窒化物半導体結晶成長および2011/07/07 · SimuLED & SimuLAMP : LED デバイス解析第3回窒化物半導体応用研究会問合せ先弊社営業部までお問い合せ下さい。

窒化物半導体結晶成長および

LED デバイスのシミュレーション

2011年7月7日株式会社ウェーブフロント

営業部

塚田佳紀

Copyright © 2010 Wave Front Co.,Ltd All Rights Reserved.

第3回窒化物半導体応用研究会

窒化物結晶成長シミュレーションソフトウェア

2Copyright © 2010 Wave Front Co.,Ltd All Rights Reserved.

バルク結晶成長

Virtual-Reactor : 気相からのバルク結晶成長シミュレーションソフトウェア

昇華法によるAlN バルク結晶成長解析

HVPE 法による GaN, AlGaN, AlN バルク結晶成長解析

エピ結晶成長

CFD-ACE+ & CVDSim : CVD 法でのエピ成長シミュレーションソフトウェア

MOCVD 法による窒化物エピ結晶成長解析

（GaN, AlGaN, AlN, InGaN, p-GaN, AlInN）

HVPE 法による GaN, AlGaN, AlN エピ結晶成長解析


窒化物結晶成長シミュレーションソフトウェア


薄膜結晶成長

CGSim : 融液および溶液からの結晶成長シミュレーションソフトウェア

フラックス法による GaN結晶成長

LED およびレーザーデバイス

SimuLED Package : LED デバイスシミュレーションソフトウェア

SiLENSe : バンドギャップモデリングシミュレーションソフトウェア

SpeCLED : 三次元での電流および温度分布シミュレーションソフトウェア

RATRO : レイトレーシングでの光取り出しシミュレーションソフトウェア

SimuLAMP : 蛍光体などを考慮した LED ランプのシミュレーションソフトウェア


製品紹介

気相からのバルク結晶成長シミュレーションソフトウェア

Virtual-Reactor



機能と適用事例

基本機能

熱流動解析

化学種の輸送や化学反応

応力解析

特長的な機能

計算格子自動生成

物性値データベースの内蔵

成長結晶形状予測

転位解析（昇華法のみ）

代表点での温度フィッティング

気相中でのパーティクル生成（HTCVD-SiCのみ）

クラッキング（開発中）


系内温度分布M.V. Bogdanov et al, Mat. Res. Soc. Proc.

743(2003) L3.33

成長中の応力と結晶形状経時変化（SiC）


CVD 法でのエピ成長シミュレーションソフトウェア

CFD-ACE+ & CVDSim


製品紹介


基本機能と適用範囲

基本機能熱流動・静電場・電磁場・輻射・化学反応の連成解析

適用範囲

リアクター型式 :

Horizontal, Planetary, Showerhead, Turbodisc，Home-made

など

圧力 : 低圧から大気圧まで

温度 : 低温から高温まで



特長的な機能と適用事例


特長的な機能

成長法と成膜結晶に応じた反応データベースの提供

MOCVD 法での窒化物系エピ成長用

対応する成長結晶 :

GaN, AlN, AlGaN, InGaN, p-GaN, AlInN

HVPE 法での GaN, AlGaN, AlNエピ成長用

成膜速度予測

気相反応およびパーティクル生成

各種気相反応と反応レートの詳細

反応炉内壁での寄生成長とエッチング

波長・温度依存性を考慮した輻射計算

自公転型反応炉におけるMOCVD-GaN


融液および溶液からの結晶成長シミュレーションソフトウェア

CGSim


製品紹介


機能と適用事例

基本機能

熱流動解析

化学種の輸送や化学反応

応力解析

磁場印加の考慮

特長的な機能

計算格子自動生成

物性値データベースの内蔵

成長結晶形状予測

不純物の輸送および偏析

代表点での温度フィッティング

Cz法での引き上げプロセス非定常解析

格子欠陥解析（Cz-Si のみ）


成長条件Crucible size = 15mm

Nitrogen pressure = 30 atm,

Bottom temperature = 1140 K,

Temperature difference between bottom and top

= 5 K

平均成長速度 ≈ 13.5 μm/hr

融液の温度分布窒素分布


LED デバイスシミュレーションパッケージ

SimuLED Package

( SiLENSe, SpeCLED, RATRO )

SimuLAMP


製品紹介


基本機能



特長的な機能




特長的な機能


発表論文（一部）

PVT 法での AlNバルク結晶成長Materials Science Forum 457-460, p.1545-1548, (2004).

HVPE 法での AlN, AlGaNバルク結晶成長

Phys. Status Solidi C 6, No. S2, S329–S332 (2009) / DOI 10.1002/pssc.200880892

NOCVD 法での GaNエピ成長

Journal of Crystal Growth 315 (2011) 224–228

MOCVD 法での AlGaNエピ成長

Journal of Crystal Growth 272 (2004) 420–425

MOCVD 法での InGaNエピ成長SAMSUNG Journal of Inovative Technology FEBRUARY 2007

紫外レーザー

phys. stat. solidi (c) 6, No 2, 603–606 (2009)

LED 内の電流温度分布

phys. stat. solidi (c) 5, No. 6, 2070–2072 (2008)

他多数15Copyright © 2010 Wave Front Co.,Ltd All Rights Reserved.


取扱製品（結晶成長解析用）


PolySim :

シーメンスプロセスでの多結晶シリコン結晶成長

CGSim : 融液および溶液からの結晶成長

Virtual-Reactor : 気相からのバルク結晶成長

CVDSim & CFD-ACE+ : エピ結晶成長解析

CFD-ACE+ : プラズマ CVD 解析

SimuLED & SimuLAMP : LED デバイス解析


問合せ先

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Tel. 045-682-7070

E-mail. [email protected]

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