DS21893C JP - Microchip Technologyww1.microchip.com/downloads/jp/DeviceDoc/21893C_JP.pdfDrv Stat 2 Drv Stat 1 充電OK IREG/12 V DD1 THERM EN TIMER STAT1 STAT2 VBAT3 VSS1 PROG VSET

MCP73861/2/3/4単セル、2 セル用フル集積化リチウムイオン・

リチウムポリマー充電管理コントローラ

特徴

• リニア充電管理コントローラ

- パストランジスタ内蔵

- 電流センサ内蔵

- 逆流保護

• 高精度のプリセット電圧調整 : + 0.5% • ４つの電圧調整設定オプションが可能 :

- 4.1V, 4.2V – MCP73861/3- 8.2V, 8.4V – MCP73862/4

• プログラマブルな充電電流 : 最大 1.2A• プログラマブルな安全充電時間

• 著しく劣化したセル検出用予備テスト

• 自動による充電終了制御

• セル温度常時監視付加機能

• LED 直接ドライブによる充電状態出力

• LED 直接ドライブによる異常出力

• 自動電源オフ

• 温度制御

• 温度範囲 : -40 ℃ ～ +85 ℃

• パッケージ : 16 ピン、 4 x 4 QFN、　　　　　　16 ピン SOIC

応用例

• リチウムイオン／リチウムポリマー電池充電器

• 電子手帳 (PDA)• 携帯電話

• 携帯機器

• クレードル充電器

• ディジタルカメラ

• MP3 プレーヤー

概要　MCP7386X デバイスファミリは、先進的なリニア充電管理コントローラで、スペースに制限があったり、コストが重要な応用に適しています。高精度の定電圧、定電流レギュレータ、セルの予備テスト、セルの温度モニタ、安全保護タイマ、自動充電終了、内蔵電流センス、逆流防止、充電状態と異常表示、これらを組み合わせたデバイスが、16 ピン 4 x 4 QFN または、16 ピン SOIC パッケージに納められています。MCP7386Xは完全なフル機能の単独充電管理ソリューションを最小の外付け部品で提供します。

　MCP73861/3 は、単セルのリチウムイオンまたはリチウムポリマー電池パック用で、MCP73862/4 は、２直列セルのリチウムイオンまたはリチウムポリマー電池パック用です。MCP73861/3 は、2 つの安定化電圧(4.1V と 4.2V) が選択でき、これでコークスと黒鉛陽極の両方に使えます。入力電圧は 4.5V ～ 12V で動作します。MCP73862/4 は 2 つの安定化電圧 (8.2V と 8.4V)を選択でき、これでこれでコークスと黒鉛陽極の両方に使うことができます。入力電圧は 8.7V ～ 12V で動作します。

　MCP73861/2 および MCP73863/4 の唯一の違いは、充電サイクルが完了したときの充電状態出力機能(STAT1) だけです。MCP73861/2 は一定時間出力状態となり、MCP73863/4 はオフとなります。第 5.2.1 項 “充電状態出力 (STAT1,STAT2)”を参照してください。

　MCP7386X ファミリデバイスは、-40 ℃ ～ +85 ℃の周囲温度範囲で完全に仕様化されています。

パッケージタイプ

VDD1

VBAT1

THE

RM

EN

TIM

ER

STA

T1

STA

T2

1

2

3

4

141516

PR

OG

VDD2

VSET

THR

EF

VBAT3

VBAT2

5 6 7 89

10

11

12

VS

S2

13

VSS1

MCP73861MCP73862MCP73863MCP73864

VSS3

VDD1

VBAT3

THERM

EN

TIMER

STAT1

STAT2 1

2

3

4

14

15

16

PROG

VDD2

VSET

VSS1

THREF

VBAT1

VBAT2

5

6

7

8 9

10

11

12

13

VSS2

VSS3

16 ピン SOIC16 ピン QFN

MC

P738

61M

CP7

3862

MC

P738

63M

CP7

3864

© 2006 Microchip Technology Inc. DS21893C_JP-page 1

MCP73861/2/3/4

典型的な応用

機能ブロック図

EN

STAT1

STAT2

VSET

VDD

VSS

TIMER

PROG

THERM

THREF

VBAT3

VBAT

+–シングル・リチウムイオンセル

2, 3

1

MCP73861/3

5

6

7

8

4, 9, 13

10, 11

12

14

16

15

5V

6.19 kΩ

4.7µF

1.2A リチウムイオンバッテリ充電器

4.7 µF

7.32 kΩ0.1µF

+–

充電終了コンパレータ

電圧制御アンプ

+–

UVLO コンパレータ

VUVLO

+–

温度コンパレータ

+–

バイアスとリファレンス生成

VUVLOVREF (1.2V)

電源オン遅延

+

–

+–

VREF

VREF

発振器

IREG/12

定電圧充電用コンパレータ .

予備テスト制御

充電 OK予備テスト

VDD

充電電流制御アンプ

+

–

VREF

VREF+–

予備テスト用ｺﾝﾊﾟﾚｰﾀ

充電制御充電時間状態ロジック

Drv Stat 2

Drv Stat 1

充電 OK

IREG/12

VDD1

THERM

EN

TIMER

STAT1

STAT2

VBAT3

VSS1

PROG

VSET

THREF

VBAT1

90

110 kΩ

10 kΩ

10 kΩ

100 kΩ

50 kΩ

50 kΩ

G = 0.001

11 kΩ

1 kΩ

600 kΩ (1.65 MΩ)

148.42 kΩ

1.58 kΩ

VDD2 VBAT2

300.04 kΩ

10.3 kΩ (8.58 kΩ)

4 kΩ

方向制御

kΩ

VSS2VSS3

（）の値は MCP73862/4 デバイスを参照

DS21893C_JP-page 2 © 2006 Microchip Technology Inc.

MCP73861/2/3/4

第 1 章電気的特性

絶対最大定格 †VDDN ......................................................................................... 13.5VVBATN, VSET, EN, STAT1, STAT2 w.r.t. VSS.......................................................................... -0.3 ～ (VDD + 0.3)VPROG, THREF, THERM, TIMER w.r.t. VSS ....................-0.3 ～ 6V最大接合部温度、 TJ............................ 内部制限

保存温度 ............................................................... -65 ℃ ～ +150 ℃

全ピンの ESD 保護 :人体モデル (1.5 kW と 100 pF 直列 )...............................≥ 4 kVマシンモデル (200 pF 直列抵抗なし ) .............................. 300V

† 注意 : 左記の「最大定格」を超えるストレスを加えると、デ

バイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この規定は

ストレス定格のみを規定するものであり、この仕様の動作条

件に記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは

ありません。長時間デバイスを最大定格状態にすると、デバ

イスの信頼性に影響を与えることがあります。

DC 特性

電気的仕様 : 特に指定のない限り , 全制限において VDD= [VREG(typ.) + 0.3V] ～ 12V, TA = -40 ℃ ～ +85 ℃ . Typical 値は +25 ℃ , VDD = [VREG (typ.) + 1.0V] において

パラメータ記号 Min Typ Max 単位条　件

電源入力

電源電圧 VDD 4.5 — 12 V MCP73861/38.7 — 12 V MCP73862/4

電源電流 ISS — 0.17 4 µA 停止中

— 0.53 4 mA 動作中

UVLO 開始スレッショルド VSTART 4.25 4.5 4.65 V MCP73861/38.45 8.8 9.05 V MCP73862/4

VDD Low から HighUVLO 停止スレッショルド VSTOP 4.20 4.4 4.55 V MCP73861/3

8.40 8.7 8.95 V MCP73862/4VDD High から Low

電圧安定化 ( 定電圧モード )

安定化出力電圧 VREG 4.079 4.1 4.121 V MCP73861/3, VSET = VSS

4.179 4.2 4.221 V MCP73861/3, VSET = VDD

8.159 8.2 8.241 V MCP73862/4, VSET = VSS

8.358 8.4 8.442 V MCP73862/4, VSET = VDD

VDD = [VREG(typ.) + 1V], IOUT = 10 mA TA = -5 ℃～ +55 ℃

電源安定度 |(ΔVBAT/VBAT)| /ΔVDD

— 0.025 0.25 %/V VDD = [VREG(typ.)+1V] ～ 12VIOUT = 10 mA

負荷安定度 |ΔVBAT/VBAT| — 0.01 0.25 % IOUT = 10 mA ～ 150 mAVDD = [VREG(typ.)+1V]

電源リップル減衰率 PSRR — 60 — dB IOUT = 10 mA, 10 Hz ～ 1 kHz— 42 — dB IOUT = 10 mA, 10 Hz ～ 10 kHz— 28 — dB IOUT = 10 mA, 10 Hz ～ 1 MHz

出力逆リーク電流 IDISCHARGE — 0.23 1 µA VDD < VBAT = VREG(typ.)電流安定化 ( 高速充電定電流モード )

高速充電安定化電流 IREG 85 100 115 mA PROG = OPEN1020 1200 1380 mA PROG = VSS

425 500 575 mA PROG = 1.6 kΩ

TA= -5 ℃～ +55 ℃


MCP73861/2/3/4

予備テスト安定化電流 ( トリクル充電　定電流モード )

予備テスト安定化電流 IPREG 5 10 15 mA PROG = OPEN60 120 180 mA PROG = VSS

25 50 75 mA PROG = 1.6 kΩ

TA=-5 ℃～ +55 ℃

予備テスト

スレッショルド電圧

VPTH 2.70 2.80 2.90 V MCP73861/3, VSET = VSS

2.75 2.85 2.95 V MCP73861/3, VSET = VDD

5.40 5.60 5.80 V MCP73862/4, VSET = VSS

5.50 5.70 5.90 V MCP73862/4, VSET = VDD

VBAT Low から High

充電終了

充電終了電流 ITERM 6 8.5 11 mA PROG = OPEN70 90 120 mA PROG = VSS

32 41 50 mA PROG = 1.6 kΩ

TA=-5 ℃ ～ +55 ℃

自動再充電

再充電スレッショルド電圧 VRTH VREG - 300 mV VREG - 200 mV VREG -100 mV V MCP73861/3VREG - 600 mV VREG - 400 mV VREG - 200 mV V MCP73862/4

VBAT High から Low

サーミスタリファレンス


出力電圧

VTHREF 2.475 2.55 2.625 V TA = 25 ℃ , VDD = VREG(typ.) + 1V,ITHREF = 0 mA


ソース電流

ITHREF 200 — — µA


電源安定度

|(ΔVTHREF/VTHREF)|/ΔVDD

— 0.1 0.25 %/V VDD = [VREG(typ.) + 1V] ～ 12V


負荷安定度

|ΔVTHREF/VTHREF|

0.01 0.10 % ITHREF = 0 mA ～ 0.20 mA

サーミスタ用コンパレータ

高温トリップスレッショ

ルド

VT1 1.18 1.25 1.32 V

高温トリップポイント

ヒステリシス

VT1HYS — -50 — mV

低温トリップスレッショ

ルド

VT2 0.59 0.62 0.66 V

低温トリップポイントヒステリシス

VT2HYS — 80 — mV

入力バイアス電流 IBIAS — — 2 μA状態表示 – STAT1, STAT2

シンク電流 ISINK 4 8 12 mALow 出力電圧 VOL — 200 400 mV ISINK = 1 mA

入力リーク電流 ILK — 0.01 1 μA ISINK = 0 mA, VSTAT1,2 = 12V

イネーブル入力

High 入力電圧レベル VIH 1.4 — — VLow 入力電圧レベル VIL — — 0.8 V

入力リーク電流 ILK — 0.01 1 μA VENABLE = 12V

DC 特性 ( つづき )電気的仕様 : 特に指定のない限り , 全制限において VDD= [VREG(typ.) + 0.3V] ～ 12V,

TA = -40 ℃ ～ +85 ℃ . Typical 値は +25 ℃ , VDD = [VREG (typ.) + 1.0V] において



MCP73861/2/3/4

温度特性

温度シャットダウン

ダイ温度 TSD — 155 — ℃

ダイ温度ヒステリシス TSDHYS — 10 — ℃

DC 特性 ( つづき )電気的仕様 : 特に指定のない限り , 全制限において VDD= [VREG(typ.) + 0.3V] ～ 12V,

TA = -40 ℃ ～ +85 ℃ . Typical 値は +25 ℃ , VDD = [VREG (typ.) + 1.0V] において


AC 特性

電気的仕様 : 特に指定がないかぎり , 全制限において VDD = [VREG (typ.) + 0.3V] ～ 12V, TA = -40 ℃ ～ +85 ℃ . Typical 値は +25 ℃ , VDD = [VREG (typ.) + 1.0V] において


UVLO 開始遅延 tSTART — — 5 ms VDD Low から High

電流安定化

予備テストからの遷移時間 tDELAY — — 1 ms VBAT < VPTH ～ VBAT > VPTH

予備テストからの電流立上り時

間

tRISE — — 1 ms IOUT Rising to 90% of IREG

高速充電安全タイマ周期 tFAST 1.1 1.5 1.9 Hours CTIMER = 0.1 µF

予備テスト安定化電流

予備テスト充電安全タイマ周期 tPRECON 45 60 75 Minutes CTIMER = 0.1 µF

充電終了

経過タイマによる終了周期 tTERM 2.2 3 3.8 Hours CTIMER = 0.1 µF

状態表示

オフ状態出力 tOFF — — 200 µs ISINK = 1 mA ～ 0 mA

オン状態出力 tON — — 200 µs ISINK = 0 mA ～ 1 mA

電気的仕様 : 特に指定されない限り , 全制限において VDD = [VREG (typ.) + 0.3V] ～ 12V.Typical 値は +25 ℃ , VDD = [VREG (typ.) + 1.0V] において


温度範囲

定格温度範囲 TA -40 — +85 ℃

動作温度範囲 TJ -40 — +125 ℃

保存温度範囲 TA -65 — +150 ℃

パッケージ熱抵抗

熱抵抗 , 16-lead, 4 mm x 4 mm QFN θJA — 37 — ℃ /W 4 層 JC51-7 標準基板 , 自然伝導

熱抵抗 , 16-lead SOIC θJA — 74 — ℃ /W 4 層 JC51-7 標準基板 , 自然伝導


MCP73861/2/3/4

第 2 章典型的な性能グラフ

注 : 特に指定されない限り , VDD = [VREG(typ.) + 1V], IOUT = 10 mA かつ d TA= +25 ℃ , 定電圧モード

図 2-1: 充電電流 (IOUT) に対するバッテリ安定化電圧 (VBAT)

図 2-2: 電源電圧 (VDD) に対するバッテリ安定化電圧 (VBAT)


図 2-4: 充電電流 (IOUT) に対する電源電流 (ISS)

図 2-5: 電源電圧 (VDD) に対する電源電流 (ISS)


注 : 以下の本項のグラフや表は、有限のサンプルの統計値に基づいていて、情報提供のためにだけのものです。ここに記述された性能特性は未テストか非保証です。いくつかのグラフや表では、仕様の動作範囲を超えています（例えば供給電源範囲外）従って保証範囲外です。

4.193

4.195

4.197

4.199

4.201

4.203

4.205

4.207

10 100 1000充電電流 (mA)

バッテリ安

定化

電圧

(V)

MCP73861/3VSET = VDDVDD = 5.2V

3.80

3.90

4.00

4.10

4.20

4.30

4.40

4.5 6.0 7.5 9.0 10.5 12.0

電源電圧 (V)

バッテリ安

定化

電圧

(V)

MCP73861/3VSET = VDD

IOUT = 1000 mA

4.193

4.195

4.197

4.199

4.201

4.203

4.205

4.207

4.5 6.0 7.5 9.0 10.5 12.0

電源電圧 (V)

バッテリ安

定化

電圧

(V)

MCP73861/3VSET = VDDIOUT = 10 mA

0.40

0.50

0.60

0.70

0.80

0.90

1.00

10 100 1000

充電電流 (mA)

電源

電流

(mA

)


0.40

0.60

0.80

1.00

1.20

1.40

1.60

4.5 6.0 7.5 9.0 10.5 12.0

電源電圧 (V)

電源電

流 (m

A)


IOUT = 1000 mA

0.40

0.50

0.60

0.70

0.80

0.90

1.00

4.5 6.0 7.5 9.0 10.5 12.0

電源電圧 (V)

電源

電流

(mA

)


IOUT = 10 mA


MCP73861/2/3/4
典型的な性能グラフ ( つづき )注 : 特に指定されない限り , VDD = [VREG(typ.) + 1V], IOUT = 10 mA かつ d TA= +25 ℃ , 定電圧モード
図 2-7: バッテリ安定化電圧 (VBAT) に対する出力リーク電流（IDISCHARGE)

図 2-8: 電源電圧 (VDD) に対するサーミスタ用リファレンス電圧 (VTHREF)

図 2-9: サーミスタバイアス電流 (ITHREF) に対するサーミスタ用リファレンス電圧(VTHREF)

図 2-10: 周囲温度 (TA) に対する電源電流 (ISS)

周囲温度 (TA) に対するバッテリ安定化電圧 (VBAT)

図 2-11: 周囲温度 (TA) に対するサーミスタ用リファレンス電圧 (VTHREF)

0.000.050.100.150.200.250.300.350.400.45

2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4

バッテリ安定化電圧(V)

出力

リーク電

流 (µ

A)

MCP73861/3VSET = VDDVDD = VSS

+25°C

-40°C

+85°C

2.500

2.510

2.520

2.530

2.540

2.550

4.5 6.0 7.5 9.0 10.5 12.0

電源電圧 (V)

サーミスタ用

リファレンス電

圧(V

) MCP73861/3VSET = VDDITHREF = 100 µA

2.500

2.505

2.510

2.515

2.520

0 25 50 75 100 125 150 175 200

サーミスタバイアス電流 (µA)

サーミスタ用


圧 (V

)


0.40

0.60

0.80

1.00

1.20

1.40

1.60

-40

-30

-20

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80

周囲温度 (°C)

電源電

流 (m

A)


4.193

4.195

4.197

4.199

4.201

4.203

4.205

4.207

-40

-30

-20

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80

周囲温度 (°C)

バッテリ安

定化

電圧

(V)


2.500

2.505

2.510

2.515

2.520

-40

-30

-20

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80

周囲温度 (°C)

サーミスタ用


圧(V

)

MCP73861/3VSET = VDDITHREF = 100 µA


MCP73861/2/3/4
図 2-12: 充電電流 (IOUT) に対するバッテリ安定化電圧 (VBAT)



図 2-15: 充電電流 (IOUT) に対する電源電流 (ISS)



8.393

8.395

8.397

8.399

8.401

8.403

8.405

8.407

10 100 1000

充電電流 (mA)

バッテリ安

定化

電圧

(V)


8.393

8.395

8.397

8.399

8.401

8.403

8.405

8.407

10.0 10.4 10.8 11.2 11.6 12.0

電源電圧(V)

バッテリ安

定化電

圧 (V

)


8.398

8.400

8.402

8.404

8.406

8.408

8.410

8.412

9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0

電源電圧(V)

バッテリ安

定化

電圧

(V)


0.40

0.50

0.60

0.70

0.80

0.90

1.00

10 100 1000

充電電流 (mA)

電源

電流

(mA

)


0.40

0.60

0.80

1.00

1.20

1.40

1.60

9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0

電源電圧 (V)

電源電

流(m

A)


0.40

0.50

0.60

0.70

0.80

0.90

1.00

9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0

電源電圧 (V)

電源

電流

(mA

)



MCP73861/2/3/4
図 2-18: バッテリ安定化電圧 (VBAT) に対する出力リーク電流 (IDISCHARGE)

図 2-19: 電源電圧 (VDD) に対するサーミスタ用リファレンス電圧 (VTHREF)

図 2-20: サーミスタバイアス電流 (ITHREF) に対するサーミスタ用リファレンス電圧(VTHREF)

図 2-21: 周囲温度 (TA) に対する電源電流 (ISS)

図 2-22: 周囲温度 (TA) に対するバッテリ安定化電圧 (VBAT)

図 2-23: 周囲温度 (TA) に対するサーミスタ用リファレンス電圧 (VTHREF)

0.000.050.100.150.200.250.300.350.400.45

4.0 4.8 5.6 6.4 7.2 8.0 8.8

バッテリ安定化電圧(V)

出力

リーク電

流 (µ

A)

MCP73862/4VSET = VDDVDD = VSS

+25°C

-40°C

+85°C

2.530

2.540

2.550

2.560

2.570

9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0

電源電圧(V)

サーミスタ用


圧 (V

)

MCP73862/4VSET = VDDITHREF = 100 µA

2.540

2.542

2.544

2.546

2.548

2.550

0 25 50 75 100 125 150 175 200

サーミスタバイアス電流 (µA)

サーミスタ用


圧 (V

)


0.40

0.60

0.80

1.00

1.20

1.40

1.60

-40

-30

-20

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80

周囲温度(°C)

電源

電流

(mA

)


8.386

8.390

8.394

8.398

8.402

8.406

8.410

8.414

-40

-30

-20

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80

周囲温度 (°C)

バッテリ安

定化

電圧

(V)


IOUT = 10 mA

2.530

2.534

2.538

2.542

2.546

2.550

-40

-30

-20

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80

周囲温度 (°C)

サーミスタ用


圧(V

)


ITHREF = 100 µA


MCP73861/2/3/4
図 2-24: 電源変動レスポンス

図 2-25: 負荷変動レスポンス

図 2-26: 電源リップル除去率

図 2-27: 電源変動レスポンス

図 2-28: 負荷変動レスポンス

図 2-29: 電源リップル除去率

VDD

VBAT

MCP73861VDD Stepped from 5.2V to 6.2VIOUT = 10 mACOUT = 10 µF, X7R, Ceramic

VBAT

IOUT

MCP73861VDD 5.2VCOUT = 10 µF, X7R, Ceramic

100 mA

10 mA

-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

0

0.01 0.1 1 10 100 1000

周波数 (kHz)

減衰

(dB

)

MCP73861VDD = 5.2VVAC = 100 mVp-pIOUT = 10 mACOUT = 10 μF, ｾﾗﾐｯｸ

VDD

VBAT

MCP73861VDD Stepped from 5.2V to 6.2VIOUT = 500 mACOUT = 10 µF, X7R, Ceramic

VBAT

500 mA IOUT

MCP73861VDD 5.2VCOUT = 10 µF, X7R, Ceramic

10 mA

-80-70

-60-50

-40-30-20-10

0

0.01 0.1 1 10 100 1000

周波数 (kHz)

減衰

(dB

)

MCP73861VDD = 5.2VVAC = 100 mVp-pIOUT = 100 mACOUT = 10 μF, X7R, ｾﾗﾐｯｸ


MCP73861/2/3/4
図 2-30: 設定抵抗 (RPROG) に対する充電電流(IOUT)

図 2-31: 周囲温度 (TA) に対する充電電流 (IOUT)

0

200

400

600

800

1000

1200

OPEN 4.8k 1.6k 536 0

設定抵抗(η )

充電

電流

(mA

)

MCP73861/2/3/4VSET = VDD

493

495

497

499

501

503

505

-40

-30

-20

-10 0 10 20 30 40 50 60 70 80

周囲温度 (°C)

充電

電流

(µA

)

MCP73861/2/3/4VSET = VDD

RPROG = 1.6 k(


MCP73861/2/3/4

第 3 章ピン説明ピンの概要を表 3-1 に示します。

表 3-1: ピン機能一覧

3.1 安定化電圧設定 (VSET)　MCP73861/3: 4.1V 出力とするには VSET を VSS に接続し、4.2V 出力にするには VDD に接続します。 MCP73862/4: 8.2V 出力とするには VSET を VSS に接続し、8.4V 出力にするには VDD に接続します。

3.2 バッテリ管理入力電源 (VDD2, VDD1)　電源電圧の推奨値は [VREG (typ.) + 0.3V] から 12Vです。VSS へ最小 4.7 µF でバイパスして下さい。

3.3 バッテリ管理 0V リファレンス (VSS1, VSS2, VSS3)

　バッテリと電源の－極を接続します。

3.4 安定化電流設定 (PROG)　予備テスト、高速充電、終了の各電流は、 PROG とVSS 間に接続する抵抗に比例して決まります。

3.5 セル温度センサー用バイアス (THREF)　THREF は、セル温度を常時監視して保護するための外付けサーミスタをバイアスするためのリファレンス電圧です。

3.6 セル温度センサー入力 (THERM)　THERM は、セル温度を常時監視して保護するための外付けサーミスタ用入力です。温度センスを行わないようにするには THREF/3 の値に接続します。

3.7 タイマー設定

　すべての安全タイマが CTIMER/0.1 µF に比例します。

3.8 バッテリ充電制御出力 (VBAT1, VBAT2)　バッテリの＋極を接続します。内蔵の P チャネルMOSFET パストランジスタのドレインが接続されます。バッテリが接続されていないときのループ安定度を確実にするため、最小 4.7 µF で VSS にバイパスして下さい。

3.9 バッテリ電圧センス (VBAT3)　VBAT3 は、電圧センス入力です。バッテリの＋極に接続します。高精度の内蔵抵抗分圧により、このピンの最終電圧が VREG になるようにします。

3.10 ロジックイネーブル (EN)　EN は、充電を強制終了させ、充電を初期化、異常をクリアし、自動再充電を禁止するための入力です。

3.11 異常状態出力 (STAT2)　STAT2 は電流制限されたオープンドレインで、充電状態を表示する LED を直接接続してドライブします。あるいは、プルアップ抵抗を接続して、ホストマイコンとインターフェースする使い方もできます。

3.12 充電状態出力 (STAT1)　STAT1 は電流制限されたオープンドレインで、充電状態を表示する LED を直接接続してドライブします。あるいはプルアップ抵抗を接続して、ホストマイコンとインターフェースする使い方もできます。

ピン番号記号機　能

QFN SOIC

1 3 VSET 安定化電圧選択

2 4 VDD1 バッテリ管理入力電源

3 5 VDD2 バッテリ管理入力電源

4 6 VSS1 バッテリ管理 0V リファレンス

5 7 PROG 安定化電流設定

6 8 THREF セル温度センサー用バイアス

7 9 THERM セル温度センサー入力

8 10 TIMER タイマー設定


10 12 VBAT1 バッテリ充電制御出力

11 13 VBAT2 バッテリ充電制御出力

12 14 VBAT3 バッテリ電圧センス


14 16 EN ロジックイネーブル

15 1 STAT2 異常状態出力

16 2 STAT1 充電状態出力


MCP73861/2/3/4

第 4 章デバイス概要　MCP7386X デバイスファミリは、先進のリニア充電管理コントローラです。機能ブロック図を参照して下さい。図 4-2 は充電が開始し完了するまでと自動的に再開するアルゴリズムの動作フローを表しています。

4.1 充電適性確認と予備テスト

　バッテリを挿入したとき、あるいは外部に供給したとき、MCP7386X デバイスファミリは、充電適正を確認するための安全チェックを自動的に実行します。入力電源電圧が低電圧ロックアウト (UVLO) スレッショルド以上で、イネーブルピンが論理 High レベルで、セル温度が上下限スレッショルド範囲内になければなりません。この適正パラメータは常時監視されています。制限範囲を逸脱したら、自動的に停止するか、充電サイクルを終了させます。入力電圧が異常と判定されるには、少なくとも 1 クロック期間以上 UVLO 停止スレッショルド以下でなければなりません。

　適性が適当と確認されれば、MCP7386X は充電サイクルを開始します。充電状態出力が充電サイクル中はLow となります。( 充電状態出力については表 5-1 を参照 )　もしバッテリ電圧が予備テストスレッショルド (VPTH) 以下だったら、MCP7386X はトリクル充電でバッテリを予備テストします。予備テスト用電流は高速充電定電流の約 10% に設定されています。この予備テスト用トリクル電流で著しく劣化したセルでも安全に励起でき、初期充電中の発熱を最小にします。もし、バッテリ電圧が予備テストタイマが終了するまでに予備テストスレッショルドを超えなかったときには、異常を表示して充電サイクルを終了します。

4.2 定電流モードー高速充電

　バッテリ電圧が予備テストスレッショルドを超えて予備テストが完了したら、高速充電が開始されます。高速充電では、PROG ピンに接続された外付け抵抗で決まる定電流 (IREG) が維持されます。高速充電はバッテリ電圧が安定化電圧(VREG)に到達するまで継続するか、高速充電タイマが終了するまで継続します。；この場合異常が表示され充電サイクルは終了します。

4.3 定電圧モード

　バッテリ電圧が安定化電圧 (VREG) に到達したら、定電圧モードが始まります。MCP7386X は VBAT ピンのバッテリ電圧を監視します。この入力は、バッテリ＋極に直接接続されています。MCP7386X は定電圧をVSET の状態に基づいて選択します。VSET が VSS に接続されていたら、MCP73861/3 と MCP73862/4 はそれぞれ 4.1V または 8.2V を維持します。VSET が VDD に接続されていたら、MCP73861/3 と MCP73862/4 はそれぞれ 4.2V または 8.4V を維持します。

4.4 充電サイクル終了と自動再充電

　MCP7386X は、定電圧モードの間充電電流を監視しています。充電サイクルは、充電電流が安定化電流(IREG) の 8% より少なくなるか、経過タイマ終了で完了とみなされます。

　MCP7386X は、バッテリ電圧が再充電スレッショルド (VRTH) より下がり、適性パラメータがすべて良いときには新たな充電サイクルを開始します。

4.5 熱制御

　MCP7386X ファミリはダイ温度に基づいて充電電流を制限します。熱制御により、デバイスの信頼度を維持するため充電サイクル時間を最適化します。熱制御モードに入ると、タイマーが自動的にスローダウンし、充電サイクルが早めに終了しないようにします。図 4-1 に熱制御の特性を示します。

図 4-1: ダイ温度に対する標準最大充電電流

4.6 熱シャットダウン

　MCP7386X ファミリは、ダイ温度が 155 ℃を超えたら充電を中止します。そしてダイ温度が約 10 ℃まで冷えたら充電を再開します。熱シャットダウンは、熱安定化回路に異常があるときに働く第二の安全特性です。

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

0 20 40 60 80 100 120 140

ダイ温度 (° C)

最大

充電

電流

(mA

)

最小最大


MCP73861/2/3/4

図 4-2: 動作フローアルゴリズム

予備

テス

トモー

ド充

電電流

= I P

RE

G安

全タイ

マリ

セッ

ト

Yes

初期

化

No

Yes

V BAT

> V

PTH

STA

T1 =

On

VB

AT >

VPT

H

Yes

V DD

< V

UV

LO

No

No

安全

タイマ

Yes

温度

OK

No

STA

T1 =

Off

安全

タイ

マ停止

充電

電流

= 0

異常

充電

電流

= 0

安全

タイ

マリ

セッ

ト

or E

N L

owN

oS

TAT1

= O

ff

定電

流モ

ード

充

電電

流 =

I RE

G安

全タ

イマ

リセ

ット

VB

AT =

VR

EG

No

No

Safe

ty T

imer

Yes

温度

OK

定電

圧モ

ード

充電電

圧 =

VR

EG

I OU

T <

I TE

RM

Yes

VB

AT <

VR

TH

経過

タイ

マ

充電終

了充

電電

流 =

0安

全タ

イマ

リセ

ット

No

STA

T1 =

Fla

shin

g

Yes

Yes

温度

OK

No

STA

T1 =

フリ

ッカ

安全

タイ

マ停止

充電

電流

= 0

Yes

Yes

VD

D <

VU

VLO

or E

N L

ow

No

Yes

Yes

温度

OK

No

STA

T1 =

Off

充電

電流

= 0

Yes

No

STA

T1 =

Off

VD

D >

VU

VLO

終了

終了

No

STA

T1 =

Off

安全

タイ

マ停

止充

電電

流 =

0

EN

Hig

h

Exp

ired

注 1

: 適

性パ

ラメ

ータ

は充

電サ

イク

ル中

は常

に監

視さ

れま

す。詳

しくは

第 4

.1項

“充電

適正

確認

と予

備テ

スト

”を

参照

注2: 温度

制御中

の充

電電

流は、ダ

イの

温度

に基

づい

て比

例制

御さ

れます

。詳し

くは第

4.5項

“熱

制御

”を

参照

。

注 1

注 1

STA

T2 =

On

STA

T2 =

フリ

ッカ

STA

T2 =

Off

STA

T2 =

フリ

ッカ

STA

T2 =

Off

注 2

STA

T2 =

フリ

ッカ

STA

T1 =

Off

(MC

P738

63/4

)

(MC

P738

61/2

)

STA

T2 =

Off

(全デバ

イス

)


MCP73861/2/3/4

第 5 章詳細説明

5.1 アナログ回路

5.1.1 バッテリ管理入力電源 (VDD1, VDD2)　VDD 入力は、MCP7386X への入力電源です。MCP7386X は、VDD 入力が UVLO 電圧 (VSTOP) より下がると、自動的に省電力モードに入ります。この特性は VDD が無いときにバッテリパックから流れ出るのを防ぎます。

5.1.2 PROG 入力

　高速充電の安定化電流は、PROG 入力から VSS へ接続したプログラミング抵抗 (RPROG) に比例して決まります。PROG 入力を VSS に接続すると、最大高速充電電流の 1.2A となります。PROG 入力を未接続にすることで、最小の高速充電電流の100 mAとなります。RPROGの値を使って下記式で計算できます。

　予備テストのトリクル電流と充電完了電流は、それぞれ IREG の約 10% と 8% となります。

5.1.3 セル温度センサー用バイアス (THREF)　2.5V の電圧リファレンスが、常時セル温度監視と予備テスト用の外部サーミスタのバイアス電源として供給されます。比例方式のウィンドウコンパレートが 2つのスレッショルドレベル VTHREF/2 と VTHREF/4 で行われます。

5.1.4 セル温度センサー入力 (THERM)　MCP73861/2/3/4 は、THERM 入力と VSS 間の電圧を上下限温度スレッショルド値と比較することで、常時温度を監視しています。正負の温度係数の NTC またはPTC サーミスタと、外部電圧分圧器でこの電圧を作り出します。温度センス回路はレシオメトリック比較を行うため独自のリファレンス電圧を持っています。したがって、電源入力 (VDD) のふらつきは無視できます。温度センス回路は、VDD が加えられていないときは、バッテリパックから余計な放電をしないようシステムから切り離されます。

　図 6-1は、THERM入力に接続する標準的な応用回路を示しています。RT1 と RT2 の抵抗値は次式で計算できます。

NTC サーミスタ用 :

PTC サーミスタ用 :

　温度監視を禁止する場合には、THERM 入力にVTHREF/3 に等しい電圧を加えます。

5.1.5 タイマ設定入力 (TIMER)　TIMER 入力は、タイミング用コンデンサ (CTIMER) をTIMER 入力ピンと VSS 間に接続することで、安全タイマの周期を設定します。3 種類の安全タイマがタイミングコンデンサによって設定されます。

予備テスト用安全タイマ周期 :

高速充電用安全タイマ周期 :

経過タイマ周期 :

　予備テスト用タイマは適性確認後開始し、充電サイクルが高速充電つまり定電流モードに遷移したときリセットされます。高速充電タイマと経過タイマは、MCP7386X が予備テストから遷移したときスタートします。高速充電タイマは、充電サイクルが定電圧モードに遷移したときリセットされます。経過タイマは、センス電流が終了スレッショルドより下がらなかったとき終了し、充電を終了させます。熱制御中は、タイマは充電電流に比例してスローダウンします。

5.1.6 バッテリ電圧センス (VBAT3)　MCP7386X は VBAT3 ピンのバッテリ電圧を監視しています。この入力は直接バッテリパックの＋極に接続されています。

5.1.7 バッテリ充電制御出力 (VBAT1, VBAT2)　バッテリ充電制御出力は、内蔵 P チャネル MOSFETのドレインに接続されています。MCP7386X はこのMOSFET をリニア動作範囲で制御して、バッテリパックへ一定の電流と電圧を提供しています。バッテリ充電制御出力は、バッテリパックの＋極に接続するようにします。

RPROG13.2 11 IREG×–12 IREG× 1.2–----------------------------------------=

ここで :

IREG = 希望する高速充電電流（A）

RPROG = 抵抗値 kΩ.

RT12 RCOLD RHOT××

RCOLD RHOT–----------------------------------------------=

RT22 RCOLD RHOT××RCOLD 3 R× HOT–----------------------------------------------=

RT12 RCOLD RHOT××

RHOT RCOLD–----------------------------------------------=

RT22 RCOLD RHOT××RHOT 3 R× COLD–----------------------------------------------=

ここで :

RCOLD と RHOT は扱う温度範囲でのサーミスタの抵抗値

tPRECONCTIMER0.1μF

------------------- 1.0Hour× s=

tFASTCTIMER0.1μF

------------------- 1.5Hours×=

tTERMCTIMER0.1μF

------------------- 3.0Hours×=


MCP73861/2/3/4

5.2 ディジタル回路

5.2.1 充電状態出力 (STAT1,STAT2)　2 つの状態出力が、充電状態の情報を提供します。電流制限されたオープンドレイン出力により、外部 LEDを光らせることができます。オプションで、プルアップ抵抗を付ければホストコントローラと通信する出力とすることができます。表 5-1 は充電サイクル中の状態出力の状態をまとめて表したものです。

　フリッカ周期 (1 Hz) は 0.1 µF のタイマ用コンデンサ(CTIMER) に基づいています。周期はタイマコンデンサの値に基づいて変わります。

　異常状態中は、STAT1 状態出力がオフで STAT2 状態出力がオンとなります。異常状態から復旧させるには、いったん入力電圧をとりはずし再接続するか、イネーブル入力 (EN) を論理 Low にしてから論理 High にする必要があります。

　THERM 入力の電圧が設定枠から外れると、充電サイクルは開始されないか中止となります。充電サイクルは終了せず、自動的に再開されます。THERM 入力が有効で他のすべてのパラメータが良ければ充電サイクルが再開されます。異常な THERM 状態の間は、STAT1 状態出力はオフ、STAT2 状態出力はフリッカとなります。

5.2.2 VSET 入力

　VSET 入力は、MCP7386Xの出力電圧を選択します。VSETが VSS に接続されると、MCP73861/3 と MCP73862/4 の出力はそれぞれ 4.1V または 8.2V となります。VSET が VDDに接続されると、MCP73861/3 と MCP73862/4 の出力はそれぞれ 4.2V または 8.4V となります。

5.2.3 ロジックイネーブル (EN)　ロジックイネーブル入力ピン (EN) は、充電サイクル中にいつでも充電を終了させるために使え、これで充電サイクルを初期化または再充電サイクルに初期化したのと同じになります。

　EN ピンを論理 High とするか、入力に接続すると、デバイスをイネーブルにします。論理 Low の入力によりデバイスをディスエーブルとして充電サイクルを終了します。ディスエーブルにされると、デバイスの電源電流は標準で 0.17 µA まで減少します。

表 5-1: 状態出力 ( 注充電サイクル

状態STAT1 STAT2

適正確認中 Off Off

予備テスト中 On Off

定電流高速充電中

On Off

定電圧 On Off

充電完了フリッカ (1 Hz, 50% デューティ )

(MCP73861/2) オフ( 全デバイス )

オフ(MCP73863/4)

異常オフオン

熱異常オフフリッカ (1 Hz, 50% デューティ )

禁止 – スリープモード

Off Off

入力電圧未接続 Off Off

注 : オフ状態 : オープンドレインはハイインピーダンスオン状態：オープンドレインは標準で 7 mA のシンクが可能フリッカ : オフとオンを繰り返す


MCP73861/2/3/4

第 6 章応用例　MCP7386X はホストコントローラと結合するか、単独でも使えるように設計されています。MCP7386X は定電流のあと定電圧で充電するというリチウムイオ

ンかリチウムポリマーセルに適した充電アルゴリズムを提供します。図 6-1 が標準的な単体動作の回路を示していて、図 6-2 と 6-3 が付随する充電特性を示しています。

図 6-1: 標準的な応用回路

図 6-2: 標準的な充電特性

ENSTAT1 STAT

2

VSET

VSS3

VDD1

VDD2

VSS2

TIMERPROG

THE

RM

THR

EF

VBAT3

VBAT2

VBAT1

CTIMER

非安定化 AC アダプタ

RPROG

RT1

RT2

+–単一リチウムイオンセル

VSS1

1

2

3

4

MCP73861

141516

5 6 7 8

9

10

11

12

13

安定化電圧 (VREG)

安定化電流 (IREG)

遷移ｽﾚｯｼｮﾙﾄﾞ(VPTH)

予備テスト電流 (IPREG)

予備テスト安全タイマ

高速充電安全タイマ

経過タイマ終了タイマ

充電電圧

予備テストモード

定電流モード

定電圧モード

充電電流

終了電流 (ITERM)


MCP73861/2/3/4

図 6-3: 標準的な熱制御中の充電特性

6.1 応用回路設計

　リニア方式の充電は効率が悪いので、最も重要な要素は熱設計とコストです。これらは入力電圧と出力電流、バッテリ充電器と冷却空気との熱抵抗などの直接関数となっています。デバイスが予備テストから定電流モードに遷移したときが最悪の場合です。この状態の間、バッテリ充電器が最大電力を消費します。充電器に対し、充電電流と、コストと、必要な温度のトレードオフをしなければなりません。

6.1.1 部品選定

　図 6-1 に示された部品の設定は、充電システムの集積度と信頼性を決める重要要素です。以下の検討が部品選定に当たって参考になります。

6.1.1.1 電流設定抵抗 (RPROG)　リチウムイオンセルに好ましい高速充電電流は 1Cレートで、絶対最大電流は 2C レートです。例えば、500 mAh のバッテリパックの好ましい充電電流は500 mA です。このレートで充電すれば、最短の充電サイクルとなり、バッテリパックの性能劣化や寿命を縮めることはありません。

　1200 mAが MCP7386X が供給できる最大充電電流です。この状態にするには、PROG 入力を VSS に接続します。

6.1.1.2 熱検討

　バッテリ充電器の最悪電力消費は、入力電圧最大で、デバイスが予備テストから定電流モードに遷移したときです。この場合の電力消費は :

安定化電圧 (VREG)安定化電流 (IREG)

遷移ｽﾚｯｼｮﾙﾄﾞ (VPTH)

予備テスト安全タイマ

高速充電安全タイマ

経過タイマ終了タイマ

充電電圧

予備テストモード

定電流モード

定電圧モード

充電電流

予備テスト電流 (IPREG)終了電流 (ITERM)

PowerDissipation VDDMAX VPTHMIN–( ) IREGMAX×=

ここで :

VDDMAX = 最大入力電圧

IREGMAX = 最大高速充電電流

VPTHMIN = 最小遷移スレッショルド電圧


MCP73861/2/3/4
　5V, ±10% 入力電源のときの電力消費は :
　バッテリ充電器が 1 oz. 銅箔の 1 in2 パッドに実装されたとすると、接合部温度上昇はおよそ 60 ℃となります。これから熱制御モードに入る最大動作周囲温度は50 ℃ということになります。

6.1.1.3 外部コンデンサ

　MCP7386X はバッテリ負荷の有無にかかわらず安定です。定電圧モードのときさらに良い AC 安定度とするため、最小 4.7 µF のコンデンサで VBAT ピンを VSSにバイパスすることを推奨します。このコンデンサはバッテリ負荷が無いときの補償を行います。さらにバッテリとの相互接続により高周波でインダクタンスが現れます。これらの要素は、定電圧モードのときの制御フィードバックループに含まれます。したがって、バイパスコンデンサが、バッテリパックのインダクタ要素を補償するのに必要です。

　ほとんどの場合、コンデンサの等価シリーズ抵抗値(ESR) とは関係なく、良質な出力フィルタコンデンサが使われます。実際のコンデンサの値は、（そして連動する ESR は）出力負荷電流に依存します。1A までの出力電流のときの安定化用としては、4.7 µFのセラミック、タンタル、アルミ電解コンデンサで、出力コンデンサとして十分です。

6.1.1.4 逆流防止

　MCP7386X は、異常や入力短絡、または逆極性入力に対する保護を提供します。保護が無いと、異常や入力短絡でバッテリパックから内蔵パストランジスタのボディダイオードを通して放電してしまいます。

6.1.1.5 イネーブルインターフェース

　単体構成では、イネーブルピンは一般的に入力電圧に接続します。MCP7386X は VDD 入力電圧が UVLO 電圧 (VSTOP) 以下に低下したら、自動的に省電力モードに入り、バッテリ漏れ電流が標準で 0.23 µA まで減少します。

6.1.1.6 充電状態インターフェース

　2 つの状態出力が充電状態情報を提供します。電流制限されたオープンドレイン出力で外付け LED を光らせることができます。充電サイクル中の状態出力の状態については表 5-1 を参照してください。

6.2 PCB レイアウト問題

　最高の電圧安定度とするには、バッテリパックをデバイスの VBAT と VSS ピンのできるだけ近くに置いて下さい。これで PCB パターンを通過する大電流による電圧降下を最小にします。

　PCB で放熱器を使うときのレイアウトでは、放熱器のパッドにたくさんのバイアを追加して、PCB のバックプレーンとの熱結合をよくして、最大接合部温度を低くするようにします。

PowerDissipation 5.5V 2.7V–( ) 575mA× 1.61W= =


MCP73861/2/3/4

第 7 章パッケージ情報

7.1 パッケージマーキング情報

1

2

3

4

141516

5 6 7 8

9

10

11

12

13

16 リード QFN* 例 :

XXXXXXXXXXXXXXXX

YYWWNNN

1

2

3

4

141516

5 6 7 8

9

10

11

12

13

73861I/ML0532256

16 リード SOIC (150 mil) 例 :

XXXXXXXXXXXXX

YYWWNNNXXXXXXXXXXXXX

MCP73861

0532256

凡例 : XX...X カスタマ仕様情報Y 年コード ( カレンダ年の下位１桁目 )YY 年コード ( カレンダ年の下位２桁目 )WW 週コード (1 月 1 日を週 ‘01’ とする )NNN 英数字のトレース用コード錫メッキ (Sn) に関する鉛フリー JEDEC 区別コード * 本パッケージは鉛フリーです。鉛フリー JEDEC 区別　 ( )

はパッケージの外観から見えるようにしています。

注意 : マイクロチップのパーツ番号全体が１行で入らないときは、次の行にはみ出ます。このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。

3e

3e

I/SL^3̂e


MCP73861/2/3/4
16-Lead Plastic Quad Flat No-Lead Package (ML) 4x4x0.9 mm Body (QFN) – Saw Singulated
2

1

n

D

E E2

D2

e

b

L

A A3

露出メタルパッド

オプションインデックス領域

上面図底面図

( 注 2)

( 注 1)

A1

BSC: 基本寸法。　公差なしで示されているのは理論的に正確な値

REF: 参考寸法。通常公差なしで情報提供用のみ。

JEDEC 準拠 : M0-220

ASME Y14.5M 参照

ASME Y14.5M 参照

Revised 07-21-05

* 制御パラメータ

注 :

インチ

NOM

.026 BSC

.008 REF

ピン数

全高

全幅

接点幅

全長

接点長

露出パッド幅

露出パッド長

接点厚

ピッチ

スタンドオフ

単位

寸法限界

e

E2

bL

D2D

A3E

A1A

.090

.010

.012

.152

.090

.152

.000.031

MINn

MIN

.104

.157

.012

.104

.016

.035

.157

.001

.106

.014

.163

.106

.020

.039

.163

.002

MAX16

0.65 BSC

0.20 REF

2.293.85

0.252.29

0.30

0.80

3.85

0.00

2.64

0.30

4.002.64

0.40

0.90

4.00

0.02

NOMミリメータ *

16

2.69

0.35

4.152.69

0.50

1.00

4.15

0.05

MAX

１ピンのインデックス特徴マークは変わることがありますが、ハッチングの範囲内に置かれます。

露出パッドはダイの取り付けパドルサイズによる変わることがあります。2.1.

Drawing No. C04-127


MCP73861/2/3/4
16-Lead Plastic Small Outline (SL) – Narrow 150 mil Body (SOIC)
足角 φ 0 4 8 0 4 8

1512015120βモールド抜き角底部

1512015120αモールド抜き角頂部

0.510.420.33.020.017.013Bリード幅

0.250.230.20.010.009.008cリード厚

1.270.840.41.050.033.016L足長

0.510.380.25.020.015.010h面取り長

10.019.919.80.394.390.386D全長

3.993.903.81.157.154.150E1モールドパッケージ幅

6.206.025.79.244.237.228E全幅

0.250.180.10.010.007.004A1スタンドオフ §1.551.441.32.061.057.052A2モールドパッケージ厚

1.751.551.35.069.061.053A全高

1.27.050pピッチ

1616nピン数

MAXNOMMINMAXNOMMIN寸法限界

ミリメータインチ *単位

α

A2

E1

1

2

L

h

nB

45°

E

p

D

φ

β

c

A1

A

* 制御パラメータ

Notes:D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はない。 JEDEC 準拠 : MS-012Drawing No. C04-108

§ 有意特性


MCP73861/2/3/4

付録 A: 改版履歴

レビジョン C (2005 年 8 月 )下記が修正リスト :

1. MCP73863 とMCP73864デバイスをデータシート全体に追加

2. 付録 A: 改版履歴追加

3. QFN と SOIC パッケージ図追加

レビジョン B (2004 年 12 月 )• SOIC パッケージをデータシート全体に追加

レビジョン A (2004 年 6 月 )• 初版発行


MCP73861/2/3/4
ノート :

MCP73861/2/3/4

製品識別システム

注文や資料請求、または価格や納期などの照会は工場もしくは後述のセールスオフィスへお問い合わせください

デバイス MCP73861: Single-Cell Charge Controller with

Temperature MonitorMCP73861T: Single-Cell Charge Controller with

Temperature Monitor, Tape and ReelMCP73862: Dual Series Cells Charge Controller with

Temperature MonitorMCP73862T: Dual Series Cells Charge Controller with

Temperature Monitor, Tape and ReelMCP73863: Single-cell Charge Controller with

Temperature MonitorMCP73863T: Single-Cell Charge Controller with

Temperature Monitor, Tape and ReelMCP73864: Dual Series Cells Charge Controller with

Temperature MonitorMCP73864T: Dual Series Cells Charge Controller with

Temperature Monitor, Tape and Reel

温度範囲 I = -40°C ～ +85°C ( 工業用 )

パッケージ ML = Plastic Quad Flat No Lead, 4x4 mm Body (QFN),16-lead

SL = Plastic Small Outline, 150 mm Body (SOIC),16-lead

PART NO. X XX

パッケージ　温度範囲デバイス

Examples:

a) MCP73861-I/ML: Single-Cell Controller16LD-QFN パッケージ .

b) MCP73861T-I/ML: テープでリール ,Single-Cell Controller16LD-QFN パッケージ .

c) MCP73861-I/SL: Single-Cell Controller16LD-SOIC パッケージ .

d) MCP73861T-I/SL: テープでリール ,Single-Cell Controller16LD-SOIC パッケージ .

a) MCP73862-I/ML: Dual-Cell Controller16LD-QFN パッケージ .

b) MCP73862T-I/ML: テープでリール ,Dual-Cell Controller16LD-QFN パッケージ

c) MCP73862-I/SL: Dual-Cell Controller16LD-SOIC パッケージ .

d) MCP73862T-I/SL: テープでリール ,Dual-Cell Controller16LD-SOIC パッケージ

a) MCP73863-I/ML: Single-Cell Controller16LD-QFN パッケージ .

b) MCP73863T-I/ML: テープでリール ,Single-Cell Controller16LD-QFN パッケージ .

c) MCP73863-I/SL: Single-Cell Controller16LD-SOIC パッケージ .

d) MCP73863T-I/SL: テープでリール ,Single-Cell Controller16LD-SOIC パッケージ .

a) MCP73864-I/ML: Dual-Cell Controller16LD-QFN パッケージ .

b) MCP73864T-I/ML: テープでリール ,Dual-Cell Controller16LD-QFN パッケージ .

c) MCP73864-I/SL: Dual-Cell Controller16LD-SOIC パッケージ .

d) MCP73864T-I/SL: テープでリール ,Dual-Cell Controller16LD-SOIC パッケージ .


MCP73861/2/3/4
ノート :

マイクロチップデバイスのコード保護機能に関する以下の点に留意下さい。

• マイクロチップの製品は各製品独自のマイクロチップデーターシートにある仕様を満たしています。

• 各製品ファミリーは、通常の状態で所定の方法で利用いただければ市場にある類似製品の中で最も安全なファミリーの一つと

マイクロチップは信じております。

• 不正かつ非合法な方法を使ったコード保護機能の侵害があります。弊社の理解ではこうした手法は、マイクロチップデーター

シートにある動作仕様書以外の方法でマイクロチップ製品を使用することになります。こうした手法を使用した人は、ほとん

どの場合、知的財産権の侵害となります。

• マイクロチップはコードの統合性に関心をお持ちの顧客とは協働させていただきます。

• マイクロチップまたは他のセミコンダクターメーカーがコードの安全性を保証したものではありません。コード保護は製品

保護が「破られない」ということを保証するものではありません。

コード保護は常に進化します。マイクロチップは、当社製品のコード保護機能を継続的に改善することをお約束いたします。マク

ロチップのコード保護機能を破ることは、デジタル・ミレニアム著作権法に違反します。こうした行為によるソフトウェアーや著

作権に関わる作品への不正アクセスがあった場合、同法に基づき賠償請求する権利があります。

本書に書かれているデバイスアプリケーション等に関する

内容は、参考情報に過ぎません。ご利用のアプリケーション

が仕様を満たしているかどうかについては、お客様の責任に

おいて確認をお願いします。

　これらの情報の正確さ、またはこれの情報の使用に関し、

マイクロチップテクノロジーインクはいかなる表明と保証

を行うものではなく、また、一切の責任を負うものではあり

ません。マイクロチップの明示的な書面による承認なしに、

生命維持装置あるいは生命安全用途にマイクロチップの製品

を使用することはすべて購入者のリスクとし、また購入者は

これによって起きたあらゆる損害、クレーム、訴訟、費用に

関して、マイクロチップは擁護され、免責され、損害をうけ

ないことに同意するものとします。知的財産権に基づくライ

センスを暗示的に与えたものではありません。

© 2006 Microchip Technology Inc.

商標

マイクロチップの名称とロゴ、マイクロチップのロゴ、 Accuron、 dsPIC、 KEELOQ、 microID、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、 PICSTART、 PRO MATE、 PowerSmart、 rfPIC、 SmartShunt は米

国及び他の国々のにおいて、マイクロチップテクノロジーインクの登録商標です。

AmpLab、 FilterLab、 Migratable Memory、 MXDEV、 MXLAB、 SEEVAL、 SmartSensor、 The Embedded Control Solutions Company は、米国においてマイクロチップテクノロジーインクの登録商標です。

Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、 CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、 dsPICworks、 ECAN、 ECONOMONITOR、 FanSense、 FlexROM、 fuzzyLAB、 In-Circuit Serial Programming、 ICSP、 ICEPIC、 Linear Active Thermistor、 Mindi、 MiWi、MPASM、 MPLIB、 MPLINK、PICkit、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICLAB、 PICtail、 PowerCal、 Powerlnfo、 PowerMate、 PowerTool、 REAL ICE, rfLAB、 rfPICDEM、 Select Mode、 Smart Serial、 SmartTel、Total Endurance、UNI/O、

WiperLock、及び ZENA は、米国及び他の国々のにおいて、

マイクロチップテクノロジーインクの登録商標とです。

SQTP は米国においてマイクロチップテクノロジーインク

のサービスマークです。

本書に記載された上記以外の商標は、それぞれの会社の財産

です。

著作権。 © 2006 年マイクロチップテクノロジーインク、米

国で印刷。無断複写・転載を禁じます。

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DS21893C_JP-page 27

マイクロチップは、2002 年に ISO/TS-16949 認証を受けました。本社、アリゾナ州チャンドラーとテンペとカリフォルニア州オレゴンとマウンテンビューにあるデザイン及びウエハー施設に対するものです。弊社の品質システムプロセスと手続きは、PICmicro® 8-bit MCUs、 KEELOQ® コードホッピングデバイス、シリアル EEPROMs、マイクロペリフェラル、非揮発性メモリーとアナログ製品を対象としています。更に、開発システムの設計及び製造に関するマイクロチップの品質システムは、2000 年に ISO9001 の認証を受けています。


AMERICASCorporate Office2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277Technical Support: http://support.microchip.comWeb Address: www.microchip.comAtlantaAlpharetta, GA Tel: 770-640-0034 Fax: 770-640-0307BostonWestborough, MA Tel: 774-760-0087 Fax: 774-760-0088ChicagoItasca, IL Tel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075DallasAddison, TX Tel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924DetroitFarmington Hills, MI Tel: 248-538-2250Fax: 248-538-2260KokomoKokomo, IN Tel: 765-864-8360Fax: 765-864-8387Los AngelesMission Viejo, CA Tel: 949-462-9523 Fax: 949-462-9608Santa ClaraSanta Clara, CA Tel: 408-961-6444Fax: 408-961-6445TorontoMississauga, Ontario, CanadaTel: 905-673-0699 Fax: 905-673-6509

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ASIA/PACIFICIndia - BangaloreTel: 91-80-4182-8400 Fax: 91-80-4182-8422India - New DelhiTel: 91-11-4160-8631Fax: 91-11-4160-8632India - PuneTel: 91-20-2566-1512Fax: 91-20-2566-1513Japan - YokohamaTel: 81-45-471- 6166 Fax: 81-45-471-6122Korea - GumiTel: 82-54-473-4301Fax: 82-54-473-4302Korea - SeoulTel: 82-2-554-7200Fax: 82-2-558-5932 or 82-2-558-5934Malaysia - PenangTel: 60-4-646-8870Fax: 60-4-646-5086Philippines - ManilaTel: 63-2-634-9065Fax: 63-2-634-9069SingaporeTel: 65-6334-8870Fax: 65-6334-8850Taiwan - Hsin ChuTel: 886-3-572-9526Fax: 886-3-572-6459Taiwan - KaohsiungTel: 886-7-536-4818Fax: 886-7-536-4803Taiwan - TaipeiTel: 886-2-2500-6610 Fax: 886-2-2508-0102Thailand - BangkokTel: 66-2-694-1351Fax: 66-2-694-1350

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10/19/06

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DS21893C JP - Microchip Technologyww1.microchip.com/downloads/jp/DeviceDoc/21893C_JP.pdfDrv Stat 2 Drv Stat 1 充電OK IREG/12 V DD1 THERM EN TIMER STAT1 STAT2 VBAT3 VSS1 PROG VSET