Bộ đề cương chi tiết của từng môn họcChương trình đào tạo thạc sĩ

chuyên ngành khoa học và kỹ thuật vật liệu điện tử

MSE6010 Kỹ thuật đặc trưng vật liệu1. Tên học phần: KỸ THUẬT ĐẶC TRƯNG VẬT LIỆU2. Mã số: MSE60103. Khối lượng: 3(2-0-2-6)

Lý thuyết: 30 tiết Thí nghiệm: 30 tiết

4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học kỳ 15. Đối tượng tham dự: Học viên cao học ngành Khoa học và kỹ thuật vật liệu6. Điều kiện học phần:

Học phần tiên quyết: Vật lý và hóa học vật rắn. Tinh thể học. Lý thuyết nhiễu xạ. Học phần học trước: Khoa học vật liệu đại cương Học phần song hành: Khoa học vật liệu chọn lọc. Tổng hợp và chế tạo vật liệu.

7. Mục tiêu học phần: Giúp học viên có được cái nhìn tổng quan về khả năng áp dụng các phương pháp đặc trưng vật liệu. Ngoài ra học viên có được một số kỹ năng cần thiết trong việc lựa chọn phương pháp và chế tạo mẫu, phân tích và đánh giá ảnh hiển vi điện tử và phổ vi phân tích.8. Nội dung tóm tắt học phần: Giới thiệu tổng quan các kỹ thuật quan sát, phân tích và đánh giá cấu trúc, tổ chức tế vi, thành phần của kim loại, bán dẫn, phi kim loại; trong đó tập trung vào các phương pháp hiển vi điện tử và phân tích phổ nguyên tố. Phần thực hành bảo đảm để học viên nắm được mục đích, đối tượng sử dụng khi lựa chọn các kỹ thuật đặc trưng và biết cách xử lý các kết quả thực nghiệm.9. Nhiệm vụ của học viên:

Dự lớp: Theo qui định của Bộ GD-ĐT và của trường ĐHBKHN. Bài tập/thảo luận/kiểm tra/thí nghiệm: Theo quy định của Bộ GD-ĐT và của trường

ĐHBKHN10. Đánh giá kết quả: QT(0,4) - T/TL(0,6)

Điểm quá trình (dự lớp, kiểm tra giữa kỳ, hoàn thành thí nghiệm): 0,4 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): 0,6

11. Tài liệu học tập: Tài liệu chính: 1, 2, 4; Tài liệu tham khảo: còn lại12. Nội dung chi tiết học phần:

KỸ THUẬT ĐẶC TRƯNG VẬT LIỆUNhóm biên soạn: GS. TS. Đỗ Minh Nghiệp

PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn TS. Nguyễn Văn Hiếu

MỞ ĐẦU (1)- Giới thiệu học phần: nội dung tóm tắt và mục tiêu học phần- Yêu cầu đối với học phần và học viên, tài liệu

CHƯƠNG 1. KHÁI NIỆM CHUNG (LT 4)1.1. Quan hệ giữa đặc trưng vật liệu với công nghệ chế tạo và sử dụng vật liệu1.2. Đối tượng, mục tiêu và nội dung đặc trưng vật liệu1.3. Phân loại, đặc điểm chung và khả năng ứng dụng của các kỹ thuật đặc trưng vật liệu 1.4. Các tiêu chí lựa chọn phương pháp đặc trưng vật liệu

CHƯƠNG 2. CÁC KỸ THUẬT QUAN SÁT TỔ CHỨC TẾ VI (LT 7; TN 6 )2.1. Hiển vi điện tử quét (SEM, FESEM, ESEM, STEM): Tương tác tia điện tử và vật

liệu. Nguyên lý tạo ảnh. Ảnh điện tử thứ cấp và điện tử tán xạ ngược. Ảnh rơngen. Chế tạo mẫu. Ứng dụng.

2.2. Hiển vi điên tử xuyên (TEM, HRTEM): Quang học điện tử. Nguyên lý tạo ảnh. Tương phản tán xạ và tương phản nhiễu xạ. Nhiễu xạ và vi nhiễu xạ. Chế tạo mẫu. Ứng dụng.

2.3. Các loại hiển vi khác CHƯƠNG 3. CÁC KỸ THUẬT PHÂN TÍCH CẤU TRÚC (LT 6; TN 8 )

3.1. Nhiễu xạ rơngen: Phương pháp Debye. Phương pháp Laue. Ứng dụng. 3.2. Nhiễu xạ điện tử: Phương pháp ED, LEED, HEED và ứng dụng.3.3. Nhiễu xạ nơtrôn: Nguyên lý. Thiết bị. Ứng dụng.

CHƯƠNG 4. CÁC KỸ THUẬT PHÂN TÍCH NGUYÊN TỐ (LT 5; TN 8 )4.1. Phương pháp phổ điện tử

4.1.2. Phổ điện tử Auger (AES)4.1.4. Phổ tổn hao năng lượng (EELS)

4.2. Các phương pháp phổ rơngen4.2.1. Phổ huỳnh quang rơngen (XRF)4.2.2. Phổ phân tán/tán sắc năng lượng (EDS)4.2.3. Phổ phân tán/tán sắc bước sóng (WDS)

4.3. Các phương pháp phổ iôn/khối phổ4.3.1. Phổ tán xạ ngược Rutherford (RBS)4.3.2. Khối phổ iôn thứ cấp (SIMS)

4.4. Phương pháp phổ nguyên tử4.4.1. Quang phổ hấp thụ nguyên tử

4.4.2. Quang phổ phát xạ nguyên tửCHƯƠNG 5. CÁC KỸ THUẬT QUÉT BỀ MẶT (LT 7; BT 0; TN 8 )

5.1. Hiển vi lực nguyên tử (AFM)5.2. Hiển vi đầu dò quét hiệu ứng xuyên ngầm (STM)5.3. Các loại hiển vi đầu dò khác

13. Các bài tập và thí nghiệm: 07 bài thí nghiệm1 và 2. Quan sát cấu trúc thực, phân tích ảnh nhiễu xạ điện tử và phổ tổn hao năng lượng EELS bằng hiển vi điện tử truyền qua3 và 4. Quan sát hình thái bề mặt, tương phản pha và phân tích nguyên tố bằng ảnh điện tử thứ cấp SE, điện tử tán xạ ngược BSE và phổ rơngen phân tán năng lượng EDS trên kính hiển vi điện tử quét5. Quan sát hình thái /cấu trúc bề mặt trên hiển vi lực nguyên tử 6. Phân tích phổ Raman/phổ Auger7. Phân tích thành phần nguyên tố bằng phổ phát xạ/hấp thụ nguyên tử

14. Tài liệu tham khảo:1. David B. Williams and C. Barry Carter, Transmission Electron Microscopy, I-IV, Plenum

Press, New York, 1996.2. M. De Crescenzi and M. N. Piancastelli, Electron Scattering and Related Spectroscopies,

World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 1996.3. C. S. Barrett and T. B. Massalski, Structure of metals, Pergamon Press, New York, 1980.4. René Guinebretière, X-ray Diffraction by Polycrystalline Materials, ISTE Ltd, GB and

USA, 2007.5. D. Briggs and M. P. Seah (Eds), Practical Surface Analysis, 2nd ed., John Wiley & Sons

Ltd., 1996.

MSE6020 Khoa học vật liệu nâng cao1. Tên học phần: KHOA HOC VẬT LIỆU NÂNG CAO 2. Mã số: MSE60203. Khối lượng: 3(2,5-1-0-6)

Lý thuyết: 37,5 tiết Bài tập, thảo luận: 10 tiết Báo cáo chuyên đề của học viên: 5 tiết

4. Học phần: Bắt buộc5. Đối tượng tham dự: Học viên đã có bằng kỹ sư, cử nhân các ngành: công nghệ hóa học, vật lý (thực nghiệm), điện tử, cơ khí. Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật vật liệu6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Học viên hiểu biết rõ mối quan hệ giữa cấu trúc vi mô, các tính chất và công nghệ chế tạo vật liệu; các loại vật liệu được ứng dụng nhiều trong công nghiệp và đời sống; xu hướng phát triển của các loại vật liệu trong thế kỷ 21. Học viên có thể sử dụng các kiến thức môn học để tiếp tục nghiên cứu, học tập và có thông tin lựa chọn vật liệu để ứng dụng khi cần thiết.8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp các nguyên lý cơ bản tạo nên các tính chất và hành vi. Cung đề cập đến cấu trúc và liên kết nguyên tử trong vật liệu, cấu trúc tinh thể, vô định hình và nanô tinh thể; các chuyển pha; cơ tính, lý tính vật liệu; các vật liệu được ứng dụng nhiều như: kim loại, vật liệu gốm, vật liệu polymer và compozit; các vật liệu điện tử; ảnh hưởng của môi trường lên các tính chất vật liệu.9. Nhiệm vụ của học viên:

Dự lớp đầy đủ theo qui định. Tham gia trao đổi thảo luận ở lớp. Hoàn thành tiểu luận (theo sự hướng dẫn của thầy giáo) và trình bày trước lớp.

10. Đánh giá kết quả: QT/BT(0,40)-T(TL:0,60) Điểm quá trình (theo mục 9): 0,4 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): 0,6

11. Tài liệu học tập: Xem mục 13Tài liệu chính: 1, 2, 3Tài liệu tham khảo: còn lại

12. Nội dung chi tiết học phần:

KHOA HOC VẬT LIỆU NÂNG CAONhóm biên soạn: GS TSKH Thân Đức Hiền

PGS TS Nguyễn Văn Chi PGS TS Nguyễn Anh Dung

MỞ ĐẦU (1,5)- Vật liệu với sự phát triển của khoa học công nghệ- Phân loại các loại vật liệu (theo tính chất, theo cấu trúc)- Xu thế phát triển vật liệu trong thế kỷ 21.- Giới thiệu học phần, tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1. CẤU TRÚC NGUYÊN TƯ VA LIÊN KẾT TRONG VẬT LIỆU (LT 3)1.1. Cấu trúc nguyên tử1.2. Các dạng liên kết nguyên tử và phân tử1.3. Liên kết và tính chất vật liệu

CHƯƠNG 2. TRẬT TƯ NGUYÊN TƯ TRONG CHẤT RĂN (LT 3; BT 2)2.1. Cấu trúc tinh thể2.2. Các hướng và mặt tinh thể2.3. Các loại cấu trúc tinh thể trạng thái rắn2.4. Đơn tinh thể, đa tinh thể.

CHƯƠNG 3. BẤT TRẬT TƯ NGUYÊN TƯ TRONG CHẤT RĂN (LT 3; BT 2)3.1. Khuyết tật trong vật rắn3.2. Các dao động nguyên tử3.3. Khuyếch tán nguyên tử trong vật rắn3.4. Vật liệu vô định hình

CHƯƠNG 4. CÁC LOAI VẬT LIỆU KẾT CẤU (LT7;BT3)4.1. Các tính chất cơ của vật liệu4.2. Kim loại đen4.3. Kim loại màu4.4. Kim loại quí-hiếm4.5. Các hợp kim đặc biệt khác

CHƯƠNG 5. VẬT LIỆU PHI KIM (LT7;BT2)5.1. Vật liệu gốm5.2. Vật liệu polymer5.3. Vật liệu compozit5.4. Vật liệu y sinh

CHƯƠNG 6. VẬT LIỆU ĐIÊN TƯ (LT 7; BT 2)6.1. Tính chất nhiệt của vật liệu 6.2. Tính chất điện của vật liệu

6.3. Tính chất từ của vật liệu6.4. Tính chất quang của vật liệu

CHƯƠNG 7. ẢNH HƯỞNG CUA MÔI TRƯƠNG TƠI VẬT LIỆU (LT3;BT2)7.1. Sự ăn mòn điện hóa7.2. Các loại ăn mòn7.3. Các phương pháp chống ăn mòn, bảo vệ vật liệu

CHƯƠNG 8. VẬT LIỆU CO CẤU TRÚC NANOMET (LT3;BT2) Giới thiệu8.1. Các đặc tính của vật liệu có kích thước nanômet8.2. Công nghệ chế tạo8.3. Ứng dụng

13. Tài liệu tham khảo:1. William D. Callister, Materials Science and Engineering: An Introduction, 7th Edition John

Wiley & Sons. Inc, 2007.2. Donald R. Askeland, Pradeep P. Phule, The Science and Engineering of Materials, 5th

editon, Thomson-Engineering, 2005.3. Lê Công Dưỡng (chủ biên), Vật liệu học, NXB Khoa học & Kỹ thuật, 2000.4. William F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering, Mc Graw-Hill Inc.,

1996.5. Anderson J. C, Leaver K. D., Rawlings R. D., Alexander J. M., Materials Science 4th

edition, Chapmam & Hall, 1990.

MSE6030 Tông hợp và chế tạo vật liệu 1. Tên học phần: TỔNG HỢP VÀ CHẾ TẠO VẬT LIỆU2. Mã số: MSE60303. Khối lượng: 3(2,5-1-0-6)

Lý thuyết: 37,5 tiết Bài tập (seminar): 15 tiết

4. Học phần: Bắt buộc của chuyên ngành Khoa học & Kỹ thuật vật liệu5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học & Kỹ thuật vật liệu6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Thông qua môn học, người học được tiếp cận một cách hệ thống trên cơ sở khoa học việc nghiên cứu “tổng hợp & chế tạo” vật liệu; Cung cấp cho người học kiến thức về hệ các phương pháp tổng hợp, chế tạo các vật liệu chính (kim loại, polyme, vô cơ-ceramic) cùng những tiến bộ mới đạt được; Người học được cung cấp những hiểu biết trong lĩnh vực vật liệu hiện đại (modern) và tiên tiến (advanced) bao gồm tổ chức, tính chất, ứng dụng và chế tạo; Cung cấp cho người học sự hiểu biết về lĩnh vực vật liệu điện tử, công nghệ chế tạo vật liệu bán dẫn, vai trò của tổng hợp (synthesis) trong thiết kế, chế tạo mạch tổ hợp vi điện tử (microelectronic chips); Kích thích người học tư duy về “thế giới vật liệu” xung quanh và những giải pháp vật liệu mới thích ứng.8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp kiến thức cơ bản về hệ các phương pháp tổng hợp, chế tạo vật liệu, bao gồm kim loại, ceramic, polyme, vật liệu (hiện đại) tiên tiến (đơn tinh thể, compozit, vật liệu nanô). Môn học cung đề cập lĩnh vực vật liệu điện tử với trọng tâm là các phương pháp chế tạo vật liệu bán dẫn và vai trò của phương pháp tổng hợp trong thiết kế mạch tổ hợp vi điện tử.9. Nhiệm vụ của học viên:

Dự lớp: Theo quy chế của Bộ GD&ĐT và Trường ĐHBK Bài tập: Theo quy định của giáo viên giảng dạy và của Trường ĐHBK Seminar

10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0,3)-T(TL/TN:0,7) Điểm quá trình: Trọng số 0,3

- Bài tập làm đầy đủ- Tham gia seminar và kiểm tra giữa kỳ

Thi cuối kỳ (tự luận hoặc trắc nghiệm, vấn đáp): Trọng số 0,711. Tài liệu học tập:

Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.1. Nội dung chi tiết học phần:

TỔNG HỢP VÀ CHẾ TẠO VẬT LIỆU Nhóm biên soạn: GS. TS. Nguyễn Khắc Xương

PGS. TS. Nguyễn Văn Hiếu TS. Phan Thị Minh Ngọc

MỞ ĐẦU (1,5)- Những khái niệm cơ sở về vật liệu: định nghĩa vật liệu, phân loại vật liệu, vai trò của vật liệu trong đời sống xã hội loài người, lịch sử phát triển vật liệu, định nghĩa khoa học vật liệu, công nghệ vật liệu.- Toát yếu nội dung môn học- Tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1. CHẾ TAO KIM LOAI VA HỢP KIM (LT 10; BT 3) 1.1. Mở đầu và tóm tắt những vấn đề trình bày trong chương1.2. Phương pháp luyện kim

1.2.1. Phương pháp sản xuất kim loại thô (hoả luyện - chế tạo gang lò cao; thuỷ luyện - chế tạo Au; điện phân - chế tạo Al thô)1.2.2. Phương pháp tinh luyện (luyện thép và tinh luyện thép; điện phân tinh luyện đồng (Cu) và nhôm (Al))

1.3. Phương pháp chế tạo hợp kim1.3.1. Phương pháp nấu luyện1.3.2. Phương pháp hoá nhiệt luyện1.3.3. Phương pháp hợp kim hoá cơ học.

1.4. Phương pháp tạo hình kim loại 1.4.1. Đúc (khuôn cát, áp lực, mẫu chảy)1.4.2. Gia công biến dạng (rèn, cán, ép, kéo)

1.5. Luyện kim bột1.5.1. Khái niệm về luyện kim bột1.5.2. Chuẩn bị bột nguyên liệu1.5.3. Tạo hình1.5.4. Thiêu kết

CHƯƠNG 2. CHẾ TAO VẬT LIỆU VÔ CƠ (LT 8; BT 4) 2.1. Đặc điểm cấu trúc và tính chất của vật liệu vô cơ 2.2. Gốm và vật liệu chịu lửa

2.2.1. Phương pháp chế tạo gốm2.2.2. Phương pháp chế tạo vật liệu chịu lửa

2.3. Thuỷ tinh và gốm thuỷ tinh2.3.1. Phương pháp chế tạo thuỷ tinh (nấu luyện, tạo hình)

2.3.2. Phương pháp chế tạo gốm thuỷ tinh

2.4. Xi măng và bê tông2.4.1. Nguyên liệu để chế tạo xi măng2.4.2. Phương pháp chế tạo xi măng và bê tông

2.5. Chế tạo hạt mịn và siêu mịn2.5.1. Phương pháp kết tủa2.5.2. Phương pháp sol-gel

2.6. Polyme vô cơ và cơ kim 2.6.1. Phương pháp chế tạo polyme vô cơ 2.6.2. Phương pháp chế tạo siliconCHƯƠNG 3. CHẾ TAO VẬT LIỆU HỮU CƠ (polyme) (LT 8; BT 4)

3.1. Những vấn đề chung 3.1.1. Cấu tạo phân tử polyme 3.1.2. Nguyên liệu ban đầu cho vật liệu polyme3.2. Phương pháp tổng hợp polyme

3.2.1. Phương pháp trùng hợp (phản ứng trùng hợp; trùng hợp gốc; trùng hợp ion)3.2.2. Phương pháp trùng ngưng (trùng ngưng có cân bằng; trùng ngưng không cân bằng)

3.3. Phương pháp gia công vật liệu polyme 3.3.1. Gia công chất dẻo 3.3.2. Gia công cao su 3.3.3. Gia công sợi 3.3.4. Gia công sơn 3.3.5. Gia công màng 3.3.6. Gia công keo 3.3.7. Chế tạo polyme compozit (polyme compozit thông thường; polyme

nanôcompozitCHƯƠNG 4. CHẾ TAO MỘT SỐ VẬT LIỆU CHỨC NĂNG (LT 10; BT 4)

4.1. Chế tạo vật liệu bán dẫn4.1.1. Khái niệm, phân loại vật liệu ban dẫn4.1.2. Chế tạo vật liệu bán dẫn đa tinh thể 4.1.3. Chế tạo vật liệu bán dẫn đơn tinh thể4.1.4. Gia công vật liệu bán dẫn (gia công cơ khí, xử lý hoá học)4.1.5. Nguyên tắc chế tạo mạch tổ hợp

4.2. Chế tạo màng mỏng4.2.1. Phương pháp CVD 4.2.2. Phương pháp PVD 4.2.3. Phương pháp phun phủ

4.3. Một số phương pháp chế tạo vật liệu nano thấp chiều 4.3.1. Phương chế tạo dây nanô ôxit kim loại bán dẫn 4.3.1. Phương pháp chế tạo ống nanô các bon4.4. Phương pháp vật lý chế tạo các cấu trúc nanô 4.4.1. Phương pháp quang khắc 4.4.2. Phương pháp khắc hình và quang khắc nanô 4.4.3. Quang khắc mềm 4.4.4. Phương pháp tự sắp xếp hạt nano và dây nanô4.5. Thực hành chế tạo và khảo sát và tinh chất hoá-lý dây nanô ZnO và SnO2

13. Tài liệu tham khảo:1. M. F Ashby, An introduction to Microstructures Processing and Design, Engineering

Materials II.2. Brent Strong, Plastics Materials and Processing, 2rd Ed. Prentice Hall, New Jersey-

Ohio, 2000.3. Nguyễn Văn Thái (chủ biên), Công nghệ vật liệu, NXB Khoa học & kỹ thuật, 2006.4. Seymour/Carracher’s, Marcel Dekker, Polymer chemistry, Inc.,New York-Basel, 2004.5. Donald R.Askeland-Pradeep P. Phule,The Science and Engineering,7th Ed., Prentice

Hall, New Jersey, 2007.

IMS6010 Tiếng Anh nâng cao1. Tên học phần: TIẾNG ANH 2. Mã số: IMS60103. Khối lượng: 2(1-0-2-4)

Lý thuyết: 15 tiết Thực hành: 30 tiết

4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào kỳ II5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và kỹ thuật vật liệu chương trình kết hợp với trường ĐHTH Amsterdam, Hà Lan 6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Hướng dẫn ôn tập ngữ pháp và luyện tập một số kỹ năng nhằm nâng cao năng lực sử dụng ngôn ngữ và thực hiện bài thi dạng TOEFL cho học viên cao học.8. Nội dung tóm tắt học phần: Ôn tập và hệ thống hoá các vấn đề ngữ pháp tiếng Anh cơ bản bao gồm cấu trúc câu, các loại câu, từ loại (động từ, danh từ, tính từ, mạo từ...). Giới thiệu và luyện tập các kỹ năng giải quyết các vấn đề ngữ pháp thường gặp trong bài thi TOEFL có liên quan đến các nội dung trên. Giới thiệu và hướng dẫn luyện tập một số kỹ năng nghe, đọc, viết cần thiết trong thi TOEFL.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.

10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.40)-T(TL:0.60) Điểm quá trình: trọng số 0.4

- Dự lớp và làm thực hành đầy đủ - Kiểm tra giữa kỳ

Thi cuối kỳ (tự luận): trọng số 0.611. Tài liệu học tập:

Sách giáo khoa chính: Phillips, D. (1996). Longman Preparation Course for the TOEFLTtest. Volume A-Skills and Strategies. Second Edition. New York: Addison-Wesley Publishing Company. Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.

12. Nội dung chi tiết học phần:

TIẾNG ANH NÂNG CAO Nhóm biên soạn: ThS. Nguyễn Thị Diệu Linh

ThS. Trần Hương GiangMỞ ĐẦU (0,5)

- Mục đích và tóm tắt nội dung môn học.

- Sách giáo khoa và tài liệu tham khảo.

Tuần 1Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại ngắnCác loại câu: câu đơn, câu ghép, câu phức và các từ nối. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL về các loại câu và từ nối và kỹ năng làm bài có liên quan. Tuần 2Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại ngắnCác loại câu: câu với mệnh đề rút gọn. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL về câu và các kiểu mệnh đề rút gọn và kỹ năng làm bài có liên quanTuần 3Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại dàiCấu trúc câu và các thành phần trong câu: chủ ngữ, vị ngữ, bổ ngữ... Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL về cấu trúc câu và các thành phần trong câu và các kỹ năng làm bài có liên quan.Tuần 4Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại dàiĐộng từ: loại động từ, thời của động từ. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến động từ và các kỹ năng làm bài cần thiết.Tuần 5Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại dàiĐộng từ: thể bị động. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng động từ thể bị động và chủ động và các kỹ năng làm bài cần thiết.Tuần 6Một số kỹ năng nghe một bài nóiDanh từ: số ít và số nhiều, danh từ chỉ người và vậtĐại từCác vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng danh từ, đại từ và các kỹ năng làm bài cần thiết.Tuần 7Một số kỹ năng nghe một bài nóiTính từ và trạng từ: Phân biệt tính từ và trạng từ, các vị trí tính từ và trạng từ trong câu. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng tính từ và trạng từ và các kỹ năng làm bài cần thiết.Tuần 8Kiểm tra giữa kỳTuần 9Một số kỹ năng đọc hiểu: đọc lấy ý chínhTính từ và trạng từ: tính từ bị động và chủ động, các dạng thức so sánh. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng tính từ bị động và chủ động, dạng thức so sánh của tính từ và trạng từ, và các kỹ năng làm bài cần thiết.Tuần 10 - 11Trả bài kiểm tra giữa kỳMột số kỹ năng đọc hiểu: đọc lấy thông tin chi tiết

Mạo từ và giới từ. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng mạo từ và giới từ và các kỹ năng làm bài cần thiết.Tuần 12Một số kỹ năng đọc hiểu: đoán nghĩa từ Kỹ năng viết một đoạn văn: bố cục một đoạn văn, câu mở đầu, câu kết, từ nối.

Tuần 13Kỹ năng viết một bài văn ngắn: bố cục một bài văn, đoạn mở đầu và kết luận.Tuần 14Kỹ năng viết một bài văn ngắn: bố cục một bài văn, sắp xếp ý, chuyển và nối ý giữa các đoạn trong một bài vănTuần 15Ôn tậpChia sẻ kinh nghiệm khi làm bài thi TOEFL

13. Tài liệu tham khảo:1. Sullivan, P.N., Zhong, G., Brenne, G.l (1999). Arco Everything You Need to Score

High on TOEFL Preparation Kit . Macmillan.2. Hinkel, E. (2004). Barron's TOEFL Test Strategies. Third edition. Baron.3. King, C., Stanley, C. (1997). Building Skills for the TOEFL. Longman.4. Pyle, M., Page, M. (2001). Cliffs TOEFL Preparation Guide Test of English as a

Foreign Language. Cambridge Univeristy Press. 5. Rogers, B. (1997). Complete Guide to the TOEFL Test. Heinle & Heinle.6. Rogers, B. (1998). Peterson's 1999 TOEFL Practice Tests . Peterson’s.7. Broukal, M.(1997). Peterson's TOEFL Reading Flash. Peterson’s.8. Carris, J. (1998). Peterson's TOEFL Success With Words. Peterson’s.

Cơ học lượng tử ứng dụng 3(2-2-0-6)1. Tên học phần: CƠ HOC LƯỢNG TỬ ỨNG DỤNG 2. Mã số: IMS60203. Khối lượng: 3(2-2-0-6)

Lý thuyết: 30 tiết Bài tập: 30 tiết

4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào học kỳ 15. Đối tượng tham dự: Học viên cao học Chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần người học phải nắm được các kiến thức cơ bản và nâng cao của Cơ học lượng tử và sử dụng kiến thức về Cơ học lượng tử để khảo sát tính chất của hệ nhiều hạt (đặc biệt các hệ trong vật lý chất rắn).8. Nội dung tóm tắt học phần: Toán tử. Hàm sóng. Các phép đo lượng tử. Phương trình Shrodinger không phụ thuộc thời gian: hạt trong giếng thế một chiều, bó sóng. Các trạng tháilan truyền. Sự xuyên ngầm lượng tử: hạtntrong giếng thế hữu hạn, đối xứng, sự truyền qua và phản xạ, sự xuyên ngầm. Cơ học lượng tử 3 chiều: phương trình Schrodinger trong toạ độ cầu, nguyên tử Hydro, mô men động lượng. Hệ nhiều hạt. Lý thuyết nhiễu loạn không phụ thuộc thời gian. Nguyên lý biến phân và áp dụng cho các nguyên tử Hê li; Phương pháp WKB và áp dụng cho hiện tượng xuyên hầm; 9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập làm đầy đủ

10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.30)-T(TL:0.70) Điểm quá trình: trọng số 0.30. Trong đó bài kiểm tra viết giữa kỳ 2h chiếm 70%. Hai bài

tập về nhà chiếm 30%. Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.70

11. Tài liệu học tập: D.J. Griffiths, “Introduction to Quantum Mechanics”, 2nd edition (Pearson Prentice

Hall) 2005 S. Gasiorowicz, "Quantum Physics" (Wiley, 1996).

12. Nội dung chi tiết học phần:

CƠ HOC LƯỢNG TỬ ỨNG DỤNGBiên soạn: PGS. TS. Đỗ Phương Liên

MỞ ĐẦU (0.5)1. Mục đích môn học

2. Nội dung môn học3. Sách giáo khoa và tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1. TOÁN TƯ (LT 1, BT 1)1.1 Toán tử tuyến tính1.2 Hàm riêng và trị riêng 1.3 Biểu diễn1.4 Giao hoán và không giao hoán1.5 Tích phân toán tử1.6 Ký hiệu Dirac1.7 Toán tử Hermite

CHƯƠNG 2. TRANG THÁI VA HAM SONG (LT 1, BT 1)Tính chất và ý nghĩaPhương trình Schrodinger Kỹ thuật giải phương trình Schrodinger bằng phương pháp tách biến CHƯƠNG 3. CÁC PHÉP ĐO LƯỢNG TƯ (LT 1, BT 1)Giá trị trung bình thống kêCác biến xác định đồng thời Nguyên lý bất định CHƯƠNG 4. PHƯƠNG TRÌNH SCHRODINGER KHÔNG PHỤ THUỘC THƠI GIAN

(LT 2, BT 3)4.1 Hạt trong giếng thế 1 chiều 4.2 Bó sóng 4.3 Áp dụng: mô phỏng chuyển động của bó sóng

CHƯƠNG 5. CÁC TRANG THÁI LAN TRUYỀN. SƯ XUYÊN NGẦM LƯỢNG TƯ(LT 4, BT 4)

5.1 Hạt chuyển động qua hàng rào thế 5.2 Sự truyền qua và sự phản xạ 5.3 Xuyên hầm 5.4 Áp dụng: phân rã hạt alpha

CHƯƠNG 6. CƠ HỌC LƯỢNG TƯ TRONG KHÔNG GIAN 3 CHIỀU (LT: 7.5, BT: 8)6.1 Phương trình Schrodinger trong toạ độ cầu

6.1.1 Kỹ thuật tách biến6.1.2 Phương trình góc. Các hàm cầu điều hoà.6.1.3 Phương trình xuyên tâm.6.1.4 Áp dụng cho nguyên tử Hydro.

6.2 Mô men động lượng 6.2.1 Mô men động lượng quĩ đạo.

6.2.2 Mô men động lượng spin.6.2.3 Mô men động lượng toàn phần.

CHƯƠNG 7. HỆ HAT ĐỒNG NHẤT (LT 1.5, BT 2)7.1 Bài toán hai hạt 7.2 Boson và Fermions 7.3 Áp dụng cho nguyên tử Hê li

CHƯƠNG 8. LÝ THUYẾT NHIỄU LOAN KHÔNG PHỤ THUỘC THƠI GIAN(LT 6.5, BT 6)

Lý thuyết nhiễu loạn cho các trạng thái không suy biến Lý thuyết nhiễu loạn cho các trạng thái suy biến Áp dụng: cấu trúc tinh tế của nguyên tử Hydro Hiệu ứng Zeeman và hiệu ứng Stark CHƯƠNG 9. NGUYÊN LÝ BIẾN PHÂN (LT 3, BT 2)

9.1 Lý thuyết 9.2 Áp dụng cho trạng thái cơ bản của Hê li

CHƯƠNG 10. GẦN ĐỨNG WKB (WENTZEL, KRAMERS, BRILLOUIN), ÁP DỤNG ĐỐI VƠI HIỆU ỨNG XUYÊN NGẦM (LT: 3, BT: 2)

13. Tài liệu tham khảo:1. P. Atkins and R. Friedman. “Molecular Quantum Mechanics”, 4th edition.2. R. Eisberg & R. Resnick "Quantum Physics of Atoms, Molecules, Solids, Nuclei &

Particles", (Wiley, 1974)3. W. Greiner "Quantum Mechanics: An Introduction" (Springer 1994)4. Đa vư đôp , “Cơ học lượng tử”, NXB Khoa học kỹ thuật

IMS6030 Vật lý thống kê ứng dụng1. Tên học phần: VẬT LÝ THỐNG KÊ ỨNG DỤNG 2. Mã số: IMS60303. Khối lượng: 3(2-1-1-6)

Lý thuyết: 30 tiết Bài tập: 15 tiết Thực hành: 15 tiết

4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào kỳ 25. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu, chương trình đào thạc sĩ kết hợp viện Itims (ĐHBK HN) - ĐHTH Amsterdam 6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần người học phải nắm được các kiến thức cơ bản và nâng cao của vật lý thống kê và việc sử dụng vật lý thống kê để khảo sát tính chất của hệ nhiều hạt (đặc biệt các hệ trong vật lý chất rắn)8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp một số kiến thức cơ bản và nâng cao về vật lý thống kê và nhiệt động học như lý thuyết thăng giáng, lý thuyết hàm tương quan, hàm tiêu tán, thuyết Langevin ...., và các ứng dụng của nó trong khảo sát các hiện tượng như chuyển động Brownian, khuếch tán, dao động điều hòa tắt dần, chuyển pha, tới hạn, hấp phụ ... . Sử dụng phương pháp MC để nghiên cứu một số mẫu như Ising, protein...9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.

10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.30)-T(TL:0.70) Điểm quá trình: trọng số 0.30

- Bài tập làm đầy đủ Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.70

11. Tài liệu học tập:Tập bài giảng do giáo viên giảng dạy cung cấpSách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.

12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LÝ THỐNG KÊ ỨNG DỤNG Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Thanh HảiMỞ ĐẦU (0,5)

1. Mục đích môn học2. Nội dung môn học

CHƯƠNG 1: MỘT SỐ KIẾN THỨC CƠ BẢN CUA VẬT LÝ THỐNG KÊ VA NĐLH

(LT 9,5; BT 7 )1.1 Các nguyên lý cơ bản của cơ học thống kê và nhiệt động lực học

1.1.1 Nhiệt động lực học1.1.2 Cơ học thống kê

1.2 Cơ học thống kê cổ điển 1.2.1 Hệ ở nhiệt độ không đổi – Phân bố chính tắc ( NVT)1.2.3 Các phân bố khác1.2.4 Sự hấp phụ Langmuir

1.3 Các thăng giáng và năng lượng tự do Landau 1.4 Năng lượng tự do và hiện tượng chuyển pha

1.4.1 Chuyển pha loại 11.4.2 Sự cùng tồn tại hai pha

1.5 Lý thuyết nhiễu loạn 1.6 Phương trình Van der waals 1.7 Lý thuyết trường trung bình1.8 Lý thuyết Landau1.9 Cơ sở phân tử của nhiệt động lực học

CHƯƠNG 2: THĂNG GIÁNG VA CÁC ĐẶC TRƯNG TUYẾN TÍNH (LT12 ; BT 8) 2.1 Chuyển đông Brownian : Bước ngẫu nhiên (1D) 2.2 Khảo sát hiện tượng khuếch tán2.3 Hàm tương quan vận tốc 2.4 Lý thuyết Lagevin2.5 Khai triển Fourier cho các thăng giáng 2.6 Dao động tử điều hòa tắt dần 2.7 Hệ thức Kramers- Kronig 2.8 Các tính chất cơ bản của các hàm đặc trưng 2.9 Hàm tiêu tán

CHƯƠNG 3: SƯ CHUYÊN PHA VA HIỆN TƯỢNG TƠI HAN (LT 8; BT 0)3.1 Mẫu Ising 3.2 Lý thuyết Landau 3.3 Hiện tượng tới hạn và thang đo 3.4 Các thăng giáng tới hạn 3.5 Không gian thực tái chuẩn hóa3.6 Sự đổ vỡ của lý thuyết trường trung bình3.7 Thang đo kích thước hữu hạn

CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG MONTE CARLO VA SƯ CÂN BẰNG HOA HỌC (TH 15)4.1. Giới thiệu chung về phương pháp mô phỏng MC

4.2 Phép lấy mẫu có trọng tâm 4.3 Thuật toán Metropolis 4.4 Điều kiện biên tuần hoàn 4.5 Phép lấy mẫu umbrella 4.6 Cân bằng hóa học

4.6.1 Các cơ sở nhiệt động lực học4.6.2 Điều kiện cân bằng hóa học, thế hóa học và hằng số cân bằng4.6.3 Sự liên kết của gen điều chỉnh protein

13. Tài liệu tham khảo:1. Daan Frenkel and Fred MacKintosh Lecture note on Basics and and applied statistical

physics, (Amsterdam University and Vrije University, Netherland, 2008) 2. Đỗ trần Cát, Vật lý thống kê, NXB Khoa học kỹ thuật, 20003. D. Chandler, Introduction to Modern Statistical Mechanics (Oxford University

Press, New York, 1987).4. J.-L. Barrat and J.-P. Hansen, Basic Concepts for Simple and Complex Liquids (Cambridge

U.P., Cambridge, 2003).5. P.M. Chaikin and T.C.Lubensky, Principles of Condensed Matter Physics (Cambridge

U.P., Cambridge, 2000).

IMS6040 Vật lý chất rắn nâng cao1. Tên học phần: VẬT LÝ CHẤT RẮN NÂNG CAO2. Mã số: IMS6040 3. Khối lượng: 3 (2-2-0-6))

Lý thuyết: 30 tiết Bài tập: 30 tiết

4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào học kỳ II5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật vật liệu 6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được khái niệm nâng cao trong vật lý chất rắn, phát triển tư duy trực quan thông qua các mô phỏng phần mềm tương tác, khuyến khích học viên theo đuổi các hướng nghiên cứu hiện đại thuộc lĩnh vực vật lý chất rắn.8. Nội dung tóm tắt học phần: Học phần này hướng dẫn các khái niệm cơ bản của vật lý chất rắn theo trình tự: Cấu trúc của các chất rắn, hiện tượng tán xạ của các hạt, cấu trúc vùng điện tử của các chất rắn và chuyển động của điện tử vùng dưới tác dụng của điện trường và từ trường ngoài. Người học được giới thiệu các khái niệm vật lý với mức độ khó hơn sau khi đã nắm được các ý tưởng căn bản thông qua các mô hình và ví dụ đơn giản. Học phần cung đưa ra bức tranh tổng thể về các lĩnh vực nghiên cứu hiện nay về vật lý từ học, siêu dẫn và bán dẫn.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Thí nghiệm mô phỏng trên máy tính bằng phần mềm chuyên dụng.

10. Đánh giá kết quả: BT(0.3)-T(TL:0.7) Điểm quá trình: trọng số 0,3

- Dự lớp đầy đủ. - Làm và nộp bài tập đầy đủ.

Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0,711. Tài liệu học tập:

Sách giáo khoa chính: H. Ibach, H. Lüth, Solid-State Physics: An Introduction to Principles of Materials Science, Springer (2003).Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.

12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LÝ CHẤT RẮN NÂNG CAO Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Phúc Dương

MỞ ĐẦU (0,5)- Giới thiệu học phần- Tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1. LIÊN KẾT HOA HỌC TRONG CÁC CHẤT RĂN (LT 4,5; BT 5)1.1. Bảng hệ thống tuần hoàn các nguyên tố1.2. Liên kết cộng hóa trị1.3. Liên kết ion1.4. Liên kết kim loại1.5. Liên kết hydro1.6. Liên kết Van der Waals

CHƯƠNG 2. NHIỄU XA TỪ CÁC CẤU TRÚC TUẦN HOAN (LT 5; BT 5)2.1. Lý thuyết cơ bản về hiện tượng nhiễu xạ2.2. Các cấu trúc tuần hoàn và mạng đảo2.3. Các điều kiện nhiễu xạ đối với các cấu trúc tuần hoàn2.4. Vùng Brillouin2.5. Thừa số cấu trúc2.6. Các phương pháp phân tích cấu trúc

CHƯƠNG 3. ĐỘNG HỌC CÁC NGUYÊN TƯ TRONG TINH THÊ VA CÁC TÍNH CHẤT NHIỆT CUA CHẤT RĂN (LT 5; BT 5)

3.1. Thế năng mạng tinh thể3.2. Phương trình chuyển động3.3. Chuỗi tinh thể hai nguyên tử3.4. Mật độ trạng thái3.5. Năng lượng nhiệt của một dao động tử điều hòa3.6. Nhiệt dung riêng3.7. Sự giãn nở nhiệt3.8. Sự dẫn nhiệt bởi các phonon

CHƯƠNG 4. CẤU TRÚC VÙNG ĐIỆN TƯ CUA CÁC CHẤT RĂN (LT 6; BT 5)4.1. Các tính chất đối xứng của tinh thể4.2. Gần đúng điện tử gần tự do4.3. Gần đúng liên kết chặt4.4. Các ví dụ về cấu trúc vùng4.5. Mật độ trạng thái

CHƯƠNG 5. CHUYÊN ĐỘNG CUA ĐIỆN TƯ VA CÁC HIỆN TƯỢNG DẪN(LT 5; BT 5)5.1. Chuyển động của điện tử trong các vùng và khái niệm khối lượng hiệu dụng5.2. Dòng điện trong các vùng và khái niệm lỗ trống5.3. Phương trình Boltzmann và thời gian hồi phục

5.4. Tán xạ của điện tử trong các vùng5.5. Độ dẫn điện của các kim loại5.6. Dao động điều hòa lượng tử và hình thái bề mặt Fermi5.7. Hiệu ứng Hall lượng tử

CHƯƠNG 6. CÁC CẤU TRÚC NANOMET (LT 5; BT 5)6.1. Cấu trúc điện tử của các hệ 1 chiều6.2. Sự dẫn điện trong các hệ 1 chiều6.3. Cấu trúc điện tử của các hệ 0 chiều6.4. Sự dẫn điện trong các hệ 0 chiều6.5. Các tính chất dao động và các tính chất nhiệt của các cấu trúc nanomet

13. Tài liệu tham khảo:1. C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 8th edition, Willey (2005)2. N.W. Aschroft, N.D. Mermin, Solid State Physics, Saunders Company (1976)

IMS6050 Vật lý Sinh học và Vật chất Cô đặc thể mềm1. Tên học phần: VẬT LÝ SINH HOC VÀ CÁC HỆ CÔ ĐẶC THỂ MỀM2. Mã số: IMS60503. Khối lượng: 3(2-2-0-6)

Lý thuyết: 30 tiết Bài tập: 15 tiết Bài tập dài: 15 tiết

4. Học phần: Bắt buộc, học vào kỳ 25. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên hiểu được các khái niệm cơ bản về các hiện tượng tự nhiên trong các hệ cô đặc thể mềm, vận dụng được kiến thức, mô hình vật lý để giải thích các hiện tượng trong hệ cô đặc thể mềm đặc biệt là các hiện tượng khuếch tán, tương tác sinh học giữa protein, ADN và các thực thể sinh học khác trong dung dịch và trên bề mặt ở kích thước nano.8. Nội dung tóm tắt học phần: Kiến thức cơ bản về giải phẫu học tế bào, các hệ siêu phân tử, enzim, DNA, cách sắp xếp của sự sống, quan sát sự vân động của các hệ siêu phân tử, lý thuyết vật lý (khuếch tán, ma sát, đàn hồi…), hóa học (động hóa, hóa bề mặt…), các mô hình của Enstein, Brown, Hodgkin–Huxley, các phân bố toán học (rời rạc, liên tục)… áp dụng để mô tả và nghiên cứu các hệ sinh học và hệ cô đặc thể mềm nói chung.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Thực hành theo các bài thí nghiệm về vi điện tử và bán dẫn tại phòng sạch của Viện

ITIMS.10. Đánh giá kết quả:

Điểm quá trình: trọng số 0.30- Bài tập làm đầy đủ - Hoàn thành bài tập lớn- Kiểm tra giữa kỳ

Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.7011. Tài liệu học tập: xem mục 13

Tài liệu chính: 1Tài liệu tham khảo: còn lại

12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LÝ SINH HOC VÀ VẬT CHẤT CÔ ĐẶC THỂ MỀM Biên soạn: TS. Mai Anh Tuấn

MỞ ĐẦU (0.5)- Giới thiệu học phần- Tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1: CÁC GIẢ THUYẾT, MÔ HÌNH (LT 4,5; BT 5) 1.1 Người xưa biết gì

1.1.2 Cách sắp đặt của sự sống 1.1.3 Cách nhìn trên quan điểm thương mại, triết lý, thực tế1.1.4 Tìm hiểu các định luật vật lý trong việc giải các bài toán sinh học1.1.5 Một số ý tưởng chính của Vật lý và Hóa học trong sinh họcBài tập – Giải bài tập

1.2 Cấu trúc nội tế bào 1.2.1 Sinh lý học Tế bào1.2.2 Các thành phần của phân tử 1.2.3 Rút ngắn khoảng cách: Thiết bị phân tử Bài tập – Giải bài tập

CHƯƠNG 2: CÁC HIỆN TƯỢNG VẬT LÝ TRONG HỆ SINH HỌC (LT 15; BT 15)2.1 Vu khúc phân tử

2.1.1 Các sự kiện tự nhiên của cuộc sống 2.1.2 Giải mã định luật khí lý tưởng 2.1.3 Bài học từ sự di truyền Bài tập – Giải bài tập

2.2 Chuyển động ngẫu nhiên, ma sát và khuếch tán 2.2.1 Chuyển động Brownian2.2.2 Vai trò của các mô hình của Einstein2.2.3 Các chuyển động ngẫu nhiên khác 2.2.4 Tìm hiểu thêm về thuyết khuếch tán 2.2.5 Các hàm, đạo hàm trong bài toán về khuếch tán trong sinh học2.2.6 Các ứng dụng của khuếch tán sinh họcBài tập – Giải bài tập

2.3 Sự sống trong hệ có số Reynolds nhỏ 3.1. Mat sát trong hệ truyền chất 3.2 Số Reynolds 3.3 Các ứng dụng sinh học của hệ có số R nhỏ3.4 Đặc điểm của các định luật vật lý

Bài tập – Giải bài tập2.4 Entropy, Nhiệt độ và Năng lượng tự do

2.4.1. Phương pháp xác định mức độ mất trật tự2.4.2 Entropy2.4.3 Nhiệt độ 2.4.4 Định luật thứ hai của nhiệt động học2.4.5 Hệ mở2.4.6 Hệ vi mô2.4.7 “RNA cuộn như một hệ hai trạng thái”Bài tập – Giải bài tập

2.5 Lực Entropy 2.5.1 Lực Enropy trên quan điểm của hệ vi mô 2.5.2 Áp suất thấm lọc2.5.3 Quá cân bằng: dòng thấm lọc2.5.4 Tương tác đẩy2.5.5 Tính chất đặc biệt của nướcBài tập – Giải bài tập

2.6 Lực hóa học và quá trình tự gắn kết 2.6.1 Thế hóa học2.6.2 Phản ứng hóa học2.6.3 Phân ly2.6.4 Quá trình tự gắn kết của các phân tử lưỡng tính2.6.5 Các mô hình xử lý số liệu2.6.6 Quá trình tự gắn kết trong tế bàoBài tập – Giải bài tập

CHƯƠNG 3: VẬT CHẤT CÔ ĐẶC THÊ MỀM TIÊU BIÊU (LT 10; BT 10)3.1 Đàn hồi và động học của nấm sợi nang và mạng lưới của chúng

3.1.1 Tính chất của nấm đơn sợi3.1.2 Dung dịch của chất cao phân tử bán linh động3.1.3 Đàn hồi mạng lưới 3.1.4 Hồi đáp phi tuyến

3.2 Xoắn và kéo dãn DNA: tìm hiểu về đơn phân tử 3.2.1 Các phương pháp thí nghiệm3.2.2 Kéo dãn phân tử DNA3.2.3 Chuỗi DNA dạng xoắn3.2.4 Tương tác 5 DNA-protein

3.3 Tương tác và sự điều chỉnh cấu trúc trong chuỗi DNA

3.3.1 Tương tác tĩnh điện3.3.2 Phương trình trạng thái: không có thăng giáng nhiệt

3.4 Mối quan hệ cấu trúc gen trong protein 3.4.1 Giới thiệu 3.4.2 Hàm năng lượng để nhận biết quá trình cuộn3.4.3 Khả năng tiến hóa của protein3.4.4 Tổng kết

13. Tài liệu tham khảo1. Philips Nelson, Biological Physics: Energy, Information, Life, W. H. Freeman; updated 1st

edition (2008), ISBN-10: 0716798972.2. W C K Poon and D Andelman, Soft Condensed Matter Physics in Molecular and Cell

Biology, CRC Press Taylor & Francis Group, 2006. ISBN-10: 0-7503-1023-5.

IMS6060 Cấu trúc điện tử và liên kết trong phân tử và vật rắn 2(2-0-0-4)1. Tên học phần: CẤU TRÚC ĐIỆN TỬ VÀ LIÊN KẾT TRONG PHÂN TỬ VÀ VẬT RẮN2. Mã số: IMS60603. Khối lượng: 2(2-0-0-4)

Lý thuyết: 30 tiết4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào học kỳ 15. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật vật liệu 6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần người học nắm vững kiến thức về cấu trúc điện tử của các loại vật liệu trải rộng từ các phân tử đến các chất rắn. Người học nắm được xu hướng hình thành cấu trúc điện tử của các phân tử, các chuỗi phân tử, các tinh thể đơn nguyên tố và hợp kim thông qua việc giải hệ phương trình trường kỳ kết hợp áp dụng các phương pháp gần đúng; nhận biết cấu trúc tinh thể, các tính chất cơ, điện, từ, quang dựa trên các cấu trúc điện tử của một số phân tử và hợp chất điển hình.8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp kiến thức về phương trình Schroedinger, tính chất cơ lượng tử của electron, vai trò của liên kết hóa học trong việc xác lập nên các đặc tính dẫn điện, các tính chất quang, tính chất từ cung như các xu hướng liên kết và hình thành cấu trúc của các tinh thể rắn. 9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.

10. Đánh giá kết quả: BT(0,3)-T(TL:0,7) Điểm quá trình: trọng số 0,3

- Trình bày kiến thức tại Seminar và dự lớp đầy đủ Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0,7

11. Tài liệu học tập: xem mục 13Tài liệu chính: 1; 2; 3Tài liệu tham khảo: còn lại

12. Nội dung chi tiết học phần:

CẤU TRÚC ĐIỆN TỬ VÀ LIÊN KẾT TRONG PHÂN TỬ VÀ VẬT RẮN Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Phúc DươngMỞ ĐẦU (0,5)

- Giới thiệu học phần- Tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1. CƠ HỌC LƯỢNG TƯ VA LIÊN KẾT HOA HỌC (LT 3,5)

1.1 Mở đầu1.2 Orbital nguyên tử1.3 Khí electron tự do

CHƯƠNG 2. LIÊN KẾT VA CẤU TRÚC CUA PHÂN TƯ (LT 8)2.1 Phân tử lưỡng nguyên tử hóa trị s2.2 Liên kết , , 2.3 Phân tử lưỡng nguyên tử hóa trị sp2.4 Các orbital lai2.5 Phân tử liên hợp2.6 Phân tử 3 nguyên tử AB2

2.7 Hiệu ứng Jahn-TellerCHƯƠNG 3. LIÊN KẾT TRONG VẬT RĂN (LT 4)

3.1 Vật rắn như một phân tử lớn3.2 Dải năng lượng. Tính chất điện của vật rắn theo thuyết dải năng lượng3.3 Hiệu ứng Peierls

CHƯƠNG 4. LIÊN KẾT VA CẤU TRÚC CUA KIM LOAI HOA TRỊ s-p (LT 4)4.1 Dải năng lượng. Gần đúng electron tự do4.2 Giả thế. Kim loại đơn giản4.3 Các pha Hume-Rothery

CHƯƠNG 5. LIÊN KẾT VA CẤU TRÚC CUA KIM LOAI CHUYÊN TIẾP VA BÁN DẪN (LT 5)

5.1 Gần đúng liên kết chặt. Dải năng lượng trong kim loại chuyển tiếp5.2 Từ tính của kim loại chuyển tiếp5.3 Liên kết bão hòa trong chất bán dẫn

CHƯƠNG 6. TÍNH CHẤT CẤU TRÚC ĐIỆN TƯ CUA HỢP CHẤT (LT 5)6.1 Liên kết trong hợp chất ion6.2 Cấu trúc của một số vật rắn cộng hóa trị

13. Tài liệu tham khảo:1. D.G. Pettifor Bonding and Structure of Molecules and Solids, Clarendon Press-Oxford

(1995)2. J.K. Burdett Chemical Bonding in Solids, Oxford University Press (1995)3. W.A. Harisson Electronic Structure and the Properties of Solids, Dover Publications –

New York (1989)4. Vu Đình Cự Vật lý chất rắn, NXB Khoa học và Kĩ thuật – Hà nội (1997)5. Nguyễn Thế Khôi, Nguyên Hữu Mình Vật lý chất rắn, NXB Giáo dục – Hà nội (1992)

IMS6070 Vật lý vật liệu bán dẫn

1. Tên học phần: VẬT LÝ VẬT LIỆU BÁN DẪN 2. Mã số: IMS60703. Khối lượng: 2 (2-0-0-4)

Lý thuyết: 30 tiết4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào học kỳ 25. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành khoa học và kỹ thuật vật liệu6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được kiến thức cơ bản về vật lý bán dẫn làm cơ sở cho việc tiếp thu các học phần về vật lý linh kiện bán dẫn và vật liệu bán dẫn8. Nội dung tóm tắt học phần: Học phần này bao gồm các vấn đề về cấu trúc tinh thể và cấu trúc vùng năng lượng, nồng độ hạt dẫn cân bằng và không cân bằng, bán dẫn không đồng nhất, tính chất động và một số tính chất quang của bán dẫn.9. Nhiệm vụ của học viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.10. Đánh giá kết quả: KT (0.3)-T(TL:0.7)

Điểm quá trình: trọng số 0.3- Kiểm tra giữa kỳ

Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.711. Tài liệu học tập:

1.Phùng Hồ và Phan Quốc Phô, Vật lý bán dẫn, nhà xuất bản KH&KT, 2002.2. Angus Rockett, The materials science of semiconductor, Springer, 2008

12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LÝ VẬT LIỆU BÁN DẪNNhóm biên soạn: GS. TS. Phùng Hồ

PGS. TS. Vu Ngọc HùngMỞ ĐẦU (0,5)

- Giới thiệu học phần- Tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1: CẤU TRÚC TINH THÊ VA CẤU TRÚC NĂNG LƯỢNG CUA CHẤT BÁN DẪN (LT 5,5)

1.1. Cấu trúc tinh thể của bán dẫn 1.2. Mạng đảo và vùng Brillouin1.3. Cấu trúc năng lượng của bán dẫn1.4. Điện tử trong tinh thể bán dẫn1.5. Cấu trúc vùng năng lượng của một số bán dẫn1.6. Các trạng thái định xứ

1.7. Hiệu ứng kích thước điện tửCHƯƠNG 2: NỒNG ĐỘ HAT DẪN CÂN BẰNG (LT 6)

2.1. Mật độ trạng thái, hàm phân bố2.2. Nồng độ điện tử trong vùng dẫn, nồng độ lỗ trống trong vùng hoá trị.

Phương trình trung hoà2.3. Bán dẫn riêng2.4. Bán dẫn pha một loại tạp chất2.5. Bán dẫn pha hai loại tạp chất2.6. Bán dẫn suy biến

CHƯƠNG 3: MỘT SỐ TÍNH CHẤT ĐỘNG CUA BÁN DẪN (LT5)3.1. Thuyết điện tử kim loại3.2. Phương trình động Boltzmann3.3. Tán xạ hạt dẫn3.4. Độ dẫn điện của bán dẫn3.5. Hiệu ứng Hall trong bán dẫn một loại hạt dẫn và hai loại hạt dẫn3.6. Một số tính chất động của bán dẫn trong điện trường cao

CHƯƠNG 4: NỒNG ĐỘ HAT DẪN KHÔNG CÂN BẰNG VA BÁN DẪN KHÔNG ĐỒNG NHẤT (LT 7)

4.1. Quá trình phun hạt dẫn, hạt dẫn không cân bằng4.2. Quá trình tái hợp hạt dẫn, thời gian sống4.3. Khuếch tán hạt dẫn, hệ thức Einstein4.4. Phương trình liên tục4.5. Các hiệu ứng tiếp xúc4.6. Chuyển tiếp P-N đồng chất và dị chất4.7. Cấu trúc MOS4.8. Các cấu trúc có hiệu ứng kích thước lượng tử. Siêu mạng

CHƯƠNG 5: MỘT SỐ TÍNH CHẤT QUANG CUA BÁN DẪN (LT 6)5.1. Các đặc trưng quang5.2. Tổng quan về phổ hấp thụ của bán dẫn5.3. Hấp thụ riêng (hấp thụ cơ bản)5.4. Hấp thụ Exciton5.5. Hấp thụ do tạp chất5.6. Tái hợp bức xạ tự phát trong bán dẫn5.7. Tái hợp bức xạ cưỡng bức trong bán dẫn

13. Tài liệu tham khảo1. Seeger, Physics of Semiconductors, Springer-Verlag,1990.2. Kireev, Vật lý bán dẫn, 1970.

3. S.M. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology, John Winley, 1985.4. A Shik, Quantum Wells, World Scientific, 1997.

IMS6080 Từ học, vật liệu từ và siêu dẫn

1. Tên học phần: TỪ HOC, VẬT LIỆU TỪ VÀ SIÊU DẪN2. Mã số: IMS60803. Khối lượng: 3(2,5-1-0-6)

Lý thuyết: 37,5 tiết Câu hỏi thảo luận, bài tập, tiểu luận: 15 tiết

4. Học phần: Bắt buộc5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và kỹ thuật vật liệu (vật liệu điện tử)6. Điều kiện học phần: 7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm vững các kiến thức về các hiện tượng từ và siêu dẫn; các lý thuyết lý giải các hiện tượng từ và siêu dẫn; các loại vật liệu từ và siêu dẫn (kể cả các loại vật liêu mới) và công nghệ chế tạo các loại vật liệu trên.8. Nội dung tóm tắt học phần:

- Các loại vật liệu từ, các tính chất cơ bản của chúng và các lý thuyết giải thích trật tự từ trong vật liệu

- Các hiện tượng từ quan trọng xảy ra trong vật liệu từ (cấu trúc đômen, quá trình từ hóa, hiện tượng từ giảo, từ trễ)

- Các vật liệu từ ứng dụng trong kỹ thuật và đời sống.- Các tính chất cơ bản của vật liệu siêu dẫn và lý thuyết giải thích hiện tượng siêu dẫn- Các vật liệu siêu dẫn nhiệt độ cao.

9. Nhiệm vụ của học viên: Dự lớp: Theo qui định của Bộ GD&ĐT và Trường ĐHBKHN. Trao đổi, thảo luận: Tích cực, chủ động ở trên lớp Chuẩn bị và báo cáo tiểu luận theo hướng dẫn của giáo viên

10. Đánh giá kết quả: Điểm trong quá trình: Trọng số 0,3 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): Trọng số 0,7

11. Tài liệu học tập:1. Thân Đức Hiền. Từ học và Vật liệu từ. Hà Nội, Nxb Bách khoa, 2008.2. Thân Đức Hiền. Nhập môn siêu dẫn. Hà Nội, Nxb Bách khoa 2008.

12. Nội dung chi tiết học phần:

TỪ HOC, VẬT LIỆU TỪ VÀ SIÊU DẪNNhóm biên soạn: GS.TSKH. Thân Đức Hiền

TS. Nguyễn Khắc MẫnMỞ ĐẦU (1)

- Giới thiệu học phần

- Tài liệu tham khảoCHƯƠNG 1: TỪ HỌC (LT 14; BT 5)

1.1 Một số khái niệm về từ học và ứng dụng vật liệu từ 1.1.1 Nguồn gốc từ trường của vật chất1.1.2 Phân loại các loại vật liệu từ1.1.3 Vai trò của vật liệu từ trong công nghiệp và đời sống

1.2 Nghịch từ 1.2.1 Nghịch từ của vành đai điện tử1.2.2 Nghịch từ của các chất1.2.3 Siêu dẫn – chất nghịch từ lý tưởng

1.3 Thuận từ 1.3.1 Lý thuyết cổ điển và lượng tử giải thích hiện tượng thuận từ1.3.2 Định luật Curie, Curie-Weiss về thuận từ1.3.3 Thuận từ của các nguyên tố nhóm 3d và 4f1.3.4 Tạo nhiệt độ thấp bằng phương pháp khử từ đoạn nhiệt các muối thuận từ

1.4 Sắt từ 1.4.1 Các tính chất từ của chất sắt từ1.4.2 Lý thuyết trường phân tử giải thích hiện tượng sắt từ1.4.3 Lý thuyết lượng tử giải thích hiện tượng sắt từ1.4.4 Lý thuyết vùng giải thích hiện tượng sắt từ

1.5 Phản sắt từ 1.5.1 Các chất phản sắt từ1.5.2 Tương tác trao đổi gián tiếp trong chất phản sắt từ1.5.3 Lý thuyết trường phân tử giải thích tính chất phản sắt từ

1.6 Pheri từ 1.6.1 Các loại pherit thông dụng1.6.2 Lý thuyết trường phân tử giải thích trật tự từ của các pherit1.6.3 Tính chất từ của pherit ở nhiệt độ trên TC

1.7 Dị hướng từ và từ giảo 1.7.1 Hiện tượng dị hướng từ tinh thể và bản chất của hiện tượng1.7.2 Dị hướng từ do hình dạng và trường khử từ1.7.3 Dị hướng từ do ứng suất1.7.4 Hiện tượng từ giảo và giải thích hiện tượng

1.8 Cấu trúc đômen trong sắt từ 1.8.1 Nguyên nhân tạo thành các đômen từ1.8.2 Vách Block và vách Neél1.8.3 Đơn đômen từ

1.8.4 Siêu thuận từ1.9 Quá trình từ hóa và từ trễ

1.9.1 Các quá trình từ hóa1.9.2 Bước nhảy Barkhausen và hiệu ứng Hopkinson1.9.3 Hiện tượng từ trễ và nguyên nhân gây nên trễ từ

CHƯƠNG 2: CÁC VẬT LIỆU TỪ ỨNG DỤNG TRONG KỸ THUẬT VA ĐƠI SỐNG (LT 12; BT 5)

2.1 Vật liệu từ mềm 2.1.1 Yêu cầu đối với vật liệu từ mềm2.1.2 Các loại vật liệu từ mềm

2.2 Loại vật liệu ghi từ 2.2.1 Yêu cầu đối với vật liệu ghi từ, đọc từ2.2.2 Các loại vật liệu ghi từ, đọc từ

2.3 Vật liệu từ cứng 2.3.1 Các loại vật liệu từ cứng2.3.2 Yêu cầu đối với vật liệu từ cứng2.3.3 Một số công nghệ chế tạo vật liệu từ

CHƯƠNG 3: SIÊU DẪN (LT 10; BT 5)3.1 Hiện tượng siêu dẫn và lịch sử phát triển 3.2 Các vật liệu siêu dẫn 3.3 Các tính chất của chất siêu dẫn loại I

3.3.1 Điện trở không3.3.2 Hiện tượng Meissner3.3.3 Lý thuyết London về siêu dẫn

3.4 Các tính chất của chất siêu dẫn loại II 3.4.1 Trạng thái trung gian (Ginsburg-Landau)3.4.2 Từ trường tới hạn HC1 và HC2

3.4.3 Dòng tới hạn JC

3.5 Lý thuyết vi mô giải thích hiện tượng siêu dẫn 3.5.1 Tương tác điện tử - Phonon3.5.2 Khe năng lượng3.5.3 Lý thuyết Bardeen-Cooper-Schrieffer

3.6 Hiện tượng xuyên ngầm trong chất siêu dẫn 3.6.1 Xuyên ngầm kim loại – siêu dẫn3.6.2 Xuyên ngầm siêu dẫn – siêu dẫn3.6.3 Hiện tượng Josephson dừng và không dừng3.6.4 Giao thoa lượng tử siêu dẫn

3.7 Vật liệu siêu dẫn nhiệt độ cao 3.7.1 Các chất siêu dẫn nhiệt độ cao: LSCO, YBCO, BSCCO3.7.2 Các chất siêu dẫn nhiệt độ cao khác: MgB2, chất siêu dẫn chứa Fe3.7.3 Công nghệ chế tạo siêu dẫn nhiệt độ cao dạng khối và màng mỏng

3.8 Ứng dụng của chất siêu dẫn 3.8.1 Trong công nghiệp điện3.8.2 Trong công nghiệp điện tử3.8.3 Trong lĩnh vực y sinh

13. Tài liệu tham khảo:1. B. D. Cullity, Introduction to Magnetic Materials, Addison-Wesley Publishing Comp.,

1972. B. D. Cullity, C. D. Graham, Introduction to Magnetic Materials, A John Wiley & Sons, Inc., Publication, 2009

2. A. C. Rose-Innes and E. H. Rhoderick, Introduction to Superconductivity, Pergamon Press, 1994

3. Charles P. Poole, J. R. Handbook of Superconductivity, Academic Press, 2000.4. J. Robert Schieffer (Ed.), James S. Brooks, Handbook of High- Temperature

Superconductivity, theory and experiment, Springer, 2007.5. B. D. Cullity, Introduction to Magnetic Materials, Addison-Wesley Publishing Comp.,

1972.6. Các tài liệu trên mạng

IMS6090 Công nghệ vi hệ thống

1. Tên học phần: CÔNG NGHỆ VI HỆ THỐNG 2. Mã số: IMS60903. Khối lượng: 2 (2-0-0-4)

Lý thuyết: 30 tiết4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào học kỳ 25. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành: khoa học và kỹ thuật vật liệu; Vi hệ thống và công nghệ nano; Cơ điện tử6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được các kiến thức cơ bản về các kỹ thuật cơ bản sử dụng trong chế tạo linh kiện MEMS và NEMS. Học viên có thể nắm được quy trình công nghệ từ khâu chế tạo chip linh kiện đến khâu đóng gói và kiểm tra đánh giá linh kiện.8. Nội dung tóm tắt học phần: Học phần này bao gồm các vấn đề về các kỹ thuật cơ bản của công nghệ vi hệ thống, phân loại công nghệ vi hệ thống, vật liệu cho công nghệ vi hệ thống, đóng gói linh kiện và độ tin cậy linh kiện.9. Nhiệm vụ của học viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.10. Đánh giá kết quả: KT (0.3)-T(TL:0.7)

Điểm quá trình: trọng số 0.3- Kiểm tra giữa kỳ

Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.711. Tài liệu học tập:

Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.12. Nội dung chi tiết học phần:

CÔNG NGHỆ VI HỆ THỐNG Người biên soạn: PGS. TS. Vũ Ngọc Hùng

MỞ ĐẦU (1)1. Lịch sử phát triển công nghệ vi hệ thống2. Hiện tại và tương lai của công nghệ vi hệ thống3. Các thách thức4. Mục đích và nội dung môn học

CHƯƠNG 1 CÁC KỸ THUẬT CƠ BẢN CUA CÔNG NGHỆ VI HỆ THỐNG (LT 11)1.1 Kỹ thuật quang khắc

1.1.1 Các bước thực hiện quang khắc1.1.2 Độ nhạy và độ phân giải 1.1.3 Phân loại chất cảm quang

1.1.4 Quang khắc tia X và quang khắc chùm điện tử1.2 Kỹ thuật ăn mòn ướt

1.2.1 Ăn mòn ướt đẳng hướng1.2.2 Ăn mòn ướt dị hướng1.2.3 Ăn mòn dừng

1.3 Kỹ thuật ăn mòn khô1.3.1 Ăn mòn khô vật lý1.3.2 Ăn mòn khô hoá học1.3.3 Ăn mòn khô hoá- lý

1.4 Các phương pháp chế tạo màng mỏng1.4.1 Phương pháp lắng đọng vật lý (PVD)1.4.2 Phương pháp lắng đọng hoá học (CVD)1.4.3 Phương pháp điện hoá

1.5 Phương pháp khuếch tán1.6 Phương pháp ôxy hóa

1.6.1 Phương pháp ôxy hóa khô1.6.2 Phương pháp ôxy hóa ẩm

1.7 Phương pháp đánh bóng cơ-hóa (CMP)1.8 Kỹ thuật gắn kết phiến (bonding)

1.8.1 Kỹ thuật gắn kết tĩnh điện (anodic bonding)1.8.2 Kỹ thuật gắn kết nóng chảy (fusion bonding)

CHƯƠNG 2 PHÂN LOAI CÔNG NGHỆ VI HỆ THỐNG (LT 2)2.1 Công nghệ vi cơ khối

2.1.1 Các quá trình kỹ thuật trong công nghệ vi cơ khối 2.1.2 Quy trình công nghệ SCREAM2.1.3 Quy trình công nghệ PennSOIL

2.2 Công nghệ vi cơ bề mặt2.2.1 Các quá trình kỹ thuật trong công nghệ vi cơ bề mặt2.2.2 Ứng suất màng mỏng2.2.3 Hiện tượng dính màng2.2.4 Kỹ thuật chống dính2.2.5 Quy trình công nghệ SUMMiT

2.3 Công nghệ LIGA2.3.1 Phát xạ synchrotron 2.3.2 Các quá trình kỹ thuật trong công nghệ LIGA

CHƯƠNG 3 VẬT LIỆU CHO CÔNG NGHỆ VI HỆ THỐNG (LT 4)3.1 Vật liệu đế

3.1.1 Đế silíc3.1.2 Đế SOI3.1.3 Đế tinh thể thạch anh

3.2 Vật liệu màng3.2.1 Màng SiC3.6.2 Màng SiGe 3.6.3 Màng kim cương 3.6.4 Màng SU-8

CHƯƠNG 4 CÔNG NGHỆ ĐONG GOI LINH KIỆN (LT 4)4.1 Các khâu kỹ thuật trong đóng gói

4.1.1 Xử lí linh kiện sau chế tạo4.1.2 Lựa chọn/ thiết kế đóng gói4.1.3 Dán chíp 4.1.4 Hàn dây và hàn kín

4.2 Một số ví dụ đóng gói4.2.1 Đóng gói thử nghiệm nguyên mẫu4.2.1 Đóng gói vi gương số (DMD)4.2.3 Đóng gói điện- vi lưu

CHƯƠNG 5 ĐỘ TIN CẬY LINH KIỆN (LT 4)5.1 Lý thuyết về độ tin cậy5.2 Tính xác xuất và thống kê của độ tin cậy5.3 Một số mô hình độ tin cậy

5.3.1 Mô hình Weibull5.3.2 Mô hình loga thường5.3.3 Mô hình hàm mu

5.4 Các cơ chế gây hỏng linh kiện MEMS5.4.1 Gây hỏng do quá trình hoạt động5.4.2 Gây hỏng do quá trình già hóa5.4.3 Gây hỏng do môi trường

CHƯƠNG 6 VI SENSƠ VA VI CHẤP HANH MEMS (LT 4)6.1 Vi chấp hành MEMS

6.1.1 Vi chấp hành tĩnh điện6.1.2 Vi chấp hành nhiệt6.1.3 Vi chấp hành lực Lorentz

6.2 Vi sensơ MEMS6.2.1 Vi sensơ kiểu tụ6.2.2 Vi sensơ kiểu áp trở

6.3 Hiện tượng ồn của vi sensơ MEMS

13. Tài liệu tham khảo

1. Marc. J. Madou, Fundamentals of Microfabrication, Second Ed., Publisher: CRC Press, 2002, ISBN 0-8493-0826-7

2. S. Fatikow, U. Rembold, Microsystem Technology and Microrobotics, Publisher: Springer-Verlag, 1997, ISBN: 3-540-605658-0

3. Rao Tummala (Ed.), Fundamentals of Microsystems Packaging, Publisher: McGraw Hill, 2001, ISBN: 0-07-137169-9

IMS6100 Vật lý, công nghệ mạch tích hợp và cảm biến bán dẫn1. Tên học phần: VẬT LÝ, CÔNG NGHỆ MẠCH TÍCH HỢP VÀ CẢM BIẾN BÁN DẪN

2. Mã số: IMS61003. Khối lượng: 2(1-0-2-4)

Lý thuyết: 15 tiết Thực hành: 30 tiết

4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 25. Đối tượng tham dự: Học viên cao học Khoa học và kỹ thuật vật liệu6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần:

Kết thúc học phần học viên nắm được những kiến thức về vật lý, công nghệ của linh kiện, mạch tích hợp và cảm biến bán dẫn: Cấu tạo, nguyên lý hoạt động cung như quy trình công nghệ chế tạo. 8. Nội dung tóm tắt học phần:

Trình bày cho học viên các vấn đề liên quan đến vật lý và công nghệ chế tạo mạch tích hợp và cảm biến bán dẫn. Tập trung vào các loại linh kiện và cảm biến cơ bản như chuyển tiếp p-n, transistor lưỡng cực, transistor hiệu ứng trường mạch tích hợp CMOS và cảm biến kiểu ISFET, cảm biến Hall, cảm biến sinh học.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Thực hành thí nghiệm chế tạo, khao sát tính của dây nano oxit kim loại bán dẫn.

10. Đánh giá kết quả: Điểm quá trình: trọng số 0.4

- Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ: 0.3- Kiểm tra giữa kỳ: 0.1

Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.611. Tài liệu học tập: Xem mục 13

Tài liệu chính: 1, 2Tài liệu tham khảo: còn lại

12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LÝ, CÔNG NGHỆ MẠCH TÍCH HỢP VÀ CẢM BIẾN BÁN DẪN

Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Văn HiếuMỞ ĐẦU (0.5)

- Mục đích môn học- Nội dung môn học- Sách giá khoa và tại liệu tham khảo

CHƯƠNG 1: GIƠI THIỆU VỀ CÔNG NGHỆ BÁN DẪN VA MACH TÍCH HỢP (LT 1.5)

1.1. Các khái niệm cơ bản của chất bán dẫn 1.2. Lịch sử phát triển của công nghệ bán dẫn 1.3. Sự phát triển của ngành công nghiệp mạch tích hợp (IC) 1.4. Giới thiệu quy trình chế tạo mạch tích hợp (IC) 1.5. Giới thiệu về công nghệ CMOS CHƯƠNG 2: VẬT LÝ VA CÔNG NGHỆ LINH KIỆN BÁN DẪN (LT 4) 2.1. Mở đầu 2.2. Các tính chất cơ bản của vật liệu bán dẫn

2.2.1. Vật liệu bán dẫn, cấu trúc tinh thể Si2.2.2. Bán dẫn tinh khiết ở nhiệt xác định2.2.3. Vật liệu bán dẫn pha tạp2.2.4. Điện trở suất của vật liệu Si pha tạp2.2.5. Cấu trúc vúng năng lượng2.2.6. Cấu trúc vùng năng lượng của bán dẫn pha tạp2.2.7. Sự phụ thuộc của nồng độ hạt tải và nhiệt độ2.2.8. Hàm phân bố Fermi2.2.9. Định luật bảo toàn khối lượng2.2.10. Các công thức quan trọng2.2.11. Hiện tượng tái hợp

2.3. Chuyển tiếp p-n2.3.1. Giới thiệu về diode chuyển tiệp p-n2.3.2. Trạng thái cân bằng chuyển tiếp p-n2.3.3. Mô hình vùng năng lượng2.3.4. Trạng thái phấn cực thuân và phận cực ngược2.3.5. Đặc trưng V-A2.3.5. Hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp p-n

2.4. Linh kiện bán dẫn lưỡng cực 2.4.1. Giới thiệu linh kiện lưỡng cực2.4.2. Nguyên lý hoạt động và sơ đồ vùng năng lượng2.4.3. Các đăc trưng của transistor lưỡng cực

2.5. Linh kiện bán dẫn trên cơ sở hiệu ứng trường2.5.1. Giới thiệu cấu trúc MOS2.5.2. Cấu trúc MOS lý tưởng2.5.2. Các hiện tương bể mặt ở cấu trúc SiO2-Si 2.5.3. Nguyên lý hoạt động của linh kiện MOSFET2.5.4. Phân loại các loại linh kiên MOSFET2.5.5. Hiệu ứng kênh ngắn

2.5.6. Công nghệ CMOS2.5.7. Công nghệ SOI (silicon on isulator)2.5.8. Các bước công nghệ cơ bản để chế tạo mạch tích hợp2.5.9. Các bước công nghệ chế tạo CMOS

CHƯƠNG 3: CHẾ TAO BÁN DẪN – PHÒNG SACH (LT 2) 3.1.Mở đầu 3.2.Các phương pháp làm sạch

3.2.1.Phòng sạch3.2.2.Làm sạch phiến3.2.3.Loại bỏ tạp chất (Gettering)

3.3.Các phướng kiểm tra3.3.1.Kiểm tra phòng sạch3.3.2.Kiểm tra độ sạch của phiến3.3.3.Kiểm tra tạp chất của phiến

CHƯƠNG 4: CÔNG NGHỆ TRƯƠC (FRONT-END) VA CÔNG NGHỆ SAU (BACK-END) (LT 3)

4.1.Mở đầu4.2.Công nghệ trước (front-end technology)4.3.Công nghệ quang khắc tiên tiếng4.4.Xử lý nhiệt độ cao4.5.Vật liệu tiên tiếng cho cực cổng4.6.Khảo sát các linh kiện có kích thước nano4.7.Các công nghệ sau (back-end technology)4.8. Công nghệ chế tạo lớp tiếp xúc (contact)4.9.Công nghệ bề mặt (planarisation)4.10.Công nghệ dây dẫn đa lớp nhôm4.11.Công nghệ dây dẫn đa lớp đồng4.12.Công nghệ vật liệu có hệ số điện môi thắp (low-k dielectric).

CHƯƠNG 5. CÁC LOAI CẢM BIẾN BÁN DẪN (LT 4)5.1. Giới thiệu5.2. Cảm biến nhiệt

5.2.1. Cặp nhiệt5.2.2. Cảm biến nhiệt trên cơ sở đi-ốt5.2.3. Cảm biến nhiệt trên cơ sở bóng bán dẫn5.2.4. Cảm biến nhiệt khác

5.3. Các loại cảm biến cơ5.3.1. Đầu đo biến dạng

5.3.2. Đầu đo biến dạng trên cơ sở nguyên lý áp điện5.3.3. Các bộ chuyển đổi tích hợp5.3.4. Các loại cảm biến cơ khác

5.4. Các loại cảm biến từ5.4.1. Đĩa Hall5.4.2. Cảm biến từ trở5.4.3. Transistor từ5.4.4. Cảm biến từ trường dựa trên hiệu ứng trường5.4.5. Cảm biến từ khác

5.5. Các loại cảm biến hóa học5.5.1. Cảm biến ôxit-kim loại5.5.2. Cảm biến nhạy ion hiệu ứng trường5.5.3. Cảm biến xúc tác kim loại5.5.4. Cảm biến sinh học.

13. Bài thực tập (TH 30)Bài 1: Tiến hành quy trình xử lý phiến tiêu chuẩnBài 2: Thực tập quy trình quang khắc trong công nghệ chế tạo vi điện tửBài 3. Thực tập ăn mòn hóa học lớp SiO2

14. Tài liệu tham khảo1. James, D. Plummer, Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice and Modeling,

Prentice Hall Inc., 2000. 2. S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, John Wiley & Sonic Inc. ,

19853. Nguyễn Đức Chiến và Nguyễn Văn Hiếu, Công nghệ chế tạo mạch vi điện tử, H: 2007

IMS6110 Vật liệu và linh kiện quang điện tử1. Tên học phần: Vật liệu và linh kiện quang điện tử

2. Mã số: IMS61103. Khối lượng: 2 (1,5-1-0-4)

Lý thuyết: 22,5 tiết Bài tập: 15 tiết

4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 25. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học vật liệu, 6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm vững các kiến thức cơ sở về vật liệu quang điện tử như: các khái niệm cơ bản, các phương pháp chế tạo, các phương pháp phân tích tính chất của vật liệu và ứng dụng. Các cấu trúc cơ bản và ứng dụng của một số linh kiện quang điện tử.8. Nội dung tóm tắt học phần: Học phần này trình bày các kiến thức cơ sở về vật liệu quang điện tử và linh kiện quang điện tử bao gồm các loại vật liệu quang-bán dẫn, vật liệu thủy tinh có pha tạp các nguyên tố đất hiếm (rare earth), các tính chất quang, tính chất nhiệt, tính chất điện của các vật liệu này. Cơ chế hoạt động của một số linh kiện quang điện tử, phương pháp chế tạo và ứng dụng.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.

10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.3)-T(TL:0.7) Điểm quá trình: trọng số 0.30

- Bài tập làm đầy đủ: - Hoàn thành bài tập lớn

Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.7011. Tài liệu học tập:12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ Người biên soạn: TS. Trần Ngọc Khiêm

MỞ ĐẦU (0,5)- Mục đích môn học- Nội dung môn học- Sách giáo khoa và tài liệu tham khảo

PHẦN I: VẬT LIỆU QUANG ĐIỆN TƯCHƯƠNG 1: TÍNH CHẤT QUANG CUA VẬT LIỆU BÁN DẪN VA CÁC PHƯƠNG PHÁP CHẾ TAO (LT 8,5; BT 5)

1.1 Giới thiệu 1.2 Các phương trình Maxwell 1.3 Điện tử trong trường điện từ 1.4 Sự chuyển mức vùng vùng 1.4.1 Sự chuyển mức vùng-vùng trong vật liệu bán dẫn khối1.4.2 Sự chuyển mức vùng - vùng trong các giếng lượng tử1.4.3 Sự chuyển mức vùng – vùng một cách gián tiếp1.5. Sự dịch chuyển trong nội vùng

1.5.1 Sự chuyển mức nội vùng trong vật liệu bán dẫn khối1.5.2 Sự chuyển mức vùng vùng trong các giếng lượng tử1.5.3 Sự chuyển mức nội vùng trong các chấm lượng tử

1.6 Sự phun hạt tải và tái hợp bức xạ 1.6.1 Phát xạ tự phát1.6.2 Gain trong vật liệu bán dẫn

1.7 Sự tái hợp không bức xạ 1.7.1 Sự phun hạt tải- những hiệu ứng không phát xạ1.7.2 Tái hợp không bức xạ: Quá trình Auger

1.8 Các phương pháp chế tạo vật liệu 1.8.1 Các phương pháp chế tạo một số vật liệu bán dẫn khối1.8.2 Phương pháp chế tạo một số vật liệu bán dẫn có cấu trúc nanô

CHƯƠNG 2: VẬT LIỆU CO CẤU TRÚC VÔ ĐỊNH HÌNH (LT 7)2.1 Giới thiệu chung 2.2 Một số khái niệm 2.3 Quá trình chế tạo sợi quang

2.3.1 Các sợi truyền dẫn quang truyền thống2.3.2 Các loại sợi quang có pha tạp đất hiếm2.3.3 Tương tác giữa tín hiệu và nguồn bơm

2.4 Các ion đất hiếm 2.4.1 Đặc điểm nguyên tử đất hiếm2.4.2 Phổ quang học của các ion đất hiếm2.4.3 Các tính chất cơ bản

2.5 Khuếch đại quang sợi 2.5.1 Hệ khuếch đại hai mức năng lượng2.5.2 Hệ khuếch đại 3 mức năng lương

2.6 Các quá trình chế tạo 2.6.1 Các quá trình chế tạo truyền thống2.6.2 Chế tạo bằng phương pháp sol-gel

PHẦN II: LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TƯCHƯƠNG 3: CÁC LOAI LASE BÁN DẪN, ĐẦU DÒ QUANG HỌC VA DIODE PHÁT QUANG (LT 3,5; BT 5)

3.1 Các laser diode bán dẫn 3.1.1 Hoạt động của các laser bán dẫn và diode laser bán dẫn3.1.2 Các loại laser bán dẫn3.1.3 Vai trò của các laser bán dẫn trong các modern của hệ thống thông tin quang sợi.

3.2 Các loại đầu dò quang học (photodetectors) 3.2.1 Sự hoạt động của một số loại đầu dò quang học3.2.2 Quá trình chế tạo các đầu dò quang học và ứng dụng

3.3 Các diode phát quang 3.3.1 Hoạt động của các diode phát quang3.3.2 Cấu trúc và ứng dụng của các diode phát quang.

CHƯƠNG 4: CÁC MODUL QUANG ĐIỆN TƯ VA LINH KIỆN DẪN SONG PHẲNG(LT 3,5; BT 5)

3.4 Các modul quang điện tử 3.4.1 Hoạt động của các modul quang điện tử3.4.2 Cấu trúc và ứng dụng của các modul quang điện tử

3.5 Linh kiện khuếch đại và dẫn sóng phẳng 3.5.1 Các phương pháp chế tạo3.5.2 Các tính chất của linh kiên dẫn sóng phẳng3.5.3 Các phương pháp kết nối vào ra.

13. Tài liệu tham khảo1. Jacques I. Pankove “Optical proceses in semiconductor”, Dover publications Inc, 1971. 2. Jai Singh, “Optical properties of condensed matter and application”, Joln Wiley and sons

LTd ,2006.3. Jasprit Singh, “electronic and optoelectronic properties of semiconductor structures”,

Cambridge University press, 2003.4. P.C. Becker, N.A. Olsson, J.R. Simpson, “Erbium-doped fiber amplifiers: Fundamentals

and technology”, Academic press, 1999.

IMS6120 Vật liệu có cấu trúc nano1. Tên học phần: VẬT LIỆU CÓ CẤU TRÚC NANO

2. Mã số: IMS61123. Khối lượng: 2(2-0-0-4)

Lý thuyết: 30 tiết4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 25. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và công nghệ vật liệu6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được các kiến thức cơ bản về các loại vật liệu nano; những công nghệ chế tạo, xử lý, gia công tiêu biểu; bản chất vật lý; cách thức thao tác, quan sát và phân tích; những ứng dụng tiêu biểu của các vật liệu nano8. Nội dung tóm tắt học phần:

Cung cấp kiến thức cơ sở về khoa học, công nghệ và ứng dụng các vật liệu có cấu trúc nano cho học viên chuyên ngành Khoa học và công nghệ vật liệu, bao gồm:

- Giới thiệu tổng quan về các vật liệu có cấu trúc nano- Vật liệu bán dẫn có cấu trúc nano- Vật liệu quang tử và quang điện tử có cấu trúc nano- Vật liệu từ có cấu trúc nano- Các vật liệu nano khác và các vấn đề liên quan

9. Nhiệm vụ của sinh viên: Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Thí nghiệm: Thực hành trên các thiết bị chuyên dụng khảo sát các vật liệu nano.

10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.40)-T(TL:0.60) Điểm quá trình: trọng số 0.40

- Bài tập làm đầy đủ Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.60

11. Tài liệu học tập:12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LIỆU CÓ CẤU TRÚC NANONhóm biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn

PGS. TS. Nguyễn Văn HiếuPGS. TS. Phạm Thành Huy

GIƠI THIỆU TỔNG QUAN (Nguyễn Anh Tuấn) (4)1. Mở đầu: Mục đích môn học, Nội dung môn học, Sách GK và tài liệu tham khảo 2. Tóm lược lịch sử về KH&CN nano, tình hình phát triển và triển vọng 3. Phân loại, giới thiệu chung về cách thức chế tạo và nghiên cứu các vật liệu nano4. Những đặc trưng, tính chất chung phụ thuộc kích thước 5. Hành vi khối của vật liệu cấu trúc nano

CHƯƠNG 1: VẬT LIỆU BÁN DẪN CẤU TRÚC NANO (Nguyễn Văn Hiếu) (LT 7)1.1. Giới thiệu về linh kiện bán dẫn có cấu trúc nano 1.2. Hạt nanô bán dẫn: Tính chất, tổng hợp và ứng dụng

1.3. Dây nanô bán dẫn: Tính chất, tổng hợp và ứng dụng 1.4. Màng mỏng nanô 1.5. Các phương pháp vật lý chế tạo cấu trúc nanô

CHƯƠNG 2: VẬT LIỆU QUANG TƯ VA QUANG ĐIỆN TƯ CẤU TRÚC NANO(Phạm Thành Huy) (LT 5)

2.1. Các chấm lượng tử bán dẫn 2.2. Nano silic

2.3. Các cấu trúc nano ZnS và ZnO CHƯƠNG 3: VẬT LIỆU TỪ CẤU TRÚC NANO (Nguyễn Anh Tuấn) (LT 7)

3.1. Tính chất từ ở thang nano 3.2. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano 3.3. Màng mỏng từ cấu trúc nano 3.4. Dây từ và ống từ nano 3.5. Hạt từ nano, dot từ và các chùm nano từ 3.6. Phân tử và nguyên tử từ cô lập 3.7. Các kỹ thuật hiện đại quan sát và phân tích các đặc trưng từ nano

CHƯƠNG 4: CÁC VẬT LIỆU NANO KHÁC VA CÁC VẤN ĐỀ LIÊN QUAN (LT 7)4.1. Các vật liệu nano carbon (Phạm Thành Huy)4.2. Các vật liệu nano chức năng đặc biệt khác (Nguyễn Văn Hiếu)4.3. Hoá học nano (Nguyễn Văn Hiếu)4.4. Các cấu trúc nano trong tự nhiên (Nguyễn Anh Tuấn) 4.5. Điện tử học phân tử, nguyên tử và thông tin lượng tử (Nguyễn Anh Tuấn)4.6. Giới thiệu các kỹ thuật thao tác và lắp ráp nano (Nguyễn Anh Tuấn)4.7. Khía cạnh an toàn và Những thách thức của vật liệu nano (Nguyễn Văn Hiếu)

13. Tài liệu tham khảo:1. Hari Singh Nalwa, Nanostructured Materials and Nanotechnology, Academic Press, US,

2002.2. Harry L. Tuller, Nanostructured Materials: Selected synthesis methods, Properties and

applications, Kluwer Academice, US, 2004.3. H. Nejo, Nanostructured Fabrication and Analysis, Spinger, 2006.4. David Sellmyer and Ralph Skomski; ADVANCED MAGNETIC NANOSTRUCTURES,

2006 Springer Science + Business Media, Inc.5. B. Akta¸s, L. Tagirov and F. Mikailov; Magnetic Nanostructures; Springer-Verlag Berlin

Heidelberg 2007.

6. C. Dupas P. Houdy M. Lahmani; Nanoscience - Nanotechnologies and Nanophysics; Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2007.

IMS6130 Tin học vật lý 1. Tên học phần: TIN HOC VẬT LÝ2. Mã số: IMS61303. Khối lượng: 2(1–0–2-0)

Lý thuyết: 15 tiết Thực nghiệm: 30 tiết

4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và kỹ thuật vật liệu; Công nghệ vi hệ thống và nanô6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm vững những nguyên lý cơ bản của kỹ thuật ghép nối máy tính để thu thập và xử lý số liệu trong các hệ thống thực nghiệm tương tự và số. Qua môn học, sinh viên sẽ có khả năng sử dụng một số thiết bị phần cứng và phát triển một số chương trình phần mềm ứng dụng đơn giản để giải quyết một số bài toán thực nghiệm liên quan. 8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp kiến thức cơ bản về kỹ thuật ghép nối máy vi tính với một hệ thống thực nghiệm vật lý có số liệu vào/ra là tương tự hay số. Các thực nghiệm phát triển một số chương trình thu thập số liệu đảm bảo chính xác và xử lý số liệu nhằm tăng tỷ số tín hiệu trên can nhiễu cung được thực hiện.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Thực nghiệm phát triển chương trình thu thập xử lý số liệu trên các máy tính, bản mạch

ghép nối, các thiết bị ngoại vi bằng ngôn ngữ C hay phần mềm Laview hoặc Matlab.10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.30)-T(TL:0.70)

Điểm quá trình: trọng số 0.30- Dự giờ học lý thuyết và thực nghiệm đầy đủ- Làm thực nghiệm đầy đủ

Thi cuối kỳ (tự luận + thực hành): trọng số 0.7011. Tài liệu học tập:

Tài liệu chính: 1Tài liệu tham khảo: còn lại

12. Nội dung chi tiết học phần:

TIN HOC VẬT LÝBiên soạn: PGS.TS. Trần Quang Vinh

MỞ ĐẦU (0,5)1. Mục đích môn học2. Nội dung môn học3. Sách giáo khoa và tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN VỀ ĐO LƯƠNG VA ĐIỀU KHIÊN SƯ DỤNG PC (LT 2,5)1.1. Sơ đồ khối của hệ thống đo lường và điều khiển dùng máy tính1.2. Khái quát về kiến trúc máy tính – Bộ nhớ và các cổng vào/ra

CHƯƠNG 2. GHÉP NỐI MÁY TÍNH VƠI CÁC HỆ THƯC NGHIỆM VẬT LÝ (LT 4)2.1. Thông tin số liệu số qua các cổng vào/ra

- Thông tin song song qua vi mạch PPI- Thông tin nối tiếp

2.2. Các bộ định thời PIT- Đo các sự kiện- Đo khoảng thời gian- Đo tần số - Đo thời gian phản ứng

2.3. Ghép nối tín hiệu tương tự với máy tính- Các cảm biến và chấp hành (các sensor nhiệt độ, ánh sáng, áp suất, các chỉ thị LED,

mô tơ bước,...) - Tín hiệu tương tự và bộ biến đổi A/D (thu thập số liệu từ các cảm biến và bộ khuếch

đại, trích và giữ mẫu tín hiệu)- Biến đổi D/A (xây dựng bộ A/D từ D/A, xây dựng máy phát tạo hàm)

CHƯƠNG 3. TĂNG TỶ SỐ S/N THEO THƠI GIAN THƯC (LT 4)3.1. Tín hiệu và can nhiễu 3.2. Xử lý tín hiệu số trong miền thời gian3.3. Xử lý tín hiệu số trong miền tần số3.4. Các phương pháp tăng tỷ số tín hiệu trên ồn S/N

CHƯƠNG 4. LẬP TRÌNH XƯ LÝ TÍN HIỆU THEO THƠI GIAN THƯC (LT 4)4.1. Lập trình C với các cổng vào/ra4.2. Giới thiệu các gói phần mềm công cụ Labview và Matlab4.3. Lập trình xử lý tăng tỷ số S/N

- Bộ lọc tần thấp - Bộ lọc cửa sổ trượt- Bộ lọc tích luy đa kênh

13. Các bài thực nghiệm Sinh viên phải tham gia ít nhất 6 buổi thực hành, mỗi buổi 5 tiết tại phòng thí nghiệm ghép

nối máy tính dưới sự hướng dẫn của thày. Khuyến cáo sinh viên cần tự học, tự thực hành thêm mới tích luy đủ kiến thức.

Bài 1: Thực hành ghép nối chip PPI-8255A với máy tính -Điều khiển các đèn chỉ thị, mô tơ bước-Đọc trạng thái các cổng và hiển thị lên màn hình máy tính.

Bài 2: Thực hành ghép nối chip PIT-8254 với máy tính Chọn 2 trong số 4 bài tập sau:

-Phát sóng vuông có tần số, độ rộng xung biến đổi.-Đo khoảng thời gian giữa 2 sự kiện-Đo tần số sóng vuông TTL- Xây dựng bộ đo phản ứng của người

Bài 3: Thực hành trên các bộ biến đổi D/A và A/D ghép nối máy tính- Khảo sát bộ biến đổi A/D (ADS 80)- Ghép nối bộ biến đổi A/D với cảm biến nhiệt độ, cảm biến từ, ... - Xây dựng máy phát dạng sóng tùy ý

Bài 4: Thực hiện các bộ lọc tăng tỷ số S/N qua bộ biến đổi A/D- Thực hiện bộ lọc tần thấp - Thực hiện bộ lọc cửa sổ trượt- Thực hiện bộ lọc tích luy đa kênh

14. Tài liệu tham khảo:1. J.N. Demas, S.E. Demas. Interfacing and Scientific Computing on Personal Computers.

Allyn and Bacon. 1990.2. H.M. Staudenmaier (Ed.). Physics Experiments Using PCs. Springer-Verlag. 1995.3. William H. Rigby, Terry Dalby, Computer Interfacing: A Practical Approach to Data

Acquisition and Control. Prentice Hall, 1995.4. John Essick, Advanced LabVIEW Labs. Prentice Hall. 2002.5. Stephen J. Chapman. Matlab Programming for Engineers. Brooks/Cole. 2002.

IMS6140 Quang từ 2 (2-0-0-4)1. Tên học phần: QUANG TỪ2. Mã số: IMS61403. Khối lượng: 2(1,5-1-0-4)

Lý thuyết: 22,5 tiết Seminar/Bài tập: 15 tiết

4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ II5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật vật liệu, Công nghệ vi hệ thống và nanô 6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc khóa học này học viên có kiến thức chuyên sâu về tương tác của ánh sáng phân cực với các vật liệu từ, giới thiệu các phương pháp khai thác thông tin về tính phân cực của ánh sáng để nghiên cứu các tính chất từ vi mô và phân bố đômen của các vật liệu ở thang micro/nano.8. Nội dung tóm tắt học phần: Cơ sở hiện tượng truyền ánh sáng trong chất rắn; Hiện tượng luận về các hiệu ứng quang từ bao gồm hiệu ứng Faraday, Kerr và các hiệu ứng quang từ phi tuyến; Cơ chế vi mô của hiện tượng quang từ; Quan sát cấu trúc đômen dựa trên các hiệu ứng quang từ; Các vật liệu quang từ và ứng dụng (điện môi, garnet pheri từ, kim loại và hợp kim, bán dẫn từ, vật liệu từ có cấu trúc nano).9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.

10. Đánh giá kết quả: BT(0,3)-T(TL:0,7) Điểm quá trình: trọng số 0,3

- Trình bày kiến thức tại Seminar và dự lớp đầy đủ Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0,7

11. Tài liệu học tập: Xem mục 13Tài liệu chính: 1; 2Tài liệu tham khảo: còn lại

12. Nội dung chi tiết học phần:

QUANG TỪ Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Phúc DươngMỞ ĐẦU (0,5)

- Giới thiệu học phần- Tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1. GIƠI THIỆU CHUNG (LT 2)1. Ánh sáng phân cực2. Các phương pháp tạo ánh sáng phân cực3. Đơn tinh thể phi tuyến

CHƯƠNG 2. SƯ TRUYỀN ÁNH SÁNG TRONG CHẤT RĂN (LT 5+BT 5)1. Các phương trình Maxwell2. Các tenxơ điện môi ε và từ thẩm

3. Sự truyền ánh sáng trong chất sắt từ4. Hiệu ứng Faraday5. Hiệu ứng Kerr6. Hiện tượng quang từ phi tuyến

CHƯƠNG 3. CÁC KHÁI NIỆM VI MÔ VỀ HIỆU ỨNG QUANG TỪ (LT 5)1. Lý thuyết về cấu trúc điện tử của vật liệu2. Các quy tắc lọc lựa3. Hiệu ứng quang từ trong các chất nghịch từ4. Hiệu ứng quang từ trong các chất thuận từ

CHƯƠNG 4. QUAN SÁT CẤU TRÚC ĐÔMEN (LT 5+BT 5)1. Cấu trúc đômen từ2. Tương tác của ánh sáng với một vách đômen riêng lẻ3. Quan sát các đômen sắt từ4. Quang phổ của các đômen sắt từ5. Quan sát cấu trúc đômen phản sắt từ bằng hiệu ứng quang từ phi tuyến

CHƯƠNG 5. CÁC VẬT LIỆU QUANG TỪ VA ỨNG DỤNG (LT 5+BT 5)1. Các chất điện môi2. Garnet3. Kim loại và hợp kim4. Bán dẫn từ5. Các cấu trúc màng mỏng đa lớp, màng dạng hạt và các cấu trúc siêu mạng

13. Tài liệu tham khảo:

1. A.K. Zvezdin, V.A. Ktov, Modern Magnetooptics and Magnetooptical Materials, Institute of Physics Publishing, 1997

2. P.W. Milloni, J.H. Eberly, Lasers, John Wiley, 19883. V. Antonov, B. Harmon, A. Yaresko, Electronic structure and Magneto-Optical

Properties of Solids, Kluwer Academic Publisher, 20044. S. Sugano, N. Kojima, Maneto-Optics, Springer Series in Solid State Science, Springer

Verlag Berlin Heidenberg, 20005. Các bài báo Review trong các lĩnh vực liên quanIMS6150 Điện tử học Spin1. Tên học phần: ĐIỆN TỬ HOC SPIN (SPINTRONICS)2. Mã số: IMS61503. Khối lượng: 2(2-0-0-4)

Lý thuyết: 30 tiết4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 2

5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học vật liệu, Công nghệ vi hệ thống và nanô6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được một số khái niệm và những vấn đề cơ bản về điện tử học Spin (Spintronics) như các hiệu ứng hay hiện tượng cơ bản trong các quá trình của Spin, những vật liệu, công nghệ và những linh kiện điện tử học Spin cơ bản, những vấn đề mở và những thách thức của điện tử học Spin trong tương lai, tình hình nghiên cứu về điện tử học Spin ở trong nước.8. Nội dung tóm tắt học phần:

Khái quát về quá trình phát triển của điện tử học nói chung, đặc biệt là điện tử bán dẫn. Giới thiệu những khái niệm và cung cấp kiến thức cơ sở về spintronics, bao gồm thuộc tính spin là gì, các quá trình spin, các hiện tượng vận chuyển phụ thuộc spin, các vật liệu và công nghệ cho spintronics, những linh kiện, dụng cụ spintronics tiêu biểu, những thách thức và xu hướng phát triển spintronics trong tương lai.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Thí nghiệm trên các mẫu cảm biến van spin.

10. Đánh giá kết quả: Điểm quá trình: trọng số 0.40

- Dự lớp đầy đủ - Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ- Kiểm tra giữa kỳ

Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.6011. Tài liệu học tập:

Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.12. Nội dung chi tiết học phần:

ĐIỆN TỬ HOC SPIN Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Anh TuấnGIƠI THIỆU MỞ ĐẦU (1)

1. Giới thiệu chung - Mục đích môn học- Nội dung môn học- Giới thiệu sách giáo khoa và tài liệu tham khảo

2. Tình hình phát triển của điện tử học truyền thống và những thách thức 3. Spintronics là gì?

3. Về spin của điện tửPHẦN I: NHỮNG VẤN ĐỀ CƠ BẢN CUA ĐIỆN TƯ HỌC SPINCHƯƠNG 1: CÁC HIỆN TƯỢNG CƠ BẢN CUA CÁC QUÁ TRÌNH SPIN

(LT 7; BT 0; TN 0)1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR) và cơ chế tán xạ phụ thuộc spin1.2. Hiệu ứng từ điện trở xuyên ngầm (TMR) và cơ chế xuyên ngầm phụ thuộc spin1.3. Hiệu ứng từ điện trở siêu khổng lồ (CMR) 1.4. Hiệu ứng từ điện trở xung kích (BMR)1.5. Hiện tượng xuyên ngầm đơn spin (SSET)1.6. Hiện tượng tích tụ và phun spin1.7. Hiện tượng xoắn spin1.8. Hiệu ứng Hall spin

CHƯƠNG 2: CÁC VẬT LIỆU SƯ DỤNG TRONG ĐIỆN TƯ HỌC SPIN(LT 5; BT 0; TN 0)

2.1. Các kim loại và hợp kim sắt từ 2.2. Bán dẫn từ, bán dẫn từ pha loãng 2.3. Ôxýt từ 2.4. Hợp chất/hợp kim nửa kim loại (Half-metal) 2.5. Các vật liệu từ có cấu trúc nano 2.6. Phân tử hữu cơ và Spintronics

CHƯƠNG 3: MỘT SỐ LINH KIỆN, DỤNG CỤ ĐIỆN TƯ HỌC SPIN VA ỨNG DỤNG (LT 7; BT 0; TN 0)

3.1. Phân loại các linh kiện spintronics; cấu trúc van spin và khoá spin 3.2. Cảm biến, đầu đọc từ 3.3. Bộ nhớ từ không tự xoá (MRAM) 3.4. Các loại tranzito spin

3.4.1. Tranzito Johnson (BST)3.4.2. Tranzito van spin (SVT)3.4.3. Tranzito spin hiệu ứng trường (FEST)

3.5. Điốt quang-spin điện tử 3.6. Các linh kiện nanospinics

3.6.1. Linh kiện đơn spin điện tử (SSED)3.6.2. Linh kiện dẫn spin trên sợi nanocarbon

3.7. Spin và máy tính lượng tử PHẦN II: TRIÊN VỌNG, THÁCH THỨC VA TÌNH HÌNH NGHIÊN CỨU VỀ ĐIỆN TƯ HỌC SPIN Ở TRONG NƯƠCCHƯƠNG 4: TRIÊN VỌNG VA NHỮNG THÁCH THỨC CUA ĐIỆN TƯ HỌC SPIN

(LT 8; BT 0; TN 0)4.1. Triển vọng và thách thức chung 4.2. Giới thiệu về vật lý spin (Spin physics) 4.3. Giới thiệu về điện tử học nano (nanoelectronics) - Điện tử học nano spin (nanospinics) 4.4. Giới thiệu về điện tử học phân tử (molectronics) - Điện tử học spin phân tử

(molespinics) CHƯƠNG 5: TÌNH HÌNH NGHIÊN CỨU VỀ ĐIỆN TƯ HỌC SPIN Ở TRONG NƯƠC

(LT 2; BT 0; TN 0)5.1. Tình hình nghiên cứu chung ở trong nước5.2. Những vấn đề về điện tử học spin đang được nghiên cứu tại viện ITIMS

13. Tài liệu tham khảo:

1. Michael Ziese and Martin J. Thornton, Spin Electronics, Springer-Verlag Berlin Heidenberg 2001.

2. Y. B. Xu and S. M. Thompson, Spintronic Materials and Technology, Taylor & Francis Group, 2007.

3. Mark Johnson, Magnetoelectronics Elsevier Academic Press, 20044. Spin dependent transport in magnetic nanostructures, CRC Press LLC, 2002.5. Samdamichi Meakawa, Concepts in Spin Elelctronics, Oxford University Press 2006.

IMS6160 Công nghệ Sol-gel1. Tên học phần: CÔNG NGHỆ SOL-GEL2. Mã số: IMS61603. Khối lượng: 2(1,5-0-1-4)

Lý thuyết: 22,5 tiết Thí nghiệm: 15 tiết

4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 2

5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành công nghệ vi hệ thống, Khoa học và kỹ thuật vật liệu 6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm vững các kiến thức cơ bản về phương pháp chế tạo vật liệu bằng phương pháp sol-gel. Đồng thời cung cấp cho học học viên sự hiểu biết về sự ảnh hưởng của các điều kiện công nghệ như, lượng nước, dung môi, nhiệt độ, độ pH lên quá trình sol-gel. 8. Nội dung tóm tắt học phần: Giới thiệu các quá trình thủy phân, các quá trình ngưng tụ. ảnh hưởng của chất xúc tác và các điều kiện công nghệ tới quá trình sol-gel. Đồng thời đưa ra một số ví dụ cụ thể về việc chế tạo vật liệu khối, vật liệu màng và vật liệu có cấu trúc nanô.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.

10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.30)-T(TL:0.70) Điểm quá trình: trọng số 0.30

- Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ- Kiểm tra giữa kỳ: 0.30

Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.7011. Tài liệu học tập: xem mục 14

Tài liệu chính: 1Tài liệu tham khảo: còn lại

12. Nội dung chi tiết học phần:

CÔNG NGHỆ SOL-GEL Người biên soạn: TS. Trần Ngọc KhiêmMỞ ĐẦU (0,5)

- Giới thiệu học phần- Tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1: GIƠI THIỆU VỀ CÔNG NGHỆ SOL-GEL (LT 4)1.1 Giới thiệu về công nghệ sol-gel 1.2 Các phản ứng hóa học trong quá trình sol-gel 1.3 Ảnh hưởng của các chất xúc tác tới các phản ứng thủy phân và ngưng tụ1.4 Ảnh hưởng của độ pH tới quá trình sol-gel 1.5 Ảnh hưởng của nhiệt độ tới quá trình sol-gel 1.6 Ảnh hưởng của nước và dung môi tới quá trình sol-gel 1.7 Các ưu điểm và hạn chế của công nghệ sol-gel

1.8 Các ứng dụng của công nghệ sol-gel CHƯƠNG 2: CÔNG NGHỆ NANÔ SOL-GEL (LT 6) 2.1 Phương pháp sol-gel

2.1.1 Hạt sol2.1.2 Gel

2.2 Các hạt đơn phân tán trong dung dịch2.2.1 Điều chế hạt cầu2.2.2 Cấu trúc của hạt cầu2.2.3 Cơ chế phát triển

2.3 Các phương pháp khác điều chế hạt nanô 2.3.1 Sol khí2.3.2 Các phương pháp pha hơi2.3.3 Các phương pháp dung dich khác.

CHƯƠNG 3: CHẾ TAO VẬT LIỆU KHỐI BẰNG CÔNG NGHỆ SOL-GEL (LT 6)3.1 Giới thiệu về công nghệ sol-gel cho việc chế tạo vật liệu khối 3.2 Chế tạo vật liệu khối có mật độ cao

3.2.1 Những nguyên lý cơ bản3.2.2 Các bước tiến hành3.2.3 Các yếu tố ảnh hưởng tới quá trình chế tạo

3.3 Chế tạo vật liệu khối xốp 3.3.1 Những nguyên lý cơ bản3.3.2 Các bước tiến hành 3.3.3 Các yếu tố ảnh hưởng tới quá trình chế tạo

3.4 Các quá trình xử lý sol-gel 3.4.1 Các phương pháp xử lý nhiệt3.4.2 Phương pháp chưng cất đẳng phí3.4.3 Phương pháp Sấy siêu tới hạn

3.5 Các ví dụ về quá trình chế tạo vật liệu khối CHƯƠNG 4: CHẾ TAO MANG MỎNG VA SỢI BẰNG CÔNG NGHỆ SOL-GEL

(LT 6)4.1 Giới thiệu 4.2 Quy trình sol-gel cho việc chế tạo màng

4.2.1 Yêu cầu của việc chế tạo sol4.2.2 Các phương pháp phủ màng4.2.3 Quy trình xử lý nhiệt4.2.4 Màng oxít đơn và đa thành phần4.2.5 Các phương pháp xác định tính chất của màng

4.2.5 Ứng dụng của màng chế tạo bằng phương pháp sol-gel4.3 Quy trình sol-gel cho việc chế tạo sợi

4.3.1 Phân loại các loại sợi4.3.2 Qua trình chế tạo sol cho việc kéo sợi4.3.3 Các phương pháp kéo sợi4.3.4 Ảnh hưởng của các điều kiện công nghệ lên hình dạng và kích thước sợi4.3.5 Ứng dụng của các loại sợi được chế tạo bằng phương pháp sol-gel.

13. Bài thí nghiệm:Chế tạo vật liệu SiO2 bằng phương pháp sol-gel

14. Tài liệu tham khảo1. Lisa C.Klein, Sol-Gel technology for thin films, fibers, preforms, electronics, and specialty

shapes, Noyes publications, 1988.2. C. Jeffrey Brinker, George W.Scherer, “Sol-gel Science: The physis and chemistry of sol-

gel processing”, Academic press limited, 1990. 3. Sumio Sakka “Handbook of sol-gel science and technology: processing, characterization

and applications” Kluwer academic publishers.4. Nguyễn Đức Nghĩa “Hóa học nanô: Công nghệ nền và vật liệu nguồn”, NXB Khoa học tự

nhiên và công nghệ, 2007

IMS6170 Hóa Vật liệu 2(1-1-1-4)1. Tên học phần: HÓA VẬT LIỆU2. Mã số: IMS61703. Khối lượng: 2(1-1-1-4)

Lý thuyết: 15 tiết Bài tập: 15 tiết Thực nghiệm: 15 tiết

4. Học phần: Tự chọn, học vào kỳ 25. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu; Công nghệ vi hệ thống và nanô6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần:Sau khóa học người học nắm được các phương pháp tổng hợp vật liệu, đặc biệt là vật liệu có cấu trúc nano bao gồm vật liệu vô cơ, hữu cơ, vật liệu sinh học ứng dụng của chúng và một số phương pháp chế tạo theo tiếp cận hóa học và phân tích cấu trúc. Củng cố tăng cường các kỹ năng thực nghiệm về hóa học cho sinh viên. 8. Nội dung tóm tắt học phần: Hóa học Vật liệu là một ngành tương đối mới liên quan tới các phương pháp tổng hợp vật liệu chức năng tiên tiến dựa trên việc kết hợp các phương pháp truyền thống và hiện đại. Các bài học tập trung vào việc tổng hợp, phân tích cấu trúc vật liệu, tìm cách tối ưu chúng nhằm tạo ra những tính chất mong muốn.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Thực hành theo các bài thí nghiệm về vi điện tử và bán dẫn tại phòng sạch của Viện

ITIMS.10. Đánh giá kết quả:

Điểm quá trình: trọng số 0.40- Bài tập làm đầy đủ - Hoàn thành bài tập lớn- Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ

Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.6011. Tài liệu học tập: Xem mục 14

Tài liệu chính: 1Tài liệu tham khảo: còn lại

12. Nội dung chi tiết học phần:

HÓA VẬT LIỆUBiên soạn: TS. Mai Anh Tuấn

MỞ ĐẦU (1)- Giới thiệu khóa học- Tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1. HOA VẬT LIỆU (LT 6+BT 7)1.1 Giới thiệu về hóa vật liệu1.2 Hóa chất rắn1.3 Kim loại1.4 Vật liệu siêu dẫn1.5 Vật liệu hữu cơ1.6 Vật liệu Nano1.7 Kỹ thuật phân tích cấu trúc vật liệu

CHƯƠNG 2. MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP TỔNG HỢP TRONG HOA VẬT LIỆU(LT 8+BT8)

2.1 Giới thiệu2.2 Phương pháp lắng đọng đơn lớp phân tử2.3 Phương pháp tự gắn kết2.4 Phương pháp đồng kết tủa25 Phương pháp điện hóa

13. Bài thí nghiệm

Bài 1: Phản ứng oxy hóa - khử và ứng dụng trong phân tích định lượng các chất oxy hóa và chất khử

Bài 2: Phản ứng tạo phức và ứng dụng trong phân tích định lượng các ion kim loại

14. Tài liệu tham khảo1. Bradley D. Fahlman, Materials Chemistry, Springer Publisher, Amsterdam the Netherland,

2007, ISBN 978-1-4020-6119-6 (HB).2. M. Kerler, Surface Chemistry and Colloids, London, 19723. Leonard F.C. Fundermentals of Surface and Thin film Analysis, Prentice Hall, 19864. Hobarth Willard, Lynne Merritt, John Dean, and Frank Settle, Instrumental Methods of

Analysis (Chemistry), Wadsworth Publishing Co., 7th Ed., 1988.5. Ying-Bing Jiang, Plasma-assisted atomic layer deposition of conformal nano-cap layers

on self-assembled mesoporous low-k dielectrics, ProQuest / UMI (March 18, 2006).6. D. Moebius, R. Miller, Novel Methods to Study Interfacial Layers (Studies in Interface

Science), Elsevier Science (December 1, 2001).

IMS6190 Các vấn đề về quản lý trong công nghiệp công nghệ cao1. Tên học phần: CÁC VẤN ĐỀ VỀ QUẢN LÝ TRONG CÔNG NGHIỆP CÔNG

NGHỆ CAO2. Mã số: IMS61903. Khối lượng: 2(2-0-0-4)

Lý thuyết: 30 tiết4. Học phần: Bắt buộc, học vào kỳ 15. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Công nghệ Nano và Vi hệ thống; Khoa học và kỹ thuật vật liệu6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần:Kết thúc học phần người học có những tiếp cận quản trị theo quan điểm kỹ thuật, người học hiểu được công nghệ và kỹ thuật tương tác ra sao với hệ thống quản trị, vì sao chỉ công nghệ là chưa đủ, tại sao quản lý, lập kế hoạch sản xuất, kho vận đóng vai trò quan trọng, tại sao cần đưa kỹ năng quản lý vào trong công nghiệp công nghệ cao, khoa học môi trường và năng lượng…Qua khóa học người học được trang bị thêm các tác phong và văn công nghiệp.8. Nội dung tóm tắt học phần: Kiến thức về nghiệp vụ trong sản xuất, nghiệp vụ phụ trợ, nghiệp vụ phân xưởng, điều phối và lập kế hoạch, kỹ thuật dự báo, lập kế hoạch nguồn lực doanh nghiệp, sản xuất đúng hạn, các công cụ quản lý chất lượng và luận điểm, PERT/CPM, công bố sản phẩm, quản lý dự án, ma trận cấu trúc thiết kế, quản lý dây truyền cung cấp kho vận và điều phối các công ty trong chuỗi cung cấp.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.

10. Đánh giá kết quả:Điểm quá trình: trọng số 0.4Thi hết môn (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.6

11. Tài liệu học tập:Tài liệu chính: 1Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.12. Nội dung chi tiết học phần:

CÁC VẤN ĐỀ VỀ QUẢN LÝ TRONG CÔNG NGHIỆP CÔNG NGHỆ CAOBiên soạn: TS. Mai Anh Tuấn

MỞ ĐẦU (0.5)- Giới thiệu học phần

- Yêu cầu đối với học phần, tài liệu tham khảoCHƯƠNG 1: PHÂN TÍCH NGHIỆP VỤ (LT 2.5)

1.1. Nghiệp vụ phụ trợ1.2. Nghiệp vụ phân xưởng1.3. Tương hợp quy trình và sản phẩm1.4. Các hệ thống xếp hàng1.5. Sơ đồ quy trình liên tục1.6. Điều phối và lập kế hoạch1.7. Các kỹ thuật dự báo

CHƯƠNG 2: ĐIỀU PHỐI VA LẬP KẾ HOACH (LT 3)2.1 Điều phối và lập kế hoạch2.2 Quản lý ràng buộc2.3 Điều phối và lập kế hoạch – lập kế hoạch nguồn lực doanh nghiệp2.4 Sản xuất đúng hạn

CHƯƠNG 3: QUẢN LÝ CHẤT LƯỢNG (LT 3)3.1 Các kỹ thuật Taguchi3.2 Các công cụ quản lý chất lượng và luận điểm

CHƯƠNG 4: QUẢN LÝ DƯ ÁN (LT 3)4.1 Quản lý dự án - PERT/CPM và công bố sản phẩm4.2 Quản lý dự án: một công cụ cạnh tranh4.3 Quản lý phát triển dự án: Ma trận Cấu trúc Thiết kế

CHƯƠNG 5: QUẢN LÝ DÂY TRUYỀN CUNG CẤP VA KHO VẬN (LT 3)5.1 Xác định vị trí lưu trữ5.2 Công nghệ Chuỗi Các nhà cung cấp5.3 Dịch vụ khách hàng, quản lý dịch vụ khách hàng và phản hồi nhanh chóng.5.4 Quản lý hệ thống kho vận5.5 Điều phối các công ty trong chuỗi cung cấp

13. Tài liệu tham khảo:

1. A Modern Approach to Operations Management, New Age International (P) Ltd., Publishers 2005, ISBN (10): 81-224-2326-1.

2. Gideon Halevi, Handbook of Production Management Methods, Butterworth-Heinemann, 2001 ISBN 0 7506 5088 5.

3. Sammy G. Shina, Six Sigma for Electronics Design and Manufacturing, McGraw-Hill 2002, ISBN: 0-07-140955-6

IMS6210 Công nghệ đóng gói mạch tích hợp (IC)

1. Tên học phần: CÔNG NGHỆ ĐÓNG GÓI MẠCH TÍCH HỢP (IC)2. Mã số: IMS62103. Khối lượng: 2(2-0-0-4)

Lý thuyết: 30 tiết4. Học phần: Tự chọn, học vào học kỳ II5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Công nghệ Nano và Vi hệ thống; Khoa học và Kỹ thuật vật liệu6. Điều kiện học phần:7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên hiểu được tầm quan trọng của quá trình đóng gói chip trong sản xuất điện tử bao gồm những kiến thức cơ bản về công nghệ, vật liệu và các quy trình liên quan tới đóng gói và lắp ráp mạch tổ hợp. Qua khóa học, học viên cung cần nắm được kiến thức cơ bản về kỹ thuật kiểm tra độ già hóa IC.8. Nội dung tóm tắt học phần: Hiện trạng và xu hướng trong công nghệ đóng gói và liên kết nối, các sai hỏng điện trong đóng gói điện tử, thiết kế theo tiếp cận nhiệt và phân tích, tiếp cận kỹ thuật cơ khí và phân tích, vật liệu trong đóng gói điện tử, kiểm tra độ già hóa IC, sản xuất và tự động hóa.9. Nhiệm vụ của sinh viên:

Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN. Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.

10. Đánh giá kết quả:- Điểm quá trình: trọng số 0.4- Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.60

11. Tài liệu học tập: Xem mục 13Tài liệu chính: 1Tài liệu tham khảo: tài liệu còn lại.

12. Nội dung chi tiết học phần:

CÔNG NGHỆ ĐÓNG GÓI MẠCH TÍCH HỢP (IC)Biên soạn: TS. Mai Anh Tuấn

PGS. TS. Nguyễn Văn HiếuGIƠI THIÊU (0.5)

- Giới thiệu học phần- Tài liệu tham khảo

CHƯƠNG 1. HIỆN TRANG, XU HƯƠNG TRONG CÔNG NGHỆ ĐONG GOI IC (LT 1)

1.1 Hiện trạng1.1.1 Lịch sử của thiết bị điện tử

1.1.2 Đóng gói chip đơn (SCP) – chức năng và kiểu loại1.1.3 Đặt vấn đề trong lựa chọn đóng gói (I/O, công suất, nhiệt, FF)1.1.4 Ngoại vi (DIP/ QFP/TAB)1.1.5 Đóng gói mảng (BGA/CSP)1.1.6 Linh kiện đóng gói (đế, keo/nhựa dán, tản nhiệt, vật liệu tản nhiệt, SLI, giá đỡ chip, ..)1.1.7 Kiểm tra thông số đóng gói – Điện/Nhiệt/Độ già hóa/Chi phí1.1.8 Xu hướng

1.2 Xu hướng trong công nghệ đóng gói1.2.1

Mô-đun đa lõi (MCM – chức năng và ưu điểm1.2.2 Hiệu suất đóng gói (điện, hiệu suất, độ già hóa, chi phí)1.2.3 Các đế MCM (MCM-L, MCM-C, MCM-D)1.2.4 Kiểm tra, sửa chữa MCM 1.2.5 Xu hướng

CHƯƠNG 2. SAI HỎNG VỀ ĐIỆN TRONG ĐONG GOI ĐIỆN TƯ (LT 3)2.1 Chức năng điện trong đóng gói2.2 Phân bố tín hiệu và công suất2.3 Tổ hợp tín hiệu2.4 Các phương pháp mô phỏng và mô hình hóa2.5 Thiết kế Bus và các vấn đề về hệ thống2.6 Xu hướng trong công nghiệp

CHƯƠNG 3. TIẾP CẬN KỸ THUẬT NHIỆT TRONG ĐONG GOI IC (LT 3)3.1 Giới thiệu về tính chất nhiệt trong đóng gói3.2 Cơ bản về điều khiển nhiệt trong đóng gói3.3 Mô hình hóa sự khuếch tán nhiệt 3.4 Phân tích nhiệt, Mô hình hóa trạng thái ổn địn và chuyển tiếp nhiệt và thiết kế3.5 Tản nhiệt cho thiết bị không đồng nhất (mô hình hóa FEA)3.6 Các phương pháp làm nguội (Tích cực/Tiêu cực)3.7 Đo đạc và phân tích

CHƯƠNG 4. TIẾP CẬN KỸ THUẬT CƠ TRONG ĐONG GOI IC (LT 2)4.1 Ứng suất nhiệt trong đóng gói điện tử4.2 Cơ bản về cơ tính của vật liệu trong đóng gói IC4.3 Mô hình hóa Cơ-Nhiệt 4.4 Phân tích đóng gói bằng phương pháp phần tử vô hạn (FEM)

CHƯƠNG 5. TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU ĐONG GOI IC (LT 2)5.1 Vật liệu polyme trong đóng gói IC

5.2 Kiểm tra các thông số vật liệu đóng gói5.3 Vật liệu trung gian truyền nhiệt5.4 Vật liệu, kỹ thuật và thiết kế đế trong đóng gói5.5 Vật liệu hàn, xử lý và độ già hóa5.6 Công nghệ tiên tiến trong đóng gói (MEMS, vật liệu quang, vật liệu nano)5.7 Kiểm tra sai hỏng và độ mỏi

CHƯƠNG 6. KỸ THUẬT SẢN XUẤT VA KIÊM TRA (LT 2)6.1 Quy trình sản xuất (làm sạch, đi dây, thụ động hóa, phủ màng, điền kẽ, kiểm tra và kiểm chuẩn)6.2 Quản lý quy trình sản xuất6.3 Sản xuất, dây truyền cung cấp, và thiết kế với chi phí thấp

CHƯƠNG 7. KIÊM TRA CHẤT LƯỢNG (LT 1.5)7.1 Kiểm tra chất lượng & Thiết kế đạt chất lượng7.2 Già hóa và thống kê7.3 Kiểm tra độ già hóa IC

13. Tài liệu tham kháo

1. Rao R. Tummala, Fundamentals of Microsystems Packaging, 2001, McGraw-Hill2. The National Technology Roadmap for Semiconductors, San Jose California: Semiconductor

Industry Association, 19973. http://www.mdronline.com/mpr/index.html 4. John Lau, C.P. Wong, John L. Prince, Wataru Nakayama, Electronic Pachaging: Design,

Materials, Process, and Reliability, 1998.5. Ravi Mahajan, Raj Nair, Vijay Wakharkar, Johanna Swan, John Tang, & Gilroy Vandentop,

Intel Technology Journal, Vol. 6, Issue 2 (2002), pp. 62-75.6. Chee Choong Kooi, et al., Electronics Packaging Technology, 2003 5th Conference (EPTC

2003) 10-12 Dec. 2003, Pages:324–330.7. Chia-Pin Chiu, et. al., Advanced Packaging Materials: Processes, Properties and

Interfaces,2000. Proceedings. International Symposium on , 6-8 March 2000. Pages: 265 – 270.

8. Ram Viswanath, Vijay Wakharkar, Abhay Watwe, & Vassou Lebonheur, Intel Technology Journal, Q3 2000, pp. 1-16.

9. C. M. Garner, et. al, Electronics Packaging Technology Conference, 2000. (EPTC 2000). Proceedings of 3rd , 5-7 Dec 2000, Pages:6 – 9.

IMS6240 Vật liệu thông minh và ứng dụng 1. Tên học phần: VẬT LIỆU THÔNG MINH VÀ ỨNG DỤNG2. Mã số: IMS62403. Khối lượng: 2(1,5-1-0-4)

Lý thuyết: 22,5 tiết Bài tập, thảo luận: 10 tiết Báo cáo chuyên đề của học viên: 5 tiết

4. Học phần: Tự chọn, học vào kỳ II5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Công nghệ vi hệ thống và nanô; Khoa học và kỹ thuật vật liệu6. Điều kiện học phần: 7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên hiểu biết các loại vật liệu mà các tính chất của chúng thay đổi một cách đáng kể dưới tác dụng của các điều kiện bên ngoài như ứng suất, nhiệt độ, độ ẩm, nồng độ pH, điện trường và từ trường. Các loại vật liệu này đóng vai trò trong nhiều lĩnh vực: y tế, quốc phòng, vu trụ, vi điện tử và tự động hóa và đời sống.8. Nội dung tóm tắt học phần:

- Cấu trúc cơ bản của các vật liệu- Các tính chất của các vật liệu thông minh: vật liệu áp điện; hợp kim nhớ hình;vật liệu

polymer thông minh; vật liệu từ thông minh (từ giảo, chất lỏng từ);vật liệu quang thông minh; tinh thể lỏng, vật liệu siêu dẫn.

- Các cảm biến và hệ điều hành sử dụng các vật liệu trên.9. Nhiệm vụ của học viên:

Dự lớp: Theo qui định của Bộ GD&ĐT và Trường ĐHBKHN. Chuẩn bị bài trước khi lên lớp Tham gia trao đổi trao đổi, thảo luận ở lớp Hoàn thành tiểu luận (theo hướng dẫn của giáo viên) và trình bày trước lớp

10. Đánh giá kết quả: QT/BT (0,3) – T(TL: 0,70) Điểm trong quá trình: 0,3 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): 0,7

11. Tài liệu học tập: Xem mục 13o Tài liệu chính: 1

o Tài liệu tham khảo: 2, 3, 4, 5, 6

12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LIỆU THÔNG MINH VÀ ỨNG DỤNGNhóm biên soạn: GS.TSKH. Thân Đức Hiền

TS. Nguyễn Khắc Mẫn

MỞ ĐẦU: (1,5)- Giới thiệu học phần; tài liệu tham khảo- Cấu trúc tinh thể và cấu trúc điện tử của vật liệu- Lịch sử phát triển của vật liệu thông minh

CHƯƠNG 1. VẬT LIỆU ÁP ĐIỆN (LT 3+BT 3)1.1 Các loại vật liệu áp điện1.2 Các tính chất của vật liệu áp điện1.3 Lý thuyết giải thích hiện tượng áp điện1.4 Ứng dụng của vật liệu

CHƯƠNG 2. HỢP KIM NHƠ HÌNH (LT 3+BT 2)2.1 Các khái niêm cơ bản về hợp kim nhớ hình2.2 Các tính chất của hợp kim nhớ hình2.3 Các hợp kim nhớ hình tiên tiến2.4 Ứng dụng của hợp kim nhớ hình

CHƯƠNG 3. VẬT LIỆU POLYMER THÔNG MINH (LT 3+BT 2)3.1 Đại cương về vật liệu polymer3.2 Các polymer dẫn điện3.3 Các polymer nhớ hình3.4 Polymer tự hàn gắn3.5 Các ứng dụng

CHƯƠNG 4. VẬT LIỆU TỪ THÔNG MINH (LT 3+BT 2)4.1 Đại cương về vật liệu từ4.2 Các vật liệu từ giảo4.3 Các chất lỏng từ4.4 Các hiệu ứng từ - điện hóa4.5 Ứng dụng của vật liệu từ thông minh

CHƯƠNG 5. VẬT LIỆU DẪN DIỆN THÔNG MINH (LT 3+BT 2)5.1 Khái niệm về độ dẫn điện5.2 Độ dẫn điện lý tưởng va siêu dẫn5.3 Các tinh chất cơ bản của siêu dẫn ( điện trở không, hiệu ứng Messner)5.4 SQUID và ứng dụng

CHƯƠNG 6. VẬT LIỆU QUANG THÔNG MINH (LT 3+BT 2)6.1 Các vật liệu phát quang6.2 Các chất nhậy quang và dẫn quang.6.3 Các ứng dụng

CHƯƠNG 7. TINH THÊ LỎNG (LT 3+BT 2)7.1 Mở đầu

7.2 Các pha của tinh thể lỏng7.3 Các tính chất vật lý của tinh thể7.4 Ứng dụng của tinh thể lỏng

13. Tài liệu tham khảo:1. Jasprit Singh, Smart electronic materials – fundamental and application, Cambridge

University Press, 2005.2. Maziar Arjomand, Smart materials in aerospace industry, The University of Adelaide,

2007.3. A.S. Sidorkin, Domain structure in ferroelectronics and related materials, Cambridge

University Press, 20064. Smart materials: Application of smart materials in modern engineering fields,

www.techalone.com5. Thân đức Hiền, Nhập môn về siêu dẫn, NXB Bách khoa – Hanội , 2008.6. Sun Lien Chuang, Physics of Optoelectronic Devices, John Welley and Son, Inc., Ed.,

1995,