanoimprint

LSIの高集積化、高性能化、低コスト化、低消費電力化目的

配線技術

LSIの高集積化、高性能化、低コスト化、低消費電力化

微細化技術

低消費電力化 高性能化 高信頼性化重要課題

中項目 新規配線技術中項目

新材料 方式 低 スト化重要課題

MtMMtM

低消費電力化、高性能化、高信頼性化重要課題

配線材料技術 層間絶縁膜技術 多層配線技術 信頼性技術

新材料・方式・低コスト化重要課題

TSV技術

配線抵抗バリアメタル

材料

配線材料技術 層間絶縁膜技術

低誘電率化

多層配線技術

総配線数増加

低誘電率材料高信頼性化

信頼性技術

新規配線材料技術密着性 強度確保

高密度ファインピッチ

TSV技術

材料Cu配線の延命技術

実効誘電率低減

微細化を支える技術

新材料加工・

プロセスダメージ低減

キーテクノロジ

CNT

新規配線材料技術

光やRF（電磁波）による

密着性・強度確保

配線信頼性(TDDB/EM/SIV)

バリアメタル形成方法

機械的強度確保

CMP技術

Cu埋込技術

ジ

上層配線技術

信号伝達技術

チップ内RF

チップ内光

配線ばらつき(LER、抵抗)

伝送線路としての取扱

モデリング手法の進展

配線モデリング技術

階層的RLC抽出技術

RF 光

ｲﾝﾌﾟﾘﾝﾄDD配線技術

上層配線など

5

EM = Electro Migration SIV = Stress Induced Voiding TDDB = Time DependentCMP = Chemical Mechanical Polishing CNT = Carbon Nano-Tube Dielectric BreakdownRF = Radio Frequency DD = Dual Damascene LER = Line Edge Roughness

TSV = Through Silicon Via

低コスト形成法

More than Moore関連技術MtMMtM

LSIの高集積化、高性能化、低コスト化、低消費電力化目的

実装技術

高集積 、高 、 、 費電

低消費電力化、高密度化、多機能化重要課題

実装プロセス、実装設計中項目

低消費電力化、高密度化、多機能化

SiP = System in PackageMEMS = Micro単 チ プ実装

単一チップ実装同種チップの

ＳｉＰ実装

単 プ実装

MtMMtM

キーテクノロジ

MEMS = Micro Electro-Mechanical SystemRF = Radio FrequencySI = Signal Integrity

単一チップ実装

多ピン化

同種チップの三次元チップ積層

異なる機能を持つチップの実装

DRAM、フラッシュ等 メモリ、ロジック、ＲＦ、センサ、機構部品等

ｲﾝﾀ ﾈｸﾄ技術 部品内蔵ｲﾝﾀ ﾎﾟ ｻﾞ

単一チップ実装

PI = Power IntegrityEMC = Electro Magnetic CompatibilityKGD = Known Good Die

非接触（無線）方式TSV方式

ｲﾝﾀｰｺﾈｸﾄ技術

光ｲﾝﾀｰｺﾈｸﾄ（ﾁｯﾌﾟ間）

部品内蔵ｲﾝﾀｰﾎ ｰｻﾞ

多層配線 薄膜部品

L k/C 対応技術

ｳｴｰﾊﾚﾍﾞﾙﾊﾟｯｹｰｼﾞ

ﾊﾞﾝﾌﾟの微細化

テスト技術 Good DieTSV = Through Si Via

異種ﾃﾞﾊﾞｲｽ・光・機構部品等の取り込み

ＭＥＭＳ ｾﾝｻ等RF、LASER、LED、ﾚﾝｽﾞ 冷却機構等

Low-k/Cu対応技術

低応力検査・接合・封止技術

ﾀﾞｲｼﾝｸﾞ技術

技術

ウェーハ検査 ＫＧＤ

More than Moore

MtMMtMウェハレベル積層技術

統合設計ﾌﾟﾗｯﾄﾌｫｰﾑ技術 電気／熱／構造連成解析技術

ﾝｻ等ﾚﾝｽ 、冷却機構等封止技術 More than Moore

基盤技術貼り合わせ技術 位置合わせ技術

6

電気／熱／構造協調解析アルゴリズム

チップ／パッケージ／ボード連携設計ツール モデル高度化

重合メッシュ最適化SI、PI、EMCなどの最適設計

高集積・高性能・低コスト・低消費電力LSIの実現目的

評価・解析技術

計測技術中項目 歩留り向上技術中項目

微細形状加工精度の確保重要課題 微細致命欠陥の検出・解析重要課題

キ テクノロジ

リソグラフィ計測 評価

トランジスタ構造計測 評価

配線構造計 評価

微細形状計測・物性評価技術

キーテクノロジ

物理解析

欠陥検出・物理解析技術

欠陥検出・解析

微細化を

パターン形状

計測・評価 計測・評価

Tr性能影響因子

形状（2D、3D）

膜厚

計測・評価 インライン解析

検査リンケージ

微細化を新材料の加工技術

オフライン解析ウェーハ計測CD寸法

配線性能影響因子

バリア膜厚関連技術

欠陥検出

サンプリング

微細 を支える技術

新材料の加工技術仕事関数

膜厚

界面・表面

歪、ドーパント

微細 を支える技術欠陥レビュー

オフライン解析・CD寸法・３D形状・Overlay・OPC評価

マスク計測

平坦度

界面・表面

ボイド・ポア

Cu拡散元素分析

原子レベル構造界面解析化学結合極微量元素分析

プ グ

テスト技術

関連技術

新材料の加工技術

新材料評価・

仕事関数多ピン化

ランダム欠陥、リソ欠陥、汚染歩留りモデル

マスク計測 空間分布解析 局所プロービング

7

物理的・電気的・機械的特性評価新材料評価・解析技術

ランダム欠陥、リソ欠陥、汚染歩留りモデル

ばらつき解析TEGによる解析ばらつき解析

目的

設計技術・テスト技術

LSIの高集積化、高性能化、低コスト化、低消費電力化を

テスト技術大項目設計技術大項目

実現するための設計およびテスト技術

ＤＦＴ テスト故障解析

障

中項目中項目 システムレベル設計・検証

設計コンテンツ

中項目

高位モデリング技術 検証技術

合成・最適化技術

上位ＤＦＴ

BIRA・BISR

故障診断

故障モデル不良解析

ロバストシステム技術

システムレベル性能・コスト見積り技術モジュール間

通信技術・NoC

MtMMtM

中項目 テスト環境

低電力化設計

シリコンインプリメンテーション技術中項目

システム

マルチプロセッサ技術

リコンフィギュラブル ジ ク

MtMMtM

N C N t k Chi

STIL(IEEE1450）準拠のテスト環境整備

基本シリコンインプリ技術

低電力化設計

製造性考慮設計

DFM DFR MASK

複合化対応

統計的解析

ブル・ロジック

システムドライバ

MtMMtM

NoC：Network on ChipDFM：Design For ManufacturingDFR：Design For ReliabilitySI ：Signal IntegrityDFT：Design For TestabilityBIRA：Built-in Redundancy Allocation

雑音・SI

インプリ検証

アナデジ混載技術

IPベース設計

統計的解析システムドライバ・コンピュータ・ネットワーク・モバイル機器・情報家電機器・車載ロボ ト

8

BISR：Built-in Self RepairSTIL：Standard Test Interface Language

ライブラリ設計

・ロボット・健康・医療・カード・タグ ばらつき評価技術回路設計

MtMMtM

More than Moore関連技術MtMMtM

目的

製造技術

LSIの高集積化、高性能化、低コスト化、低消費電力化を実現するための装置・製造技術

装置高度化 装置基盤技術

中項目

ファクトリインテグレ ション技術

中項目

装置高度化 装置基盤技術 ファクトリインテグレーション技術

製品歩留まり向上重要課題

プロセス・加工精度・損傷高度制御技術

製造工場運用効率化

製造装置開発期間/コスト低減

装置信頼性向上装置クリーン化技術（汚染、パーティクル）

MTBF MTTR CoO

クリ ン化技術装置内現象 プロセス形状プロセス低温化

キーテクノロジ キーテクノロジ キーテクノロジ

低濃度金属分析

有機物分析

クリーン化技術装置内現象

シミュレーション

複合現象モデル

プロセス形状シミュレーション

複合現象予測モデル

プロセス低温化

ALD技術

部品・材料選定・高性能・高信頼性・高清浄度

APC技術

FDC技術

EEQM/A

グリーンファブ可視化技術

選択エピ技術

ALD=Atomic Layer DepositionMTBF = Mean Time Between FailureMTTR = Mean Time to RepairAPC Ad d P C t l

パーティクル分析

計測技術

産学連携分野微細加工技術

プ 加高性能シミュレータ技術

プ グ技術

EEQM/A

大口径化技術

9

APC = Advanced Process ControlFDC = Fault Detection and ClassificationCoO = Cost of OwnershipEEQM/A = Enhanced Equipment

Quality Management/Assurance

プロセス・加工ばらつき低減

リアルタイムプロセスモニタリング技術ＴＥＧ技術

目的 高効率SoC開発/製造システムの構築

SoC開発/製造工程のエンジニアリング

新SoC市場の開拓海外流出SoC需要の国内還流

開発コスト、リソース、リスクの低減製造コスト低減、TATの短縮

開発プラットフォーム

ﾃﾞﾊﾞｲｽ・ﾌﾟﾛｾｽ性能予測精度 設計生産性

製造統合制御プラットフォーム

コスト、納期、品質の可予測化

中項目

重要課題

性能予測精度 設計生産性

多品種変量生産対応工程制御 製造ばらつき制御

キーテクノロジ

プロセス 開発の構造化と標準化

設計メソドロジの構造化と標準化

デバイス性能技術

設計手法体系化

制御機能・情報の階層化、統合的判断制御コスト、納期、品質モデリング

生産効率制御プラットフォーム

装置制御技術 工程制御技術 プロセス制御技術 品質制御技術

キ テクノロジ

プロセス性能予測技術

設計IP整備

予測技術

装置OEE改善技術

装置・プロセスモデリング技術

装置制御技術

ウェーハ単位搬送制御技術

工程制御技術

出来映えモデリング技術

モデルによる階層的プロセス制御技術

プロセス制御技術

検査最適化技術

歩留モデリング技術

品質制御技術

大 LSTPﾃﾞﾊﾞｲｽ技術 プロセス技術 配線中 ｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ技術 ﾌﾟﾛｾｽｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ技術 微細化技術小 ﾃﾞ ﾞｲｽｼﾐ ﾚ ｼ ﾝ技術 新規ﾌﾟﾛｾｽ対応ｼﾐ ﾚ ｼ ﾝ 配線ﾓﾃﾞﾘﾝｸﾞ技術

大 製造中 製造基盤技術小 ﾌﾟﾛｾｽ 加工高度制御技術

大 設計中 Siｲﾝﾌﾟﾘﾒﾝﾃｰｼｮﾝ技術

大 設計中 ｼｽﾃﾑレベル設計・検証

ロ－ドマップ関連項目 （大・中・小項目）

10

小 ﾃ ﾊ ｲｽｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ技術 新規ﾌ ﾛｾｽ対応ｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ 配線ﾓﾃ ﾘﾝｸ 技術 小 ﾌ ﾛｾｽ・加工高度制御技術中 ｲﾝﾌ ﾘﾒﾝﾃ ｼｮﾝ技術 中 ｼｽﾃﾑレ ル設計 検証

略語説明SoC = System on a Chip TAT = Turn Around Time OEE = Overall Equipment Efficiency LSTP = Low STandby Power

高効率電力変換 電力変換器機の小型化 コスト低減目的

ディスクリートデバイス

高効率電力変換、電力変換器機の小型化、コスト低減目的

パワーデバイス中項目

高出力パワー密度、低損失、大容量重要課題

キーテクノロジ 高出力パワー密度

実装技術

材料 プロセス デバイス技術

低損失化 大容量化 回路・制御技術

SiC MOSFET高温実装

SiC MOSFET信頼性評価・確保

材料・プロセス・デバイス技術SiC MOSFET

特性に最適化

SiC基板および ピタキシ 成長層 欠陥低減

MOS = Metal Oxide Semiconductor

11

SiC基板およびエピタキシャル成長層の欠陥低減 Si基板上GaNエピ FET = Field Effect Transistor

目的 Si MOS トランジスタのスケーリング限界に対する新規解の導入

ナノエレクトロニクス・デバイス

目的 Si MOS トランジスタのスケ リング限界に対する新規解の導入

ナノCMOSの延長中項目 中項目 Beyond CMOSナノCMOSの延長中項目

重要課題 「集積化と信頼性確保」

中項目 Beyond CMOS

重要課題 「Si MOSトランジスタにない機能」（自己組織化プロセスによるトランジスタ）

キーテクノロジ 共鳴トンネルデバイス

高出力・高on/off比

分子・有機デバイス

原子レベル良再現性

超電導デバイス

Siと競合しな

ナノシートFET ナノワイヤFETナノチューブFET

の両立

トンネル障壁の均一性・集積化

超低コスト・大面積応用

原子レベル良再現性コンタクト

RSFQルータ

Siと競合しない新アプリケーション

RSFQプロセッサ

幅制御

高密度集積

ナノチュ ブFET

位置制御，サイズ制御

高密度集積 RSFQプロセッサ

スピントランジスタその他

回路再構成スイッチ

固体電解質材料開発

強磁性ロジックデバイス

安定材料開発磁壁移動制御

高密度集積化 高密度集積化

単 電子デバイス スピントランジスタ

ハーフメタルソースドレイン材料の開発

（量子計算等）

Siを凌ぐ特性

半導体素子との融合

単一電子デバイス

ノイズ耐性の向上 Beyond CMOSＳｉ融合技術強相関電子デバイス

12

スケーリングの実証 性能・コスト・面積・回路性能

高ファンアウトの実現集積化

強相関電子デ イス

電子間相互作用・外部刺激に対する反応

ストレージ技術の位置づけ

ストレージ・メモリ技術マップ（１／５）

速度 注1

10Gbps：現状範囲

10Gbps：3 ～5年後

：技術の方向

1Gbps

注

PRAM

磁性系ストレージ(HDD)

100Mbps注2：PRAM ：チップあたりFLASH チップあたり

注1：転送速度

10Mbps

FLASH ：チップあたり光系ストレージ ：ディスクあたり磁性系ストレージ：プラッタあたり

FLASH （NAND型）

1Mbps 注

光系ストレージ

1Mbps 容量 注２

1MByte 1TByte1GByte

ストレージ技術の主な適用用途

ストレージ・メモリ技術マップ（２／５）

速度 注1

10Gbps：現状範囲

ストレ ジ技術の主な適用用途

10Gbps：3 ～5年後

磁性系ストレージ(HDD)

1Gbps注1：転送速度

PRAM

ﾓﾊﾞｲﾙ情報家電

サーバ

据置型情報家電（ﾋﾞﾃﾞｵﾚｺｰﾀﾞ等）

ﾓﾊﾞｲﾙ／ﾃﾞｽｸﾄｯﾌﾟPC

100Mbps注2：PRAM ：チップあたりFLASH ：チップあたり光系ストレージ ：ディスクあたり磁性系ストレージ：プラッタあたり（用途には複数のチップ ディスク

情報家電（携帯電話・ﾃﾞｼﾞﾀﾙｶﾒﾗ・ｵｰﾃﾞｨｵﾌﾟﾚｰﾔなど）／ﾓﾊﾞｲﾙPC

DVD

アーカイブコンテンツ配布

BD

ﾓﾊ ｲﾙ情報家電（ﾃﾞｼﾞﾀﾙﾑｰﾋﾞｰ等）

10Mbps

（用途には複数のチップ、ディスク、プラッタを用いるものも含む）

FLASH （NAND型）

CD

1Mbps 容 注２

光系ストレージ

1Mbps 容量1MByte 1TByte

注２

1GByte

メモリ技術の位置づけ

ストレージ・メモリ技術マップ（３／５）

メモリ技術の位置づけ

：現状範囲

速度 注1

SRAM

：3 ～5年後1ns：揮発性RAM

（参考)

：技術の方向

10ns

注1：読出/書込を律速する速度

DRAM

注2：チップあたり

FeRAM

PRAM100ns MRAM

FLASH(NOR型)

容量 注２1μs 容量 注２

１Mbit １Gbit1μs

メモリ技術の主な適用用途

ストレージ・メモリ技術マップ（４／５）

速度 注1

：現状範囲

メモリ技術の主な適用用途

SRAM1ns ：3 ～5年後

：揮発性RAM（参考)

10ns注

MRAM

（参考)

PRAMFeRAM注2：チップあたり（用途には複数チ プを用いるものも含む）

注1：読出/書込を律速する速度

情報家電（車載/携帯電話

DRAM

単体メモリICカード（スマートカード）ＲＦＩＤタグマイクロコントローラ

100ns（用途には複数チップを用いるものも含む）

ﾓﾊﾞｲﾙPC／産業機器／制御ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ格納／ﾄﾞﾗｲﾌﾞﾚｺｰﾀﾞ／ﾈｯﾄﾜｰｸ機器／携帯電話

（車載/携帯電話等）

容量 注２1μs

FLASH (NOR型)

話

容量 注２

１Mbit １Gbit1μs

高度化技術・新技術の性能分類

ストレージ・メモリ技術マップ（５／５）

項目 開発技術 分類

磁性系スト 媒体技術（パターン媒体、熱アシスト対応媒体）

ストレージ・メモリデバイス 新規デバイス項目 開発技術 分類

ReRAM 大容量化技術磁性系ストレージ

（ＨＤＤ）

媒体技術（ タ ン媒体、熱アシスト対応媒体）

記録ヘッド技術（熱アシスト方式、微細加工技術）

再生ヘッド技術（ＴＭＲ、ＣＰＰ－ＧＭＲ、スピントロニクス応用）

光系スト 高データ転送速度化技術（並列化処理）

ReRAM 大容量化技術

材料技術

機構解明

PMC-RAM（原子スイッチ

書き換え回数増大化技術

レージビット微細化技術（スーパーレンズ、SIL）

三次元記録技術（ホログラム、2光子吸収）

FLASH（NAND型

低アスペクト比セル（ナノドット、TANOS）

（原子スイッチ、ナノブリッジメモリ等）

低消費電力化技術

カード型ホログラムメモリ

導波路型（材料、構造、記録方式）

体積記録型（材料、構造、記録方式）（NAND型、NOR型）

多値化技術（低セル間干渉、 高誘電体ゲート絶縁膜）

多層化技術（3D、BiCS）

FeRAM 新メモリセル構成技術（Chain型、1T型、3Dキャパシタ）

材料技術（新強誘電体材料）

MEMSプローブメモリ

トポ記録方式

強誘電／強磁性方式

磁壁移動固体メモリ

スピントロニクス技術

MRAM 大容量化技術（誘導磁場型、スピン注入型、垂直磁化型）

高速読み出し技術（高出力化、材料）

書込み技術（スピン注入反転、磁壁移動）

構成技術 高速動作 多層 多値 ﾎﾟ

リ高集積化技術

有機メモリ 材料技術

分子メモリ 大容量化技術、低消費電力化技術

メモリセル構成技術（高速動作、多層、多値、ｸﾛｽﾎﾟｲﾝﾄ、

論理回路）

PRAM 材料技術（新相変化材料 ）

多値化技術（多値 ）主たる性能分類

ナノチューブメモリ 微細プロセス技術

凡例

3次元化（3D ）主たる性能分類

・大容量化技術・高速化技術・省電力化技術

ネ トワ ク化の進展

技術マップ コンピュータ分野 （研究開発領域）コンピュータ技術マップ（１／２）

ネットワーク化の進展

プロセッサ(含むシステム・ソフトウェア)

システム(ネットワーキング)

プロダクト、アプリケーション

スーパーコンピュータ

グリ

スーパーコンピュータ技術・筐体間接続・メモリ制御技術・低消費電力化

ユビキタスコン

ハイエンド・マルチプロセッサ

リッド・クラウド

・国際標準化

・基幹ミドルウェア

・性能指向

ディペンダブル

ストレージシス

・容量最適

省電力・高性能

・処理性能、高

・省電力、低発

・冷却・騒音

・仮想化、自律

サーバ

・データセンタ・テクニカルコンピューティング・PCクラスタ

・情報検索 ・データマイニングンピューティングのPC

プロセッサS

oC

・低電力

・チップ

向OS

ル技術

・品質指

ステム

適化

能化技術

高信頼化

発熱、

律制御

波及効

情報検索 タ グ・サービス連携 ・データベース・コンテンツ ・科学技術計算

の進展

PC

アクセラレ

・映像・信

・フローテ

・再構成可

力

・メニー/

ヘテロマルチコ

プ内インターコネクト

ミドルウェ

・組込シ

・相互運

・保守情

コンパイラ

・高性能

・短期開

・メニー

コア環 組開

・組込みO

・省電

・ディペ

指標と評価技術/検証

効果

・情報家電、デジタルAV・モバイル ・携帯レ

ータ・プロセッサ

信号

ティングアレイ処理

可能プロセッサ

コアプロセッサ

ェア

システム用MW

運用性確保

情報管理

ラ能、低消費電力

開発

/

ヘテロマルチ

環境 込

みシステム用

発環境

・仮想プラット

フォーム

OS

力ペンダブル

証技術の確立

組込み・モバイル ・携帯・自動車、車載システム・ロボット

コンピュータ技術マップ（２／２）

技術関連図

ソフトコンポーネントテクノロジ

システムテクノロジ コンピュータプロダクト／システム

アプリケーションハードコンポーネント

テクノロジ

ハイエンドマルチプロセッサ

テクニカルコンピューティング

（スパコン、PCクラスタ）サ ビス

情報検索データマイニング

MP-OS（性能指向）テクニカル

コンピューティング（スパコン、PCクラスタ）

サービス連携

グリッド・クラウド

コンピューティング

チップ内インターコネクト

筐体間インターコネクト サーバ データベース

サービス

筐体間インターコネクト サーバ データベース

サービス連携

メニー・ヘテロマルチコア コンテンツ

科学技術計算MP OS（低電力指向)

ストレージシステムコンパイラ

低電力技術

コンテンツ

科学技術計算ディペンダブルコンピュ ティング

ストレージシステムコンパイラ

ミドルウェア組み込みシステム

(含む ルチ アS C)

ディジタルAV

MP-OS（低電力指向)低電力技術

アクセラレータプロセッサミドルウェア

組み込みシステム(含む ルチ アS C)

ディジタルAV

モバイル・携帯

コンピューティング

組み込みOS

(含むマルチコアSoC)

自動車・産業・通信ソフトウェア

エンジニアリング

組み込みOS

(含むマルチコアSoC)

自動車・産業・通信ソフトウェア

エンジニアリング

低電力プロセッサＳｏＣ 自動車・産業・通信ロボット

ハードウェアに関する技術 ソフトウェアに関する技術

コア・メトロ アクセス 構内 ホームパーソナル／ボティ

有線 無線 有線 無線 有線 無線 有線 無線 有線 無線その他技術

サービス・利用形態

伝送･ﾈｯﾄﾜｰｷﾝｸﾞ技術

★=重要技術ネットワーク技術マップ（１／５）

広帯域化★フォトニックネットワーク

ホットスポットxDSL HFC

専用線

SONET/SDH コグニティブ無線

★高速無線アクセス(1)

全光化

無線LAN

無線PANUWB

光通信ネットワーク

FTTH/PON

TDM高速化

★ファイバ損失分散補償技術(2)

★ファイバ再生中継技術(3)

ＷＤＭ

ＳＡＮ

★イーサネット高速化(100G←40G←10G ←1G←100M）

★光ノード技術(4) ★ノード・基地局・端末技術(5)★無線変復調技術(6)

省電力化 ★情報家電ネットワ ク(8)

★光ノ ド技術(4)

★省電力化マネージメント技術(7)

★ノ ド 基地局 端末技術(5)

省電力化

大規模化

マルチホップ技術

IPv6

ユビキタスネットワーク／アドホックネットワーク／センサーネットワーク

★情報家電ネットワーク(8)

★ポストIP／オーバーレイネットワーキング(9)

高機能化新機能

照明光通信ソフトウェア無線

★異種無線LANシステムシームレス接続

広域ｲｰｻﾈｯﾄ

★NGN(10)

コグニティブネットワーク

無線BANPLC

GFP

RPR衛星通信

FMCディペンダブルネットワーク

★NGN(10)

★トラヒック監視・対攻撃防御技術(12)★トラヒック計測・予測技術(11)

GMPLS

★暗号化(14)★認証サービス(15)

★量子ネットワーク(13)

★共通基盤技術(16)

★トラヒック監視 対攻撃防御技術(12)

（１）高速無線アクセス （３）ファイバー再生中継技術（２）ファイバー損失分散補償技術

ネットワーク技術マップ（２／５）

広帯域・大容量化技術

超高速無線アクセス技術分散補償ファイバ

カットオフシフトファイバ

分散補償器

VIPA分散補償

符号処理

ブロック符号

ーティング

半導体増幅

光アンプ 波形制御

マルチホップ技術

線形高効率アンプ

広帯域アンプ（2/5 GHz）

高出力アンプ（25-60 GHz）

エルビウム添加光ファイバ増幅

分散シフトファイバ

ノンゼロ分散シフトファイバ

分散フラットファイバ

FBG分散補償

エタロン分散補償

PMD分散補償

畳み込み符号

前方誤り訂正(FEC)

イバブラッググレー

リング共

振量子ドット光増幅器

光ファイバ増幅

イバラ ン増幅高出力アンプ（25-60 GHz）ホーリーファイバ 電気分散補償 オンザフライ訂正技術

ファファイバラマン増幅

（４）光ノード技術（ROADM，OXC）

変復調技術 モジュール化技術 スイッチ術

スイッチ制御技術インタフェース技術

技術

ーン 技術

OTN

位相偏移変調(PSK)

周波数偏移変調(FSK)

直交振幅変調(QAM)

単一搬送波変調方式

高速直接変調レーザ

面発光低閾値レーザ

波長可変半導体レ ザ

発光素子

バーストレシーバ

受光素子

MSAモジュール

300 i

TOスイッチ

PLZTスイッチ

マトリクススイッチ

OXC

-SW

光-電

気スイッチ

GM

PLS

スイッチ制

御技

術

ンターコネクション

光バックプレー

リング

QoS

O

光スイッチ

直交振幅変調(QAM)

振幅偏移変調(ASK)

直交周波数分割多重(OFDM)

多搬送波変調方式

波長可変半導体レーザ

温度無依存半導体レーザ

多波長光源

小型集積光源

300pin

XFP

SFP+

アレーモジュール

SOAスイッチ

光MEMSスイッチ

空間スイッチ

WS

S

光カットスルー

ノード制御回路

チップ間

／内

光インターコネクト

光イ

オンザフライモニタリ

OTN

-LS

I

※オレンジ色は重要研究開発項目を示す。

(OFDM)

符号分割多重(CDMA)

小型集積光源液晶スイッチ

光

光ノ 光 オ

（５）ノード・基地局・端末技術 （６）無線変復調技術

ネットワーク技術マップ（３／５）

高速ルーティングテ ブル検索

高速化 収容条件

多フロー対応 冗長系・パス高速切替

高信頼

位相偏移変調(PSK)

単一搬送波変調方式

直交周波数分割多重(OFDM)

多搬送波変調方式 符号処理

ブロック符号テーブル検索

高速フローテーブル検索

大容量電気スイッチ

高速障害検出 周波数偏移変調(FSK)

直交振幅変調(QAM)

振幅偏移変調(ASK)

(OFDM)

符号分割多重(CDMA)

周波数分割多重(FDMA)

時分割多重

畳み込み符号

前方誤り訂正(FEC)

時分割多重(TDMA)

（７）省電力化マネージメント技術 （８）情報家電ネットワーク（７）省電力化マネ ジメント技術

省電力ネットワーク

システム

省電力ノード

ノード

（８）情報家電ネットワーク

ユーザインターフェース

端末・ゲートウェイ技術 宅内網統合管理技術

Q S管理技術 技術

技術

ム技術

省電力ネットワ クアーキテクチャ

省電力プロトコル（ノード連携省エネ）

トラヒック抑制技術

省電力ノ ドアーキテクチャ

データ 適配分型革新ルータ技術

省電力ノード設計

ユ ザインタ フェ ス技術

高機能アプライアンス技術 リモート管理・

故障対応技術

QoS管理技術

セキュリティ管理技術

広域網連携技術

宅内網高速化技

緊急情報提供技

PTV

プラットフォーム

電力可視化 広域網連携技術

無線干渉技術

IP

※オレンジ色は重要研究開発項目を示す。

（９）ポストIP／オーバーレイネットワーキング （１０）ＮＧＮ （１１）トラヒック計測・予測技術

ネットワーク技術マップ（４／５）

（ ）ポ オ ッ キ グ

Operating System Middle ware Application

識別子管理

（ ）

固定移動統合サービス制御技術

ト技術

（ ） ラ ック計測 予測技術

高速計測

計測・蓄積技術

長期トラヒック変動予測

予測技術

識別子管理

Measurement & Management

経路制御

ディレクトリサービス

SIP相互接続技術

ミドルウェア技術

課金技術

SaaS基盤技術All

IPトランスポート 高速計測

多フロー対応

有意履歴抽出

高速カプセリング

長期トラヒック変動予測

短期トラヒック変動予測

プロセスマイグレーション

Plug & Play

認証機能・機構

SaaS基盤技術A

高速ミラーリング

ロギング

DTN(Delay Tolerant Network)

（１２）トラヒック監視・対攻撃防御技術

監視技術

ティ

術 術 術リアルタイム検出 アプリケーションレベル

グ攻撃排除

異常マイニング技術

多フロー対応監視技術

高速カプセリング

グ ーサビリティ技術

ワークトレーサビリテ

プロトコル

検出技術

コンテンツ検出技術

ェア検出・対策技

術トラヒック異常高速検出技術

高速データパタン検出技術

マルチレイヤ連携技術

フィルタリング

アプリケーショントラヒックモニタリング技術

高速・多フロー対応フィルタリング

高速・多フロー対応帯域制限

※オレンジ色は重要研究開発項目を示す。

高速ミラーリング

ロギング

トレー

ネットワ

未知

プ

不正コ

マルウ

（１３）量子ネットワーク （１４）暗号技術 （１５）認証技術

ネットワーク技術マップ（５／５）

（１３）量子ネットワーク （１４）暗号技術 （１５）認証技術

量子暗号

量子情報通信 高速通信暗号技術 分散レポジトリ

大規模化

認証基盤

政府認証基盤

アイデンティフィケーション

本人認証技術量子暗号

低雑音光源

量子暗号/通信光源

量子通信PD

大規模化アクセス権管理

認証システムの相互連携

政府認証基盤の高機能化

暗号クレデンシャル管理

本人認証技術

量子通信Y00

（１６）共通基盤技術

LD/PD

小型実装技術

直接変調レーザ

戦略技術

OTDM光源/受信器

光３R

波長変換

先端技術

RF-CMOS技術

RF-MEMS技術

InPデバイス

高周波デバイス

直接変調レ ザ 波長変換

光-光スイッチ

光バッファ/光メモリ

光集積技術

InPデ イス

GaNデバイス

ダイアモンドデバイス

超伝導デバイス

超高速CMOS技術

※オレンジ色は重要研究開発項目を示す。

BAN Body Area Network. PAN Personal Area Network.

略語集略語集

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor.

DTN Delay Tolerant Network.

FBG Fiber Bragg Grating.

PD Photo Diode.

PLC Power Line Communications.

PLZT Plomb Lanthanum Zirconate Titanate.

PMD Polarization Mode DispersionFMC Fixed Mobile Convergence.

FTTH Fiber To The Home.

GaN Gallium Nitride.

PMD Polarization Mode Dispersion.

PON Passive Optical Network.

QOS Quality of Service.

RF Radio Frequency. GFR Generic Framing Procedure.

GMPLS

Generalized Multi-Protocol Label Switching.

HFC Hybrid Fiber Coax.

RPR Resilient Packet Ring.

SAN Storage Area Network.

SDH Synchronous Digital Hierarchy.

InP Indium Phosphide.

IPTV Internet Protocol Television.

LAN Local Area Networks.

LD L Di d

SFP Small Form-Factor Pluggable.

SOA Semiconductor Optical Amplifier.

SONET Synchronous Optical Network.

SW SwitchLD Laser Diode.

LSI Large Scale Integration.

MEMS Micro-Electro-Mechanical Systems.

MSA Multi Source Agreement.

SW Switch.

TDM Time Division Multiplexing.

TO Thermo Optic.

UWB Ultra Wideband.g

NGN Next Generation Network.

OTDM Optical Time Division Multiplexing.

OTN Optical Transport Network.

VIPA Virtually Imaged Phased Array.

WDM Wavelength Division Multiplexing.

WSS Wavelength Selectable Switch.

OXC Optical Cross Connect. xDSL x Digital Subscriber Line. (x=A, H, S, V, etc)

XFP 10Gbps（X）Form-factor Pluggable.

Y00 Yuen Protocol.

ヒューマンインタフェース

・知覚インタフェース－音声認識

・表現インタフェース－マルチモーダル表示

ユーザビリティ分野における技術要素

ユーザビリティ技術マップ（１／２）

音声認識ハンズフリー認識

－音響認識－画像認識

人物物体認識－状況理解

ユーザ意図推定周囲状況の理解

表示－立体視の利用

・インタラクション技術－GUI/実世界インタフェース

ウェアラブル３Ｄレンダリング

－翻訳・通訳

・ホームサーバフォ クソノミ 連携

周囲状況の理解 －翻訳・通訳

・エクスペリエンスデザインのプロセス－ユーザ・活動・文脈の記録と表現－ユーザ・活動・文脈のデータに基づくデザインの創造・具現化

デバイス

セキュ

・プライバシー－個人情報秘匿化

・権利保護－ＤＲＭ互換性

－フォークソノミー連携

・センサ／スマートタグ－小型環境情報取得－低消費電力無線通信

・ディスプレイ－ホーム/オフィス/

＜人中心型コンピューティングの実現＞

・ ユーザの仕事と生活を支援ス・機器類

ュリティ

・認証－身体的・行動的バイオメトリックス、アクセス制御

－フレキシブル匿名認証

－ホーム/オフィス/パブリックユース

高発光率、低消費電力、光利用効率向上、プロセス技術、大画面、高精細

－パーソナル/モバイルユース低消費電力 高性能

・ ユ ザの仕事と生活を支援

・ 機器・情報を使いやすく

・ 安心して安全に利用できる

・暗号低消費電力、高性能－電子ペーパー－立体ディスプレイ－プロジェクション

・コンテキストプラットフォーム－ユーザ環境・プロファイル、－情報間関係推論、データマイニング－ディジタル家電インタフェース標準化

暗号－安全性の高度化

－ディジタル家電インタフェース標準化

・ネットワーク相互接続－ネットワーク機器分散制御－最適ネットワーク自動再構成

・組込みOS

基盤ソフトウェア

組込みOS－マルチＣＰ対応、セキュアＶＭ、バイオメトリクスデバイス制御

ビジネス

応用事例から見たユーザビリティ分野の技術要素

コンテンツアクセスエンタテイメント 健康・福祉

ユーザビリティ技術マップ（２／２）

想定される応用事例

ユーザの仕事と生活を支援

技術の利活用の視点

・コンテキストプラットフォーム-ユーザ環境(状況検知、TPO情報)、ﾌﾟﾛﾌｧｲﾙ(属性、履歴、嗜好)

コンテキストプラット

・コンテキストプラットフォーム-ユーザ環境(状況検知、TPO情報)、ﾌﾟﾛﾌｧｲﾙ(属性、履歴、嗜好)

・コンテキストプラットフォーム-ユーザ環境(状況検知、TPO情報)、ﾌﾟﾛﾌｧｲﾙ(属性、履歴、嗜好)

・コンテキストプラット

・コンテキストプラットフォーム-ユーザ環境(状況検知、TPO情報)、ﾌﾟﾛﾌｧｲﾙ(属性、履歴、嗜好)

○ ○ － － ○ ○ － ○○ ○ ○ － ○ ○ － －

コンテキストプラット・コンテキストプラット

（ユーザに必要な情報、適応した情報を提供）

・コンテキストプラットフォーム-情報検索、データマイニング

・ホームサーバ-フォークソノミー連携

・インタラクション技術-翻訳・通訳

・知覚インタフェース-状況理解 ユーザ意図推定

ンテキストプラットフォーム-データマイニング、情報検索(内容理解に基づくマルチメディア検索)

・知覚インタフェース-画像認識 人物動作解析

○ ○ － －

○ ○ － ○－ ○ ○ －

－ － － ○

○ － － －

○ ○ － －

○ ○ － －

・知覚インタフェース-状況理解 ユーザ意図推定

○ ○ － －

・知覚インタフェース-状況理解 周囲状況の理解

・コンテキストプラットフォーム-情報検索、データマイニング

○ － － ○

コンテキストプラットフォーム-データマイニング

－ － － ○

機器・情報を使いやすく

・知覚インタフェース-音声認識 ハンズフリー認識

・組込みOS-マルチCPU対応 仮想化

・ネットワーク相互接続-最適ネットワーク自動再構成

・ネットワーク相互接続-移動体ｰ宅内相互運用統合ミドルウェア

・コンテキストプラットフォーム-ディジタル家電インタフェース標準化

・組込みＯＳ分散ｼｽﾃﾑ 協調支援

・知覚インタフェース-音声認識 ハンズフリー認識

・表現インタフェース-マルチモーダル表示

・インタラクション-３Ｄレンダリング

・ネットワーク相互接続

・知覚インタフェース-音声認識 ハンズフリー認識

・表現インタフェース-マルチモーダル表示

・インタラクション-ウェアラブル

・センサ／スマ トタグ

○ － － －

－ － ○ －

－ ○ － －

－ ○ － ○

－ － ○ －

－ ○ ○ ○

－ ○ ○ －

－ ○ ○ ○

－ － ○ ○

○ － － －

○ ○ － ○

○ － － －

（表示の見やすさ・わかりやすさ、操作のしやすさ）

再構成

・ディスプレイ-低消費電力、低コストプロセス技術

・センサ／スマートタグ-低消費電力無線通信

・ディスプレイ-３Ｄディスプレイ

-分散ｼｽﾃﾑ 協調支援

・ディスプレイ-大画面、高精細

・センサ／スマートタグ-低消費電力無線通信

・ディスプレイ-モバイル型ﾃﾞｨｽﾌﾟﾚｲ

-ネットワーク機器分散協調

・センサ／スマートタグ-小型環境情報取得センサ

・センサ／スマートタグ-小型環境情報取得センサ－ － － ○

○ ○ － －

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○ ○ ○

－ ○ － ○

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－ ○ － ○

－ ○ ○ ○

・ネットワーク相互接続-移動体-宅内相互運用統合ミドルウェア

－ － ○ －・ディスプレイ-３Ｄディスプレイ － － ○ ○

・ディスプレイ○ － － － ・ディスプレイ

○

・ディスプレイ-３Ｄディスプレイ － － － ○

安心して安全に利用できる

・組込みOS-セキュアＶＭ、バイオメトリクスデバイス制御

・知覚インタフェース-人物センサ・環境センサ連携

・プライバシ-個人情報秘匿化

認証

・プライバシ-個人情報秘匿化 ・知覚インタフェース

-人物センサ・環境セン連携

－ ○ ○ －

○ － － －

○ ○ ○ ○

○ － － ○○ ○ ○ －

－ ○ － ○

・組込みOS-セキュアＶＭ-バイオメトリクスデバイス制御

・組込みOS-セキュアＶＭ、バイオメトリクスデバイス制御

・組込みOS-セキュアＶＭ-バイオメトリクスデバイス制御

○ ○ ○ － ○ ○ － －

-電子ペーパー ○ － － －-電子ペーパー ○ － － －

・認証-身体的・行動的ﾊﾞｲｵﾒﾄﾘｸｽ認証、ｱｸｾｽ制御

・認証-身体的・行動的ﾊﾞｲｵﾒﾄﾘｸｽ認証、ｱｸｾｽ制御

・権利保護-ＤＲＭ互換性

・認証-フレキシブル匿名認証、アクセス制御

・暗号-安全性の高度化

サ連携

・認証-身体的・行動的バイオメトリクス、ｱｸｾｽ制御

・プライバシ-個人情報秘匿化

－ ○ － －

－ ○ － － ○ ○ － ○

○ ○ － ○○ ○ ○ －

○ － － －

○ ○ ○ －

○ ○ ○ ○

○ ○ － ○・暗号-安全性の高度化

・暗号-安全性の高度化