-> paginas 61-63.

1.-¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomode cobre?a) 1 c) 18b) 4 d) 29

2. La carga resultante de un átomo neutro de cobre es.a) 0 c) -1b) +1 d) +4

3. Si a un átomo de cobre se le extrae su electrón de Valencia, la carga resultante valea) 0 C) -1b) +I d) t4

4. La atracción que experimenta hacia el núcleo del Electrón de valencia de un átomo de cobre esa) Ningunab) Débilc) Fuerted) Imposible de describir

5.¿cuántos electrones de valencia tiene un Átomo de silicio?a) 0 c) 2b) 1 d) 4

6. El semiconductor más empleado esa) Cobre c) Silicio b) Germanio d) Ninguno de 10s anteriores'

7. ¿Qué número de protones posee un átomo de silicio?a) 4 c) 29b) 14 d) 32

8. Los Átomos de silicio se combinan en una estructura Ordenada que recibe el nombre dea) Enlace covalenteb) Cristal c) Semiconductord) Orbital de valencia

9. Un semiconductor intrínseco presenta algunos Huecos a temperatura ambiente causados pora) El dopajeb) Electrones libresc) Energía térmica

d) Electrones de valencia

10. Cada electr6n de valencia en un semiconductor intrínseco establece una) Enlace covalente c) Hueco b) Electrón libre d) Recombinación.

11. La unión de un electrón libre con un hueco recibe el nombre dea) Enlace covalente c) Recombinaci6nb) Tiempo de vida d) Energía térmica

12. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta comoa) Una batería c) Un aislante b) Un conductor d) Un hilo de cobre

13. El tiempo que. Transcurre entre la creación de un Hueco y su desaparici6n se conoce comoa) Dopaje c) Recombinaci6nb) Tiempo de vida d) Valencia

14. Al electrón de valencia de un conductor se le denomina también por

a) Electrón ligado c) Núcleob) Electrón libre d) Protón

15. ¿cuántos tipos de flujo de portadores presenta un Conductor?a) 1 c) 3b) 2 d) 4

16. ¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un Semiconductor?a) 1 c) 3b) 2 d) 4

17. Cuando se aplica una tensi6n a un semiconductor, 10s huecos circulana) Distanciándose del potencial negativob) Hacia el potencial positivoc) En el circuito externod) Ninguna de las anteriores

18. ¿Cuántos huecos presenta un conductor?a) Muchosb) Ningunoc) solos los producidos por la energía térmicad) El mismo número que de electrones libres.

19. En un semiconductor intrínseco, el número de Electrones libres es:

a) Igual a1 número de huecosb) Mayor que el número de huecosc) Menor que el número de huecosd) Ninguna de las anteriores

20. La temperatura de cero absoluto es igual aa) -273 C c) 25 Cb) 0 C d) 50 C.

21. A la temperatura de cero absoluto un semiconductorIntrínseco presenta

a) Pocos electrones libresb) Muchos huecosc) Muchos electrones libresd) Ni huecos ni electrones libres

22. A temperatura ambiente un semiconductor intrínsecoTiene:

a) Algunos electrones libres y huecosb) Muchos huecosc) Muchos electrones libresd) Ningún hueco

23. El número de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrínseco aumenta cuando la temperatura:

a) Disminuye

b) Aumenta

c) Se mantiene constante

d) Ninguna de las anteriores

24. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierdaSignifica que 10s huecos circulan hacia

a) La izquierdab) La derechac) En cualquier direcciónd) Ninguna de las anteriores

25. Los huecos se comportan como

a) átomos c) Cargas negativasb) Cristales d) Cargas positivas

26. cuantos electrones de valencia tienen 10s átomosTrivalentes?

a) 1 c) 4b) 3 d) 5

27 ¿Qué número de electrones de valencia 'tiene unatom0 donador?a) 1 c) 4b) 3 d) 5

28. Si quisiera producir un semiconductor tipo p,¿Qué emplearía?a) átomo aceptadorb) Átomos donadoresc) Impurezas pentavalentesd) Silicio

29. Los huecos son minoritarios en un semiconductortip0a) Extrínseco c) Tipo nb) Intrínseco d) Tipo p

30. ¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductortip0 p?a) Muchosb) Ningunoc) Solo los producidos por la energía térmicad) El mismo número que de huecos

31. La plata es el mejor conductor. ¿Cuál es el numero de electrones de valencia que tiene?a) 1 c) 18b) 4 d) 29

32. Si un semiconductor intrínseco tiene un billón de electrones libres a la temperatura ambiente,¿Cuántos presenta a la temperatura de 75 °C?

a) Menos de un billón b) Un billón c) más de un billónd) Imposible de contestar

33. Una fuente de tensión es aplicada a un semiconductortipo p. Si el extremo izquierdo del cristal es positivo, en que sentido circulan 10s portadores mayoritarios?a) Hacia la izquierdab) Hacia la derechac) En ninguna diiecci6nd) Imposible de contestar

34. Cuáles de las siguientes conceptos est6 menos relacionadocon los otros tres?a) Conductorb) Semiconductorc) Cuatro electrones de valenciad) Estructura cristalina

35. ¿Cuáles de las siguientes temperaturas es aproximadamenteIgual a la temperatura ambiente?a) 0 °C c) 50 °Cb) 25 °C d) 75 °C

36. Cuantos electrones hay en la orbital de valenciade un homo de silicio dentro de un cristal?a) 1 c) 8b) 4 d) 14

37. Los iones positivos son 6tomos quea) Han ganado un protónb) Han perdido un protónc) Han ganado un electrónd) Han perdido un electrón

38. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductortipo n?a) Neutrob) Cargado positivamentec) Cargado negativamented) Tiene muchos huecos

39. Un semiconductor tipo p contiene huecos ya) Iones positivosb) Iones negativosc) Átomos pentavalentesd) Átomos donadores

40. ¿cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductortipo p?

a) Neutrob) Cargado positivamentec) Cargado negativamented) Tiene muchos electrones libres

41. ¿Cuál de los siguientes elementos no se puedeMover?

a) Huecosb) Electrones libresc) Ionesd) Portadores mayoritarios

42. La que se debe la zona de deplexión?

a) Al dopajeb) A la recombinaciónc) A la barrera de potenciald) A 10s iones

43. La barrera de potencial de un diodo de silicio atemperatura ambiente es de:

a) 0,3 V c) 1 Vb) 0,7 V d) 2 mV por °C

44. Para producir una gran comente en un diodo desilicio polarizado en directa, la tensi6n aplicadadebe superara) OV c) 0,7 Vb) 0,3 V d) 1 V

45. En un diodo de silicio la corriente inversa es nor- .malmente:a) Muy pequeñab) Muy grandec) Cerod) En la región de ruptura

46. La corriente superficial de fugas es parte dea) La corriente de polarización directab) La comente de ruptura en polarización directac) La comente inversad) La comente de ruptura en polarización inversa.

47. La tensión que provoca el fundamento de avalanchaesa) La barrera de potencialb) La zona de deplexiónc) La tensi6n de cod0d) La tensi6n de ruptura

48. La difusión de electrones libres a través de launión de un diodo produce:a) Polarización directab) Polarización inversac) Rupturad) La zona de deplexión

49. Cuando la tensión inversa crece de 5 V a 10 V, lazona de deplexión:a) Se reduce c) No le ocurre nadab) Crece d) Se rompe

50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinaci6nde electrones libres y huecos puedeProducir:

a) Calorb) Luzc) Radiaciónd) Todas las anteriores

51. Si aplicamos una tensi6n inversa de 20 V a undiodo, la tensi6n en la zona de deplexión serie dea) 0 Vb) 0,7 Vc) 20 v

d) Ninguna de las anteriores

52. Cada grado de aumento de temperatura en launión decrece la barrera de potencial ena) 1 mV c) 4 mVb) 2mV d) 10 mV

53. La comente inversa de saturación se duplicacuando la temperatura de la unión se incrementa

a) 1 °C c) 4 °Cb) 2 °C |d) 10 °C

54. La comente superficial de fugas se duplica cuandola tensión inversa aumenta:

a) 7 por 100 C) 200 por 100b) 100 por 100 d) 2mV

-> páginas de 89-90

l. Cuando la representación de la comente en funciónde la tensión es una línea recta, el dispositivose conoce comoa) Activob) Linealc) No lineald) Pasivo

2. ¿Qué clase de dispositivo es una resistencia?a) Unilateralb) LinealC) NO lineald) Bipolar'

3. ¿Qué clase de dispositivo es un diodo?a) Bilatera

b) Lineal

c) No lineal

d) Unipolar

4. ¿Cómo está polarizado un diodo que no conduce?a) Directamenteb) Alreves c) Insuficientemented) Inversamente

5. Cuando la comente por el diodo es grande, laPolarización es:a) Directab) Alreves c) Escasad) Inversamente

6. La tensión umbral de un diodo es aproximadamenteIgual a:a) La tensión aplicadab) La barrera de potencialc) La tensión de rupturad) La tensión con polarización directa

7.- La corriente inversa consiste en la corriente dePortadores minoritarios ya) La comente de avalanchab) La comente con polarizaci6n directac) La comente superficial de fugasd) La comente Zener

8.-En la segunda aproximación, ¿Qué tensión hay enun diodo de silicio polarizado en directo?.a) OV

b) 0,3 Vc) 0,7 Vd) 1V

9.-En la segunda aproximaci6n, iquC comente hayen un diodo de silicio polarizado en inversa?a) 0b) 1mAc) 300 mAd) Ninguna de las anteriores

10.En la aproximación ideal, ¿cuál es la tensión enel diodo polarizado en directa?a) 0 Vb) 0,7 Vc) Mayor que 0,7 Vd) 1 v

11.La resistencia interna de un 1N4001 esa) 0 homs C) 10 homsb) 0,23 homs d) 1 homs

12.Si la resistencia interna es nula, la curva por encimade la tensión umbral esa) Horizontalb) Verticalc) Inclinada 45"d) Ninguna de las anteriores

13. El diodo ideal es generalmente adecuado paraa) Detección de averíasb) Hacer cálculos precisosc) Cuando la tensión de la fuente es pequeñad) Cuando la resistencia de carga es pequeña

14. La segunda aproximación funciona bien paraa) Detecci6n de averíasb) Cuando la resistencia de carga es grandec) Cuando la tensión de la fuente es granded) Todas las anteriores

15. La única ocasión en la que es necesario utilizar laTercera aproximaci6n es cuando

a) La resistencia de carga es pequeñab) La tensi6n de la fuente es muy grande

C) Se detectan averíasd) Ninguna de las anteriores

16. ¿Cuál es la corriente en el circuito de la Figura3-19 si el diodo es ideal?a) 0 c) 15 mAb) 14,3 rnA d) 50mA. . Figura 3-19

17. ¿Cuál es la corriente en el circuito de la Figu- .ra 3-19 si se emplea la segunda aproximación?

a) 0 c) 15 mAb) 14,3 mA d) 50mA

18. ¿Cuál es la corriente por la resistencia de cargaen la Figura 3-19 si se emplea la tercera aproximación?a) 0 c) 15 mAb) 14,3 mA d) 50 mA

19. Si el diodo está abierto en la Figura 3-19, la tensiónen la carga esa) 0 C) 20 vb) 14,3 V d) -15 V

20. Si la resistencia de la Figura 3-19 no estuviesePuesta a masa, la tensión medida entre la parteSuperior de la resistencia y la masa sería dea) OV c) 20 Vb) 14,3 V d) , -15 V

21. La tensión en la carga es cero en la Figura 3-19.El problema puede deberse a

a) Un diodo en cortocircuitob) Un diodo abiertoc) Una resistencia de carga abiertad) Demasiada tensión de la fuente de alimentación

-> paginas 146- 147

1. Si N,IN, = 2 y la tensión en el primario es de120 V, ¿Cuál es el valor de la tensi6n en el secundario?a) 0 V c) 40 Vb) 36 V d) 60 V

2. En un transformador reductor, magnitud esMayor?

a) Tensi6n en el primariob) Tensión en el secundarioc) Ninguno de 10s dosd) No hay respuesta posible

3. Un transformador tiene una relaci6n de espirasDe 4 : 1. ¿cuál es la tensión de pico en el secundariosi se aplican 115 V más a1 arrollamientoPrimario?a) 40,7 V c) 163 Vb) 64,6 V d) 650 V

4. Con una tensi6n rectificada en media onda en laresistencia de carga, ¿durante que parte de un cicloCircula comente por la carga?a) 0° c) 180°, b) 90° d) 360°

5. Suponga que en un rectificador de media onda latensi6n de red puede fluctuar entre 105 y 125 Vrms. Con un transformador reductor 5 : 1, la tensi6nde pico en la carga es aproximadamente dea) 21 V c) 29,6Vb) 25 V d) 35,4V

6. La tensi6n que se obtiene de un puente rectificadorEs:a) Una señal de media ondab) Una señal de onda completac) Una señal de puente rectificadord) Una onda sinusoidal

7. Si la tensi6n de red es de 115 V rms, una relaci6nde espiras de 5 : 1 significa que la tensión en elsecundario es aproximadamentea) 15 V c) 30 V ,b) 23 V d) 35 V

8. ¿Cuál es la tensi6n de pic0 en la carga en un rectificadorde onda completa si la tensi6n del secundario es de 20 V rms?a) OV c) 14,l Vb) 0,7 V d) 28,3 V

9. Se desea que un puente rectificador proporcioneuna tensión de pic0 en la carga de 40 V. ¿ cuál es el valor rms aproximado de la tensión en el secundario?

a) OV c) 28,3 Vb) 14,4 V d) 56,6 V

10. Si a una resistencia de carga se le aplica una tensi6nRectificada de onda completa, ¿Durante que Parte de un ciclo circula comente por la carga?a) 0° c) 180°b) 90° d) 360°

11 tensi6n de pic0 en la-carga se obtiene de unPuente rectificador si la tensión en el secundarioes de 15 V rms? (Emplee la segunda aproximación.)

a) 9,2 V c) 193 Vb) 15 V d) 24,3 V

12. Si la frecuencia de red es de 50 Hz, la frecuenciade salida de un rectificador de media onda es:a) 25 Hz c) lOO Hz,b) 50 Hz d) 200 Hz

13. Si la frecuencia de red es de 50 Hz, la frecuencia’de salida de un puente rectificador esa) 25 Hz c) 100 Hzb) 50 Hz d) 200 Hz

14. Con la misma tensi6n en el secundario y el mismofiltro, jcu6l de 10s siguientes elementos produce

más rizado?a) Un rectificador de media ondab) Un rectificador de onda completac) Un puente rectificadord) Imposible saberlo

15. Con la misma tensi6n del secundario y el mismofiltro, ¿Cuál de 10s siguientes factores produce laMenor tensión en la carga?a) Un rectificador de media ondab) Un rectificador de onda completac) Un puente rectificadord) Imposible saberlo

16. Si la comente por la carga, filtrada, es de 10 rnA,¿Cuál de 10s siguientes rectificadores tiene unaCorriente de diodo de 10 mA?a) Un rectificador de media ondab) Un rectificador de onda completac) Un puente rectificadord) Imposible saberlo17. ¿Cuál es la tensión pico a pico del rizado que seobtiene de un puente rectificador, ¿si la corrientePor la carga es de 5 mA y la capacidad del filtrovale 1.000 pF?

a) 21,3pV c) 21,3 mVb) 56,3 nV d) 41,7mV18. Cada uno de 10s diodos de un puente rectificadortiene una limitaci6n de máxima corriente continuaigual a 2 A. Esto significa que la comente continuapor la carga puede tener un valor máximo dea) 1 A c) 4 Ab) 2 A d) 8A

19. ¿cuál l es el VIP en cada uno de 10s diodos de unPuente rectificador si la tensión en el secundarioEs de 20 V rms?a) 14,l V c) 28,3 Vb) 20 V d) 34 V

20. Si en un puente rectificador con filtro con condensadora la entrada la tensión en el secundarioAumenta, entonces la tensión en la cargaa) Disminuye

b) Se mantiene constantec) Aumentad) Ninguna de las anteriores

21. Si la capacidad del filtro aumenta, entonces elRizadoa) Disminuyeb) Se mantiene constantec) Aumentad) Ninguna de las anteriores

Respuestas

Capítulo 2

2-1. -3

2-3. a) Semiconductor. 6) Conductor. c) Semiconductor.d ) Conductor.

2-5. a) Tipo p. h) Tipo n. c)Tipo p. d) Tipo n. e) Tipo p.

2-7. 1,77. nA y 320 nA.

2-9. 0.53 FA; 4.47 FA.

Capítulo 3

3-1. 182 mA. 3-3.500 mA. 3-5. I0 mA. 3-7. 16 mA.3-9. 19,3 mA, 19,3 V. 373 mW. 13,5 mW, 386 mW.3-11.30,4 mA, 14,3 V, 435 mW, 21,3 mW, 456 mW.3-13. 15 V, 0 mA. 3-17. l5,2 mA. 3-19. Abierto..3-21.

La resistencia está abierta, el diodo esto en cortocircuito,etc. 3-23. No hay tensión de alimentación, R, estaAbierta, R? esto en cortocircuito, conexión abierta entrela tensión de alimentación y la unidad medida. 3-25.Banda del cátodo; la flecha del diodo apunta hacia estaBanda. 3-27. 1 N914: R, = 100 R, R, = 800 MQ;1N4001:RF= 1.1 Q. R,=S MQ; lNll85: R,=0,095R. R, = 21,7 kR. 3-29. 23 kR. 3-31. 4,47 PA. 3-33.

Cuando la fuente de 15 V es normal, el diodo superiorconduce produciendo una tensi6n en la carga de 14,3 V.Durante esta parte del funcionamiento normal, el diodoinferior está abierto. Si falla la fuente de 15 V, eldiodo superior se abre. Entonces la batería obliga a1diodo inferior a conducir. 3-35. La fuente de tensi6nno cambia, pero todas las demás variables decrecen.3.37- &, V,. VC, 11, 12, PI, P2; como R es tan grande no tiene efecto en el divisor de tensión; por tanto, las variables asociadas con el divisor de tensión no cambian.

CAPITULO 4

4-1.70,7 V. 22.5 V. 4-3.70,O V. 22.3 V, 22.3 V. 4-5.VAC. 11.3 V pico. 4-7. 21.21 V. 6,74 V. 4-9. 10 V.14.14 V. 4-11. 11.42 V. 7.26 V. 4-13. 19.81 V, 12.60V.

4-15.0.1 V. 4-17.21,2 mV. 752 mV. 4-19. Reducidoa la mitad. 4-21. 18,85 V, 334 mV. 4-23. 18.85 V.4.-25. 17.8 V: 17.8 V: no: mayor. 4-27.9.28 mA. 4-29.18,85 V. 4-31.0.7 V.-5OV. 4-33. 1.4V,-1,4V.4-35.2.62 V. 4-37. 0.7 V. -89.7 V. 4-39. 3393,6 V. 4-41.4746.4 V. 4-43. 4.51 A. 4-45. 21.21 V. 10,6 V.