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1 電子計測 第1回目 講義資料 杉本 泰博

電子計測第1回目講義資料 - elect.chuo-u.ac.jp · 半導体に電流Iを流し、その電流の方向と 直角に磁界を加えると、電子・正孔はフレ ミングの法則により横方向に力を受ける。

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電子計測 第1回目 講義資料

杉本 泰博

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測定手法その1.置換法

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オーディオアンプの増幅度、周波数特性を求める。

困難な点: 1.信号発生器では細かい調整は困難である。2.オーディオアンプの増幅度は非常に大きい。

解: 置換法を用いる。

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更に、アテネータはステップでしか変化しない。

つまり、測定値の読みは、b のごとくである。

そこで、微少変化では読みは比例すると仮定して、

1Sacab

Sa

測定値 で計算すると良い。

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演習問題1.1

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ステップアテネ―タの最小ステップは1dBである。最初にオーディオアンプを通さずに信号源の信号電圧を計ったところ、交流電圧計の振れは3ページの図でbの位置であったという。次にステップアテネ―タとオーディオアンプを通しての測定で、ステップ

アテネ―タでの目盛を80dBに設定したところ、振れは図のa の位置に来たが、bの位置はもう少し下なので目盛りを81dBに設定したところ、今度は目盛りがc の位置に来てしまった。

以上の事実より、オーディオアンプの増幅度はいくらであると言えますか?0.1dBまでの精度で答えなさい。

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その2.零位法、 その3.偏位法

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バランスが取れれば水は行き来しなくなる。

インピーダンスブリッジもその一つ。

32

1

ZZ

ZZ x

2

31

ZZZZx

他に、3.編位法有り。

2.零位法

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インピーダンスブリッジ

6

 より、3

2

1

1 RLjR

RLj

CjR

R xx

xx

s

sxx CjR

LjRR

RRR

1

23131

2

312

31 0RRRRR

RRR

xx

    実部  

3131 01 RRCL

CjLjRR

sxsx

   虚部  

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温度-電気変換 白金抵抗線

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(-200~500℃)

抵抗が温度によって変化する。0°における抵抗温度係数α白金・・・・0.0038

温度 t の抵抗値0℃の抵抗値

とすれば 1

1

∴ 11

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における抵抗値 を測定しておいて を測定すれば

1 1

より温度 t がわかる。

特 徴

感度は低いが、直線性がよく経時変化がきわめて小さい。特に白金は

1.3910 0.002(JIS規格0.5級)

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熱電対

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ゼーベック効果を利用

2種の異なる金属をつなぎ合わせ、閉回路を作り、二つの接点に温度差与えると、一定方向に電流が流れる。

)のような起電力を生じる。

材質としては、

・ 白金 - 白金ロジウム(PR)・ クロメル ー アルメル(CA)・ 鉄 - コンスタンタン(IC)・ 銅 - コンスタンタン(CC)

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特性

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測定範囲 : 0~1700℃

熱電対策線を長く伸ばして計器まで接続すると、コスト高にもなり内部抵抗も大きくなるので、安価で低抵抗の補償導線を用いて延長する。

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光-電気変換 フォトダイオード

PN接合の所に出来ている空乏層部に光が当たると、電荷が発生する。(ホールや電子)空乏層内では逆バイアスによりドリフトして接合を横

切り、光電流が発生する。

pIkTqVII

1exp0

流れる電流の値は、

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検出回路

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CMOSイメージセンサー

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演習問題1.2

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最初、Cの両端の電圧Vが5 [V]であった。図のようにCから一定の割合で電流

Iを引き抜くと、Cの両端の電圧は時間tとともにどのように変化するであろうか、図示しなさい。但し、V=0となった時点でIはゼロとなる、としましょう。

なお、C=1 [F], I=1 [A] とする。

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セル構造および動作

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1次元の光検出(CCD)

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電荷転送の仕組み

CCD: Charge Coupled Device

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機械-電気変換 加速度センサー

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アナログデバイセズ社のカタログより抜粋

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ひずみゲージ(Strain gage)

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ピエゾ抵抗効果

圧力により、その電気抵抗が変化する。

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渦電流

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電磁誘導により、導体内にうず電流が生じる。

誘導されたうず電流による磁界は、プローブコイルの磁界を弱める。つまり、1次コイル(P)側のインビー

ダンスの以下および2次コイル誘起電圧の低下を招く。

表皮効果 → 磁界およびうず電流の浸透深さ (skin depth)

表面の1⁄ に減少

xp ⁄

深さxによる電流密度

2導電率 :抵抗率 の逆数 Ω /

(参考)

: 透磁率 H/m B/H B : 磁率速度 H : 磁界の大きさ

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磁気-電気変換 ホール素子

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磁界の強さを測定

◎ ホール効果

半導体に電流 I を流し、その電流の方向と直角に磁界を加えると、電子・正孔はフレミングの法則により横方向に力を受ける。キャリアが片寄るため両側面の間に電位差を生ずる。

:ホ-ル係数 z: ホール素子の厚さ

: 磁束密 / I : 電流

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N半導体38 ・

1

P半導体38 ・

1n : 電子の濃度

P : 正孔の濃度

また tan 抵抗率

キャリア移動度

ホール角

. : x方向,y方向の

電界の強さ: ホールの移動度

ホール素子 1KGで100mV 感度は低いが温度依存性小さい -0.06%/℃

温度依存性小さい

(ガウス)

ホール発電機, 磁東計,マイクロ波電力計などに応用

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WPT(Wireless Power Transfer )

空間を介して電力を伝送

利点・有線接続困難な機器への給電・漏電の危険がすくない・複数充電可能・接触による磨耗がない・接続の手間がかからない

岡山大学 鶴田研究室(2014年12月)http://www.mdd.ec.okayama-u.ac.jp/research.htmlより、図を引用

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磁界共振方式

EE Times(2014年12月)http://eetimes.jp/ee/articles/1005/13/news089_2.htmlより図を引用

LC共振を利用した伝送方式→長距離の電力伝送が可能

コンデンサによる力率改善

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磁界共振方式の回路図

LCの共振周波数で電力を伝送するため受電される電圧が交流となる。